KR840005276A - 레이저형 발광 반도체장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 횡선 기하학적 반도체 레이저에 관한 간략도,
제2도는 종래 기술에 의한 "이득유도"에 관한 단면도,
제3도는 종래 기술에 의한 사장된 헤테로구성을 갖는 "색인유도"에 관한 단면도,
제4도는 종래 기술에 의한 에칭된 색인유도기판에 관한 단면도.
Claims (7)
- 굴절율 경도에 의해 빛이 유도되는 횡선 기하학적 활성층을 통해 빛이 방출되며, 활성층이 두개의 헤테로접합을 형성하면서 만들어진 두개의 제한층사이에 사장된 레이저의 활성층내에 에칭된 V형흠을 갖는 기판과, 외부 제한층위에 용착된 접촉층과, 기판의 두개의 주표면위에 용착된 두개의 접기접촉 경화층으로 구성되는 레이저형 발광장치에 있어서, 제1 제한층, 활성층, 제2제한층이 한편으로는 에칭된 V형홈의 내부로 제한되며, 또 한편으로는 활성층이 오목한 형인 두개의 헤테로접합에 의해 제한되며, 활성층은 홈에 접혹된 가장자리에서는 0의 두께를 가지며, 상기 활성층의 중심부와 가장다리의 두께의 차에 의해 굴절율 경도가 생성되어 방출된 빛을 유도하는 것을 특징으로 하는 제이저형 발광반도체장치.
- 제1항에 의한 반도체장치에 있어서, 레이저 내로의 전류의 주입이 양자를 주입시키므로써 절연된 두개의 구획에 의한 홈영역으로 제한되어, 기판으로부터 상측경화층을 분리시키는 것을 특징으로 하는 레이저형 발광반도체장치.
- 제1항에 의한 반도체장치에 있어서, 레이저내로의 전류의 주입이 홈위에 직접 개방부분을 가지며, 기판으로부터 상측경화층을 분리시키는 알루미나층에 의한 홈영역으로 제한되는 것을 특징으로 하는 레이저형 발광반도체장치.
- 제1항 내지 제3항에 의한 반도체장치에 있어서, 기판 및 제1제한층은 n형 InP이며, 활성층은 x=0.28, y=0.60인 GaxIn-1xAsyP1-y이며 제2 제한층은 P형 InP이며 접촉층은 P형 Ga 0.47 In 0.53 As이라는 것을 특징으로 하는 레이저형 발광반도체장치.
- 제1항 내지 제3항에 의한 반도체장치에 있어서, 기판 및 제1 제한층은p형 InP이며, 활성층은 x=0.28, y=0.60인 In1-xAsyP1-y이며, 제2 제한층 및 접촉층은n- 형 InP이라는 것을 특징으로하는 레이저형 발광반도장치.
- 제1항에 의한 반도체장치에 있어서, V형 홈은 기판의 상측면에 연결되고 볼록형을 갖는 두개의 표면을 가지며, 상기 표면의 볼록한 측은 홈을 향하는 것을 특징으로 하는 레이저형 발광반도체장치.
- 제1항 내지 제6항에 의한 레이저형 반도체장치의 제조방법에 있어서, 활성층, 제한층, 접촉층은 제로과포화의 조건하에 홈내부분적 에피택셜 성장에 의해 얻어지며, 여기에서 Te는 납작한 기판을 갖는 에피택셜 매개물의 평형온도이며, Tc는 에피텍셜 성장온도이며, 레이저의 성장을 위한 에피텍셜 매개물의 성분은 Te=Tc이도록 선택된다는 것을 특징으로 하는 레이저형 발광반도체장치 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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