JPH07202319A - 量子井戸半導体レーザ素子 - Google Patents
量子井戸半導体レーザ素子Info
- Publication number
- JPH07202319A JPH07202319A JP35045493A JP35045493A JPH07202319A JP H07202319 A JPH07202319 A JP H07202319A JP 35045493 A JP35045493 A JP 35045493A JP 35045493 A JP35045493 A JP 35045493A JP H07202319 A JPH07202319 A JP H07202319A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- quantum well
- laser element
- layer
- laser device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 しきい値電流の温度上昇による増加が低下
し、また、量子効率の温度上昇にともなう低下が少なく
なる量子井戸半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 量子井戸層からなる活性層を有し、共振器長
がＬ、出射面反射率がＲf 、後面反射率がＲr である半
導体レーザ素子において、ミラー損失（１／２Ｌ）ln
（１／Ｒf Ｒr ）を２０ｃｍ-1以下にする。
し、また、量子効率の温度上昇にともなう低下が少なく
なる量子井戸半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 量子井戸層からなる活性層を有し、共振器長
がＬ、出射面反射率がＲf 、後面反射率がＲr である半
導体レーザ素子において、ミラー損失（１／２Ｌ）ln
（１／Ｒf Ｒr ）を２０ｃｍ-1以下にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、量子井戸からなる活性
層を有する半導体レーザ素子に関する。
層を有する半導体レーザ素子に関する。
【０００２】
【従来技術】量子井戸（歪量子井戸を含む）からなる活
性層を有する量子井戸半導体レーザ素子は、ＤＨ型半導
体レーザ素子に比較して、低しきい値、高量子効率とい
う優れた特性を有する。量子井戸半導体レーザ素子の斜
視図を図４に示す。図中、１はファブリペロー共振器、
２、３は共振器端面、４は量子井戸を含む活性層、５は
高反射誘電体多層膜である。この構造において、共振器
長を３００μｍ、端面反射率を３２％、９０％程度に設
定することにより、しきい値電流６ｍＡ、光取り出し面
からの量子効率５２％程度の特性が得られる。
性層を有する量子井戸半導体レーザ素子は、ＤＨ型半導
体レーザ素子に比較して、低しきい値、高量子効率とい
う優れた特性を有する。量子井戸半導体レーザ素子の斜
視図を図４に示す。図中、１はファブリペロー共振器、
２、３は共振器端面、４は量子井戸を含む活性層、５は
高反射誘電体多層膜である。この構造において、共振器
長を３００μｍ、端面反射率を３２％、９０％程度に設
定することにより、しきい値電流６ｍＡ、光取り出し面
からの量子効率５２％程度の特性が得られる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
量子井戸半導体レーザ素子においては、低しきい値、高
効率が得られるが、８５℃程度の高温になると、これら
の特性が著しく低下するという問題があった。
量子井戸半導体レーザ素子においては、低しきい値、高
効率が得られるが、８５℃程度の高温になると、これら
の特性が著しく低下するという問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決した量子井戸半導体レーザ素子を提供するもので、量
子井戸層を含む活性層を有し、共振器長がＬ、出射面反
射率がＲf 、後面反射率がＲr である半導体レーザ素子
において、ミラー損失（１／２Ｌ）ln（１／Ｒf Ｒr ）
が２０ｃｍ-1以下であることを特徴とするものである。
決した量子井戸半導体レーザ素子を提供するもので、量
子井戸層を含む活性層を有し、共振器長がＬ、出射面反
射率がＲf 、後面反射率がＲr である半導体レーザ素子
において、ミラー損失（１／２Ｌ）ln（１／Ｒf Ｒr ）
が２０ｃｍ-1以下であることを特徴とするものである。
【０００５】
【作用】本発明は、量子井戸半導体レーザ素子の温度特
性がミラー損失に依存性することについて、実験的に得
られた新しい知見に基づくものである。即ち、ミラー損
失（１／２Ｌ）ln（１／Ｒf Ｒr ）が２０ｃｍ-1以下で
あると、しきい値電流の温度上昇による増加が低下し、
また、量子効率の温度上昇にともなう低下が少なくな
る。
性がミラー損失に依存性することについて、実験的に得
られた新しい知見に基づくものである。即ち、ミラー損
失（１／２Ｌ）ln（１／Ｒf Ｒr ）が２０ｃｍ-1以下で
あると、しきい値電流の温度上昇による増加が低下し、
また、量子効率の温度上昇にともなう低下が少なくな
る。
【０００６】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて本発明
を詳細に説明する。図１は、本発明にかかる量子井戸半
導体レーザ素子の一実施例の斜視図である。図中、１１
はｎ−ＩｎＰ基板、１２は活性層、１３はｐ−ＩｎＰ電
流ブロック層、１４はｎ−ＩｎＰ電流ブロック層、１５
はｐ−ＩｎＰクラッド層、１６はｐ−ＩｎＰクラッド
層、１７はｐ−ＧａＩｎＡｓＰコンタクト層である。１
８および１９は、それぞれ出射端面側および後端面側の
高反射膜である。これらの高反射膜は、α−Ｓｉ層２０
とＳｉＯ2 層２１からなる誘電体多層膜であり、それぞ
れの厚さはλ／４ｎである。ここで、λはレーザ発振波
長、ｎはそれぞれの屈折率である。本実施例において
は、共振器長を２００μｍ、出射端面側反射率を８５
％、後端面側反射率を９５％とした。これは、ミラー損
失として５．３ｃｍ-1に相当する。本実施例のしきい値
電流の温度依存性を図２に示す。図２から分かるよう
に、常温でのしきい値電流は、２ｍＡという低い値が得
られた。また、３０℃における値で規格化した量子効率
の温度依存性を図３に示す。一方、比較例として、ミラ
ー損失を２５ｃｍ-1とした素子を作製し、発光特性を測
定した結果を図２、３に示した。この結果からわかるよ
うに、比較例の素子は、本実施例に比較して、しきい値
電流が大きく、温度上昇にともなうしきい値電流の増加
も大きい。また、比較例の素子は、温度が上昇すると急
激に量子効率が低下する。
を詳細に説明する。図１は、本発明にかかる量子井戸半
導体レーザ素子の一実施例の斜視図である。図中、１１
はｎ−ＩｎＰ基板、１２は活性層、１３はｐ−ＩｎＰ電
流ブロック層、１４はｎ−ＩｎＰ電流ブロック層、１５
はｐ−ＩｎＰクラッド層、１６はｐ−ＩｎＰクラッド
層、１７はｐ−ＧａＩｎＡｓＰコンタクト層である。１
８および１９は、それぞれ出射端面側および後端面側の
高反射膜である。これらの高反射膜は、α−Ｓｉ層２０
とＳｉＯ2 層２１からなる誘電体多層膜であり、それぞ
れの厚さはλ／４ｎである。ここで、λはレーザ発振波
長、ｎはそれぞれの屈折率である。本実施例において
は、共振器長を２００μｍ、出射端面側反射率を８５
％、後端面側反射率を９５％とした。これは、ミラー損
失として５．３ｃｍ-1に相当する。本実施例のしきい値
電流の温度依存性を図２に示す。図２から分かるよう
に、常温でのしきい値電流は、２ｍＡという低い値が得
られた。また、３０℃における値で規格化した量子効率
の温度依存性を図３に示す。一方、比較例として、ミラ
ー損失を２５ｃｍ-1とした素子を作製し、発光特性を測
定した結果を図２、３に示した。この結果からわかるよ
うに、比較例の素子は、本実施例に比較して、しきい値
電流が大きく、温度上昇にともなうしきい値電流の増加
も大きい。また、比較例の素子は、温度が上昇すると急
激に量子効率が低下する。
【０００７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、量
子井戸層からなる活性層を有し、共振器長がＬ、出射面
反射率がＲf 、後面反射率がＲr である半導体レーザ素
子において、ミラー損失（１／２Ｌ）ln（１／Ｒ
f Ｒr ）が２０ｃｍ-1以下であるため、しきい値電流の
温度上昇による増加が低下し、また、量子効率の温度上
昇にともなう低下が少なくなるという優れた効果があ
る。
子井戸層からなる活性層を有し、共振器長がＬ、出射面
反射率がＲf 、後面反射率がＲr である半導体レーザ素
子において、ミラー損失（１／２Ｌ）ln（１／Ｒ
f Ｒr ）が２０ｃｍ-1以下であるため、しきい値電流の
温度上昇による増加が低下し、また、量子効率の温度上
昇にともなう低下が少なくなるという優れた効果があ
る。
【図１】本発明にかかる量子井戸半導体レーザ素子の一
実施例の斜視図である。
実施例の斜視図である。
【図２】上記実施例のしきい値電流の温度依存性を示す
図である。
図である。
【図３】上記実施例の量子効率の温度依存性を示す図で
ある。
ある。
【図４】量子井戸半導体レーザ素子の斜視説明図であ
る。
る。
１１ ｎ−ＩｎＰ基板 １２ 活性層 １３ ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層 １４ ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層 １５、１６ ｐ−ＩｎＰクラッド層 １７ ｐ−ＧａＩｎＡｓＰコンタクト層 １８、１９ 高反射膜 ２０ α−Ｓｉ層 ２１ ＳｉＯ2 層
Claims (1)
- 【請求項１】 量子井戸層からなる活性層を有し、共振
器長がＬ、出射面反射率がＲf 、後面反射率がＲr であ
る半導体レーザ素子において、ミラー損失（１／２Ｌ）
ln（１／Ｒf Ｒr ）が２０ｃｍ-1以下であることを特徴
とする半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35045493A JPH07202319A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 量子井戸半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35045493A JPH07202319A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 量子井戸半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07202319A true JPH07202319A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18410607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35045493A Pending JPH07202319A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 量子井戸半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07202319A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6618419B1 (en) | 1999-11-18 | 2003-09-09 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor laser |
| JP2019075438A (ja) * | 2017-10-13 | 2019-05-16 | 明広 石田 | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP35045493A patent/JPH07202319A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6618419B1 (en) | 1999-11-18 | 2003-09-09 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor laser |
| JP2019075438A (ja) * | 2017-10-13 | 2019-05-16 | 明広 石田 | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60242689A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| US4852112A (en) | Semiconductor laser with facet protection film of selected reflectivity | |
| JPH0468798B2 (ja) | ||
| US5953358A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH0118591B2 (ja) | ||
| JPH07202319A (ja) | 量子井戸半導体レーザ素子 | |
| US4773077A (en) | Internal reflection interferometric semiconductor laser apparatus | |
| KR100754956B1 (ko) | 반도체 레이저장치 및 레이저시스템 | |
| JPH05315695A (ja) | 半導体レーザ | |
| EP0549123A2 (en) | Semiconductor laser having reduced temperature dependence | |
| JPH10303495A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP3266728B2 (ja) | 導波路型光素子の製造方法 | |
| US5894491A (en) | Semiconductor laser device operable with low noise even in high ambient temperature | |
| JP2006128475A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH0730199A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH07302953A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH0319292A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH07321406A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| US5031186A (en) | Semiconductor laser device | |
| JP2937740B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
| JP2991716B2 (ja) | エッチトミラー型化合物半導体レーザー装置及び集積素子 | |
| JP2560619B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPH09107156A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2913947B2 (ja) | 量子井戸型半導体レーザ | |
| JP2002204030A (ja) | 導波路型光素子 |