KR920019028A - 반도체 레이저 다이오드 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 본 발명 반도체 레이저 다이오드의 구조를 보인 도면.
Claims (1)
- 반도체 레이저 다이오드의 제조시, 광 공진기면(1)위에 모체산화막(2)을 형성하고 그 위에 산화 실리콘막 또는 질화 실리콘막등의 절연막(3)을 도포하여 반도체 레이저 다이오드로 부터 방사되는 빛에 대하여 반사율이 최대가 되도록 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910004459A KR920019028A (ko) | 1991-03-21 | 1991-03-21 | 반도체 레이저 다이오드 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910004459A KR920019028A (ko) | 1991-03-21 | 1991-03-21 | 반도체 레이저 다이오드 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920019028A true KR920019028A (ko) | 1992-10-22 |
Family
ID=67400431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910004459A KR920019028A (ko) | 1991-03-21 | 1991-03-21 | 반도체 레이저 다이오드 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920019028A (ko) |
-
1991
- 1991-03-21 KR KR1019910004459A patent/KR920019028A/ko not_active Application Discontinuation
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