KR920013830A - 레이저 다이오드의 제조방법 - Google Patents

레이저 다이오드의 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

레이저 다이오드의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도(a)~(e)는 본 발명에 따른 레이저 다이오드의 제조공정도이다

Claims (3)

  1. 제1도전형의 GaAs기판상에 제1도전형과 반대도전형인 제2도전형의 GaAs전류차단층을 성장시키는 공정과, 상기 제2도전형의 GaAs전류차단층의 소정의 부분을 제한하여 상기 제1도전형의 GaAs기판의 소정의 깊이 까지 노출되도록 V-자홈을 형성하는 공정과, 전면에 상기 V-자홈의 중심에서 곡면을 갖는 제1도전형의 AℓGaAs클래드층, 상기 V-자홈 부분이 완전히 채워지는 제1도전형의 GaAs층을 LPE법으로 차례로 성장시키는 공정과, 상기 V-자홈의 범위로 제한하여 상기 제1도전형의 GaAs층에 또다른 V-자홈을 상기 곡면이 손상되지 않도록 형성하는 공정과, 그 위에 상기 또다른 V-자홈의 중심을 초생달 형상이 있는 비도프된 AℓGaAs활성층, 상기 또다른 V-자홈 부분을 채우는 제2도전형의 AℓGaAs층, 제2도전형의 GaAs층을 차례로 MOCVD법으로 형성한 후, 상기 제2도전형의 GaAs층 상부에는 제2도전형의 전극을 형성하고 제1도전형의 GaAs기판 하부에는 제1도전형의 전극을 형성하는 공정으로 이루어진 레이저 다이오드의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형의 AℓGaAs클래드층은 상기 V-자홈 밖의 평탄한 면의 두께가 0.2㎛이하로 되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 비도프된 AℓGaAs활성층은 상기 또다른 V-자홈의 중심에서 100A이 되도록 한 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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