KR950012879A - 반도체 레이저 어레이 및 이의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 레이저 어레이 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 p⁺- GaAs 기판(11)위의 소정부를 패터닝시키는 단계; LPE법에 의해 p-AlGaAs 클래드층914), GaAs 활성층(15) 및 n-AlGaAs 제1클래드층(16)을 순차적으로 성장시킨 다음 n-AlGaAs 제1클래드층(16)의 상부를 패터닝시키는 단계; 및 그후 LPE법에 의해 p-AlGaAs 굴절율 조절층(18)을 성장시키고 n-AlGaAs 제2클래드층(16´)을 성장시키는 단계로 구성되므로써 MOCVD성장법을 사용함이 없이 단지 LPE 성장법만으로 역굴절율 도파형 구조이 어레이를 구현할 수 있는 잇점이 있는 반도체 레이저 어레이 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

Description

반도체 레이저 어레이 및 이의 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명의 반도체 레이저 어레이의 단면도이다.

Claims (3)

1. (a)p⁺- GaAs 기판(11)위의 소정부를 패터닝시키는 단계; (b) LPE법에 의해 p-AlGaAs 클래드층(14), GaAs 활성층(15) 및 n-AlGaAs 제1클래드층(16)을 순차적으로 성장시킨 다음 n-AlGaAs 제1클래드층(16)의 상부를 패터닝시키는 단계; 및 (c)그후 LPE법에 의해 p-AlGaAs 굴절율 조절층(18)을 성장시키고 n-AlGaAs 제2클래드층(16´)을 성장시키는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 레이저 어레이의 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 n-AlGaAs 제1클래드층(16)을 용융 에칭시킨 후 n-AlGaAs 제2클래드층(16´)이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 어레이의제조방법.
3. p⁺-GaAs기판상에 n-AlGaAs 블로킹층 및 n-AlGaAs 굴절율 조절층이 형성되고 그 위에 p-AlGaAs 클래드층이 형성된 반도체 레이저 어레이에 있어서, 상기 p-AlGaAs 클래드층 상부에 형성되어 레이저를 방출하는 GaAs 활성층(15)과, 상기 GaAs 활성층(15)위의 n-AlGaAs 제1클래드층(16) 및 제2클래드층(16´)과, 그리고 상기 n-AlGaAs 제1클래드층(16) 및 제2클래드층(16´) 사이에서 LPE법에 의해 성장된 p-AlGaAs 굴절율 조절층(18)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 어레이.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.