KR960006172A - 레이져 다이오드의 제조방법 - Google Patents

레이져 다이오드의 제조방법 Download PDF

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이헌조
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Abstract

본 발명의 레이저다이오드의 제조방법에 관한 것으로서, 누설전류를 방지하고, 저항, 고발진이 가능한 레이저다이오드의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 상기 목적은 달성하기 위한 본 발명의 레이저다이오드의 제조방법은 제1도전형기판상에 제1도전층 클래드층, 활성층, 제2도전형 클래드층, 제2도전형 캡층을 차례로 형성하여 이중 헤테로 구조를 형성하는 공정과, 전류주입 영역을 정의한 후 상기 전류주입 영역을 제외한 부분의 제2도전형 캡층을 소정깊이로 식각하여 메사를 형성하는 공정과, 상기 전류주입영역 양측의 제2도전형 캡층, 제2도전형 클래드층, 활성층, 제1도전형 클래드층을 제1도전형 기판까지 일정폭으로 제거하여 더블채널을 형성하는 공정과, 전면에 제2도전형 전류제한층과 제1도전형 전류제한층을 차례로 형성하고 상기 제1도전형 전류제한층과 제1도전형 전류제한층을 메사표면이 노출될 때까지 에치백하는 공정과, 상기 공정후, 상, 하부 전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.

Description

레이저다이오드의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 레이저다이오드의 공정단면도.
제2도는 본 발명읠 레이저다이오드의 공정단면도.

Claims (4)

  1. 제1도전형 기판상에 제1도전층 클래드층, 활성층, 제2도전형 클래드층, 제2도전형 캡층을 차례로 형성하여 이중 헤테로 구조를 형성하는 공정고, 전류주입 영역을 정의한 후 상기 전류주입 영역을 제외한 부분의 제2도전형 캡층을 소정깊이로 식각하여 메사를 형성하는 공정과, 상기 전류주입영역 양측의 제2도전형 캡층, 제2도전형 클래드층, 활성층, 제1도전형 클래드층을 제1도전형 기판까지 일정폭으로 제거하여 더블채널을 형성하는 공정과, 전면에 제2도전형 전류제한층과 제1도전형 전류제한층을 차례로 형성하고 상기 제1도전형 전류제한층을 메사표면이 노출될 때까지 에치백하는 공정과, 상기 공정후 상, 하부 전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 레이저다이오드의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2도전형 캡층은 5㎛의 두께로 형성함을 특징으로 하는 레이저다이오드의 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1도전형 캡층을 메사부외 영역은 4.6∼4.8㎛두께로 식각함을 특징으로 하는 레이저다이오드의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 더블채널 형성은 메사부의 윗면이 2∼3㎛가 되도록 전류주입영역 양측은 2.5㎛의 깊이로 제거하여 형성함을 특징으로 하는 레이저다이오드의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940017373A 1994-07-19 1994-07-19 레이져다이오드의제조방법 KR100311459B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100546572B1 (ko) * 1998-01-10 2006-03-23 엘지전자 주식회사 레이저 다이오드 제조방법
KR20230076554A (ko) * 2021-11-24 2023-05-31 주식회사 화승알앤에이 냉매용 다층 호스를 포함하는 연결 구조

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KR100546572B1 (ko) * 1998-01-10 2006-03-23 엘지전자 주식회사 레이저 다이오드 제조방법
KR20230076554A (ko) * 2021-11-24 2023-05-31 주식회사 화승알앤에이 냉매용 다층 호스를 포함하는 연결 구조

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