KR920009006A - 레이저다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents
레이저다이오드 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제8도는 이 발명에 따른 W-BSIS형 LD의 사시도,
제9도는 상기 제8도를 A-A'으로 자른 단면도,
제10(A)∼(C)도는 이 발명에 따른 W-BSIS형의 LD의 제조공정이다.
Claims (5)
- 발진영역과 원도우영역으로 구분되는 레이저다이오드에 있어서, 제1도전헝의 반도체 기판상에 이 기판과 연결되어 V-채널이 길게 형성되어 있고 발진영역에 이 V-채널을 포함하는 넓은 채널을 포함하는 제2도전형의 전류제한층과, 상기 전류제한층의 상부에 형성되어 상기 V-채널을 퉁해 기판과 접속되는 제1도전헝의 제1클래드층과, 상기 제1클래드층의 상부에 형성되는 제1또는 제2도전형의 활성층과. 상기 활성층의 상부에 형성되는 제2도전헝의 제2클래드층 및 캡층과, 상기 캡층의 상부에 형성된 제5전극 및 기판의 하부표면에 형성된 제1전극을 구비함을 특징으로 하는 레이저다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 활성층의 발진영역이 윈도우영역보다 두껍게 형성됨을 특징으로 하는 레이저다이오드.
- 제2항에 있어서. 상기 활성층은 원도우영역이 발진영역보다 에너지 밴드 갭이 크게 형성됨을 특징으로 하는 레이저다이오드.
- 레이저다이오드의 제조방법에 있어서, 제1도전형의 반도체기판상에 제2도전형의 전류제한층을 형성하는 공정과, 상기 전류제한총의 소정부분에 기판이 노출되도록 V-채널윈도우 및 발진 영역에 걸쳐 길게 형성하고 발진영역에 V체결을 중심으로 기판이 노출되지 않도록 넓은 채널을 형성하는 공정과, 상기 전면에 제1도전 형의 제1클래드층을 형성하는 공정과, 상기 제1클래드층의 상부에 제1또는 제2도전형의 활성층을 형성하는 공정과, 상기 활성층의 상부에 제1도전형의 제2클래드층 및 캡층을 순차적으로 형성하는 공정과. 상기 캡층의 상부와 기판의 하부에 제2 및 제1전극을 형성하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 레이저다이오드의 제조방법.
- 제4항에 있어서. 차기 층들을 액상결정성장법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저다이오드의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900016295A KR920009006A (ko) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | 레이저다이오드 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900016295A KR920009006A (ko) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | 레이저다이오드 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920009006A true KR920009006A (ko) | 1992-05-28 |
Family
ID=67739226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900016295A KR920009006A (ko) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | 레이저다이오드 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920009006A (ko) |
-
1990
- 1990-10-11 KR KR1019900016295A patent/KR920009006A/ko not_active IP Right Cessation
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