KR950007210A - 가시광 레이저 다이오드 제조방법 - Google Patents
가시광 레이저 다이오드 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 가시광 레이저 다이오드 제조방법에 관한 것으로 종래 가시광 레이저 다이오드 제조방법은 활성층을 선택적으로 성장시키기 위해 절연막을 마스크로 사용하여 활성층을 식각한 후 절연막을 제거하므로 이때 전체표면이 공기중에 노출되어 소자의 신뢰성에 나쁜 영향을 미치며, 절연막을 마스크로 사용함으로써 신뢰성이 저하되는 문제점이 있었다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 SiO2등의 절연막을 사용하지 않고 LPE방법으로 클래드층을 활성층의 위, 아래 뿐만 아니라 좌,우에도 형성하여 캐리어의 접속 효과를 높여 문턱 전압값을 낮출 수 있도록 하고, 굴절율 차이에 따른 안정된 단일 모드의 레이저 빛을 얻을 수 있도록 하는 가시광 레이저 다이오드 제조방법을 창안한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (가) 내지 (라)는 본 발명 가시광 레이저 다이오드 제조 공정도,
제3도의 (가) 내지 (라)는 본 발명 가시광 다이오드의 다른 제조 공정도.
Claims (7)
- 기판 위에 InGAAlP 4원계 더블 헤테로 구조(Double Hetero-structure)를 형성하는 단계와, 상기 더블 헤테로 구조를 식각하여 두개의 채널을 형성하는 단계와, 상기 두개의 채널이 형성된 더블 헤테로 구조에 p-n-p-n로 구조의 전류 제한층을 형성하는 단계와 상기 전류제한층 위와 기판 하부에 전극을 각기 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가시광 레이저 다이오드 제조방법.
- 제1항에 있어서, 두 채널 내부에 형성되는 전류제한층의 물질을 Alx· Gal-x· As로 형성하는 특징으로 하는 가시광 레이저 다이오드 제조방법.
- 제1항에 있어서, 두 채널 형성은 각 채널 상단폭을 6~8㎛로하며 두 채널 사이에 메사 상단폭을 2~3㎛로, 각 채널깊이를 3~3.5㎛로 하여 반원형으로 에칭하여 형성하는 것을 특징으로 하는 가시광 레이저 다이오드 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 비도핑 In0.5(Gal-xAlx)0.5P층, In0.5(Gal-yAly)0.5P층, Alx· Gal-x· As층의 조성비를 변경하여 원하는 파장의 레이저 빛을 얻는 것을 특징으로 하는 가시광 레이저 다이오드 제조방법.
- 기판 위에 InGAAlP 4원계 더블 헤테로 구조(Double Hetero structure)를 형성하는 단계와, 상기 기판을 메사(Mesa)형태로 에칭하는 단계와 p-n-p-n구조의 전류제한층을 형성하는 단계와, 상기 전류제한층 위와 기판 하부에 전극을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 가시광 레이저 다이오드 제조방법.
- 제5항에 있어서, p-n-p-n구조의 전류제한층은 Alx· Gal-x· As로 형성하는 것을 특징으로 하는 가시광 레이저 다이오드 제조방법.
- 제5항 또는 제6항에 있어서, 비도핑 In0.5(Gal-xAlAL-y)0.5P층, In0.5(Gal-yAly)0.5P층, Alx·Gal-x·AS층의 조성비를 조절하여 원하는 파장의 레이저 빛을 얻도록 하는 것을 특징으로 하는 가시광 레이저 다이오드 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930017300A KR950007210A (ko) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 가시광 레이저 다이오드 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019930017300A KR950007210A (ko) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 가시광 레이저 다이오드 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950007210A true KR950007210A (ko) | 1995-03-21 |
Family
ID=66817951
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019930017300A KR950007210A (ko) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 가시광 레이저 다이오드 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR950007210A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160116650A (ko) | 2015-03-31 | 2016-10-10 | 단국대학교 천안캠퍼스 산학협력단 | 타크로리무스의 경구용 과포화성 마이크로에멀젼 조성물 |
-
1993
- 1993-08-31 KR KR1019930017300A patent/KR950007210A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160116650A (ko) | 2015-03-31 | 2016-10-10 | 단국대학교 천안캠퍼스 산학협력단 | 타크로리무스의 경구용 과포화성 마이크로에멀젼 조성물 |
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