KR950010261A - 레이저 다이오드와 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 광디스크나 광 자기디스크등에 사용되는 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 특히 이종접합계면특성이 이수한 이득도파형 반도체 레이저 다이오드와 그 제작방법에 관한 것이다.
본 발명 레이저 다이오드는 저면에 하부전극이 형성된 기판; 상기 기판의 상면에 형성되어 발진 영역을 갖는 레이저 발진층: 상기 레이저 발진층의 상부에 마련되는 금속전극; 상기 기판과 상기 레이저 발진층의 사이에 개재되어 상기 레이저 발진 영역에 전류를 제한 공급되게 하는 통전 영역을 제공하는 전류제한층을 갖추는 것을 특징으로 한다.
이상과 같은 본 발명은 제작이 간편하고 이종접합계면의 굴곡(abruptness)특성이 우수하여 신뢰성있는 레이저 다이오드를 제작할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 내지 제4도는 본 발명에 따른 레이저 다이오드의 제조단계별 개략적 단면도.
Claims (7)
- 저면에 하부전극이 형성된 기판; 상기 기판의 상면에 형성되어 발진 영역을 갖는레이저 발진층; 상기 레이저 발진층의 상부에 마련되는 금속전극; 상기 기판과 상기 레이저 발진층의 사이에 개재되어 상기 레이저 발진 영역에 전류를 제한 공급되게 하는 통전영역을 제공하는 전류제한층를 갖추는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 기판의 상부에 소정 높이로 돌출되는 리지가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
- 제2항에 있어서, 상기 리지의 양측면에 전류제한층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
- 저면에 하부전극이 형성된 p-GaAs기판; 상기 p-기판의 상면에 형성되는 p-AlGaInP하부클래드층; 상기 하부클래드층 상에 형성되고 레이저 발진영역르 갖는 GaInP활성층; 상기 활성층상에 형성되는 n-AlGaInP상부클래드층; 상기 클래드층 사이에 형성된 n-GaInP버퍼층; 상기 버퍼층상에 형성된 n+-GaAs캡층; 상기 캡층에 형성된 n-금속전극 상기 기판과 하부클래드층 사이에 개재되어 상기 레이저 발진 영역에 전류가 제한 공급되게하는 통전영역을 제공하는 n-GaAs전류제한층을 갖추는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
- 저면에 하부전극이 형성된 p-GaAs기판을 사진식각공정에 의하여 리지형태로 패터닝한 후 상기 리지의 상면 및 측면에 n+-GaInP전류제한층을 성정시키는 단계; 상기 리지상부의 전류제한층을 에칭하여 통전영역을 형성하는 단계; 상기 전류제한층과 통전영역의 전면에 p-AlGaInP하브클래드층, GaInP활성층, n-AlGaInP상부클래드층, n-GaInP, n+-GaAs캡층, 상부전극을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 리지상부의 전류제한층은 결정성장법(MBE)의 챔버안에서 AS4플럭스를 조사하여 식각하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 리지상부의 전류제한층은 리지상면보다 약 0.1Um높게 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930019684A KR950010261A (ko) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 레이저 다이오드와 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930019684A KR950010261A (ko) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 레이저 다이오드와 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950010261A true KR950010261A (ko) | 1995-04-26 |
Family
ID=66824006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930019684A KR950010261A (ko) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 레이저 다이오드와 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950010261A (ko) |
-
1993
- 1993-09-24 KR KR1019930019684A patent/KR950010261A/ko not_active Application Discontinuation
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