KR950007210A - 가시광 레이저 다이오드 제조방법 - Google Patents

가시광 레이저 다이오드 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950007210A
KR950007210A KR1019930017300A KR930017300A KR950007210A KR 950007210 A KR950007210 A KR 950007210A KR 1019930017300 A KR1019930017300 A KR 1019930017300A KR 930017300 A KR930017300 A KR 930017300A KR 950007210 A KR950007210 A KR 950007210A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
laser diode
forming
current limiting
channels
Prior art date
Application number
KR1019930017300A
Other languages
English (en)
Inventor
양민
유태경
Original Assignee
이헌조
주식회사 금성사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이헌조, 주식회사 금성사 filed Critical 이헌조
Priority to KR1019930017300A priority Critical patent/KR950007210A/ko
Publication of KR950007210A publication Critical patent/KR950007210A/ko

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

본 발명은 가시광 레이저 다이오드 제조방법에 관한 것으로 종래 가시광 레이저 다이오드 제조방법은 활성층을 선택적으로 성장시키기 위해 절연막을 마스크로 사용하여 활성층을 식각한 후 절연막을 제거하므로 이때 전체표면이 공기중에 노출되어 소자의 신뢰성에 나쁜 영향을 미치며, 절연막을 마스크로 사용함으로써 신뢰성이 저하되는 문제점이 있었다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 SiO2등의 절연막을 사용하지 않고 LPE방법으로 클래드층을 활성층의 위, 아래 뿐만 아니라 좌,우에도 형성하여 캐리어의 접속 효과를 높여 문턱 전압값을 낮출 수 있도록 하고, 굴절율 차이에 따른 안정된 단일 모드의 레이저 빛을 얻을 수 있도록 하는 가시광 레이저 다이오드 제조방법을 창안한 것이다.

Description

가시광 레이저 다이오드 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (가) 내지 (라)는 본 발명 가시광 레이저 다이오드 제조 공정도,
제3도의 (가) 내지 (라)는 본 발명 가시광 다이오드의 다른 제조 공정도.

Claims (7)

  1. 기판 위에 InGAAlP 4원계 더블 헤테로 구조(Double Hetero-structure)를 형성하는 단계와, 상기 더블 헤테로 구조를 식각하여 두개의 채널을 형성하는 단계와, 상기 두개의 채널이 형성된 더블 헤테로 구조에 p-n-p-n로 구조의 전류 제한층을 형성하는 단계와 상기 전류제한층 위와 기판 하부에 전극을 각기 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가시광 레이저 다이오드 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 두 채널 내부에 형성되는 전류제한층의 물질을 Alx· Gal-x· As로 형성하는 특징으로 하는 가시광 레이저 다이오드 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 두 채널 형성은 각 채널 상단폭을 6~8㎛로하며 두 채널 사이에 메사 상단폭을 2~3㎛로, 각 채널깊이를 3~3.5㎛로 하여 반원형으로 에칭하여 형성하는 것을 특징으로 하는 가시광 레이저 다이오드 제조방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 비도핑 In0.5(Gal-xAlx)0.5P층, In0.5(Gal-yAly)0.5P층, Alx· Gal-x· As층의 조성비를 변경하여 원하는 파장의 레이저 빛을 얻는 것을 특징으로 하는 가시광 레이저 다이오드 제조방법.
  5. 기판 위에 InGAAlP 4원계 더블 헤테로 구조(Double Hetero structure)를 형성하는 단계와, 상기 기판을 메사(Mesa)형태로 에칭하는 단계와 p-n-p-n구조의 전류제한층을 형성하는 단계와, 상기 전류제한층 위와 기판 하부에 전극을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 가시광 레이저 다이오드 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, p-n-p-n구조의 전류제한층은 Alx· Gal-x· As로 형성하는 것을 특징으로 하는 가시광 레이저 다이오드 제조방법.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 비도핑 In0.5(Gal-xAlAL-y)0.5P층, In0.5(Gal-yAly)0.5P층, Alx·Gal-x·AS층의 조성비를 조절하여 원하는 파장의 레이저 빛을 얻도록 하는 것을 특징으로 하는 가시광 레이저 다이오드 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
KR1019930017300A 1993-08-31 1993-08-31 가시광 레이저 다이오드 제조방법 KR950007210A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930017300A KR950007210A (ko) 1993-08-31 1993-08-31 가시광 레이저 다이오드 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930017300A KR950007210A (ko) 1993-08-31 1993-08-31 가시광 레이저 다이오드 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR950007210A true KR950007210A (ko) 1995-03-21

Family

ID=66817951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930017300A KR950007210A (ko) 1993-08-31 1993-08-31 가시광 레이저 다이오드 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR950007210A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160116650A (ko) 2015-03-31 2016-10-10 단국대학교 천안캠퍼스 산학협력단 타크로리무스의 경구용 과포화성 마이크로에멀젼 조성물

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160116650A (ko) 2015-03-31 2016-10-10 단국대학교 천안캠퍼스 산학협력단 타크로리무스의 경구용 과포화성 마이크로에멀젼 조성물

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960027091A (ko) 반도체 레이저 장치 및 반도체 레이저 장치의 제조방법
KR970063768A (ko) 단부면 발광형 광반도체 소자 및 그 제조방법
KR970024411A (ko) 반도체 레이저의 제조방법 및 반도체 레이저(semiconductor laser and method of fabricating semiconductor laser)
KR950007210A (ko) 가시광 레이저 다이오드 제조방법
KR960027098A (ko) 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법
KR930015212A (ko) 이중헤테로 구조를 갖는 반도체 레이저
JPS6179288A (ja) 半導体レーザ
JPS63233587A (ja) 半導体レ−ザ装置
KR960006172A (ko) 레이져 다이오드의 제조방법
JPS58131784A (ja) 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ
KR920009007A (ko) 레이저다이오드 및 그 제조방법
KR950012894A (ko) 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
KR920009006A (ko) 레이저다이오드 및 그 제조방법
JPH02156591A (ja) 半導体レーザ
KR910019298A (ko) 매립형 이종구조(buried heterostructure) 레이저 다이오드 제조방법
KR930020786A (ko) 레이저다이오드 및 그 제조방법
KR930011348A (ko) 레이저다이오드 및 그 제조방법
JPS58148481A (ja) 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ
KR950012878A (ko) 반도체 레이저 소자와 그 제조방법
JPS5967679A (ja) 光双安定素子
KR930007015A (ko) 레이저다이오드 및 그 제조방법
JPS5929478A (ja) 半導体発光素子
KR960006174A (ko) 반도체 레이저다이오드 제조방법
KR920022608A (ko) 레이저 다이오드의 제조방법
KR930003473A (ko) 반도체 레이저의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application