KR930009180A - 반도체 레이저 다이오드 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 MOCVD법의 선택적 성장에 의해 생성되는 반도체 성장면의 요철(凹凸)부분을 사양하여 높은 신뢰성을 가지는 반도체 레이저 다이오드를 제공하기 위한 것으로, n형 기판(1)에 n형 버퍼층(2)과 n형 크래드층(3), 활성층(4), P형크래드층(5) 및 캡층(7)을 차례로 성장하는 공정과, 역V형 리지를 형성하여 그 위에 n형 전류차단층(6)을 성장하고 N형 전류차단층(6)의 두께가 0.8-1.0㎛정도 되도록 에치백하는 공정과, 그위에 캡층(7)을 성장하고 P형전극(8)과 n형전극(9)을 형성하는 공정으로 이루어진다.

이와 같이 이루어진 반도체 레이저 소자는 구조상 완전한 전류차단과 DH구조의 변화에 따라 레이저 다이오드의 특성을 조절할 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 레이저 다이오드 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 종래 게인-가이드형 반도체 레이저 다이오드의 구조 단면도.

제2도는 종래의 인덱스-가이드형 반도체 레이저 다이오드 공정 단면도.

제3도는 본 발명의 반도체 레이저 다이오드 공정 단면도.

Claims (2)

1. n형 기판(1)에 n형 버퍼층(2)과 n형 크래드층(3), 활성층(4), P형크래드층(5) 및 P형층을 차례로 성장하는 공정과, 상기 기판상의 크래드층(5)의 소정의 두께까지 에칭하여 역V형 리지를 형성시키는 공정과, 역 V형 리지가 묻힐 정도로 n형 전류차단층(6)을 성장한 후 전류차단층(6)을 일정두께로 에칭하되 P형 캡층이 일정통정 영역이 되도록 하는 공정과 그 위에 P형 캡층(7)을 성장하고 P형전극(8)과 N형전극(9)을 형성하여 제조함을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
2. 제1항에서 n형기판(1)에 AlGaInp계의 더블헤테로구조 성장시 n형 크래드층(3), 활성층(4), P형 크래드층(5)의 두께를 각각 1.0㎛, 0.1㎛, 0.7-1.0㎛로 성장하고 역 V형 리지는 밑변이 6-12㎛되게 하고, 전류차단층은 두께가 0.8-1.0㎛이고 P형 캡층의 통전영역의 길이가 4-6㎛되도록 에칭하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.