JPS6325992A - 半導体光集積素子 - Google Patents
半導体光集積素子Info
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- JPS6325992A JPS6325992A JP61169129A JP16912986A JPS6325992A JP S6325992 A JPS6325992 A JP S6325992A JP 61169129 A JP61169129 A JP 61169129A JP 16912986 A JP16912986 A JP 16912986A JP S6325992 A JPS6325992 A JP S6325992A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体光集積素子に関する。
（従来の技術）
半導体レーザと光導波路とを同一基板上に集積化するこ
とは、種々の光集積素子を実現する上で非常に重要な技
術である。例えば雰布ブラッグ反射型（ＤＢＲ）レーザ
や外部共振器をモノリシック集積化した分布帰還型（Ｄ
ＦＢ）レーザや、複数のＤＰＩ３レーザと合波器を集積
化した光集積素子などを作製する上で上述の技術は不可
欠である。これらの応用に当っては、低損失の光導波路
を実現することが特に重要である。それは、光導波路の
損失が上述の素子の特性を大きく左右するからである。
とは、種々の光集積素子を実現する上で非常に重要な技
術である。例えば雰布ブラッグ反射型（ＤＢＲ）レーザ
や外部共振器をモノリシック集積化した分布帰還型（Ｄ
ＦＢ）レーザや、複数のＤＰＩ３レーザと合波器を集積
化した光集積素子などを作製する上で上述の技術は不可
欠である。これらの応用に当っては、低損失の光導波路
を実現することが特に重要である。それは、光導波路の
損失が上述の素子の特性を大きく左右するからである。
半導体レーザと光導波路とを集積化した例としては、次
のようなものがある。まず第３図＜ａ）に示した例は、
ＤＦＢレーザと光導波路とを集積化したものである。こ
こでは、半導体基板１０の上に光ガイド層１１、活性層
１３、クラッド層１４を順次成長した後、半導体レーザ
部１００以外の成長層を除去し、光導波路部２００に選
択的に光ガイド層２１、クラッド層２４を成長している
。このため、選択成長にともない、半導体レーザ部１０
０と光導波路部２００の境界に図に示したようなもり上
りが生じている。これについては応用物理学会（村田他
、第３２回応用物理学会関係連合講演会予稿集２９ａ−
ＺＢ−１０＞で報告されている。第３図（ｂ）に示した
例は、ＤＢＲレーザの例で、レーザ活性部３００とＤＢ
Ｒ部４００とが集積化されている。ここでは基板３０の
上に活性層３３、バッファー層３２を成長した後、レー
ザ活性部３０口以外の成長層を除去する。ＤＢＲ部４０
口に回折格子４５と形成した後、全体に光ガイド層４１
、クラッド層４４を成長している。これについては、ジ
ャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジッ
クス誌（Ｙ、Ｔｏｈｍｏｒｉ ｅｔ、 ａｌ： Ｊｐｎ
。
のようなものがある。まず第３図＜ａ）に示した例は、
ＤＦＢレーザと光導波路とを集積化したものである。こ
こでは、半導体基板１０の上に光ガイド層１１、活性層
１３、クラッド層１４を順次成長した後、半導体レーザ
部１００以外の成長層を除去し、光導波路部２００に選
択的に光ガイド層２１、クラッド層２４を成長している
。このため、選択成長にともない、半導体レーザ部１０
０と光導波路部２００の境界に図に示したようなもり上
りが生じている。これについては応用物理学会（村田他
、第３２回応用物理学会関係連合講演会予稿集２９ａ−
ＺＢ−１０＞で報告されている。第３図（ｂ）に示した
例は、ＤＢＲレーザの例で、レーザ活性部３００とＤＢ
Ｒ部４００とが集積化されている。ここでは基板３０の
上に活性層３３、バッファー層３２を成長した後、レー
ザ活性部３０口以外の成長層を除去する。ＤＢＲ部４０
口に回折格子４５と形成した後、全体に光ガイド層４１
、クラッド層４４を成長している。これについては、ジ
ャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジッ
クス誌（Ｙ、Ｔｏｈｍｏｒｉ ｅｔ、 ａｌ： Ｊｐｎ
。
Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、 ２４ （１９８５） Ｌ３
９９）に詳しい。
９９）に詳しい。
（発明が解決しようとする問題点）
以上、述べた従来例には、次のような問題点があった。
まず第３図（ａ）に示した例では、光導波路部２０口を
選択成長によって形成するため、光ガイド層２１を低キ
ャリア密度にすることが可能で低損失の光導波路が実現
できる反面、上述したような境界部でのもり上りが生ず
るために、半導体レーザ部１０口と光導波路部２００の
光学的な結合損失が非常に大きいという欠点を有してい
た。これはこのような選択成長を行う場合には、ある程
度避けられない問題であった。次に、第３図（ｂ）に示
したＤＢＲレーザの例では、選択成長を用いないために
、結合損失は小さくすることが可能である反面、光ガイ
ド層４１が、レーザ活性部３００と共通であるため、光
ガイド層４１にＩ Ｘ １０１８ｃｍ−３という高密度
のドーピングを行っていた。このためＤＢＰ部での吸収
損失がｌ ＯＣ１ｍ −’以上と大きく、レーザ出力を
大きくできないという欠点があった。
選択成長によって形成するため、光ガイド層２１を低キ
ャリア密度にすることが可能で低損失の光導波路が実現
できる反面、上述したような境界部でのもり上りが生ず
るために、半導体レーザ部１０口と光導波路部２００の
光学的な結合損失が非常に大きいという欠点を有してい
た。これはこのような選択成長を行う場合には、ある程
度避けられない問題であった。次に、第３図（ｂ）に示
したＤＢＲレーザの例では、選択成長を用いないために
、結合損失は小さくすることが可能である反面、光ガイ
ド層４１が、レーザ活性部３００と共通であるため、光
ガイド層４１にＩ Ｘ １０１８ｃｍ−３という高密度
のドーピングを行っていた。このためＤＢＰ部での吸収
損失がｌ ＯＣ１ｍ −’以上と大きく、レーザ出力を
大きくできないという欠点があった。
本発明の目的は、以上述べた問題点を改善し、半導体レ
ーザと低損失な光導波路とを高効率で結合させた半導体
光集積素子を提供することにある。
ーザと低損失な光導波路とを高効率で結合させた半導体
光集積素子を提供することにある。
（問題を解決するための手段）
半導体レーザと光導波路とを同一基板上に集積化した光
集積素子において、前記半導体レーザ部と前記光導波路
部とがともに共通の低キャリア密度光ガイド層を有し、
かつ前期半導体レーザ部の活性層と前期光ガイド層との
間に、前期光ガイドと同一導電型で、前記光ガイド層よ
りキャリア密度が大きなバッファー層が導入されている
ことを特徴とする半導体光集積素子によって上述の問題
を解決できる。
集積素子において、前記半導体レーザ部と前記光導波路
部とがともに共通の低キャリア密度光ガイド層を有し、
かつ前期半導体レーザ部の活性層と前期光ガイド層との
間に、前期光ガイドと同一導電型で、前記光ガイド層よ
りキャリア密度が大きなバッファー層が導入されている
ことを特徴とする半導体光集積素子によって上述の問題
を解決できる。
（作用）
第１図は、本発明の基本的な構造の一例を示す図で、レ
ーザ共振器軸方向の断面を示している。
ーザ共振器軸方向の断面を示している。
ここではＩｎＧａＡｓＰ系のＤＦＢレーザと光導波路の
集積素子を例にとっている。
集積素子を例にとっている。
本発明の特徴は、半導体レーザ部１００と光導波路部２
００とが共通の低キャリア密度光ガイド層１１を有し、
かつ半導体レーザ部１００の活性層１３と光ガイド層１
１の間に、光ガイド層１１と同じ導電型でキャリア密度
の大きなバッファー層１２が導入されていることである
。具体的には、例えば、ｎ形Ｉ ｎ Ｐ基板１０を用い
た場合には、光ガイド層１１は【１−形ＩｎＧａＡｓＰ
層 （キャリア密度５ Ｘ １０１６ｃｍ −３以下〉
、バッファー層１２はｎ形ＩｎＰ層（キャリア密度１×
１０１８ＣＩ１１−３＞ 、活性層１３はノンドープＩ
ｎＧａＡｓＰ層、クラッド層１４はＰ形１ｎＰ層（キャ
リア密度Ｉ Ｘ １０１８ａｍ−３）を用いる。半導体
レーザ部１００に回折格子を形成した基板１０全体に上
述の４層を成長した後、半導体レーザ部１００以外のク
ラッド層１４と活性層１３を除去し、再び全体をＰ形Ｔ
ｎＰクラッド層２４で平坦に埋め込む。これにより、光
導波路部２００の吸収損失を小さくおさえることが可能
であり、かつ、半導体レーザ部１００には比較的高キャ
リア密度のバッファーＮ１２があるなめに、Ｐｎ接合が
活性層１３内に形成され、良好なダイオード特性が得ら
れる。もし高キャリア密度のバッファー層１３がない場
合は、光ガイド層１１が低キャリア密度であるために、
成長中にクラッド層からの不純物拡散が生じ、Ｐｎ接合
が活性層１３がらずれたり、また光ガイド層１１への注
入キャリアのオーバーフローによる、レーザ特性の劣化
を生じやすくなる。バッファー層１２の厚さは、任意で
あるが、あまり厚くなると半導体レーザ部１００と光導
波路部２００の結合損失が大きくなる。したがって、半
導体レーザの発振波長や、光ガイド層１１の厚さなどに
もよるが、結合損失があまり大きくならないようにバッ
ファー層１２の厚さを選ぶ必要がある。例えば、発振波
長１．５μｍのＩ ｎＧａＡｓＰ系レーザの場合は、バ
ッファー層１２の厚さは０．１μｍ程度にすればよい。
００とが共通の低キャリア密度光ガイド層１１を有し、
かつ半導体レーザ部１００の活性層１３と光ガイド層１
１の間に、光ガイド層１１と同じ導電型でキャリア密度
の大きなバッファー層１２が導入されていることである
。具体的には、例えば、ｎ形Ｉ ｎ Ｐ基板１０を用い
た場合には、光ガイド層１１は【１−形ＩｎＧａＡｓＰ
層 （キャリア密度５ Ｘ １０１６ｃｍ −３以下〉
、バッファー層１２はｎ形ＩｎＰ層（キャリア密度１×
１０１８ＣＩ１１−３＞ 、活性層１３はノンドープＩ
ｎＧａＡｓＰ層、クラッド層１４はＰ形１ｎＰ層（キャ
リア密度Ｉ Ｘ １０１８ａｍ−３）を用いる。半導体
レーザ部１００に回折格子を形成した基板１０全体に上
述の４層を成長した後、半導体レーザ部１００以外のク
ラッド層１４と活性層１３を除去し、再び全体をＰ形Ｔ
ｎＰクラッド層２４で平坦に埋め込む。これにより、光
導波路部２００の吸収損失を小さくおさえることが可能
であり、かつ、半導体レーザ部１００には比較的高キャ
リア密度のバッファーＮ１２があるなめに、Ｐｎ接合が
活性層１３内に形成され、良好なダイオード特性が得ら
れる。もし高キャリア密度のバッファー層１３がない場
合は、光ガイド層１１が低キャリア密度であるために、
成長中にクラッド層からの不純物拡散が生じ、Ｐｎ接合
が活性層１３がらずれたり、また光ガイド層１１への注
入キャリアのオーバーフローによる、レーザ特性の劣化
を生じやすくなる。バッファー層１２の厚さは、任意で
あるが、あまり厚くなると半導体レーザ部１００と光導
波路部２００の結合損失が大きくなる。したがって、半
導体レーザの発振波長や、光ガイド層１１の厚さなどに
もよるが、結合損失があまり大きくならないようにバッ
ファー層１２の厚さを選ぶ必要がある。例えば、発振波
長１．５μｍのＩ ｎＧａＡｓＰ系レーザの場合は、バ
ッファー層１２の厚さは０．１μｍ程度にすればよい。
また本発明の構造では、通訳成長を用いずに吸収損失の
小さな光ガイド層１１を形成しているために、半導体レ
ーザ部１００と光導波路部２００の境界部でのもり上り
もなく、結合損失を小さくおさえることができる。ここ
で、本発明と第３図（ｂ）に示した従来例との違いにつ
いてふれておく。基本的な違いはキャリア密度の違いで
あり、本発明の特徴もそこにある。これまで従来例のよ
うな半導体レーザ部３００とＤＢＲ部（すなわち光導波
路部〉４００が共通の光ガイド層４１を有するような場
合には、光ガイド層４１に比較的高密度のキャリアをド
ーピングしていた。それは半導体レーザ部のＰｎ接合の
位置ずれなどによる特性劣化を考慮したためであると思
われる。しかし著者らの実験によれば、本発明のように
、高キャリア密度のバッファ層１２を導入することによ
り、光ガイド層が低キャリア密度（５Ｘ １０１６Ｃ１
１−３以下）でも十分なレーザ特性が得られる。したが
って従来例と比べて低損失な光導波路部２０口を実現で
きる。
小さな光ガイド層１１を形成しているために、半導体レ
ーザ部１００と光導波路部２００の境界部でのもり上り
もなく、結合損失を小さくおさえることができる。ここ
で、本発明と第３図（ｂ）に示した従来例との違いにつ
いてふれておく。基本的な違いはキャリア密度の違いで
あり、本発明の特徴もそこにある。これまで従来例のよ
うな半導体レーザ部３００とＤＢＲ部（すなわち光導波
路部〉４００が共通の光ガイド層４１を有するような場
合には、光ガイド層４１に比較的高密度のキャリアをド
ーピングしていた。それは半導体レーザ部のＰｎ接合の
位置ずれなどによる特性劣化を考慮したためであると思
われる。しかし著者らの実験によれば、本発明のように
、高キャリア密度のバッファ層１２を導入することによ
り、光ガイド層が低キャリア密度（５Ｘ １０１６Ｃ１
１−３以下）でも十分なレーザ特性が得られる。したが
って従来例と比べて低損失な光導波路部２０口を実現で
きる。
（実施例）
第２図は、本発明の一実施例を示す斜視図である。基本
的には第１図と同様の構造で、ＩｎＧａＡｓＰ系のＤＦ
ＩＩレーザと光導波路とを同一基板上に集積化した半導
体光集積素子である。素子はＤＦＩ３レーザ部１０部上
００波路部２００とからなり、埋め込み構造として二重
チャンネルプレーナ埋め込み構造を用いた。以下製作手
順を簡単に述べる。まずｎ形１ｎＰ基板１０の上の、Ｄ
ＦＢレーザ部１０口に周期２４０ｎｍの回折格子を形成
する。次に１回目のＬＰＥ成長によって、ノンドープＩ
ｎＧａＡｓＰ光ガイド層１１（λｇ・１．３μｍ、厚さ
０．３μｍ、キャリア密度ｎ形２ Ｘｌ０１６ｃｎ−３
） 、ｎ形１ｎＰバッファー層１２（厚さ ０．１μｍ
、キャリア密度ｌ Ｘ １０１８ｃｍ−３）ノンドープ
活性層１３（＾ｇ・１．５３μｍ、厚さ ０．１μｍ
）、Ｐ形ＴｎＰクラッド層１４（厚さ０２μｍ、キャリ
ア密度１×１０１１０ｌ８’）を順次成長する９次にＤ
ＦＢレーザ部１００を除いた、他の部分のクラッド層１
４と活性層１３とを選択的に除去する。２回目のＬＰＥ
成長において全体にＰ形１ｎＰクラッド層２４を形成す
る。次に埋め込み構造とするために、メサエッチングを
行った後、３回目のＬＰＥ成長によって埋め込み成長を
行う。最後に、基板側と成長側のＤＦＢレーザ部１００
に電極１５を形成する。こうして試作した素子の特性の
一例を次に示す。まずＤＦＢレーザの特性としては、し
きい値２０ｍＡ、外部微分量子効率１８％／前面、発振
波長１．５５μｍであった。
的には第１図と同様の構造で、ＩｎＧａＡｓＰ系のＤＦ
ＩＩレーザと光導波路とを同一基板上に集積化した半導
体光集積素子である。素子はＤＦＩ３レーザ部１０部上
００波路部２００とからなり、埋め込み構造として二重
チャンネルプレーナ埋め込み構造を用いた。以下製作手
順を簡単に述べる。まずｎ形１ｎＰ基板１０の上の、Ｄ
ＦＢレーザ部１０口に周期２４０ｎｍの回折格子を形成
する。次に１回目のＬＰＥ成長によって、ノンドープＩ
ｎＧａＡｓＰ光ガイド層１１（λｇ・１．３μｍ、厚さ
０．３μｍ、キャリア密度ｎ形２ Ｘｌ０１６ｃｎ−３
） 、ｎ形１ｎＰバッファー層１２（厚さ ０．１μｍ
、キャリア密度ｌ Ｘ １０１８ｃｍ−３）ノンドープ
活性層１３（＾ｇ・１．５３μｍ、厚さ ０．１μｍ
）、Ｐ形ＴｎＰクラッド層１４（厚さ０２μｍ、キャリ
ア密度１×１０１１０ｌ８’）を順次成長する９次にＤ
ＦＢレーザ部１００を除いた、他の部分のクラッド層１
４と活性層１３とを選択的に除去する。２回目のＬＰＥ
成長において全体にＰ形１ｎＰクラッド層２４を形成す
る。次に埋め込み構造とするために、メサエッチングを
行った後、３回目のＬＰＥ成長によって埋め込み成長を
行う。最後に、基板側と成長側のＤＦＢレーザ部１００
に電極１５を形成する。こうして試作した素子の特性の
一例を次に示す。まずＤＦＢレーザの特性としては、し
きい値２０ｍＡ、外部微分量子効率１８％／前面、発振
波長１．５５μｍであった。
これらの値は通常の単体の素子と同程度であり、Ｐｎ接
合の良さを示す電流−電圧特性も通常のものと同様な良
好な特性であった。次に光導波路の特性としては、光導
波路部２００の損失が３ｃｍ−’、ＤＦＢレーザ部１０
０と光導波路部２００の結合損失が１０％以下という値
が得られた。従来例では光導波路の損失が１Ｏｃｉ−’
以上であることと比較すると半分以下に低減されている
。
合の良さを示す電流−電圧特性も通常のものと同様な良
好な特性であった。次に光導波路の特性としては、光導
波路部２００の損失が３ｃｍ−’、ＤＦＢレーザ部１０
０と光導波路部２００の結合損失が１０％以下という値
が得られた。従来例では光導波路の損失が１Ｏｃｉ−’
以上であることと比較すると半分以下に低減されている
。
なお、上述の実施例では、ＤＦＢレーザと直線の光導波
路とを集積化した例を示したが、最初に述べたように、
本発明はＤＢＲレーザや、複数のＤＦＢレーザと合波器
とを集積化したような、種々の半導体レーザと光導波路
との光集積素子に適用できる。例えば本発明を用いた１
、５μｍ ＤＢＲレーザでは、しきい値１５ｍＡ、外部
微分量子効率２８％／前面という良好な特性の素子が得
られている。また本発明はバッファ層を設けた点がポイ
ントであって、どのようなストライブ構造を採るかは発
明の本質ではない。したがって、実施例のような埋め込
み構造以外の構造のレーザ、例えばり・ソジガイド型レ
ーザなとどのようなストライプ構造にも適用可能である
。さらに上述のような回折格子を利用した光集積素子に
限定されたものでもない。すなわち、半導体レーザ部や
先導波路部に回折格子が無い構造でも本質は同じである
。またＩｎＧａＡｓＰ系以外のＡ ＩＩ ＧａＡｓ系な
ど池の材料を用いた光集積素子にも有効であることは言
うまでもない、（発明の効果） 以上のように、本発明によれば、半導体レー・ザと低損
失な光導波路とを高効率で結合した半導体光集積素子が
実現できる。本発明をＤＦＢレーザと光導波路の集積素
子に適用した例では、光導波路の損失として３ｃｍ−’
、結合損失として１０％以下が得られた。これは低キャ
リア密度の光ガイド層を用いたためである。またレーザ
特性としては単体の素子と同程度の良好な特性が得られ
、高キャリア密度バッファー層の効果を確認できた。
路とを集積化した例を示したが、最初に述べたように、
本発明はＤＢＲレーザや、複数のＤＦＢレーザと合波器
とを集積化したような、種々の半導体レーザと光導波路
との光集積素子に適用できる。例えば本発明を用いた１
、５μｍ ＤＢＲレーザでは、しきい値１５ｍＡ、外部
微分量子効率２８％／前面という良好な特性の素子が得
られている。また本発明はバッファ層を設けた点がポイ
ントであって、どのようなストライブ構造を採るかは発
明の本質ではない。したがって、実施例のような埋め込
み構造以外の構造のレーザ、例えばり・ソジガイド型レ
ーザなとどのようなストライプ構造にも適用可能である
。さらに上述のような回折格子を利用した光集積素子に
限定されたものでもない。すなわち、半導体レーザ部や
先導波路部に回折格子が無い構造でも本質は同じである
。またＩｎＧａＡｓＰ系以外のＡ ＩＩ ＧａＡｓ系な
ど池の材料を用いた光集積素子にも有効であることは言
うまでもない、（発明の効果） 以上のように、本発明によれば、半導体レー・ザと低損
失な光導波路とを高効率で結合した半導体光集積素子が
実現できる。本発明をＤＦＢレーザと光導波路の集積素
子に適用した例では、光導波路の損失として３ｃｍ−’
、結合損失として１０％以下が得られた。これは低キャ
リア密度の光ガイド層を用いたためである。またレーザ
特性としては単体の素子と同程度の良好な特性が得られ
、高キャリア密度バッファー層の効果を確認できた。
第１図は、本発明の基本的な構造の一例を示す図、第２
図は一実施例を示す斜視図、第３図は従来例を示す図で
ある。図中、１００は半導体レーザ部、２００は光導波
路部、３００はレーザ活性部、４０口はＤＢＲ部、１０
．３０は基板、１１，２１．４１は光ガイド層、１２．
３２はバッファー層、１３．３３は活性層、１４．２４
．４４はクラッド層、１５は電極である。 第１図 半導体レーザ部１００ 光導波路部２００第２図
図は一実施例を示す斜視図、第３図は従来例を示す図で
ある。図中、１００は半導体レーザ部、２００は光導波
路部、３００はレーザ活性部、４０口はＤＢＲ部、１０
．３０は基板、１１，２１．４１は光ガイド層、１２．
３２はバッファー層、１３．３３は活性層、１４．２４
．４４はクラッド層、１５は電極である。 第１図 半導体レーザ部１００ 光導波路部２００第２図
Claims (1)
- 半導体レーザと光導波路とを同一基板上に集積化した
光集積素子において、前記半導体レーザ部と前記光導波
路部とがともに共通の低キャリア密度光ガイド層を有し
、かつ前記半導体レーザ部の活性層と前期光ガイド層と
の間に、前記光ガイド層と同一導電型で、前記光ガイド
層よりキャリア密度の大きなバッファー層が導入されて
いることを特徴とする半導体光集積素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61169129A JPS6325992A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 半導体光集積素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61169129A JPS6325992A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 半導体光集積素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6325992A true JPS6325992A (ja) | 1988-02-03 |
Family
ID=15880817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61169129A Pending JPS6325992A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 半導体光集積素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6325992A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011119312A (ja) * | 2009-12-01 | 2011-06-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ装置 |
-
1986
- 1986-07-17 JP JP61169129A patent/JPS6325992A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011119312A (ja) * | 2009-12-01 | 2011-06-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ装置 |
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