JP3015909B2 - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体発光素子及びその
製造方法に関する。具体的にいうと、電流狭窄構造を有
する半導体レーザや発光ダイオード等の半導体発光素子
とその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図８は従来例であって、不純物拡散によ
って電流狭窄構造を形成された端面出射型の発光ダイオ
ードＥを示す斜視図である。これは、ｎ−ＡｌＧａ基板
５１の上にｎ−ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層５２、Ｇａ
Ａｓ活性層５３、ｐ−ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層５
４、ｎ−ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層５５、ｐ−ＡｌＧ
ａＡｓキャップ層５６を順次成長させた後、キャップ層
５６の一部から上部クラッド層５４に向けてＺｎを拡散
させて電流通路領域（ｐ−Ｚｎ拡散領域）５９を形成
し、キャップ層５６の上面にｐ側電極５７を形成し、基
板５１の下面にｎ側電極５８を形成したものである。

【０００３】しかして、ｎ型の電流ブロック層５５とｐ
型の上部クラッド層５４によって逆バイアスで使用され
るｐｎ接合電流阻止層が形成されているので、電流ブロ
ック層５５を通って活性層５３に電流が注入されること
はない。一方、ｐ−Ｚｎ拡散領域によって電流ブロック
層５５の一部をｐ型に反転させて電流通路領域５９を形
成しているので、電流はこの電流通路領域５９を通って
のみｐ側電極５７から活性層５３へ注入され、活性層５
３を発光させるようになっており、これによって電流狭
窄構造が構成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
においては、上記のように平坦な多層成長ウエハの上面
（キャップ層）からＺｎを拡散させているので、拡散深
さを大きくすることができなかった。このため、電流ブ
ロック層から発光層までの層厚が薄いと、発光層がｐ側
電極に接近することになり、ｐ側電極を接合側としてヒ
ートシンク等にジャンクションダウン（あるいは、エピ
サイドダウン）実装した場合には、半田等の接合用ろう
材が発光層へ回り込んで付着し易くなり、ジャンクショ
ンダウン実装が困難であった。一方、電流ブロック層と
発光層との間の層厚が厚いと、発光素子の電流狭窄効果
が悪くなるという問題があった。

【０００５】また、従来の発光素子にあっては、電流通
路領域の拡散幅と拡散深さを別々にコントロールするこ
とができなかった。

【０００６】本発明は叙上の従来例の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、電流通路領
域を容易に深くすることができ、また、電流通路領域の
幅と深さを別々にコントロールすることができる電流狭
窄構造の半導体発光素子を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明による半導体発光
素子は、第１導電型の電流ブロック層と第２導電型の半
導体層を上下に積層した少なくとも１つのｐｎ接合電流
阻止層を発光層の上方に持ち、最上層から電流ブロック
層及び前記半導体層にかけて凹部を凹設され、拡散によ
って形成された第２導電型の電流通路領域を凹部の側壁
面に有すると共に凹部の底面を非拡散領域としたことを
特徴としている。

【０００８】また、本発明による半導体発光素子の製造
方法は、第１導電型の電流ブロック層と該電流ブロック
層よりも拡散速度及びある種のエッチャントに対するエ
ッチング速度の小さな第２導電型の半導体層を上下に積
層した少なくとも１つのｐｎ接合電流阻止層を発光層の
上方に形成し、最上層から電流ブロック層にかけてエッ
チングによって凹部を凹設した後、前記凹部の内面に拡
散によって第２導電型の電流通路領域を形成し、つい
で、凹部の底面において前記半導体層を選択的にエッチ
ングすることによって凹部底面の電流通路領域を除去す
ることを特徴としている。

【０００９】

【作用】本発明による電流狭窄構造の半導体発光素子に
あっては、表面からｐｎ接合電流阻止層を貫通させるよ
うにして凹部を凹設し、凹部の側壁面から不純物を拡散
させることによって凹部の側壁面に電流通路領域を形成
しているので、凹部を深くすることによって電流通路領
域の深さ（表面から下端までの距離）を大きくすること
ができ、電流ブロック層と発光層の間の層厚が薄くて
も、発光層を表面から遠い位置に設けることができる。
この結果、ジャンクションダウン実装を行なっても接合
用のろう材が発光層へ回り込みにくくなり、ジャンクシ
ョンダウン実装が容易になる。

【００１０】また、本発明の発光素子にあっては、電流
通路領域の深さは凹部のエッチング深さによってコント
ロールでき、電流通路領域の幅は拡散深さによってコン
トロールでき、電流通路領域の幅と深さを別々にコント
ロールすることができ、電流通路領域の形状を比較的自
由に設計することができる。

【００１１】さらに、凹部の底面は非拡散領域となって
いるので、発光層の真上において拡散層により光が吸収
されることを無くすことができ、発光効率を向上させる
ことができる。

【００１２】また、本発明による半導体発光素子の製造
方法においては、電流ブロック層の下に電流ブロック層
よりもエッチング速度の小さな半導体層を設けているの
で、電流ブロック層をエッチングして凹部を形成する際
のエッチング時間を長く設定することができ、再現性よ
く凹部を形成することができ、製品の歩留りが向上す
る。

【００１３】さらに、電流ブロック層の下に電流ブロッ
ク層よりも拡散速度の小さな半導体層を設けているの
で、凹部の底面における拡散深さの制御が容易となり、
電流ブロック層の下の半導体層を超えて拡散されること
を防止することができる。従って、電流ブロック層と発
光層との間の層厚を薄くして電流狭窄効果を高めること
ができ、また、電流ブロック層の下の半導体層を除去す
ることにより凹部の底面の拡散層を確実に除去すること
ができる。

【００１４】さらに、電流ブロック層の下に電流ブロッ
ク層よりも拡散速度の小さな半導体層を設けているの
で、電流ブロック層から発光層までの層厚を厚くしなく
ても、しかも、活性層に拡散の影響を与えることなく、
凹部の側壁面における電流通路領域の幅（拡散深さ）を
広くすることができ、電流通路領域におけるシート抵抗
を低減することができる。

【００１５】

【実施例】図１は本発明の一実施例による端面出射型の
発光ダイオードＡを示す一部破断した斜視図、図２
（ａ）〜（ｆ）はその製造方法を示す断面図である。以
下、この実施例を製造順序に沿って説明する。

【００１６】まず、ＭＢＥ（分子線エピタキシャル）法
あるいはＭＯＣＶＤ（Metal-Organic ＣＶＤ）法等を用
いて、ｎ−ＧａＡｓ基板２の上にｎ−Ａｌ_0.45Ｇａ_0.55
Ａｓ下部クラッド層３、ｐ−ＧａＡｓ活性層４、ｐ−Ａ
ｌ_0.45Ｇａ_0.55Ａｓ上部クラッド層５、ｐ−Ａｌ_0.1Ｇ
ａ_0.9Ａｓストップ層６、ｎ−Ａｌ_0.45Ｇａ_0.55Ａｓ電
流ブロック層７、ｐ−ＧａＡｓキャップ層８を１回の成
長工程において順次成長させる〔図２（ａ）〕。これは
ｐｎｐｎ接合構造のウエハである。

【００１７】つぎに、例えばキャップ層８の上面にＡＺ
レジスト１１を塗布し、フォトリソグラフィ法によって
ＡＺレジスト１１をパターニングして長方形の開口１１
ａ（例えば、５μｍ×１００μｍ）をあける。開口１１
ａをあけた後、Ａｌ組成の高い電流ブロック層７に対す
るエッチング性の悪いエッチャント、例えばｐＨ：９.
４の ＫＩ（０.３mol／リットル）＋Ｉ₂（０.０４mol／リッ
トル） を用い、上記ＡＺレジスト１１をマスクとして電流ブロ
ック層７との境界までキャップ層８を選択的にエッチン
グし、長方形状の凹部１０を形成する〔図２（ｂ）〕。

【００１８】ついで、上記ＡＺレジスト１１を除去した
後、キャップ層８をマスクとし、ＨＦ（８０℃）をエッ
チャントとし、ストップ層６との境界まで電流ブロック
層７を選択的にエッチングし、より深い凹部１０を形成
する〔図２（ｃ）〕。このようにして２度の選択的エッ
チングにより深い凹部１０を得ることができる。

【００１９】図３はエッチャントとしてＨＦ（８０℃）
を用いてＡｌ_xＧａ_1-xＡｓをエッチングする場合のＡｌ
組成ｘとエッチング速度との関係を示す図（日本電子工
業振興協会発行、III−Ｖ族混晶半導体データブックよ
り）である。この図に示されているように、Ａｌ組成ｘ
が大きくなるほどエッチング速度も大きくなる。キャッ
プ層８のＡｌ組成はｘ＝０であるから、キャップ層８は
ＨＦによってほとんどエッチングされることがなく、こ
のためＨＦによるエッチング時にはキャップ層８をマス
クとして用いることができるのである。また、電流ブロ
ック層７のＡｌ組成はｘ＝０.４５、ストップ層６のＡ
ｌ組成はｘ＝０.１で、ＨＦに対するストップ層６のエ
ッチング速度は電流ブロック層７よりも非常に小さくな
っているので、ストップ層６は上記エッチャントによっ
てほとんどエッチングされることがない。このため、電
流ブロック層７だけを選択的にエッチングすることがで
きると共に電流ブロック層７のエッチング工程の制御が
容易になり、ストップ層６の層厚を０.２μｍ程度にす
ることができる。また、複数素子を同時にエッチングす
る場合にも、素子間でエッチング深さのバラツキが小さ
くなり、再現性が向上する。

【００２０】この後、例えば閉管法によるＺｎ拡散工程
などにより、ウエハ全面にＺｎを拡散させる。すなわ
ち、最上層のキャップ層８上面と凹部１０の側壁面（キ
ャップ層８、電流ブロック層７）及び底面（ストップ層
６）に十分Ｚｎを拡散させ、キャップ層８の上面から凹
部１０の側壁面及び底面にかけて電流通路領域１２を形
成する〔図２（ｄ）〕。なお、Ｚｎ拡散は、キャップ層
８の上面には行なわず、凹部１０内にのみ行なってもよ
い。

【００２１】図４はＡｌ_xＧａ_1-xＡｓのおけるＡｌ組成
ｘとＺｎの拡散深さとの関係を示す図（日本電子工業振
興協会発行、III−Ｖ族混晶半導体データブックより）
であって、Ａｌ組成ｘが高いほどＺｎの拡散速度が大き
くなっている。ストップ層６のＡｌ組成ｘ＝０.１は電
流ブロック層７のＡｌ組成ｘ＝０.４５よりも小さく、
ストップ層６の拡散速度は電流ブロック層７の拡散速度
よりも十分小さくなっているので、ウエハ垂直方向の拡
散制御が容易となり、ストップ層６を超えて拡散される
ことを防止できる。

【００２２】例えば、６４０℃で上記Ｚｎ拡散工程を実
施するとすると、ストップ層６の拡散速度は電流ブロッ
ク層７の拡散速度の１／２.５＝１／ｋとなるので、Ｚ
ｎ拡散深さの制御が容易になる。また、ストップ層６の
層厚がｄ＝０.２μｍであるとすると、活性層４に影響
を与えることなく、電流ブロック層７において凹部１０
の側壁面から側部方向へ最大でｋ×ｄ＝０.５μｍの深
さでＺｎを拡散させ、電流ブロック層７をｐ型に反転さ
せて電流通路領域１２を形成することができる。すなわ
ち、活性層４に拡散の影響を及ぼすことなく、しかもス
トップ層６及び上部クラッド層５の層厚を大きくするこ
となく、凹部１０の側壁面に十分深くＺｎを拡散させる
ことが可能になる。従って、素子の電流狭窄性を犠牲に
することなく、電流通路領域１２におけるシート抵抗を
小さくすることができる。

【００２３】つづけて、凹部１０を除いてキャップ層８
の上面全体にＡＺレジスト１３を塗布し、このＡＺレジ
スト１３をマスクとし、ｐＨ：９の ＫＩ（０.３mol／リットル）＋Ｉ₂（０.１mol／リット
ル） をエッチャントとしてストップ層６を選択的にエッチン
グし、凹部１０の底面において電流通路領域（ｐ−Ｚｎ
拡散領域）１２を除去し、上部クラッド層５を露出させ
る〔図２（ｅ）〕。これによって活性層４の発光領域の
上方に拡散領域が存在しなくなるので、キャリアがハイ
ドープされた拡散領域における光の吸収をなくすことが
でき、発光効率が向上する。

【００２４】最後に、キャップ層８の上面から凹部１０
内面にかけてｐ側電極９を蒸着させ、基板２の下面にｎ
側電極１を蒸着させ〔図２（ｆ）〕、図１に示すような
端面出射型発光ダイオードＡを製作する。

【００２５】こうして、この発光ダイオードＡにおいて
は、凹部１０の側壁面においてｎ−ＡｌＧａＡｓ電流ブ
ロック層７の一部がｐ型に反転し、ｐ−ＧａＡｓキャッ
プ層８及び電流ブロック層７を貫通して電流通路領域１
２が形成されている。ｎ型の電流ブロック層７とｐ型の
ストップ層６とからなるｐｎ接合電流阻止層には逆バイ
アス電圧が加わり、電流を遮断するが、電流通路領域１
２には電流が流れるので、この発光ダイオードＡは電流
狭窄構造となっている。従って、ｐ側電極９とｎ側電極
１との間に電圧を印加すると、電流通路領域１２を通し
て活性層４に電流が注入され、活性層４で発生した光は
活性層４の端面から出射される。

【００２６】また、電流ブロック層７と活性層４の間の
層厚を小さくして素子の電流狭窄効果を高めると同時
に、電流ブロック層７よりも上の層厚を大きくすると共
に凹部１０を深くすることにより、ｐ側電極９から活性
層４までの距離を大きくでき、ジャンクションダウン実
装にも容易に対応できる。

【００２７】図５は本発明の別な実施例による端面出射
型の半導体レーザＢを示す一部破断した斜視図である。
この実施例においては、両端面（へき開面）間の全長に
わたって所定幅で凹部（Ｕ字溝）１０を設けている。こ
の構造のものは、活性層４においてレーザ発振するの
で、半導体レーザＢとなる。

【００２８】図６は本発明のさらに別な実施例による上
面出射型の発光ダイオードＣを示す一部破断した斜視
図、図７（ａ）〜（ｆ）はその製造方法を示す断面図で
ある。以下、この実施例を製造順序に沿って説明する。

【００２９】はじめに、ＭＢＥ法あるいはＭＯＣＶＤ法
等を用いて、ｎ−ＧａＡｓ基板２の上にｎ−Ａｌ_0.45Ｇ
ａ_0.55Ａｓ下部クラッド層３、ｐ−ＧａＡｓ活性層４、
ｐ−Ａｌ_0.45Ｇａ_0.55Ａｓ上部クラッド層５、ｐ−Ａｌ
_0.1Ｇａ_0.9Ａｓストップ層６、ｎ−Ａｌ_0.45Ｇａ_0.55Ａ
ｓ電流ブロック層７、ｐ−ＧａＡｓキャップ層８を順次
成長させる〔図７（ａ）〕。これはｐｎｐｎ接合構造で
ある。

【００３０】つぎに、例えばキャップ層８の上面をＡＺ
レジスト１１によって覆い、ＡＺレジスト１１に円形の
開口１１ｂ（例えば、直径５０μｍ）をあける。開口１
１ｂをあけた後、このＡＺレジスト１１をマスクとし、
ｐＨ：９.４の ＫＩ（０.３mol／リットル）＋Ｉ₂（０.０４mol／リッ
トル） をエッチャントとして電流ブロック層７との境界までキ
ャップ層８を選択的にエッチングし、丸孔状の凹部１０
を形成する〔図７（ｂ）〕。

【００３１】ついで、上記ＡＺレジスト１１を除去した
後、キャップ層８をマスクとし、ＨＦ（８０℃）をエッ
チャントとし、ストップ層６との境界まで電流ブロック
層７を選択的にエッチングし、より深い凹部１０を形成
する〔図７（ｃ）〕。ここで、キャップ層８のＡｌ組成
はｘ＝０であるから、キャップ層８はＨＦによってほと
んどエッチングされることがなく、このためＨＦによる
エッチング時にはキャップ層８をマスクとして用いるこ
とができるのである。また、電流ブロック層７のＡｌ組
成はｘ＝０.４５、ストップ層６のＡｌ組成はｘ＝０.１
で、ＨＦに対するストップ層６のエッチング速度は電流
ブロック層７よりも非常に小さくなっているので、スト
ップ層６は上記エッチャントによってほとんどエッチン
グされることがない。このため、電流ブロック層７だけ
を選択的にエッチングすることができると共に電流ブロ
ック層７のエッチング工程の制御が容易になり、ブロッ
ク層の層厚を０.２μｍ程度にすることができる。

【００３２】この後、例えば閉管法によるＺｎ拡散工程
などにより、ウエハ全面にＺｎを拡散させる。すなわ
ち、最上層のキャップ層８上面と凹部１０の側壁面（キ
ャップ層８、電流ブロック層７）及び底面（ストップ層
６）に十分Ｚｎを拡散させ、キャップ層８の上面から凹
部１０の側壁面及び底面にかけて電流通路領域１２を形
成する〔図７（ｄ）〕。なお、Ｚｎ拡散は、キャップ層
８の上面には行なわず、凹部１０内にのみ行なってもよ
い。ここで、ストップ層６のＡｌ組成ｘ＝０.１は電流
ブロック層７のＡｌ組成ｘ＝０.４５よりも小さく、ス
トップ層６の拡散速度は電流ブロック層７の拡散速度よ
りも十分小さくなっているので、ウエハ垂直方向の拡散
制御が容易となり、上部クラッド層５や活性層４に拡散
の影響を及ぼすことなく凹部１０の内側面に十分Ｚｎを
拡散させることが可能になる。

【００３３】例えば、６４０℃で上記Ｚｎ拡散工程を実
施するとすると、ストップ層６の拡散速度は電流ブロッ
ク層７の拡散速度の１／２.５＝１／ｋとなるので、Ｚ
ｎ拡散深さの制御が容易になる。また、ストップ層６の
層厚がｄ＝０.２μｍであるとすると、活性層４に影響
を与えることなく、電流ブロック層７において凹部１０
の側壁面から側部方向へ最大でｋ×ｄ＝０.５μｍの深
さでＺｎを拡散させ、電流ブロック層７をｐ型に反転さ
せて電流通路領域１２を形成することができる。

【００３４】つづけて、凹部１０を除いてキャップ層８
の上面全体にＡＺレジスト１３を塗布し、このＡＺレジ
スト１３をマスクとし、ｐＨ：９の ＫＩ（０.３mol／リットル）＋Ｉ₂（０.１mol／リット
ル） をエッチャントとしてストップ層６を選択的にエッチン
グし、凹部１０の底面において電流通路領域１２を除去
し、上部クラッド層５を露出させる〔図７（ｅ）〕。こ
れによって活性層４の発光領域の上方に拡散領域が存在
しなくなるので、キャリアがハイドープされた拡散領域
における光の吸収をなくすことができ、発光効率が向上
する。

【００３５】ついで、凹部１０の上部にのみＡＺレジス
トによるマスク１４を形成し、ウエハ全面に電極金属９
ａを蒸着させ〔図７（ｆ）〕、リフトオフ等によってマ
スク１４を除去することによりキャップ層８の上面にｐ
側電極９を形成すると共にｐ側電極９に光を取り出すた
めの窓１５を形成する。最後に、基板２の下面にｎ側電
極１を形成し、図６に示すような上面出射型発光ダイオ
ードＣを製作する。

【００３６】この上面出射型の発光ダイオードＣにおい
ては、ｐ側電極９から電流通路領域１２を通って活性層
４へ電流が注入され、活性層４の電流注入領域から出射
された光は上面の窓１５から出射される。

【００３７】なお、半導体型のｐ型及びｎ型は上記各実
施例とは逆になっていてもよい。また、活性層４よりも
上のｐｎ接合は上記各実施例では２箇所であったが、１
箇所あるいは３箇所以上でもよい。

【００３８】最上層の導電型は上記各実施例では電流ブ
ロック層と異なる導電型であったが、同一導電型であっ
てもよい。ただし、同一導電型の場合には、拡散をウエ
ハ全面に行ない、最上層の上面にも電流通路領域を形成
する必要がある。さらに、凹部は断面Ｕ字形に限らず、
例えば断面Ｖ字形などでもよい。また、本発明の発光素
子は、ＡｌＧａＡｓ系に限るものでもない。

【００３９】

【発明の効果】本発明によれば、電流通路領域の深さを
大きくすることができ、電流ブロック層と発光層の間の
層厚が薄くても、発光層を表面から遠い位置に設けるこ
とができる。この結果、ジャンクションダウン実装を行
なっても接合用のろう材が発光層へ回り込みにくくな
り、ジャンクションダウン実装が容易になる。

【００４０】また、電流ブロック層の下にエッチング速
度の小さな半導体層を設けているので、電流ブロック層
をエッチングして凹部を形成する際のエッチング時間を
長く設定することができ、再現性よく凹部を形成するこ
とができ、製品の歩留りが向上する。

【００４１】さらに、電流ブロック層の下に拡散速度の
小さな半導体層を設けているので、電流狭窄効果を犠牲
にすることなく、しかも、活性層に拡散の影響を与える
ことなく、凹部の側壁面における電流通路領域の幅（拡
散深さ）を広くすることができ、電流通路領域における
シート抵抗を低減することができる。

【００４２】さらに、電流通路領域の深さは凹部のエッ
チング深さによってコントロールでき、電流通路領域の
幅は拡散深さによってコントロールでき、電流通路領域
の幅と深さを別々にコントロールすることができ、電流
通路領域の形状を比較的自由に設計することができる。

【００４３】また、電流ブロック層の下に拡散速度の小
さな層を設けているので、凹部の底面における拡散深さ
の制御が容易となり、拡散層が電流ブロック層の下の半
導体層を超えることを防止できる。従って、電流ブロッ
ク層の下の半導体層を除去することにより凹部の底面の
拡散層を確実に除去することができ、発光層の真上にお
ける光の吸収を無くすことができる。こうして、素子の
抵抗を低減し、拡散領域における光吸収を無くしたこと
により、高出力微小発光径の発光素子を製作可能にな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による端面出射型発光ダイオ
ードを示す一部破断した斜視図である。

【図２】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）（ｆ）は同上
の製造方法を示す断面図である。

【図３】ＨＦでＡｌＧａＡｓをエッチングする場合のＡ
ｌ組成とエッチング速度の関係を示す図である。

【図４】Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓのおけるＡｌ組成ｘとＺｎの
拡散深さとの関係を示す図である。

【図５】本発明の別な実施例による半導体レーザを示す
一部破断した斜視図である。

【図６】本発明のさらに別な実施例による上面出射型発
光ダイオードを示す一部破断した斜視図である。

【図７】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）（ｆ）は同上
の実施例の製造方法を示す断面図である。

【図８】従来例の斜視図である。

【符号の説明】

４ 活性層 ５ 上部クラッド層 ６ ストップ層 ７ 電流ブロック層 ８ キャップ層 １０ 凹部 １２ 電流通路領域

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１導電型の電流ブロック層と第２導電
   型の半導体層を上下に積層した少なくとも１つのｐｎ接
   合電流阻止層を発光層の上方に持ち、最上層から電流ブ
   ロック層及び前記半導体層にかけて凹部を凹設され、拡
   散によって形成された第２導電型の電流通路領域を凹部
   の側壁面に有すると共に凹部の底面を非拡散領域とした
   ことを特徴とする半導体発光素子。
2. 【請求項２】 第１導電型の電流ブロック層と該電流ブ
   ロック層よりも拡散速度及びある種のエッチャントに対
   するエッチング速度が小さな第２導電型の半導体層を上
   下に積層した少なくとも１つのｐｎ接合電流阻止層を発
   光層の上方に形成し、最上層から電流ブロック層にかけ
   てエッチングによって凹部を凹設した後、前記凹部の内
   面に拡散によって第２導電型の電流通路領域を形成し、
   ついで、凹部の底面において前記半導体層を選択的にエ
   ッチングすることによって凹部底面の電流通路領域を除
   去することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。