KR960009301A - 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 - Google Patents
반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 상세하게는 반도체 레이저 다이오드와 같은 광소자를 전자 소자와 함께 하이브리드(hybride)구조화함에 있어서, 동일 반 절연성 기판 상에 전자 소자와 광소자를 함께 형성할 때 배선의 끊어짐이 없이 손쉽게 제작할 수 있는 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
즉, 본 발명에 따른 레이저 다이오드 및 그 제조 방법은, 구조면에서 BH구조로 함으로써, 전류 제한 효과가 월등히 양호하며, 출사광의 광 도파 효과도 훨씬 향상시킬 수 있으며, 그리고 이러한 제조 방법에 의하여 에피택시 성장 공정 및 포토리소그래피 공정이 종래에 비해 1회씩 줄어들므로 공정이 간단하고 생산비가 절감되며 무엇보다도 제조 공정상의 오염의 소지를 줄일 수 있어 소자의 특성을 향상시킬 수 있다. 그리고 본 발명의 소자는 강역 굴절율 도파(strong-indexguide)형이므로 발진광의 모드 조절도 용이한 효과도 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도는 내지 제11도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 제조 단계별 공정 후의 수직 단면도로서, 제7도는 에칭에 의한 메사 구조 형성후의 수직 단면도,
제8도는 에피택시 성장 후의 단면도,
제9도는 전류 차단층 형성 영역 확보를 위한 에칭공정 후의 수직 단면도,
제10도는 전류 차단층 성장 후의 수직 단면도,
제11도는 p-금속 전극 형성 후의 수직 단면도.
Claims (11)
- 그 일측 상면이 식각되어 메사형 돌출부가 형성된 기판; 상기 메사형 돌출부의 경사면을 포함한 상기 기판의 식각된 면 상에 적층된 콘택트층; 상기 콘택층의 평탄면 중앙에 소정의 폭으로 적층된 하부 크래드층; 상기 하부 크래드층의 폭에 대응하는 폭으로 상기 하부 크래드층 상면에 적층된 활성층; 상기 활성층의 폭에 대응하는 폭으로 상기 활성층 상면에 적층된 상부 크래드층; 그리고 상기 상부 크래드층의 폭에 대응하는 폭으로 상기 상부 크래드층 상면에 적층된 캡층; 상기 순차 적층된 하부 크래드층, 활성층, 상부 크래드층 및 캡층은 리지를 이지고, 이 리지 양쪽 측면에 전기적 절연을 위하여 형성된 전류 차단층;을 구비하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 기판은 반절연성 기판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 전류 차단층은 반절연성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 기판에서 상기 돌출부의 높이는 10㎛ 내지 15㎛의 범위 내에서 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 콘택트층은 5㎛ 내지 10㎛이상의 두께로 혀성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 기판 상면의 일측부를 제1마스크를 형성한 다음 선택적으로 식각하여 메사 구조를 형성하는 식각 단계; 상기 메사 구조의 측면을 포함한 식각된 평탄면 상에 콘택트층, 하부 크래드층, 활성층, 상부 크래드층 및 캡층을 순차적으로 성장시키는 제1성장 단계; 상기 제1마스크를 제거하고 제2마스크를 형성하여 상기 성장된 적층의 중앙 상면에, 상기 성장 적층에서 콘택트층을 제외한 나머지 성장적층을 식각하여 리지를 형성하는 리지 형성 단계; 상기 리지 형성 단계에서 식각된 부분에 전류 차단층을 선택적으로 성장시키는 제2성장 단계; 상기 제2마스크를 제거하고 제3마스크를 형성한 다음, 상기 리지 상면에 제1금속 전극을 증착하는 제1전극 증착 단계; 그리고 상기 제3마스크의 상기 콘택트층과의 접촉부를 식각하여 개구한 다음 제2금속 전극을 증착하는 제2금속 전극 중착 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3마스크는 SiO2로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2성장 단계는 유기 금속 화학 기상 성장(MOCVD)법이나 MBE법에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 잔류 차단층은 반절연성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 식각 단계에서 상기 기판은 10㎛ 내지 15㎛의 범위 내에서 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 제1성장 단계에서 상기 콘택트층은 5㎛ 내지 10㎛ 이상 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940021900A KR100281919B1 (ko) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940021900A KR100281919B1 (ko) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960009301A true KR960009301A (ko) | 1996-03-22 |
| KR100281919B1 KR100281919B1 (ko) | 2001-03-02 |
Family
ID=66686634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940021900A KR100281919B1 (ko) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100281919B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100432344B1 (ko) * | 2001-04-04 | 2004-05-22 | 헬릭스 테크놀로지 인코퍼레이티드 | 유기 발광 다이오드 제조 방법 |
| KR100666036B1 (ko) * | 2005-07-08 | 2007-01-09 | 위점복 | 플러그 이탈장치가 구비된 콘센트 |
-
1994
- 1994-08-31 KR KR1019940021900A patent/KR100281919B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100432344B1 (ko) * | 2001-04-04 | 2004-05-22 | 헬릭스 테크놀로지 인코퍼레이티드 | 유기 발광 다이오드 제조 방법 |
| KR100666036B1 (ko) * | 2005-07-08 | 2007-01-09 | 위점복 | 플러그 이탈장치가 구비된 콘센트 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100281919B1 (ko) | 2001-03-02 |
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