KR970004193A - 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로서, 제1도 전형의 화합물 반도체기판상에 동일한 도전형의버퍼층과 진성 활성층과 제2도 전형의 가이드층을 성장시키고, 상기 가이드층상에 스트라이프 형사의 절연막 패턴으로된식각마스크를 형성하되, 열팽창 계수가 큰 물질과 작은 물질을 사용한 두개의 층으로 형성하여 상온에서는 아래쪽으로 휘게하고, 고온에서는 위쪽으로 휘게한 후, 상기 식각마스크에 의해 노출되어있는 가이드층으로 버퍼층까지를 순차적으로메사식각하여 상기 식각마스크의 하부에 언더컷이진 가이드층 패턴과, 활성층 패턴 및 버퍼층 패턴을 형성하면, 상기 식각 마스크의 양측이 하래쪽으로 휘어있다가, 상기 구조의 반도체기판능 성장에 필요한 온도까지 상승시켜 상기 식각마스크의 양측을 위쪽으로 휘게한 후, 전류차단층을 성장시켜 PBH-LD를 형성하였으므로, 재성장의 마스크가 되는 식각마스크가 위쪽으로 휘어 있으므로 전류 차단층이 두껍게 형성되고, 성장의 조절이 용이하며, 소자의 재현성이 우수하여 공정수율 및 소자 동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2F도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 제조 공정도.
Claims (3)
- 제1도전형의 화합물 반도체 기판상에 제1도 전형의 화합물 반도체로된 버퍼층을 형성하는 공정과, 상기버퍼층상에 상기 버퍼층과는 다른 조정으로 굴절율이 높은 진성 화합물 반도체로된 활성층을 형성하는 공정과, 상기 활성층상에 상기 버퍼층과 같은 조성의 제2도 전형 화합물 반도체로된 가이드층을 형성하는 공정과, 상기 가이드층상에 두층의 절연막 패턴으로된 식각마스크를 형성하되, 상부의 절연막이 하부의 절연막 보다 열팽창계수가 큰 것으로 형성하는 공정과, 상기 식각마스크에 의해 노출되어있는 가이드층에서 버퍼층까지를 순차적으로 메사식각하여 언더컷이 진 가이드층패턴과 활성층 패턴 및 버퍼층 패턴을 형성하되 상기 식각마스크의 양측이 상온에서 아래쪽으로 휘어지게하는 공정과, 상기 식각마스크의 돌출된 양측 부분을 상측으로 휘어지도록하는 온도에서 상기 버퍼층에서 가이드층에서 가이드층까지의 측벽에 제2도전형의 화합물 반도체로된 제1전류 차단층을 형성하는 공정과, 상기 제1전류차단층상에 제1도 전형의 화합물 반도체로된제2전류차단층을 형성하는 공정을 구비하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각마스크가 산화막, 질화막 및 사파이어로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 두개의 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각마스크가 산화막, 질화막 및 사파이어로 이루어지는 군에서 임의로 선택된되는하나의 물질로 형성하되, 공정 조건을 달리하여 열팽창 계수차가 나는 두개의 층으로 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019950019641A KR0144490B1 (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
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| KR1019950019641A KR0144490B1 (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970004193A true KR970004193A (ko) | 1997-01-29 |
| KR0144490B1 KR0144490B1 (ko) | 1998-08-17 |
Family
ID=19419838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0144490B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8049818B2 (en) | 2005-07-26 | 2011-11-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Video processing apparatus and method |
| KR102644398B1 (ko) | 2023-01-06 | 2024-03-07 | 의료법인 명지의료재단 | 옻나무 추출물과 사이토카인 유도 살해세포를 포함하는 면역항암 조성물 |
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1995
- 1995-06-30 KR KR1019950019641A patent/KR0144490B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8049818B2 (en) | 2005-07-26 | 2011-11-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Video processing apparatus and method |
| KR102644398B1 (ko) | 2023-01-06 | 2024-03-07 | 의료법인 명지의료재단 | 옻나무 추출물과 사이토카인 유도 살해세포를 포함하는 면역항암 조성물 |
| KR102653057B1 (ko) | 2023-01-06 | 2024-03-29 | 의료법인 명지의료재단 | 옻나무 추출물과 사이토카인 유도 살해세포를 포함하는 면역항암 조성물 |
| KR20240110516A (ko) | 2023-01-06 | 2024-07-15 | 의료법인 명지의료재단 | 옻나무 추출물과 사이토카인 유도 살해세포를 포함하는 면역항암 조성물 |
| KR20240110518A (ko) | 2023-01-06 | 2024-07-15 | 의료법인 명지의료재단 | 옻나무 추출물과 사이토카인 유도 살해세포를 포함하는 면역항암 조성물 |
| KR20240110517A (ko) | 2023-01-06 | 2024-07-15 | 의료법인 명지의료재단 | 옻나무 추출물과 사이토카인 유도 살해세포를 포함하는 면역항암 조성물 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0144490B1 (ko) | 1998-08-17 |
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