KR970067957A - 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자 및 그의 제조 방법 - Google Patents

질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자 및 그의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자는 기판;적어도 활성층과, 사익 활성층을 사이에 샌드위치시킨 제1 도전형의 제1 클래팅층 및 제2 도전형의 제2 클레딩층을 포함하는 상기 기판 상에 형성된 제1 반도체 다층 구조; 상기 제1 반도체 다층 구조의 위에 형성돈 상기 제2 도전형의 드라이 에칭 스톱층; 및 상기 드라이 에칭 스톱층의 위에 형성되는 제2 반도체 다층 구조를 포함한다.

Description

질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자 및 그의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 질화갈름계 내부 전류 협착형 반도체 레이저의 도식적 단면도.

Claims (21)

  1. 활성층 상에 위치한 클래딩층 상에 상기 클래딩층과 동일한 도전형의 드라이 에칭 스톱층을 포함하는 질화갈름계 화합물 반도체 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서, 드라이 에칭 스톱층이 InN층인 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자.
  3. 제2항에 있어서, InN드라이 에칭 스톱층의 두께가 약 10Å 내지 약 50Å의 범위인 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자.
  4. 기판, 적어도 활성층과, 상기 활성층을 사이에 샌드위치시킨 제1 도전형의 제1 클래딩층 및 제2 도전형의 제2 클래딩층으로 이루어진, 상기 기판 상에 형성된 제1 반도체 다층 구조, 상기 제1 반도체 다층 구조 상에 형성된 상기 제2 도전형의 드라이 에칭 스톱층, 및 상기 드라이 에칭 스톱층 상에 형성된 제2의 반도체 다층 구조로 이루어진 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자.
  5. 제4항에 있어서, 기판이 제1 도전형인 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자.
  6. 제4항에 있어서, 기판이 비도전성인 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자.
  7. 제4항에 있어서, 상기 제2 반도체 다층 구조가 스트라이프 형상 홈을 갖는 제1 도전형의 내부 전류 협착층, 내부 전류 협착층 및 스트라이프 형상 홈의 상면을 덮는 제2 도전형의 제3 클래딩 층, 및 제3 클래딩층 상에 형성된 제2 도전형의 접촉층으로 이루어진 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자.
  8. 제4항에 있어서, 제2 반도체 다층 구조가 제2 도전형의 제3 클래딩층 및 제2 도전형의 접촉층을 가지며, 제2 반도체 다층 구조가 스트라이프 형상 리지인 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자.
  9. 제4항에 있어서, 제1 클래딩층 및 제2 클래딩층이 A1XGa1-xN(0≤x1)층이고, 활성층이 A1yGa1-yN(0≤y1: x가 0일때, y≠0)층이고, 드라이 에칭 스톱층이 InN층인 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자.
  10. 제4항에 있어서, 기판이 제1 도전형이고, 제1 반도체다층 구조가 기판 상에 형성된 제1도전형의 버퍼층, 버퍼층 상에 형성된 제1 클래딩층, 제1 클래딩층 상에 형성된 활성층, 및 활성층 상에 형성된 제2클래딩층으로 이루어진 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자.
  11. 제4항에 있어서, 기판이 비도전성이고, 제1 반도체 다층 구조가 기판 상에 형성된 비도전성 제1 버퍼층, 제1 버퍼층 상에 형성된 제1 도전형의 제2 버퍼층, 제2 버퍼층 상에 형성된 제1 클래딩층, 제1 클래딩층 상에 형성된 활성층, 및 활성층 상에 형성된 제2 도전형의 제2 클래딩층으로 이루어진 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자.
  12. 적어도 활성층과, 상기 활성층을 사이에 샌드위치시킨 제1 도전형의 제1 클래딩층 및 제2 도전형의 제1 클래딩층으로 이루어진 제1 반도체 다층 구조를 기판상에 형성하는 단계, 제1 반도체 다층 구조 상에 제2 도전형의 드라이 에칭 스톱층을 형성하는 단계, 및 에칭을 사용하여 드라이 에칭 스톱층 상에 제2 반도체 다층 구조를 형성하는 단계로 이루어진 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 기판이 제1 도전형인 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  14. 제12항에 있어서, 기판이 비도전성인 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  15. 제12항에 있어서, 제2 반도체 다층 구조 형성 단게가 드라이 에칭 스톱층 상에 내부 전류 협착층을 형성하는 단계, 드라이 에칭 스톱층에 내부 전류 협착층을 에칭하여 스트라이프 형상 홈을 형성하는 단계, 내부 전류 협착층 및 스트라이프 형상 홈의 상면을 덮도록 제2 도전형의 제3 클래딩층을 형성하는 단계, 및 제2 도전형의 접촉층을 제3 클래팅층 상에 형성하는 단계로 이루어진 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  16. 제12항에 있어서, 제2 반도체 다층 구조 형성 단계가 드라이 에칭 스톱층 상에 제2 도전형의 제3 클래딩층을 형성하는 단계, 제3 클래딩층 상에 제2 도전형의 접촉층을 형성하는 단계, 및 제3 클래딩층 및 접촉층을 드라이 에칭 스톱층에 에칭하여 리지를 형성하는 단계로 이루어진 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  17. 제12항에 있어서, 제1 클래딩층 및 제2 클래딩층이 A1XGa1-xN(0≤x＜1)층이고, 활성층이 A1yGa1-yN(0≤y≤1: x가 0일때, y≠0)층이고, 드라이 에칭 스톱층이 InN층인질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  18. 제12항에 있어서, 기판이 제1 도전형이고, 제1 반도체 다층 구조 형성 단계가 기판 상에 제1 도전형의 버퍼층을 형성하는 단계, 버퍼층 상에 제1 도전형의 제1 클래딩층을 형성하는 단계, 제1 클래딩층 상에 활성층을 형성하는 단계 및 활성층상에 제2 도전형의 제2 클래딩층을 형성하는 단계로 이루어진 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서, 버퍼층이 GaN으로 형성되고 제1 클래딩층이 A1XGa1-xN(0≤x≤1)층으로 형성되고, 활성층이 A1yGa1-yN(0≤y≤1: x가 0일때, y≠0)층으로 형성되는 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  20. 제12항에 있어서, 기판이 비도전성이고, 제1 반도체다층 구조 형성 단계가 기판 상에 비도전성 제1 버퍼층을 형성하는 단계, 제1 버퍼층 상에 제1 도전형의 제2 버퍼층을 형성하는 단게, 제2 버퍼층 상에 제1 도전형의 제1 클래딩층을 형성하는 단계, 제1 클래딩층 상에 활성층을 형성하는 단계, 및 활성층 상에 제2 도전형의 제2 클래딩층을 형성하는 단계로 이루어진 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  21. 제20항에 있어서, 제1 버퍼층이 A1N, GaN, 및 A1wGa1-w(0＜w＜1)으로 구성된 군으로부터 선택된 재료로 형성되고 제2 버퍼층이 GaN으로 형성되고, 제1 클래딩층이 A1XGa1-xN(0≤x＜1)층으로 형성되고, 활성층이 InyGa1-yN(0≤y≤1: x가 0일때, y≠0)층으로 형성되고, 제2 클래딩층이 A1XGa1-xN(0≤x＜1)층으로 형성되는 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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