KR970054998A - 벽개면을 갖는 반도체 장치 - Google Patents

벽개면을 갖는 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

반도체 발광 장치는 주면으로서 {11-20} 면(a면)을 갖는 기판(1)상에 적어도 제1클래딩층(6), 발광층(7), 및 제2클래딩층(8)을 포함한 적층 구조의 반도체층(2)을 형성하는 단계; 및 가열 상태하에서 반도체층(2) 및 기판(1)을 일체로 절단하여, {1-102} 면(r면) 내에 벽개된 면에 의한 상술한 기판 상에 한쌍의 마면을 형성함과 동시에 반도체 층(2)상에 기판(1)의 상술한 한쌍의 마면을 따라 연장하는 마면(3)을 형성하는 단계에 의해 제공된다.

Description

벽개면을 갖는 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반도체 장치의 일예를 도시한 개략사시도.

Claims (8)

  1. 반도체 장치에 있어서, 기판, 및 상기 기판 상에 N 및 {Ga,Al,In}중에서 선택된 적어도 1개의 원소를 함유한 반도체 화합물로 구성된 적어도 1개의 층을 포함하며, 상기 기판이 상기 기판의 {1-102} 면으로부터 5도 이내에 한쌍의 마면(facet)을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 적어도 1개의 층이 상기 기판의 상기 마면들에 평행하는 한쌍의 마면을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 적어도 1개의 층의 상기 한쌍의 마면이 반도체 발광 소자의 공진기인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판이 사파이어(sapphire)기판인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기판이 {11-20} 면의 주면(main surface)을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 적어도 1개의 층의 상기 마면 상에 상기 반도체 화합물과 거의 유사한 굴절률을 갖는 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 절연막은 N과 배합된 Al, Ga, 및 In 중에서 선택된 적어도 1개의 원소의 재료로 주로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  8. {11-20} 면 내에 주면을 갖는 사파이어 기판, 및 상기 기판의 상기 주면상에 GaN의 적어도 1개의 층을 포함하며, 상기 기판이 상기 기판의 {1-102} 면으로부터 5도 이내에 한쌍의 마면을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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