KR950010224A - 레이저 다이오드 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

레이저 다이오드 소자 및 그 제조방법 Download PDF

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KR950010224A
KR950010224A KR1019930019767A KR930019767A KR950010224A KR 950010224 A KR950010224 A KR 950010224A KR 1019930019767 A KR1019930019767 A KR 1019930019767A KR 930019767 A KR930019767 A KR 930019767A KR 950010224 A KR950010224 A KR 950010224A
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KR1019930019767A
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김종렬
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 레이저 다이오드 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 그 저면에 전극이 마련되는 기판과, 상기 기판의 상부에 형성되는 것으로 레이저를 발진시키는 레이저 발진층과, 상기 레이저 발진층의 상부에 형성되는 것으로 전류를 제한적으로 차단하는 전류제한층과, 상기 전류제한층의 상부에 형성되는 캡층을 구비하는 레이저 다이오드 소자에 있어서, 상기 전류제한층과 레이저 발진층 사이에는 식각 저지층이 형성되어 있고, 상기 하부크래드층과 전류제한층의 적층 구조체 중앙부에는 사다리꼴의 채널이 형성되어 있으며, 상기 채널의 바닥면상에는 분리된 별도의 활성층이 형성되어 있다. 이러한 구조를 가지는 본 발명의 소자 제조방법은 리지의 깊이를 식각이 아닌 성장에 의해 제어하므로 깊이 제어를 정확히 할 수 있고, 또한 리지측면의 전류제한층을 성장시키는 것이 아니라 전류제한층을 먼저 성장한 후, 다음에 리지를 2차로 성장하게 되므로 리지 상부의 계면특성이 한층 더 우수하며, 전체적인 평탄화를 용이하게 얻을 수 있어 소자의 전반적인 특성을 향상시키게 될 것이다.

Description

레이저 다이오드 소자 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 레이저 다이오드 소자의 제조과정을 도시한 것으로서, (가) 도는 1차 성장이 완료된 후의 단면 구조도, (나)도는 채널이 식각된 상태도, (다)도는 선택적 식각에 의해 식각저지층이 식각된 상태도, (라)도는 선택된 2차 성정이 완료된 후의 단면구조도, (마)도는 3차성장이 완료된 후의 단면구조도.

Claims (4)

  1. 그 저면에 전극이 마련되는 기판과, 상기 기판의 상부에 형성되는 것으로 레이저를 발진시키는 레이저 발진층과, 상기 레이저 발진층의 상부에 형성되는 것으로 전류를 제한적으로 차단하는 전류제한층과, 상기 전류제한층의 상부에 형성되는 캡층을 구비하는 레이저 다이오드 소자에 있어서, 상기 전류제한층과 레이저 발진층 사이에는 식각저지층이 형성되어 있고, 상기 하부크래드층과 전류제한층의 적층 구조체 중앙부에는 사다리꼴의 채널이 형성되어 있으며, 상기 채널의 바닥면상에는 리된 별도의 활성층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 식각저지층은 GaInP의 조성으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 렝지 다이오드 소자.
  3. (1) 기산상에 n-버퍼층, n-크래드층, 활성층, P-크래드층, p-식각저지층, 전류제한층을 순차적으로 1차 적층성장하는 단계; (2) 1차 성장 후, 상기 적층구조체 위에 마스크층을 형성하고, 포토리소그라피(photolithography)에 의해 전류제한층 내에 전류주입 채널을 에칭형성하는 단계; (3) 전류주입채널 바닥의 식각저지층을 식각하여 상부 크래드층을 전류주입채널로 노출시키는 단계; (4)마스크층에 의해 선택적으로 제2의 p-크래드층 및 p-버퍼층을 성장하는 단계; 및 (5)마스크층을 제거한 후, 캡층을 성장하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이드 소자의 제조방법.
  4. 3항에 있어서, 전류주입채널 저면의 식각저지층을 식각할 때, MBE(Molecular Beam Eitaxy)또는 MOCVD(Metal Organic chemical Vapor Deposition)에 의해 식각이 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930019767A 1993-09-25 1993-09-25 레이저 다이오드 소자 및 그 제조방법 KR950010224A (ko)

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