KR930015224A - 레이저 다이오드 어레이의 제조방법 - Google Patents
레이저 다이오드 어레이의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
역메사를 가지는 반도체기판상에 LPE방법으로 전류차단층을 형성하면 성장특성에 의해 상기 메시의 표면에는 거의 성장되지 않으므로 불포화상태인 용융된 시료를 용융에칭할때 AlGaAs보아 GaAs가 빠르게 에칭되는 것을 이용하여 채널을 형성하고, 계속해서 제1클래드층을 비롯한 에피택셜층들을 순차적으로 형성한다. 상기에서 전류차단층들과 제1클래드층의 Al의 몰농도를 조절하므로써 결합방법을 선택한다. 따라서, LD어레이를 전류제한층들을 형성하기 위한 용융식각을 포함한 일단계의 에피택시 공정에 의해 형성하므로 제조공정이 간단하고, 식각후 표면이 산화되거나 결함이 발생되지 않으므로 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 또한 제1클래드층과 전류차단층들의 Al의 몰농도를 조절하여 원하는 연결형을 선택하므로 빔특성을 쉽게 조절할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(A)~(C)도는 종래 레이저다이오드 어레이의 제조공정도,
제2(A)~(D)도는 이 발명의 일실시예에 따른 레이저다이오드 어레이의 제조공정도,
제3도는 이 발명에 따른 레이저다이오드 어레이의 제조공정에서 에피택셜층들 성장시에 온도구배를 나타내는 그래프.
Claims (9)
- 레이저다이오드 어레이의 제조방법에 있어서, 제1도전형의 반도체기판에는 적어도 2개의 역메사를 형성하는 제1공정과, 상기 반도체기판의 상부에 제2도전형의 전류차단층을 형성하는 제2공정과, 상기 역메사들의 상부에 형성된 전류차단층과 이 역메사들을 용융식각하여 채널을 형성하는 제3공정과, 상기 남아있는 전류차단층들의 상부에 표면에 평탄해지도록 상기 채널을 메꾸는 제1도전형의 제1클래드층, 활성층, 제2도전형의 제2클래드층 및 제2도전형의 캡층을 순차적으로 성장하는 제4공정과, 상기 반도체기판의 하부표면과 캡층의 상부 제1 및 제2도전형의 전극들을 형성하는 제5공정을 구비한 레이저다이오드 어레이의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2공정에서 제4공정까지는 일단계의 액상에피택시 공정으로 형성하는 레이저다이오드 어레이의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판이 GaAs인 레이저다이오드 어레이의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전류제한층을 AlxGa1-xAs로, 클래드층을 AlyGa1-yAs로 형성하는 레이저다이오드 어레이의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 전류제한층 및 클래드층의 Al몰농도의 조절에 의해 동작모드를 제어할 수 있는 레이저다이오드 어레이의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 x가 y보다 크도록 형성하는 레이저다이오드 어레이의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 x가 y가 같도록 형성하는 레이저다이오드 어레이의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 x가 y가 적도록 형성하는 레이저다이오드 어레이의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제4공정후 절연막을 형성하는 공정을 더 구비하는 레이저다이오드 어레이의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910024136A KR950000961B1 (ko) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 레이저다이오드 어레이의 제조방법 |
| US07/995,750 US5362675A (en) | 1991-12-24 | 1992-12-24 | Manufacturing method of laser diode and laser diode array |
| JP4344230A JPH05267781A (ja) | 1991-12-24 | 1992-12-24 | レーザダイオード及びレーザダイオードアレイの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910024136A KR950000961B1 (ko) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 레이저다이오드 어레이의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930015224A true KR930015224A (ko) | 1993-07-24 |
| KR950000961B1 KR950000961B1 (ko) | 1995-02-06 |
Family
ID=19325811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910024136A KR950000961B1 (ko) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 레이저다이오드 어레이의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950000961B1 (ko) |
-
1991
- 1991-12-24 KR KR1019910024136A patent/KR950000961B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950000961B1 (ko) | 1995-02-06 |
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