KR840003925A - 반도체 레이저장치 - Google Patents

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KR840003925A
KR840003925A KR1019830000423A KR830000423A KR840003925A KR 840003925 A KR840003925 A KR 840003925A KR 1019830000423 A KR1019830000423 A KR 1019830000423A KR 830000423 A KR830000423 A KR 830000423A KR 840003925 A KR840003925 A KR 840003925A
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semiconductor laser
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layer
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KR1019830000423A
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다가시(외 4) 가지무라
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미쓰다 가쓰시게
가부시기 가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
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    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/223—Buried stripe structure
    • H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 레이저장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명인 반도체 레이저장치 사시도

Claims (16)

  1. 반도체 기판상에 적어도 제1, 제2 및 제3의 반도체층을 가지는 시각 제한 범위를 적어도 가지는 반도체 레이저장치이고, 상기 제1 및 제3에 반도체층은 상기의 제2의 반도체에 비교하여 굴절율이 적고 또 금제대폭이 큰 반도체층이고, 또 이것들의 제2 및 제3에 반도체층은 반대 도전형을 가지고 있고, 상기 제2의 반도체층은 상기 시각 제한 범위의 적합면에 평행한 쌍 방향에 두께의 매끄러운 변화를 가지며, 상기 제1 및 제3에 반도체층 상호의 굴절율에 차가 존재하는 반도체 레이저 장치.
  2. 제1 및 3의 반도체층 상호의 상기 굴절율 차가 0.015 및 0.08범위인 청구범위 1에 반도체 레이저장치.
  3. 상기 제1 및 제3의 반도체층 굴절율은 그 양자중의 n도전형을 가지는 반도체 층의 그것이 큰 청구범위 1또는 청구범위 2의 반도체 레이저장치.
  4. 상기 시각 제한 범위는 레이저 광의 진행 방향에 평행방향에 늘어지는 凹부를 가지도록 반도체 기판상에 형성되어 상기 제2의 반도체 층의 두께가 이 凹부내에서 매끄럽게 변화하고 있는 청구범위 1 또는 청구범위 2의 반도체 레이저장치.
  5. 상기 시각 제한 범위는 레이저광의 진행 방향에 평행한 한 방향에 늘어지는 凹부를 가지는 반도체상에 형성되어 상기 제2의 반도체 층의 두께가 이 凹부 내에서 매끄럽게 변화하고 있는 청구범위 3의 반도체 레이저장치.
  6. 상기 제1, 및 제3의 반도체 층이 Ⅲ-Ⅴ족 화합물반도체로 형성되는 청구범위 1또는 청구범위 2에 반도체 레이저장치.
  7. 상기 제1 및 제3의 반도체 층이 Ⅲ-Ⅴ족 화합물반도체로 형성되는 청구범위 3에 반도체 레이저 장치.
  8. 상기 제1 및 제3의 반도체 층이 GaAl As로 되고 상기 제2의 반도체 층이 GaAs 또는 GaAl As로 되는 청구범위 6의 반도체 레이저장치.
  9. 상기 제1 및 제3의 반도체 층이 GaAl As로 되고 상기 제2의 반도체 층이 GaAs 또는 GaAl As로 되는 청구범위 7의 반도체 레이저장치.
  10. 상기 제1, 제2 및 제3의 반도체 층이 각각 Ga n 1-y Al y As, Ga 1-x Al x As 및 Ga 1-z Al z As, 단 0.3y0.7, 0x0.35, 0.3z0.7, yz로 되는 청구범위 8 또는 청구범위 9의 반도체 레이저장치.
  11. 상기 y와 z의 차가 0.03-0.1의 범위인 청구범위 10의 반도체 레이저장치.
  12. 상기 y, z는 z에 대응반도체 층이 n도전형을 가지는 측이 p형 도전형을 가지는 그것의 측이 적고 그 차가 0.05-0.1의 범위인 청구범위 10의 반도체 레이저장치.
  13. 상기 제2의 반도체층은 반도체 기판과는 반대방향에 완곡하고 또 두께가 상기 시각제한 범위중의 적합면에 평행한 쌍방향에 매끄럽게 변화를 가지는 청구범위 1, 또는 청구범위 2에 반도체 레이저 장치.
  14. 상기 제2의 반도체층은 반도체 기판과는 반대방향에 완곡하고 또 그 두께가 상기 시각제한범위중의 적합면에 평행한 쌍방향에 매끄럽게 변화를 가지는 특허청구범위 3의 반도체 레이저장치.
  15. 상기 제2의 반도체층은 반도체 기판층에 완곡하고 또 그 두께가 상기 시각제한 범위중의 적합면에 평행한 쌍방향에 매끄럽게 변화를 가지는 특허청구범위 3에 반도체 레이저장치.
  16. 상기 제2의 반도체층은 반도체 기판층에 완곡하고 또 그 두께가 상기 시각제한 범위중의 적합면에 평행한 쌍방향에 매끄럽게 변화를 가지는 특허청구범위 3에 반도체 레이저장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019830000423A 1982-02-03 1983-02-03 반도체 레이저장치 KR840003925A (ko)

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JP57014986A JPS58132986A (ja) 1982-02-03 1982-02-03 半導体レ−ザ装置

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EP0085423A2 (en) 1983-08-10
DE3381832D1 (de) 1990-10-04
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