KR960027107A - 레이저 다이오드 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 레이저 다이오드 제조방법에 관한 것으로서, PBH(planar burried heterostructure) 레이저 다이오드 제작시 발생하는 접합 정전 용량을 줄이기 위한 격리 홈을 형성할 때 HBr : HNO3: H2O의 식각용액과 H2SO4: H2O2: H2O의 식각용액을 사용하여 P+InGaAsP층의 상부 모서리부가 라운드 되도록 하는 것이다.

Description

레이저 다이오드 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 내지 제6도는 본 발명에 의해 레이저 다이오드의 격리홈을 형성하는 단계를 도시한 단면도

Claims (2)

  1. N+-InP기판상에 N+-InP버퍼층과 메사구조의 언도프된 InGaAsP층, P-InP 층이 형성되고, 측벽에 블러킹층이 전체구조 상부에 P-InP층과 P+-InGaAsP층으로 이루어지는 PBH레이저 다이오드 제조방법에 있어서, 상기 P+-InGaAsP층 상부에 격리홈용 감광막패턴을 형성한 다음, 이것을 마스크로 사용하여 상기 P+-InGaAsP층에서 N+InP기판의 일정두께 까지 HBr : HNO3: H2O의 용액에서 비선택적 습식식각을 하여 격리홈을 형성하고, H2SO4: H2O2: H2O의 식각용액에서 짧은 시간선택적으로 상기 P+-InGaAsP층의 상부 모서리부를 식각하여 라운드 되도록 하는 공정을 포함하는 레이저 다이오드 제조방법.
  2. N+InP기판상에 N+-InP버퍼층과 메사구조의 언도프된 InGaAsP층, P-InP층이 형성되고, 측벽에 블로킹층이 전체구조 상부에 P-InP층과 P+-InGaAsP층으로 이루어지는 PBH 레이저 다이오드 제조방법에 있어서, 상기 P+-InGaAsP층 상부에 격리홈용 감광막패턴을 형성한 다음, 이것을 마스크로 사용하여 상기 P+-InGaAsP층에서 N+-InP기판의 일정두께 까지 HBr : HNO3: H2O의 용액에서 비선택적 습식식각을 하여 격리홈을 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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