KR920013828A - 반도체 레이저 다이오드 제조방법 - Google Patents
반도체 레이저 다이오드 제조방법 Download PDFInfo
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 반도체 레이저 다이오드의 개념도, 제5도는 본 발명의 공정단면도
Claims (2)
- 기판표면위에 전류차단층 마스크용 유전체박막을 형성하는 단계, 상기 유전체 박막위에 포토/에치공정을 실시하여 소정폭을 갖는 유전체막 스트라이프를 형성하는 단계, 상기 기판의 표면중 상기 유전체막 스트라이프가 형성된 부위를 제외한 나머지 부위에 1차 에피택시 성장공정을 실시하여 전류 차단층을 형성하는 단계, 기판에 세척공정을 실시하여 상기 유전체막 스트라이프를 제거하는 단계, 활성층 형성을 위한 2차에피텍시 성장공정을 실시하는 단계가 차례로 포함됨을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전류차단층을 LPE법 또는 MOCVD법으로 형성함을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900022438A KR940005760B1 (ko) | 1990-12-29 | 1990-12-29 | 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900022438A KR940005760B1 (ko) | 1990-12-29 | 1990-12-29 | 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920013828A true KR920013828A (ko) | 1992-07-29 |
| KR940005760B1 KR940005760B1 (ko) | 1994-06-23 |
Family
ID=19308942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900022438A KR940005760B1 (ko) | 1990-12-29 | 1990-12-29 | 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940005760B1 (ko) |
-
1990
- 1990-12-29 KR KR1019900022438A patent/KR940005760B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940005760B1 (ko) | 1994-06-23 |
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