JPS6171690A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents
半導体レ−ザ素子Info
- Publication number
- JPS6171690A JPS6171690A JP19524084A JP19524084A JPS6171690A JP S6171690 A JPS6171690 A JP S6171690A JP 19524084 A JP19524084 A JP 19524084A JP 19524084 A JP19524084 A JP 19524084A JP S6171690 A JPS6171690 A JP S6171690A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gaas
- light emitting
- gaalas
- die
- Prior art date
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- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、発光層（活性層）をチップの中央部に位置さ
せ、Ｐ型層、Ｎ型層どちらの層をステムにダイボンドし
ても発光位置か変化しない半導体レーザ素子に関するも
のである。
せ、Ｐ型層、Ｎ型層どちらの層をステムにダイボンドし
ても発光位置か変化しない半導体レーザ素子に関するも
のである。
〈従来技術〉
半導体レーザ素子は、一般的には基板となる半導体上に
数回のエピタキシャル成長が施され、ダテ ブルヘＸ口接合等が形成されてレーザ発振に必要なＰＮ
接合等も予め形成される。
数回のエピタキシャル成長が施され、ダテ ブルヘＸ口接合等が形成されてレーザ発振に必要なＰＮ
接合等も予め形成される。
この−例として第２図にＶＳＩＳ型レーザ素子の断面図
を示す。図に於いて、ｌはＰ ＧａＡｓ基板、２はＮ
ＧａＡｓ層（電流狭窄層）、３はＰ−ＧａＡｌＡｓ
層（クラッド層）、４はＰ −ＧａＡｌＡｓ層（活性層
）、５はＮ ＧａＡｌＡｓ層（クラッド層）、６はＮ
ＧａＡｓ層（キャｙプ層）である。
を示す。図に於いて、ｌはＰ ＧａＡｓ基板、２はＮ
ＧａＡｓ層（電流狭窄層）、３はＰ−ＧａＡｌＡｓ
層（クラッド層）、４はＰ −ＧａＡｌＡｓ層（活性層
）、５はＮ ＧａＡｌＡｓ層（クラッド層）、６はＮ
ＧａＡｓ層（キャｙプ層）である。
各層の層厚は第２図内に示されている通りて、活性層４
は素子の端に位置することとなる。したがって、第３図
（１）のようにＮ型層６の方をステム７にダイボンドし
た時と、第３図（２）のようにＰ型層（基板）Ｉの方を
ステム７にダイボンドした時とては、発光位置に１００
μｍ近くの差が生しることとなり、発光位置を同しにす
るためには、ステムの方を削る等することにより合わせ
なけれはならない。
は素子の端に位置することとなる。したがって、第３図
（１）のようにＮ型層６の方をステム７にダイボンドし
た時と、第３図（２）のようにＰ型層（基板）Ｉの方を
ステム７にダイボンドした時とては、発光位置に１００
μｍ近くの差が生しることとなり、発光位置を同しにす
るためには、ステムの方を削る等することにより合わせ
なけれはならない。
〈発明の目的〉
本発明は上記のような発光位置の差の問題点を解消する
ためになされたものであり、ステムを改造することなく
、Ｐ、Ｎどちらの層をダイボンドしても発光位置の変化
かない半導体レーザ素子を提供することを目的とするも
のである。
ためになされたものであり、ステムを改造することなく
、Ｐ、Ｎどちらの層をダイボンドしても発光位置の変化
かない半導体レーザ素子を提供することを目的とするも
のである。
〈発明の構成〉
本発明の半導体レーザ素子は、発光層（活性層〕をチッ
プの厚さ方向に対して中央の位置より±２５μｍ以内に
設けて、Ｐ型層、Ｎ型層のどちらをステム側にダイボン
ドしても、発光位置が変化しないようにしたことを特徴
とするものである。
プの厚さ方向に対して中央の位置より±２５μｍ以内に
設けて、Ｐ型層、Ｎ型層のどちらをステム側にダイボン
ドしても、発光位置が変化しないようにしたことを特徴
とするものである。
〈実施例〉
本発明の一実施例の構造を第１図に示す。
図に於いて、１１はＰ ＧａＡｓ基板、１２はＮ−Ｇ
ａ Ａ ｓ層（電流狭窄＠）、１３はＰ−ＧａＡｌＡ
ｓ層（クラッド層）、１４はＰ ＧａＡｌＡｓ層（活
性層）、１５はＮ−ＧａＡｌＡｓ 層（グランド層）、
１６はＮ−ＧａＡｓ＠Ｃキャップ層）である。
ａ Ａ ｓ層（電流狭窄＠）、１３はＰ−ＧａＡｌＡ
ｓ層（クラッド層）、１４はＰ ＧａＡｌＡｓ層（活
性層）、１５はＮ−ＧａＡｌＡｓ 層（グランド層）、
１６はＮ−ＧａＡｓ＠Ｃキャップ層）である。
ＧａＡｓキャップ層１６を従来の素子に比へ厚くし、そ
のかわりにＧａＡ ｓ基板１１の層厚を薄くし、全体の
層厚は従来の素子七同じにしている。
のかわりにＧａＡ ｓ基板１１の層厚を薄くし、全体の
層厚は従来の素子七同じにしている。
第１図に示す如く、活性層位置は素子の中央部に来てい
るため、Ｐ型層（Ｐ ＧａＡｓ基板）１１゜Ｎ型層（
Ｎ ＧａＡｓ層）１６のどちらの層をダイボンドして
も発光位置は変化しない。
るため、Ｐ型層（Ｐ ＧａＡｓ基板）１１゜Ｎ型層（
Ｎ ＧａＡｓ層）１６のどちらの層をダイボンドして
も発光位置は変化しない。
〈発明の効果〉
以上詳細に説明したように、本発明によれは、Ｐ型層、
Ｎ型層のどちらの層をダイボンドしても発光位置が変化
しない、きわめて有用な半導体レーザ素子を得ることが
できるものである。
Ｎ型層のどちらの層をダイボンドしても発光位置が変化
しない、きわめて有用な半導体レーザ素子を得ることが
できるものである。
第１図は本発明の一実施例の構造を示す断面図、第２図
は従来の半導体レーザ素子の構造を示す断面図、第３図
ｆ１＋ 、 ＋２＋は従来の半導体レーザ索子を１ニ ステムダイボンドしたときの様子を示す図であり。 （］）はＮ型層の方をダイボンドしたときを、（２）は
Ｐ型層の方をダイボンドしたときを、それぞれ示す。 符号の説明 １ ： Ｐ−ＧａＡｓ基板、２ ： Ｎ−ＧａＡｓ層（
電流狭窄層）、３ ： Ｐ ＧａＡｌＡｓ 層（クラ
ッド層９．４ ： Ｐ−ＧａＡＩＡｓ 層（活性層）、
５：Ｎ−ＧａＡｌＡｓ 層（クラッド層ン、６：Ｎ
ＧａＡｓ層（キャップ層）、７：ステム、Ｉ Ｉ ：
Ｐ−ＧａＡｓ基板、１２：Ｎ−ＧａＡｓ層（電流狭窄層
）、１３二Ｐ−ＧａＡｌＡｓ層（クラッド＠ン、１４：
Ｐ−ＧａＡＩＡｓ 層（活性層う、Ｉ ５ ： Ｎ−Ｇ
ａＡｌＡｓ層（クラッド層）、！ ６ ： Ｎ−ＧａＡ
Ｓ層（キャンプ＠）。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第１図 第２図 第３図
は従来の半導体レーザ素子の構造を示す断面図、第３図
ｆ１＋ 、 ＋２＋は従来の半導体レーザ索子を１ニ ステムダイボンドしたときの様子を示す図であり。 （］）はＮ型層の方をダイボンドしたときを、（２）は
Ｐ型層の方をダイボンドしたときを、それぞれ示す。 符号の説明 １ ： Ｐ−ＧａＡｓ基板、２ ： Ｎ−ＧａＡｓ層（
電流狭窄層）、３ ： Ｐ ＧａＡｌＡｓ 層（クラ
ッド層９．４ ： Ｐ−ＧａＡＩＡｓ 層（活性層）、
５：Ｎ−ＧａＡｌＡｓ 層（クラッド層ン、６：Ｎ
ＧａＡｓ層（キャップ層）、７：ステム、Ｉ Ｉ ：
Ｐ−ＧａＡｓ基板、１２：Ｎ−ＧａＡｓ層（電流狭窄層
）、１３二Ｐ−ＧａＡｌＡｓ層（クラッド＠ン、１４：
Ｐ−ＧａＡＩＡｓ 層（活性層う、Ｉ ５ ： Ｎ−Ｇ
ａＡｌＡｓ層（クラッド層）、！ ６ ： Ｎ−ＧａＡ
Ｓ層（キャンプ＠）。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- １、発光層（活性層）をチップの厚さ方向に対して中央
の位置より±２５μｍ以内に設けて、Ｐ型層、Ｎ型層の
どちらをステム側にダイボンドしても、発光位置が変化
しないようにしたことを特徴とする半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19524084A JPS6171690A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | 半導体レ−ザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19524084A JPS6171690A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6171690A true JPS6171690A (ja) | 1986-04-12 |
Family
ID=16337814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19524084A Pending JPS6171690A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6171690A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5917292A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-28 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
-
1984
- 1984-09-17 JP JP19524084A patent/JPS6171690A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5917292A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-28 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
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