KR950012839A - 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 - Google Patents

반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법은 n형 GaAs 기판(201)의 상부에 n형 AlGaAs 클래드층(202), AlGaAs 활성층(203), p형 AlGaAs 면 클래드층(204), p형 AlAs 식각 저지층(205), p형 AlGaAs 릿지 클래드층(206) 및 p형 GaAs 릿지 콘택층(209)이 순차적으로 성장된 후, p형 GaAs 릿지 콘택층(209)의 상부에 릿지에 상응하는 SiNx마스크 패턴이 형성된다. 이어서, p형 AlGaAs 릿지 클래드층(206) 및 p형 GaAs 릿지 콘택층(209)이 HCl 가스식각을 통하여 식각되며, 식각을 통하여 노출되는 p형 AlAs 식각 저지층(205)의 상부에 n형 GaAs 전류 차단층(207) 및 p형 GaAs 캡층(208)이 순차적으로 성장된다. p형 GaAs 캡층(208) 및 p형 GaAs 릿지 콘택층(209)로 이루어진 표면의 상부에는 p형 GaAs 콘택층(210)이 성장된다. 이와 같은 방법을 통하여 제조된 반도체 레이저 다이오드는 계면 특성이 향상되며, 식각 저지층을 도입함에 의하여 재현성이 높아져 생산성이 향상되는 잇점이 있다.

Description

반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(a)도 내지 제1(d)도는 종래의 반도체 레이저 다이오드의 제조공정시 순차적으로 나타나는 중간 구조물들의 단면도들이다.
제2도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 단면도이다.
제3도는 HCl 가스 식각시 AsH3유량에 따른 GaAs, AlyGa1-yAs 및 AlAs의 식각률을 나타낸 그래프이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
101 : n형 GaAs 기판 102 : n형 AlGaAs 클래드층
103 : 활성층 104 : p형 AlGaAs 클래드층
105 : p형 GaAs 릿지캡층 106 : SiNx마스크 패턴
107 : n형 GaAs 전류 차단층 108 : p형 GaAs 캡층
109 : p형 GaAs 콘택층 201 : n형 GaAs 기판
202 : n형 AlGaAs 클래드층 203 : AlGaAs 활성층
204 : p형 AlGaAs 클래드층 205 : p형 AlAs 식각 저지층
206 : p형 AlGaAs 릿지 클래드층 207 : n형 GaAs 전류 차단층
208 : p형 GaAs 캡층 209 : p형 GaAs 릿지 콘택층
210 : p형 GaAs 콘택층

Claims (9)

  1. GaAs 반도체 기판; 상기 기판상에 순차적으로 형성되어 있는 제1도전형 AlGaAs 클래드층, AlGaAs 활성층, 제2도전형 AlGaAs 면 블래드층 및 식각 저지층; 상기 식각 저지층의 중앙 상부에 적층되어 릿지를 형성하는 제2도전형 AlGaAs 릿지 클래드층; 및 상기 식각 저지층중 상기 제2도전형 AlGaAs 릿지 클래드층이 적층되지 아니한 부위의 상부에 적층되는 제1도전형 GaAs 전류 차단층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 식각 저지층은 AlAs, InGaP 및 InGaAlP중 어느 하나의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2도전형 AlGaAs 릿지 클래드층의 상부에 적층되어 상기 제2도전형 AlGaAs 릿지 클래드층과 함께 릿지를 형성하게 되는 제2도전형 GaAs 릿지 콘택층; 상기 제1도전형 GaAs 전류 차단층의 상부에 적층되는 제2도전형 GaAs 캡층; 및 상기 제2도전형 GaAs 릿지 콘택층 및 제2도전형 GaAs 캡층으로 이루어진 표면의 상부에 적층되는 제2도전형 GaAs 콘택층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  4. 제1항에 있어서, 상기 p형 AlGaAs 면 클래드층은 Al0.45Ga0.55As 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  5. 소정 반도체 기판의 상부에 제1도전형 AlGaAs 클래드층, AlGaAs 활성층, 제2도전형 AlGaAs 면 클래드층, 식각 저지층 및 제2도전형 AlGaAs 릿지 클래드층을 순차적으로 성장시키는 제1공정; 상기 제2도전형 AlGaAs 릿지 클래드층의 상부에 릿지 형성을 위한 마스크 패턴을 형성하는 제2공정; 상기 마스크 패턴을 이용하여 염화수소(HCl)에 의한 가스식각을 통하여 상기 제2도전형 AlGaAs 릿지 클래드층을 선택적으로 식각하는 제3공정; 상기 제3공정을 통하여 노출된 식각 저지층의 표면에 제1도전형 GaAs 전류 차단층을 성장시키는 제4공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 식각 저지층을 성장시키는 공정은 제2도전형 AlAs, InGaP 및 InGaAlP층중 어느 하나를 성장시키는 공정인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제1공정은 상기 제2도전형 AlGaAs 릿지 클래드층의 상부에 제2도전형 GaAs 릿지 콘택층을 성장시키는 공정을 더 포함하고 상기 제2공정에서 상기 제2도전형 AlGaAs 릿지 클래드층과 함께 상기 제2도전형 GaAs 릿지 콘택층을 선택적으로 식각하게 되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1도전형 GaAs 전류 차단층의 상부에 제2도전형 GaAs 캡층을 성장시키는 공정; 상기 마스크 패턴을 제거하는 공정, 및 상기 제2도전형 GaAs 캡층 및 상기 제2도전형 GaAs 릿지 콘택층으로 이루어진 표면의 상부에 제2도전형 GaAs 콘택층을 성장시키는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
  9. 제5항에 있어서, 상기 마스크 패턴을 형성하는 공정은 SiNx층을 전면에 걸쳐 형성하는 공정; 및 상기 SiNx층중 릿지외의 부위를 식각하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100883478B1 (ko) * 2002-02-26 2009-02-16 주식회사 엘지이아이 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법

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