KR930005302A - 레이저 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

레이저 다이오드 및 그 제조방법 Download PDF

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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region

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Abstract

내용 없음.

Description

레이저 다이오드 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 레이저 다이오드의 단면도,
제2도는 이 발명에 따른 레이저 다이오드의 평면도,
제3도는 상기 제2도를 A-A′선으로 자른 단면도.

Claims (10)

  1. 레이저 다이오드에 있어서, 제1도전형의 화합물 반도체기판과, 상기 화합물 반도체기판상에 이 화합물 반도체기판과 연결되며 타측의 벽개면으로부터 소정거리까지 2개가 평행하다가 동일한 소정각도로 꺽여 일측의 벽개면부분에서 한개로 합쳐지는 V채널을 포함하는 제2도전형의 전류제한층과, 상기 전류제한층의 상부에 형성되어 상기 V채널을 통해 상기 화합물 반도체기판과 연결되는 제1도전형의 제1클래드층과, 상기 제1클래드층의 상부에 형성되는 제1 또는 제2도전형의 활성층과, 상기 활성층의 상부에 형 성되는 제2도전형의 제2클래드층과, 상기 제2클래드층의 상부에 형성된 제2도전형의 캡층과, 상기 V채널과 대응하는 부분을 제외한 캡층의 상부에 형성된 산화막과, 상기 산화막의 상부에 상기 노출된 캡층과 접촉하는 제2도전형 전극과 상기 화합물 반도체기판의 하부 표면에 형성된 제1도전형 전극을 구비하는 레이저 다이오드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 화합물 반도체기판이 GaAs 또는 InP중 어느 하나인 레이저 다이오드.
  3. 제1항에 있어서, 상기 2개의 V채널은 캐비티길이가 동일한 레이저 다이오드.
  4. 제1항에 있어서, 상기 일측의 벽개면이 광의 반사를 방지하는 레이저 다이오드.
  5. 제4항에 있어서, 상기 광의 반사방지를 위해 Al2O3가 코팅된 레이저 다이오드.
  6. 제1항에 있어서, 상기 타측의 벽개면이 광의 반사율이 높은 레이저 다이오드.
  7. 제6항에 있어서, 상기 빛의 반사율이 높도록 Al2O3및 Soi가 교대로 2번 적측된 레이저 다이오드.
  8. 레이저 다이오드의 제조방법에 있어서, 제1도전형의 화합물 반도체기판의 표면에 제2도전형의 전류제한층을 형성하는 공정과, 상기 화합물 반도체기판이 노출되도록 타측의 벽개면 부분에서 소정거리까지 2개가 평행하다가 동일한 소정각도로 꺽여 일측의 벽개인 부근에서 한개로 합치는 V채널을 형성하는 공정과, 상기 전류제한층의 상부에 상기 화합물 반도체기판의 노출된 부분과 접촉하는 제1도전형의 제1클래드층과, 제1도는 제2도전형의 활성층과, 상기 제2도전형의 제2클래드층과, 제2도전형의 캡층을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 V채널과 대응하는 부분을 제외한 캡층의 표면에 산화막을 형성하는 공정과, 상술한 구조의 전표면과 상기 화합물 반도체 기판의 하부표면에 제2 및 제1전극을 형성하는 공정과, 상기 일측 타측의 벽개면에 각각 반사방지코팅 및 고반사 코팅하는 공정을 구비한 레이저 다이오드의 제조방법.
  9. 제8항에 이어서, 상기 층들을 LPE로 형성하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 산화막을 형성할 때 V채널 형성과 동일한 마스크를 사용하는 레이저 다이오드의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020051049A (ko) * 2000-12-22 2002-06-28 신현준 일산화탄소 가스의 제거용 흡착제 및 제거방법
KR100514792B1 (ko) * 2000-12-23 2005-09-14 주식회사 포스코 고비점의 탄화수소 흡착제 및 이의 재생방법

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