KR960006171A - 레이저다이오드 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 레이저다이오드 제조방법에 관한 것으로, PBH(planar buried he-terostructure) 레이저다이오드를 제조할때 금속층을 정확하게 메사구조상부에 콘택하기 위하여 별도의 얼라인 키 역할을 하는 층을 함께 만드는 레이저다이오드 제조방법이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 내지 제1c도는 종래의 기술로 PBH-레이저다이오드를 제조하는 단계를 도시한 단면도.
제2a도 내지 제2c도는 본 발명에 의해 PBH-레이저다이오드를 제조하는 단계를 도시한 단면도.
Claims (4)
- 레이저다이오드 제조방법에 있어서, n-InP 버퍼층, 액티브영역으로 사용되는 u-InGaAsP층, 클래드층으로 사용되는 p-InP층, 산화막을 적층하는 단계와, 마스크를 이용한 식각공정으로 상기 산화막에서 n-InP 버퍼층의 일정 두께까지 식각하여 메사구조를 형성하되, 가장자리에도 별도의 메사구조를 형성하는 단계와, 전류차단층으로 사용되는 p-InP층, n-InP층을 에피텍셜 성장시키고, 가장자리에 있는 메사구조 상부에는 산화막을 남기고 다른 메사구조에 있는 산화막은 모두 식각하는 단계와, 전체구조 사웁에 상부 클래드층으로 사용되는 p-InP층과 오믹콘택층 사용되는 pInGaAsP층을 차례로 성장시키고, 전체 구조 상부에 절연층을 형성하는 단계와, 상기 가장자리에 형성된 메사구조를 얼라인 키로 이용하여 메사구조 상부에 금속을 콘택시키기 위한 콘택홀을 형성하고, 금속을 증착하는 단계를 포함하는 레이저다이오드 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 가장자리에 별도의 메사구조를 형성하는 대신에 기판의 원하는 부분에 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저다이오드 제조방법.
- 제1항에 있어서, 2차 성장방법으로 레이저다이오드를 제조할 경우 에치를 한후, 얼라인키로 사용될 부분에 절연막을 남기고, 전류차단층인 P-InP,n-InP층을 성장시키고, 연속적으로 버퍼층인 P-InP와 오믹콘택층인 pInGaAsP층을 성장시키는 것을 특징으로 하는 레이저다이오드 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 nInP 기판을 사용하는 대신에 pInP을 사용하는 것을 특징으로 하는 레이저다이오드 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940016967A KR960006171A (ko) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 레이저다이오드 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940016967A KR960006171A (ko) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 레이저다이오드 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR960006171A true KR960006171A (ko) | 1996-02-23 |
Family
ID=66689038
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940016967A KR960006171A (ko) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 레이저다이오드 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR960006171A (ko) |
-
1994
- 1994-07-14 KR KR1019940016967A patent/KR960006171A/ko not_active Application Discontinuation
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