KR950004657A - 반도체 레이저 다이오드 제조방법 - Google Patents
반도체 레이저 다이오드 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 레이저 다이오드 제조방법에 관한 것으로, 종래의 기술에서 AIGaAs계 물질을 이용하여 DC-PBH형 반도체 레이저 다이오드를 제조할 수 없었던 문제점을 AIGaAs계 물질을 이용하여 DC-PBH형을 만든 후 포토-에칭 공정수행 후 AIGaAs 표면에 형성된 산화막을 제거하고 AIGaAs 표면에 산화방지막으로서 언도우프드 GaAs를 형성시켜 에피(Epi) 공정으로 매립층을 형성함으로써 기존의 기술에서 1,2차 LPE공정 사이에 형성되는 산화막을 LPE공정의 특성인 멜트-백(Melt-back) 효과를 이용하여 배제시켰으며, 또한 매립층으로 형성되는 AIGaAs의 AI 조성비를 0.1-0.4로 함으로써 산화막이 형성되지 않도록 하여 산화막형성 때문에 AIGaAs계 물질을 이용하여 DC-PBH 구조의 반도체 레이저 다이오드를 제조할 수 없었던 종래 기술의 한계를 극복하였다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도(A)-(D)는 본 발명의 반도체 레이저 다이오드 공정 단면도.
Claims (5)
- GaAs 기판(11)상에 제 1 클래드층(12), 활성층(13), 제 2 클래드층(14), 제 1 캡층(15)을 차례로 형성하여 이중헤테로 구조(DH)를 형성하는 공정, 상기 공정후 포토-에칭 공정으로 윗부분이 넓고, 아랫부분이 좁은 형상을 갖는 두개의 도랑(16)을 일정간격 격리시켜 형성하여, 메사(17)와 메사(17) 양측에 두개의 채널을 형성하는 공정, 상기 포토-에칭 공정시 형성된 산화막을 제거하고, 노출된 전표면에 산화방지막(18)을 형성하는 공정, 상기 노출된 전표면에 LPE법으로 0.3의 AI 조성비를 갖는 P-AIGaAs(19), n-AIGaAs(20)를 매립층으로, P-GaAs(21)를 제 2 캡층(21)으로 형성하는 공정으로 제조됨을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 메사(17)의 폭은 2㎛ 이하로 함을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 산화방지막(18)은 500Å 이하로 형성함을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 산화방지막(18)은 언도우프트 GaAs로 형성함을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 메사(17)형성을 위한 포토-에칭 공정후 산화막제거는 열식각(Thermal Etching)법으로 수행함을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930013338A KR950004657A (ko) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930013338A KR950004657A (ko) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950004657A true KR950004657A (ko) | 1995-02-18 |
Family
ID=67143218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930013338A KR950004657A (ko) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950004657A (ko) |
-
1993
- 1993-07-15 KR KR1019930013338A patent/KR950004657A/ko not_active Application Discontinuation
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