JP3025322B2 - 光導波路 - Google Patents
光導波路Info
- Publication number
- JP3025322B2 JP3025322B2 JP3101691A JP3101691A JP3025322B2 JP 3025322 B2 JP3025322 B2 JP 3025322B2 JP 3101691 A JP3101691 A JP 3101691A JP 3101691 A JP3101691 A JP 3101691A JP 3025322 B2 JP3025322 B2 JP 3025322B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- optical waveguide
- cladding layer
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光集積回路における
素子間の光接続等に用いる光導波路に関するものであ
る。
素子間の光接続等に用いる光導波路に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】光通信等に用いる光集積回路を構築する
ためには特性に優れた光導波路が不可欠である。このた
め、従来から種々の光導波路が提案されている。
ためには特性に優れた光導波路が不可欠である。このた
め、従来から種々の光導波路が提案されている。
【０００３】例えば文献（１９８９年電子情報通信学会
秋季全国大会の予稿集Ｃ−２６０，ｐ．４−２００）に
は、ＩｎＰ系の光導波路が開示されている。図３はその
説明に供する断面図である。
秋季全国大会の予稿集Ｃ−２６０，ｐ．４−２００）に
は、ＩｎＰ系の光導波路が開示されている。図３はその
説明に供する断面図である。
【０００４】この光導波路は、ｎ型クラッド層を兼ねる
ｎ型ＩｎＰ基板１１と、この基板１１上に基板側から順
に設けられたＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層１３、アンドー
プＩｎＰ層１５及びｐ型ＩｎＰクラッド層１７とを具え
たストリップ装荷型の光導波路であった。
ｎ型ＩｎＰ基板１１と、この基板１１上に基板側から順
に設けられたＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層１３、アンドー
プＩｎＰ層１５及びｐ型ＩｎＰクラッド層１７とを具え
たストリップ装荷型の光導波路であった。
【０００５】この光導波路では、光ガイド層１５とｐ型
クラッド層１７との間にアンドープＩｎＰ層１５を設け
ることにより、光ガイド層１５を伝搬する光のｐ型クラ
ッド層１７による吸収損失を低減し、光導波路の伝搬損
失の低下を図っている。ｐ型のＩｎＰ層よりアンドープ
のＩｎＰ層の方が光吸収が少いからである。
クラッド層１７との間にアンドープＩｎＰ層１５を設け
ることにより、光ガイド層１５を伝搬する光のｐ型クラ
ッド層１７による吸収損失を低減し、光導波路の伝搬損
失の低下を図っている。ｐ型のＩｎＰ層よりアンドープ
のＩｎＰ層の方が光吸収が少いからである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光導波路の構造では、アンドープＩｎＰ層１５を設けた
分光導波路１３に加わる電界強度が低下する。このた
め、文献（特に文献中の表１）にも開示されているよう
に、アンドープＩｎＰ層１５の膜厚増加に伴い半波長電
圧は増大してしまう。つまり、伝搬損失と半波長電圧が
トレードオフの関係にあるという問題点があった。
光導波路の構造では、アンドープＩｎＰ層１５を設けた
分光導波路１３に加わる電界強度が低下する。このた
め、文献（特に文献中の表１）にも開示されているよう
に、アンドープＩｎＰ層１５の膜厚増加に伴い半波長電
圧は増大してしまう。つまり、伝搬損失と半波長電圧が
トレードオフの関係にあるという問題点があった。
【０００７】この発明はこのような点に鑑みなされたも
のであり、従ってこの発明の目的は、光ガイド層とｐ型
クラッド層との間にアンドープ層を設けることなく伝送
損失の低減が図れる光導波路を提供することにある。
のであり、従ってこの発明の目的は、光ガイド層とｐ型
クラッド層との間にアンドープ層を設けることなく伝送
損失の低減が図れる光導波路を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明によれば、ｎ型クラッド層と、ｐ型クラッ
ド層と、これらクラッド層間に設けられた光ガイド層と
を具える光導波路において、光ガイド層を、井戸層の厚
みの障壁層の厚みに対する割合がｎ型クラッド層側から
ｐ型クラッド層側に向うに従い小さくされている多重量
子井戸層で、構成したことを特徴とする。
め、この発明によれば、ｎ型クラッド層と、ｐ型クラッ
ド層と、これらクラッド層間に設けられた光ガイド層と
を具える光導波路において、光ガイド層を、井戸層の厚
みの障壁層の厚みに対する割合がｎ型クラッド層側から
ｐ型クラッド層側に向うに従い小さくされている多重量
子井戸層で、構成したことを特徴とする。
【０００９】ここで、井戸層の厚みの障壁層の厚みに対
する割合がｎ型クラッド層側からｐ型クラッド層側に向
うに従い小さくされている多重量子井戸層とは、例え
ば、下記の（ａ）、（ｂ）又は（ｃ）であることが出来
る。
する割合がｎ型クラッド層側からｐ型クラッド層側に向
うに従い小さくされている多重量子井戸層とは、例え
ば、下記の（ａ）、（ｂ）又は（ｃ）であることが出来
る。
【００１０】（ａ）各障壁層の厚みが実質的に同一であ
り各井戸層の厚みがｎ型クラッド層側からｐ型クラッド
層側に向うに従い徐々に薄くされた多重量子井戸層。
り各井戸層の厚みがｎ型クラッド層側からｐ型クラッド
層側に向うに従い徐々に薄くされた多重量子井戸層。
【００１１】（ｂ）各井戸層の厚みが実質的に同一であ
り各障壁層の厚みがｎ型クラッド層側からｐ型クラッド
層側に向うに従い徐々に厚くされた多重量子井戸層。
り各障壁層の厚みがｎ型クラッド層側からｐ型クラッド
層側に向うに従い徐々に厚くされた多重量子井戸層。
【００１２】（ｃ）各障壁層の厚みが互いに若しくは一
部異なる場合及び又は各井戸層の厚みが互いに若しくは
一部異なる場合で、ｎ型クラッド層側からｐ型クラッド
層に順に設けられた井戸層と障壁層で構成される各対
の、井戸層の厚み／障壁層の厚みで示される比が、ｎ型
クラッド層側からｐ型クラッド層側に向うに従い徐々に
小さくされた多重量子井戸層。
部異なる場合及び又は各井戸層の厚みが互いに若しくは
一部異なる場合で、ｎ型クラッド層側からｐ型クラッド
層に順に設けられた井戸層と障壁層で構成される各対
の、井戸層の厚み／障壁層の厚みで示される比が、ｎ型
クラッド層側からｐ型クラッド層側に向うに従い徐々に
小さくされた多重量子井戸層。
【００１３】
【作用】この発明の構成によれば、ｐ型クラッド層側か
らｎ型クラッド層側に向うに従い屈折率が大きくなる光
ガイド層を具えた光導波路が構成される。この光ガイド
層では光はｎ型クラッド層側に偏って閉じ込められる。
従って、光ガイド層の光がｐ型クラッド層側へしみ出す
程度は、光ガイド層を例えば単にＩｎＧａＡｓＰ層で構
成する場合、通常の多重量子井戸層で構成する場合より
少くなる。従って、光ガイド層とｐ型クラッド層間にア
ンドープ層を設けなくともｐ型クラッド層による光吸収
の程度は低減される。
らｎ型クラッド層側に向うに従い屈折率が大きくなる光
ガイド層を具えた光導波路が構成される。この光ガイド
層では光はｎ型クラッド層側に偏って閉じ込められる。
従って、光ガイド層の光がｐ型クラッド層側へしみ出す
程度は、光ガイド層を例えば単にＩｎＧａＡｓＰ層で構
成する場合、通常の多重量子井戸層で構成する場合より
少くなる。従って、光ガイド層とｐ型クラッド層間にア
ンドープ層を設けなくともｐ型クラッド層による光吸収
の程度は低減される。
【００１４】また、アンドープ層が不要な分当該光導波
路に印加される電圧は光ガイド層に有効に及ぶのでその
分半波長電圧の低減が図れる。
路に印加される電圧は光ガイド層に有効に及ぶのでその
分半波長電圧の低減が図れる。
【００１５】なお、光がｎ型クラッド層側に偏って閉じ
込められたため光ガイド層の光がｎ型クラッド層側にし
みだす程度が従来より高くなるが、周知の通り、ｎ型ク
ラッド層の光吸収率はｐ型クラッド層のそれより１桁は
小さいので、伝送損失に対する影響は少い。
込められたため光ガイド層の光がｎ型クラッド層側にし
みだす程度が従来より高くなるが、周知の通り、ｎ型ク
ラッド層の光吸収率はｐ型クラッド層のそれより１桁は
小さいので、伝送損失に対する影響は少い。
【００１６】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明の光導波路の
実施例について説明する。図１は実施例の光導波路を示
した要部斜視図である。しかし、この図はこの発明を理
解出来る程度に各構成成分の形状、寸法、配置関係を概
略的に示してある。また、図１において、井戸層と障壁
層との判別を明確にするために井戸層はハッチングを付
して示してある。
実施例について説明する。図１は実施例の光導波路を示
した要部斜視図である。しかし、この図はこの発明を理
解出来る程度に各構成成分の形状、寸法、配置関係を概
略的に示してある。また、図１において、井戸層と障壁
層との判別を明確にするために井戸層はハッチングを付
して示してある。
【００１７】この実施例の光導波路は、ｎ型クラッド層
を兼ねるｎ型ＩｎＰ基板２１と、この基板２１上に順に
設けられ光ガイド層２３及びｐ型クラッド層２５と、ｎ
型ＩｎＰ基板２１の下側に設けられたｎ型電極２７と、
ｐ型ＩｎＰクラッド層の上側に設けられたｐ型電極２９
とを具えて成っている。そして、光ガイド層２３は、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層を井戸層３１ａ〜３１ｘとしＩｎＰ層を
障壁層３３ａ〜３３ｗとする多重量子井戸層であって、
各井戸層３１ａ〜３１ｘの厚みの、障壁層３３ａ〜３３
ｗの厚みに対する割合がｎ型クラッド層（ｎ型ＩｎＰ基
板２１）側からｐ型クラッド層２５側に向うに従い小さ
くされている多重量子井戸層で構成してある。具体的に
は、各障壁層３３ａ〜３３ｗの厚みを全てｔ0とし、井
戸層３１ａ〜３１ｘの厚みをｎ型ＩｎＰ基板２１側から
ｐ型ＩｎＰクラッド層２５側に向うに従い徐々に薄く
（ｔn＞ｔn-1＞・・・ｔ2＞ｔ1）した多重量子井戸層で
光ガイド層２３を構成してある。また、ｐ型クラッド層
２５の一部をリブ状に加工してありストリップ装荷型の
光導波路となっている。なお、光ガイド層２３の導電型
はｉ型でもｎ型でもｐ型でもいずれでもかまわない。し
かし、光ガイド層２３自体による光吸収を抑える意味か
らｉ型とするのが好適である。
を兼ねるｎ型ＩｎＰ基板２１と、この基板２１上に順に
設けられ光ガイド層２３及びｐ型クラッド層２５と、ｎ
型ＩｎＰ基板２１の下側に設けられたｎ型電極２７と、
ｐ型ＩｎＰクラッド層の上側に設けられたｐ型電極２９
とを具えて成っている。そして、光ガイド層２３は、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層を井戸層３１ａ〜３１ｘとしＩｎＰ層を
障壁層３３ａ〜３３ｗとする多重量子井戸層であって、
各井戸層３１ａ〜３１ｘの厚みの、障壁層３３ａ〜３３
ｗの厚みに対する割合がｎ型クラッド層（ｎ型ＩｎＰ基
板２１）側からｐ型クラッド層２５側に向うに従い小さ
くされている多重量子井戸層で構成してある。具体的に
は、各障壁層３３ａ〜３３ｗの厚みを全てｔ0とし、井
戸層３１ａ〜３１ｘの厚みをｎ型ＩｎＰ基板２１側から
ｐ型ＩｎＰクラッド層２５側に向うに従い徐々に薄く
（ｔn＞ｔn-1＞・・・ｔ2＞ｔ1）した多重量子井戸層で
光ガイド層２３を構成してある。また、ｐ型クラッド層
２５の一部をリブ状に加工してありストリップ装荷型の
光導波路となっている。なお、光ガイド層２３の導電型
はｉ型でもｎ型でもｐ型でもいずれでもかまわない。し
かし、光ガイド層２３自体による光吸収を抑える意味か
らｉ型とするのが好適である。
【００１８】このような構造の光導波路のｐ型電極及び
ｎ型電極間の平均的な屈折率の分布は、図２（Ａ）に示
すようになる。すなわち、ｎ型ＩｎＰ基板２１及びｐ型
ＩｎＰクラッド層より光ガイド層２３の屈折率の方が大
きく、かつ、この光ガイド層２３内では井戸層３１ａ〜
３１ｘの厚みの増加に従い屈折率が大きくなる。
ｎ型電極間の平均的な屈折率の分布は、図２（Ａ）に示
すようになる。すなわち、ｎ型ＩｎＰ基板２１及びｐ型
ＩｎＰクラッド層より光ガイド層２３の屈折率の方が大
きく、かつ、この光ガイド層２３内では井戸層３１ａ〜
３１ｘの厚みの増加に従い屈折率が大きくなる。
【００１９】また、このような光導波路に閉じ込められ
る光の電界成分（Ｅ）の強度分布は図２（Ｂ）のように
なる。光の強度分布は｜Ｅ｜2に比例するため、この電
界分布の様子はこの光導波路に閉じ込められる光の強度
分布の様子を示していると考えて問題ない。したがっ
て、この光導波路においては光はｎ型ＩｎＰ基板側に偏
って閉じ込められる。この結果、光ガイド層２３からｐ
型ＩｎＰクラッド層２５にしみ出す光の量は、光ガイド
層を単にＩｎＧａＡｓＰ層や通常の多重量子井戸層で構
成した場合より、低減される。よって、ｐ型ＩｎＰクラ
ッド層２５による光吸収が低減される。
る光の電界成分（Ｅ）の強度分布は図２（Ｂ）のように
なる。光の強度分布は｜Ｅ｜2に比例するため、この電
界分布の様子はこの光導波路に閉じ込められる光の強度
分布の様子を示していると考えて問題ない。したがっ
て、この光導波路においては光はｎ型ＩｎＰ基板側に偏
って閉じ込められる。この結果、光ガイド層２３からｐ
型ＩｎＰクラッド層２５にしみ出す光の量は、光ガイド
層を単にＩｎＧａＡｓＰ層や通常の多重量子井戸層で構
成した場合より、低減される。よって、ｐ型ＩｎＰクラ
ッド層２５による光吸収が低減される。
【００２０】また、この光導波路は光ガイド層２３とｐ
型ＩｎＰクラッド層２５との間にアンドープ層を設けず
とも上述のような理由からｐ型ＩｎＰクラッド層２５に
よる光吸収を抑制出来る。このため、両電極２７，２９
に印加した電圧はアンドープ層が無い分光ガイド層２３
に有効に及ぶので半波長電圧の低減も図れる。
型ＩｎＰクラッド層２５との間にアンドープ層を設けず
とも上述のような理由からｐ型ＩｎＰクラッド層２５に
よる光吸収を抑制出来る。このため、両電極２７，２９
に印加した電圧はアンドープ層が無い分光ガイド層２３
に有効に及ぶので半波長電圧の低減も図れる。
【００２１】なお、実施例の光導波路の各部の寸法は、
単一モード導波路を作製する場合で考えると、リブ幅
（図１中のＷで示す寸法。）を例えば２μｍ、光ガイド
層２３のＩｎＧａＡｓＰ井戸層３１ａ〜３１ｘのλg を
例えば１．３μｍとしその厚さを例えば１ｎｍ〜１０ｎ
ｍとし、ＩｎＰ障壁層３３ａ〜３３ｗの厚さを例えば１
〜１０ｎｍの範囲内の好適な値（この実施例では１つの
値）とし、ｐ型ＩｎＰ層２５の厚さを例えば１μｍとす
れば良い。なお、井戸層及び障壁層の積層数の上限は単
一モード導波条件で決定され、下限は各々１である。し
かし、この発明の効果をより得るためには積層数は単一
モード導波条件内で多いほうが良い。
単一モード導波路を作製する場合で考えると、リブ幅
（図１中のＷで示す寸法。）を例えば２μｍ、光ガイド
層２３のＩｎＧａＡｓＰ井戸層３１ａ〜３１ｘのλg を
例えば１．３μｍとしその厚さを例えば１ｎｍ〜１０ｎ
ｍとし、ＩｎＰ障壁層３３ａ〜３３ｗの厚さを例えば１
〜１０ｎｍの範囲内の好適な値（この実施例では１つの
値）とし、ｐ型ＩｎＰ層２５の厚さを例えば１μｍとす
れば良い。なお、井戸層及び障壁層の積層数の上限は単
一モード導波条件で決定され、下限は各々１である。し
かし、この発明の効果をより得るためには積層数は単一
モード導波条件内で多いほうが良い。
【００２２】また、実施例の光導波路は例えば以下のよ
うな方法で作製することが出来る。
うな方法で作製することが出来る。
【００２３】先ず、ｎ型ＩｎＰ基板２１上にＭＯＣＶＤ
法等の好適な結晶成長技術を用いて多重量子井戸層形成
のためのＩｎＧａＡｓＰ井戸層とＩｎＰ障壁層とを交互
にそれぞれ所定の膜厚に成長させ、さらにｐ型クラッド
層形成のためのｐ型ＩｎＰ層を成長させる。
法等の好適な結晶成長技術を用いて多重量子井戸層形成
のためのＩｎＧａＡｓＰ井戸層とＩｎＰ障壁層とを交互
にそれぞれ所定の膜厚に成長させ、さらにｐ型クラッド
層形成のためのｐ型ＩｎＰ層を成長させる。
【００２４】次に、ｐ型ＩｎＰ層上にリブ形成のため
の、幅が例えば２μｍのストライプ状のエッチングマス
クを形成する。
の、幅が例えば２μｍのストライプ状のエッチングマス
クを形成する。
【００２５】次に、ドライエッチング法等の好適な方法
でｐ型ＩｎＰ層のエッチングマスクで覆われていない部
分を所定量エッチングする。これにより、図１に示した
構造の光導波路が得られる。
でｐ型ＩｎＰ層のエッチングマスクで覆われていない部
分を所定量エッチングする。これにより、図１に示した
構造の光導波路が得られる。
【００２６】上述においては、この発明の光導波路の実
施例について説明したが、この発明は上述の実施例に限
られるものではなく以下に説明するような種々の変更を
加えることが出来る。
施例について説明したが、この発明は上述の実施例に限
られるものではなく以下に説明するような種々の変更を
加えることが出来る。
【００２７】例えば、上述の実施例では、各障壁層３３
ａ〜３３ｗの厚みが全てｔ0であり、井戸層３１ａ〜３
１ｘの厚みがｎ型ＩｎＰ基板２１側からｐ型ＩｎＰクラ
ッド層２５側に向うに従い徐々に薄く（ｔn＞ｔn-1＞・
・・ｔ2＞ｔ1）された多重量子井戸層で光ガイド層２３
を構成していたが、多重量子井戸層の構成を例えば以下
の（１）または（２）としても実施例と同様な効果が得
られる。
ａ〜３３ｗの厚みが全てｔ0であり、井戸層３１ａ〜３
１ｘの厚みがｎ型ＩｎＰ基板２１側からｐ型ＩｎＰクラ
ッド層２５側に向うに従い徐々に薄く（ｔn＞ｔn-1＞・
・・ｔ2＞ｔ1）された多重量子井戸層で光ガイド層２３
を構成していたが、多重量子井戸層の構成を例えば以下
の（１）または（２）としても実施例と同様な効果が得
られる。
【００２８】（１）各井戸層３１ａ〜３１ｘの厚みが実
質的に同一であり各障壁層３３ａ〜３３ｗの厚みがｎ型
クラッド層側からｐ型クラッド層側に向うに従い徐々に
厚くされた多重量子井戸層。
質的に同一であり各障壁層３３ａ〜３３ｗの厚みがｎ型
クラッド層側からｐ型クラッド層側に向うに従い徐々に
厚くされた多重量子井戸層。
【００２９】（２）各障壁層３３ａ〜３３ｗの厚みが互
いに若しくは一部異なる場合及び又は各井戸層３１ａ〜
３１ｘの厚みが互いに若しくは一部異なり、ｎ型クラッ
ド層側からｐ型クラッド層に順に設けられた井戸層と障
壁層で構成される各対、例えば図１の井戸層３１ａと障
壁層３３ａとで構成される対、井戸層３１ｂと障壁層３
３ｂとで構成される対等の、井戸層の厚み／障壁層の厚
みで示される比が、ｎ型クラッド層側からｐ型クラッド
層側に向うに従い徐々に小さくされた多重量子井戸層。
いに若しくは一部異なる場合及び又は各井戸層３１ａ〜
３１ｘの厚みが互いに若しくは一部異なり、ｎ型クラッ
ド層側からｐ型クラッド層に順に設けられた井戸層と障
壁層で構成される各対、例えば図１の井戸層３１ａと障
壁層３３ａとで構成される対、井戸層３１ｂと障壁層３
３ｂとで構成される対等の、井戸層の厚み／障壁層の厚
みで示される比が、ｎ型クラッド層側からｐ型クラッド
層側に向うに従い徐々に小さくされた多重量子井戸層。
【００３０】また、上述の実施例ではｎ型クラッド層は
ｎ型ＩｎＰ基板２１そのもので構成していたが基板２１
と光ガイド層２３との間に別途にｎ型ＩｎＰクラッド層
を設けても勿論良い。
ｎ型ＩｎＰ基板２１そのもので構成していたが基板２１
と光ガイド層２３との間に別途にｎ型ＩｎＰクラッド層
を設けても勿論良い。
【００３１】また、実施例において用いた半導体材料は
あくまで例示である。したがって、この発明はこれら材
料に限定されるものではない。例えば、実施例の構成に
おいて井戸層をＧａＡｓ層で構成し障壁層をＡｌＧａＡ
ｓ層で構成した場合、井戸層をＩｎＧａＡｓ層で構成し
障壁層をＡｌＧａＡｓ層で構成した場合等も実施例と同
様な効果が得られる。さらに、井戸層をＧａＡｓ層で構
成し障壁層をＡｌＧａＡｓ層で構成した場合は、上側ク
ラッド層をＡｌＧａＡｓ層で構成することも可能であ
る。
あくまで例示である。したがって、この発明はこれら材
料に限定されるものではない。例えば、実施例の構成に
おいて井戸層をＧａＡｓ層で構成し障壁層をＡｌＧａＡ
ｓ層で構成した場合、井戸層をＩｎＧａＡｓ層で構成し
障壁層をＡｌＧａＡｓ層で構成した場合等も実施例と同
様な効果が得られる。さらに、井戸層をＧａＡｓ層で構
成し障壁層をＡｌＧａＡｓ層で構成した場合は、上側ク
ラッド層をＡｌＧａＡｓ層で構成することも可能であ
る。
【００３２】また、実施例ではＩｎＧａＡｓＰ井戸層の
λg を１．３μｍとしていたが、これは設計に応じ変更
出来る。
λg を１．３μｍとしていたが、これは設計に応じ変更
出来る。
【００３３】また、実施例では基板側をｎ型とし上側ク
ラッド層をｐ型としていたが導電型を逆にしても勿論良
い。この場合の井戸層の厚みと障壁層の厚みの変化具合
は図１の場合の逆にする。
ラッド層をｐ型としていたが導電型を逆にしても勿論良
い。この場合の井戸層の厚みと障壁層の厚みの変化具合
は図１の場合の逆にする。
【００３４】また、上述の実施例ではストリップ装荷型
光導波路にこの発明を適用していたが、この発明は他の
構造の光導波路例えばリブ型、埋め込み型にも適用出来
ることは明らかである。
光導波路にこの発明を適用していたが、この発明は他の
構造の光導波路例えばリブ型、埋め込み型にも適用出来
ることは明らかである。
【００３５】
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明の光導波路によれば、光ガイド層に閉じ込められ
た光のｐ型クラッド層側へのしみ出し量が従来より少く
出来る。従って、ｐ型クラッド層による光吸収が低減さ
れるため、光ガイド層とｐ型クラッド層間にアンドープ
層を設けなくとも、光導波路の伝搬損失悪化を防止出来
る。
の発明の光導波路によれば、光ガイド層に閉じ込められ
た光のｐ型クラッド層側へのしみ出し量が従来より少く
出来る。従って、ｐ型クラッド層による光吸収が低減さ
れるため、光ガイド層とｐ型クラッド層間にアンドープ
層を設けなくとも、光導波路の伝搬損失悪化を防止出来
る。
【００３６】また、アンドープ層が不要な分当該光導波
路に印加される電圧は光ガイド層に有効に及ぶのでその
分半波長電圧の低減が図れる。
路に印加される電圧は光ガイド層に有効に及ぶのでその
分半波長電圧の低減が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例の光導波路の説明に供する要部斜視図で
ある。
ある。
【図２】（Ａ）は、実施例の光導波路の平均的屈折率分
布の説明図であり、（Ｂ）は実施例の光導波路の電界強
度分布の説明図である。
布の説明図であり、（Ｂ）は実施例の光導波路の電界強
度分布の説明図である。
【図３】従来技術の説明に供する図である。
【符号の説明】 ２１：ｎ型ＩｎＰ基板（ｎ型クラッド層を兼ねる） ２３：特殊な多重量子井戸層で構成した光ガイド層 ２５：ｐ型ＩｎＰクラッド層 ２７：ｎ型電極 ２９：ｐ型電極 ３１ａ〜３１ｘ：井戸層 ３３ａ〜３３ｗ：障壁層
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−3220（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−191822（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−153883（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−35525（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−238432（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−12306（ＪＰ，Ａ) 昭和62年電子情報通信学会半導体・材 料部門全国大会，２−124 1989年電子情報通信学会秋季全国大 会，４−200 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 6/12 - 6/14 G02F 1/00 - 7/00
Claims (1)
- 【請求項１】 ｎ型クラッド層と、ｐ型クラッド層と、
これらクラッド層間に設けられた光ガイド層とを具える
光導波路において、光ガイド層を多重量子井戸層で構成
してあり、該多重量子井戸層は井戸層の厚みの障壁層の
厚みに対する割合がｎ型クラッド層側からｐ型クラッド
層側に向うに従い小さくされているものであることを特
徴とする光導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3101691A JP3025322B2 (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 光導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3101691A JP3025322B2 (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 光導波路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04270303A JPH04270303A (ja) | 1992-09-25 |
| JP3025322B2 true JP3025322B2 (ja) | 2000-03-27 |
Family
ID=12319742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3101691A Expired - Fee Related JP3025322B2 (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 光導波路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3025322B2 (ja) |
-
1991
- 1991-02-26 JP JP3101691A patent/JP3025322B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| １９８９年電子情報通信学会秋季全国大会，４−２００ |
| 昭和６２年電子情報通信学会半導体・材料部門全国大会，２−１２４ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04270303A (ja) | 1992-09-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5825047A (en) | Optical semiconductor device | |
| US6285694B1 (en) | Semiconductor laser | |
| US8891570B2 (en) | Optical semiconductor device | |
| JPH1168241A (ja) | 半導体レーザー | |
| JPH1168242A (ja) | 半導体レーザー | |
| JP2982422B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| US5398255A (en) | Semiconductor laser having buried structure on p-InP substrate | |
| US6646317B2 (en) | High power photodiode | |
| US6678299B1 (en) | Semiconductor laser apparatus | |
| JPH01319986A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH11233882A (ja) | 半導体レーザ | |
| US6608850B1 (en) | Semiconductor laser apparatus | |
| JP3025322B2 (ja) | 光導波路 | |
| KR20040025533A (ko) | 반도체 레이저 장치 | |
| JP4948469B2 (ja) | 半導体光デバイス | |
| JPH06112595A (ja) | 半導体光機能素子の製造方法 | |
| JPH1022577A (ja) | 発光半導体装置 | |
| JP2760276B2 (ja) | 選択成長導波型光制御素子 | |
| JPWO2018185829A1 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法 | |
| JPS63211788A (ja) | 半導体レ−ザおよびその製造方法 | |
| JP2556299B2 (ja) | 半導体光集積デバイスおよびその製造方法 | |
| JPH07325328A (ja) | 半導体光変調器 | |
| JP2781655B2 (ja) | 方向性結合器型半導体光スイッチ | |
| JPS6325992A (ja) | 半導体光集積素子 | |
| JP3001390B2 (ja) | 半導体レーザとその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090121 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100121 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100121 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110121 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |