KR960027100A - 액상 에피텍시 특성을 이용한 수평형 다파장 레이저 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액상 에피텍시 특성을 이용한 수평형 다파장 레이저 다이오드에 관한 것으로, 1) 기판 위에 전류 제한층을 형성하고; 2) 상기 전류 제한층이 형성된 기판 전면 상에 두개의 V 홈을 형성하고; 3) 상기 두개의 홈 중 한쪽 홈 부분의 전류 제한층 및 표면이 드러난 기판 상에 절연막을 형성하고; 4) 절연막이 형성되지 않은 부위의 전류 제한층 및 표면이 드러난 기판 상에 액상 에피텍시 성장법을 이용하여 P-클래드층인 P-AlGaAs와/ 제1액티브층인/ P-AlGaAs와/n-클래드층인 n-AlGaAs와/ 층인 GaAs 및 비-성장(anti-growth)층인 AlGaAs를 순차적으로 형성하고; 5) 상기 절연층을 제거하고; 6) 절연층을 제거된 상기 전류 제한층 및 표면이 드러난 기판 상에 액상 에피텍시 성장법을 이용하여 P-클래드층인 P-AlGaAs와/ 제2액티브층인 P-AlGaAs와/n-클래드층인 n-AlGaAs 및 층인 GaAs를 순차적으로 형성하는 공정을 거쳐 소자제작을 완료시키므로써, 하나의 칩에 2개의 수평형 레이저 다이오드를 장착할 수 있게 된다.
그 결과, 제1 및 제2액티브층의 알루미늄 조성비만 서로 같거나 다르게 조절하므로써 1) 시스템에 적당한 파장 선택이 가능하여 픽-업(pick-up) 모듈을 간소화할 수 있고, 2) 제1 및 제2액티브층의 파장을 같게 했을 경우 한쪽 레이저 다이오드에 의한 픽-업 모듈 고장시 다른쪽 레이저 다이오드의 전극 선택만 하면 모듈 교체가 필요없게 되므로 수명을 2배 연장해서 사용할 수 있으며, 3) 한번의 에피 성장 추가로 하나의 칩에 두개의 레이저 다이오드를 장착할 수 있게 되어 제작이 용이하며, 4) 소자의 열방출이 기판의 표면적에 비례하므로 기존에 사용해오던 레이저 다이오드(하나의 칩에 하나의 레이저 다이오드를 장착)와 동일한 열방출 효과를 얻을 수 있는 고신뢰성의 수평형 다파장 레이저 다이오드를 실현할 수 있게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(가)도 내지 제1(다)도는 종래 기술에 따른 레이저 다이오드 제조공정을 도시한 수순도, 제2(가)도 내지 제2(아)도는 본 발명에 따른 수평형 다파장 레이저 다이오드 제조공정을 도시한 수순도이다.
Claims (6)
1) 기판 상에 전류 제한층을 성장시킨 단계와; 2) 상기 전류 제한층이 형성된 기판 전면 상에 두개의 V 홈을 형성하는 단계와; 3) 상기 두개의 홈 중 한쪽 홈 부분의 전류 제한층 및 표면이 드러난 기판 상에 절연막을 형성하는 단계와; 4) 절연막이 형성되지 않은 부위의 전류 제한층 및 표면이 드러난 기판 상에 액상 에피텍시 성장법을 이용하여 P-클래드층인 P-AlGaAs와/ 제1액티브층인 P-AlGaAs와/n-클래드층인 n-AlGaAs와/캡층인 GaAs 및 비-성장(anti-growth)층인 AlGaAs를 순차적으로 형성하는 단계와; 5) 상기 절연층을 제거하는 단계와; 6) 절연층이 제거된 상기 전류 제한층 및 표면이 드러난 기판 상에 액상 에피텍시 성장법을 이용하여 P-클래드층인 P-AlGaAs와/제2액티브층인 P-AlGaAs와/n-클래드층인 n-AlGaAs 및 캡층인 GaAs를 순차적으로 형성하는 단계와; 7) 상기 비-성장층을 제거하는 단계와; 8) 상기 두개의 V 홈 사이를 기판 일 부분까지 화학적 에칭으로 제거하여 서로 분리시키는 단계와; 9) 서로 분리된 상기 캡층 상에 금속 전극을 각각 형성하고 와이어 본딩시키는 것을 특징으로 하는 액상 에피텍시 특성을 이용한 수평형 다파장 레이저 다이오드 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 절연막은 질화막이나 산화막 중 선택된 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 액상 에피텍시 특성을 이용한 수평형 다파장 레이저 다이오드 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 비-성장층은 AlGaAs로 형성됨을 특징으로 하는 액상 에피텍시 특성을 이용한 수평형 다파장 레이저 다이오드 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 제1액티브층과 제2액티브층은 Al 조성비를 서로 같거나 또는 다르게 형성하여 소자 제작 완료시 파장을 선택하여 사용할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 액상 에피텍시 특성을 이용한 수평형 다파장 레이저 다이오드 제조방법.
기판과; 상기 기판 상에서 서로 분리되며 기판의 일부가 드러나도록 V 홈 형상으로 패터닝된 전류 제한층과; 상기 각각의 전류 제한층 상에 형성된 P-클래드층인 P-AlGaAs와; 상기 각각의 P-클래드층 상에 형성된 제1 및 제2액티브층인 P-AlGaAs와; 상기 각각의 액티브층 상에 형성된 n-클래드층인 n-AlGaAs와, 상기 각각의 n-클래드층 상에 형성된 캡층인 n-GaAs와; 상기 각각의 캡층 상에 형성된 금속전극으로 이루어져 파장선택이 자유로운 것을 특징으로 하는 액상 에피텍시 특성을 이용한 수평형 다파장 레이저 다이오드.
제5항에 있어서, 상기 제1 및 제2액티브층은 Al 조성비가 서로 같거나 또는 다르게 형성된 것을 특징으로 하는 액상 에피텍시 특성을 이용한 수평형 다파장 레이저 다이오드.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940034854A KR960027100A (ko) | 1994-12-17 | 1994-12-17 | 액상 에피텍시 특성을 이용한 수평형 다파장 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940034854A KR960027100A (ko) | 1994-12-17 | 1994-12-17 | 액상 에피텍시 특성을 이용한 수평형 다파장 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960027100A true KR960027100A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66688311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940034854A KR960027100A (ko) | 1994-12-17 | 1994-12-17 | 액상 에피텍시 특성을 이용한 수평형 다파장 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960027100A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010082662A (ko) * | 2000-02-15 | 2001-08-30 | 이데이 노부유끼 | 발광 디바이스 및 그것을 사용하는 광학 디바이스 |
| KR20040005269A (ko) * | 2002-07-09 | 2004-01-16 | 엘지이노텍 주식회사 | 두 파장 레이저다이오드 및 그 제조방법 |
-
1994
- 1994-12-17 KR KR1019940034854A patent/KR960027100A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010082662A (ko) * | 2000-02-15 | 2001-08-30 | 이데이 노부유끼 | 발광 디바이스 및 그것을 사용하는 광학 디바이스 |
| KR20040005269A (ko) * | 2002-07-09 | 2004-01-16 | 엘지이노텍 주식회사 | 두 파장 레이저다이오드 및 그 제조방법 |
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