KR930015212A - 이중헤테로 구조를 갖는 반도체 레이저 - Google Patents
이중헤테로 구조를 갖는 반도체 레이저 Download PDFInfo
- Publication number
- KR930015212A KR930015212A KR1019910024468A KR910024468A KR930015212A KR 930015212 A KR930015212 A KR 930015212A KR 1019910024468 A KR1019910024468 A KR 1019910024468A KR 910024468 A KR910024468 A KR 910024468A KR 930015212 A KR930015212 A KR 930015212A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- semiconductor
- semiconductor laser
- double hetero
- active region
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
본 발명은 광통신에 사용되는 발진 파장이 1~1.3㎛ 정도이고 광운반 손실이 극히 적은 광피버에 적합한 반도체 레이저에 관한 것으로 기본 횡모드가 안정화되는 주입형 반도체 레이저에 관한 것이다.
상기의 본 발명은 활성영역을 갖고 금지대 폭이 좁은 제1반도체층과, 제1반도체층에 비하여 상대적으로 굴절율이 적고 금지대폭이 넓은 제2반도체층이 제1반도체층 아래에 형성되고 제1반도체층 위에는 제2반도체층과 같은 성질의 제3반도체층이 형성되어 레이저 광이 진행되는 방향과 수직인 방향에 대해서 레이저광에 대한 실효 굴절율이 불연속으로 변화하는 영역을 구성한 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본발명 제1실시예의 반도체 레이저 구조 사시도,
제2도는 본 발명에 따른 주입전류대의 광출력 특성도,
제3도는 본 발명에 따른 그래프 하이트 보우트 구조단면도,
제4도는 본 발명의 제2실시예의 반도체 레이저 구조사시도.
Claims (5)
- 형상의 스트라이프가 형성된 제2반도체층을 갖는 Inp결정기판과, 상기 기판상에 형성되며 활성영역을 갖음과 함께 활성영역 부분이 잔여부분보다 두껍게 형셩된 GaxIn1-xAsy Pl-y의 제1반도체층과, 상기 제1반도체층상에 형성되며 상기 제2반도체층과 다른 도전형식인 GaxIn1-xAsy Pl-y의 제3반도체층을 포함하는 이중 헤테로 구조를 갖는 반도체레이저.
- 제1항에 있어서 제3반도체 층상에 형성하되 상기 제2반도체층의 스트라이프에 해당하는 부분이외의 부분에 형성된 절연막과, 상기 절연막과 절연막이 형성되지 않은 제3반도체층상에 형성되는 제1전극과 상기 기판 하부에 형성되는 제1전극을 부가함을 특징으로 하는 이중 헤테로를 갖는 반도체 레어저.
- 제1항에 있어서, 제3반도체층은 도전형을 달리하는 두개의 반도체층을 상하로 형성하되 제1반도체층상에 형성되는 반도체층을 제2반도체층과 다른 도전형의 반도체층으로 형성함을 특징으로 하는 이중 헤테로를 갖는 반도체 레이저.
- 제1항 내지 제3항에 있어서, 제1반도체층의 활성영역과 잔여부분의 두께차가 200~0.1㎛인 것을 특징으로 하는 이중 헤테로를 갖는 반도체 레이저,
- 제1항 또는 제2항에 있어서,형상의 스트라이프폭이 7㎛이고, 제1반도체층, 제2반도체층과 제3반도체층은 0.01≤y≤1인 것을 특징으로 하는 이중 헤테로를 갖는 반도체 레이저.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910024468A KR930015212A (ko) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 이중헤테로 구조를 갖는 반도체 레이저 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910024468A KR930015212A (ko) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 이중헤테로 구조를 갖는 반도체 레이저 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930015212A true KR930015212A (ko) | 1993-07-24 |
Family
ID=67345787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910024468A KR930015212A (ko) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 이중헤테로 구조를 갖는 반도체 레이저 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930015212A (ko) |
-
1991
- 1991-12-26 KR KR1019910024468A patent/KR930015212A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR870002669A (ko) | 반도체 레이저다이오드 | |
| KR890011152A (ko) | 반도체 레이저 장치 및 그 제조방법 | |
| KR930015212A (ko) | 이중헤테로 구조를 갖는 반도체 레이저 | |
| JPH0690369B2 (ja) | 半導体光変調器 | |
| US4520485A (en) | Semiconductor device | |
| KR960043385A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 | |
| JPS6179288A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS63278288A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP2687404B2 (ja) | 分布帰還形半導対レーザ | |
| KR920011003A (ko) | 화합물 반도체 레이저 | |
| JP2556299B2 (ja) | 半導体光集積デバイスおよびその製造方法 | |
| JP3025322B2 (ja) | 光導波路 | |
| KR950010245A (ko) | 반도체 레이저 소자 및 제조 방법 | |
| KR970031123A (ko) | 고출력 레이저 다이오드 | |
| JPS57157586A (en) | Semiconductor laser device | |
| KR950012878A (ko) | 반도체 레이저 소자와 그 제조방법 | |
| JPH02303084A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| KR960016034A (ko) | 레이져 다이오드 제조방법 | |
| JPH02110988A (ja) | 埋め込み型半導体レーザ | |
| JPH0350885A (ja) | 埋め込み型半導体光素子 | |
| JPH0933868A (ja) | 光素子 | |
| KR950007210A (ko) | 가시광 레이저 다이오드 제조방법 | |
| KR960027108A (ko) | 레이저 다이오드 제조방법 | |
| JPH02191388A (ja) | 半導体レーザーの製造方法 | |
| KR950012894A (ko) | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |