KR950012850A - 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 - Google Patents
반도체 레이저 다이오드의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
유기금속 기상성장법과 분사전 에피텍시법을 혼용하여 활성층에 격자결함이 유입되는 것을 방지하는 굴절률 도파형 반도체 레이저 다이오드의 제조방법을 기술한다.
n형 GaAs 기판상에 n형 InGaAlP 클래드층, InGaP 활성층, p형 InGaAlP 클래드층, 및 p형 GaAs 캡층을 1차 결정성장에 의해 적층시키는 단계와, 식각 마스크를 이용하여 p형 InGaAlP 클래드층의 일부까지 식각하여 기판 중앙부에 리지]를 형성하는 단계와, 상기 리지]주위로 저온 분사전 에피택시 방법에 의해 GaAs 전류차단층을 형성하는 단계와, 상기 식각마스크를 제거한 후 p형 금속전극층을 형성하는 단계를 구비한다.
따라서, p형 클래드층에서 발생되는 격자결함이 활성층으로 유입되지 않아 소자의 효율이 증대된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명에 의한 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법의 일례를 나타내기 위한 단면도들이다.
Claims (7)
- 제1도전형 GaAs기판상에 제1도전형 InGaAlP 제1클래드층, InGaP 활성층, 제2도전형 InGaAlP 제2클래드층 및 제2도전형 GaAs캡층을 1차 결정성장에 의해 순차적으로 적층시키는 단계; 상기 캡층상에 제2식각마스크층 패턴을 형성하는 단계; 상기 제2식각마스크층을 에칭마스크로 사용하여 상기 제2도전형 InGaAlP 클래드층의 일부까지 식각하여 기판 중앙부에 리지를 형성하는 단계; 및 상기 리지 주위로 저온 분자선 에피택시 방법에 의해 GaAs전류차단층을 형성하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 1차 결정성장은 유기금속 기상성장법(MOCVD)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2식각마스크층 패턴은 기판 전면에 실리콘 산화막(SiO2)을 형성한 후, 상기 실리콘 산화막을 사진식각기술에 의해 패터닝하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전형 GaAs 기판과 제1클래드층 사이에 제1도전형 GaAs 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 클래드층과 캡층 사이에 p형 InGaP로 구성된 통전 용이층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 저온 분자선 에피택시 방법은 200℃이하의 저온에서 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 1차 결정 성장 공정중에 상기 캡층상에 p형 InGaP 제1 식각 마스크층을 1차 결정성장에 의해 더 적층시킴으로써, 상기 제2마스크층 패턴을 이용하여 리지를 형성하는 경우에 상기 제2마스크층 패턴에 의해 형성되는 언더커팅 부위의 형성을 방지하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930020944A KR950012850A (ko) | 1993-10-09 | 1993-10-09 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930020944A KR950012850A (ko) | 1993-10-09 | 1993-10-09 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950012850A true KR950012850A (ko) | 1995-05-17 |
Family
ID=66824171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930020944A KR950012850A (ko) | 1993-10-09 | 1993-10-09 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950012850A (ko) |
-
1993
- 1993-10-09 KR KR1019930020944A patent/KR950012850A/ko not_active Application Discontinuation
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