JPS59108386A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPS59108386A JPS59108386A JP57218962A JP21896282A JPS59108386A JP S59108386 A JPS59108386 A JP S59108386A JP 57218962 A JP57218962 A JP 57218962A JP 21896282 A JP21896282 A JP 21896282A JP S59108386 A JPS59108386 A JP S59108386A
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- Japan
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
り１）発明の技術分野
本発明は半導体発光装置に関する。特に、ストライプ状
のｐｎ接合をもって幅の狭い発光層が形成され、単一モ
ードで、安定に発振しうる、半導体レーザ装置の改良に
関する。
のｐｎ接合をもって幅の狭い発光層が形成され、単一モ
ードで、安定に発振しうる、半導体レーザ装置の改良に
関する。
■技術の背景
半導体発光装置、特に、半導体レーザにあって １−
は、（イ）光出力が大きいこと、（ロ）指向性が良好で
あることが重要な要件である。（イ）を実現するために
は、しきい値電流密度の低減が有効であり、（ロ）を実
現するためには、単一トドで発振を行なわせることが必
須である。単一モ−１”で発振させるためには、発光部
の幅を小さくシ、できるだけ狭い領域で発光させること
が望ましい。
あることが重要な要件である。（イ）を実現するために
は、しきい値電流密度の低減が有効であり、（ロ）を実
現するためには、単一トドで発振を行なわせることが必
須である。単一モ−１”で発振させるためには、発光部
の幅を小さくシ、できるだけ狭い領域で発光させること
が望ましい。
例えば、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）／アルミニウムガリ
ウムヒ素（ＪＧａＡａ ）系レーザでは、発光部の幅が
５〔μｍ〕 程度未満のとき単一モードとなる。
ウムヒ素（ＪＧａＡａ ）系レーザでは、発光部の幅が
５〔μｍ〕 程度未満のとき単一モードとなる。
（６）従来技術と問題点
第１図に、−例として従来技術におけるガリウムヒ素（
（）ａＡｅ）／アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡ
ｓ ）よりなるストライプ型レーザの断面図を示す。図
において、１はｎ型ガリウムヒ素（ｎ−ＧａＡｓ）より
なる基板であり、２はｎ型アルミニウムガリウムヒ素（
ｎ−ＡｌＧａＡｓ）よりなる下部クラッド層であり、３
はｎ型ガリウムヒ素（ｎ−ＧａＡｓ）よりなる活性層で
あり、４はＰ型アルミニウムガリウムヒ素（ｐ−ＡｌＧ
ａＡｓ ）よりなる上部クラッド層であり、５はｐ型ガ
リウムヒ素（ｐ−ＧａＡｓ ）よりなる電極コンタクト
層（キャップＮｔ）であり、６は絶縁膜であり、７．８
はそれぞれ正、負電極である。入力電流が発光層のｐｎ
接合以外の領域に広がるのを防止するため上部クラッド
層４の上部及びキャップ層５をストライプ状のメサ型と
なし、かつ、その上面を除いた領域を絶縁膜で糠う構造
となしている。しかし、上記の構造においては、工程上
の制約すなわち、通常のフォトリソグラフィー法とウェ
ットエツチング法を使用した場合の制約から、発光層の
幅を５〜６〔μｍ〕稈度以下縮小することは容易ではな
く、そのために多重モードとなりやすいという欠点を有
する。
（）ａＡｅ）／アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡ
ｓ ）よりなるストライプ型レーザの断面図を示す。図
において、１はｎ型ガリウムヒ素（ｎ−ＧａＡｓ）より
なる基板であり、２はｎ型アルミニウムガリウムヒ素（
ｎ−ＡｌＧａＡｓ）よりなる下部クラッド層であり、３
はｎ型ガリウムヒ素（ｎ−ＧａＡｓ）よりなる活性層で
あり、４はＰ型アルミニウムガリウムヒ素（ｐ−ＡｌＧ
ａＡｓ ）よりなる上部クラッド層であり、５はｐ型ガ
リウムヒ素（ｐ−ＧａＡｓ ）よりなる電極コンタクト
層（キャップＮｔ）であり、６は絶縁膜であり、７．８
はそれぞれ正、負電極である。入力電流が発光層のｐｎ
接合以外の領域に広がるのを防止するため上部クラッド
層４の上部及びキャップ層５をストライプ状のメサ型と
なし、かつ、その上面を除いた領域を絶縁膜で糠う構造
となしている。しかし、上記の構造においては、工程上
の制約すなわち、通常のフォトリソグラフィー法とウェ
ットエツチング法を使用した場合の制約から、発光層の
幅を５〜６〔μｍ〕稈度以下縮小することは容易ではな
く、そのために多重モードとなりやすいという欠点を有
する。
（４）発明の目的
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、半導
体発光装置において、発光部の幅が５〔μｍ３未満であ
り、単一モードでの発振が可能で、しかも、しきい値電
流と損失が低減され効率が増加している、半導体発光装
置を提供することにある。
体発光装置において、発光部の幅が５〔μｍ３未満であ
り、単一モードでの発振が可能で、しかも、しきい値電
流と損失が低減され効率が増加している、半導体発光装
置を提供することにある。
（５）発明の構成
本発明の目的は、基板上に設けられた下部クラッド層、
該下部クラッド層上に設けられた第１導電型活性層、該
活性層上に設゛けられ、表面にストライプ上のメサ部を
有する上部クラッド層とを有し、前記−Ｆ部りラッド幼
表面から一部が前記活性層を越えて形成された第２導電
型領域により、前記ストライプ状のメサ部に対応する前
記活性層に二つのｐｎ接合が設けられてなることにより
達成される。
該下部クラッド層上に設けられた第１導電型活性層、該
活性層上に設゛けられ、表面にストライプ上のメサ部を
有する上部クラッド層とを有し、前記−Ｆ部りラッド幼
表面から一部が前記活性層を越えて形成された第２導電
型領域により、前記ストライプ状のメサ部に対応する前
記活性層に二つのｐｎ接合が設けられてなることにより
達成される。
上記の従来の欠点は、発光部の形成に、フォトリソグラ
フィー法とウェットエツチング法とを組み合わせて使用
する従来技術における工程上の制約が原因となっている
。また、従来技術においては、活性層の上面にｐｎ接合
が形成されるために、発光領域がかなり広がって、多重
モードとなりやすいという不利益も存在する。
フィー法とウェットエツチング法とを組み合わせて使用
する従来技術における工程上の制約が原因となっている
。また、従来技術においては、活性層の上面にｐｎ接合
が形成されるために、発光領域がかなり広がって、多重
モードとなりやすいという不利益も存在する。
本発明の発明者らは、活性層内の所望のストライプ幅に
対応した位置に２ケのｐｎ接合を形成し、この２ケのｐ
ｎ接合をもって左右を挾まれた領域を発光部とすれは、
発光部が広がるのを有効に防止しうるとの着想を得て、
この錨想を具体化するために、活性層と同一導電型を有
する層をもって、上下クラッド層及びキャップ層をノヒ
成したのち、上部クラッド層の上部を幅５〔μｍ〕 程
度のストライプ状メサ部となし、この上部クラッド層と
メサ部の全面から、活性層とは反対の導電型を有する不
純物を拡散させ、活性層に２ケのｐｎ接合を形成し活性
層に幅の挾い発光部を形成することとして本発明を完成
した。
対応した位置に２ケのｐｎ接合を形成し、この２ケのｐ
ｎ接合をもって左右を挾まれた領域を発光部とすれは、
発光部が広がるのを有効に防止しうるとの着想を得て、
この錨想を具体化するために、活性層と同一導電型を有
する層をもって、上下クラッド層及びキャップ層をノヒ
成したのち、上部クラッド層の上部を幅５〔μｍ〕 程
度のストライプ状メサ部となし、この上部クラッド層と
メサ部の全面から、活性層とは反対の導電型を有する不
純物を拡散させ、活性層に２ケのｐｎ接合を形成し活性
層に幅の挾い発光部を形成することとして本発明を完成
した。
上記の構成によれば、拡散によって発光部が形成される
ために、キャリアの拡散長より短い３〔μｍ〕 程度の
幅の挾い発光部となり、多重モードが有効にバｈ止され
、単一モードで発振し、動作が極めて安定となる。
ために、キャリアの拡散長より短い３〔μｍ〕 程度の
幅の挾い発光部となり、多重モードが有効にバｈ止され
、単一モードで発振し、動作が極めて安定となる。
（６）発明の実施例
以下図面を参照しつつ、本発明の一実施例に係る半導体
発光装置について説明し、本発明の構成と特有の効果と
を明らかにする。
発光装置について説明し、本発明の構成と特有の効果と
を明らかにする。
第２図参照
ｎ型不純物としてスズ（Ｓｎ ）を１０” ／ ａｍ３
ＫｆＪ ５一 度含むｎ型ガリウムヒ素 （ｎ−ＧａＡａ ） より
なる基板１１上に、液相エピタキシャル成長法を使用し
て、ｎ型不純物としてスズ（Ｓｎ）を５ Ｘ １０１７
／ａｍ３程度含むｎ型アルミニウムガリウムヒ素（ｎ−
Ａｌ（１，３Ｇａ４．７Ａｌｌ ）よりなり厚さ２［μ
ｍ］程度の下Ｓ＋クラフト層１２、ノンドープのガリウ
ムヒ素（ＧａＡｓ ）よりなり、厚さ０．１〔μｍ″ｌ
程度の活性層１３、ｎ型不純物としてスズ（Ｓｎ）を
５ Ｘ １０ ”１０ｍ ３程度含むｎ型アルミニウム
ガリウムヒ素（ｎ−Ａ１６．３０ａ＠、７Ａ８ ）より
なり厚さ３．６〔μｍ〕稈度の上部クラッド層１４、ｎ
型不純物としてスズ（Ｓｎ）を１０ ” ” ／Ｑ ｍ
３ 程度含むｎ型ガリウムヒ素（ｎ−ＧａＡｓ）よ
りなり厚さ０．５〔μｍ″１程度のキャップ層１５を順
次形成する。上記ノンドープの活性層１３は結果として
ｎＭとなる。
ＫｆＪ ５一 度含むｎ型ガリウムヒ素 （ｎ−ＧａＡａ ） より
なる基板１１上に、液相エピタキシャル成長法を使用し
て、ｎ型不純物としてスズ（Ｓｎ）を５ Ｘ １０１７
／ａｍ３程度含むｎ型アルミニウムガリウムヒ素（ｎ−
Ａｌ（１，３Ｇａ４．７Ａｌｌ ）よりなり厚さ２［μ
ｍ］程度の下Ｓ＋クラフト層１２、ノンドープのガリウ
ムヒ素（ＧａＡｓ ）よりなり、厚さ０．１〔μｍ″ｌ
程度の活性層１３、ｎ型不純物としてスズ（Ｓｎ）を
５ Ｘ １０ ”１０ｍ ３程度含むｎ型アルミニウム
ガリウムヒ素（ｎ−Ａ１６．３０ａ＠、７Ａ８ ）より
なり厚さ３．６〔μｍ〕稈度の上部クラッド層１４、ｎ
型不純物としてスズ（Ｓｎ）を１０ ” ” ／Ｑ ｍ
３ 程度含むｎ型ガリウムヒ素（ｎ−ＧａＡｓ）よ
りなり厚さ０．５〔μｍ″１程度のキャップ層１５を順
次形成する。上記ノンドープの活性層１３は結果として
ｎＭとなる。
なお、次工程における上部クラッドＭ１４上にメサ部を
形成するためのウェットエツチングを上部クラッド層１
４の所皐の深さに達するまで正確に制御する必要がある
が、本工程において上部クラッド層１４の所望の深さに
、ｎ型アルミニウムガリウムヒｇ （ｎ−Ａｌｏ、５
Ｇａｏ、５ Ａｓ ）よりなり厚さ０．３〔μｍ〕 程
度の層（図示ゼす。）を介在させておくと、アルミニウ
ム（Ａｌ）の混晶比が上層より大きいのでエツチングレ
ートが上）ＣＯに比して遅くなり、エツチングを正確に
制御する上で更に有効である。
形成するためのウェットエツチングを上部クラッド層１
４の所皐の深さに達するまで正確に制御する必要がある
が、本工程において上部クラッド層１４の所望の深さに
、ｎ型アルミニウムガリウムヒｇ （ｎ−Ａｌｏ、５
Ｇａｏ、５ Ａｓ ）よりなり厚さ０．３〔μｍ〕 程
度の層（図示ゼす。）を介在させておくと、アルミニウ
ム（Ａｌ）の混晶比が上層より大きいのでエツチングレ
ートが上）ＣＯに比して遅くなり、エツチングを正確に
制御する上で更に有効である。
第３図裕１１：１
ストライプ型発光部を形成するため、キャップ層１５表
１０１から」二部クラッド層１４に悸する深さに且つ幅
５〔μｍ″ｌ稈度のメサ現に残してエツチングを行なう
。この工程は、リン酸７ （Ｈ３ｐｏ４）と過酸化水素
（Ｈ２Ｏ２）と水（Ｈ２Ｏ）との混合溶液を使用してな
すウーットエッチング法を用いて実行できる。
１０１から」二部クラッド層１４に悸する深さに且つ幅
５〔μｍ″ｌ稈度のメサ現に残してエツチングを行なう
。この工程は、リン酸７ （Ｈ３ｐｏ４）と過酸化水素
（Ｈ２Ｏ２）と水（Ｈ２Ｏ）との混合溶液を使用してな
すウーットエッチング法を用いて実行できる。
第４図参照
上山”工程終了後、活性層１３内に２ケのｐｎ接合を形
成するために、上部クラッド層１４とキャップ層１５の
全１和から、ｐ型不純物として亜鉛（Ｚｎ）の拡散を行
なう。この工程は７００〔℃〕程度の温度においてなす
熱拡散法を使用して実行され、図に斜線をもって示す領
域は、ｎ型不紳物がｐ型不純物により補償され、更にｐ
型不純物を拡散させることによりｐ型に極性反転された
ｐ型領域１９が形成される。尚、ｐ型領域１ｇのキャリ
１１は１０１８〜１０ ”／ｃ ｍ ３程度である。
成するために、上部クラッド層１４とキャップ層１５の
全１和から、ｐ型不純物として亜鉛（Ｚｎ）の拡散を行
なう。この工程は７００〔℃〕程度の温度においてなす
熱拡散法を使用して実行され、図に斜線をもって示す領
域は、ｎ型不紳物がｐ型不純物により補償され、更にｐ
型不純物を拡散させることによりｐ型に極性反転された
ｐ型領域１９が形成される。尚、ｐ型領域１ｇのキャリ
１１は１０１８〜１０ ”／ｃ ｍ ３程度である。
この工程により、活性層１３には、図に１３′をもって
示されるように、ストライプ状の互いに対面する一対の
ｐｎ接合が形成さね、この一対のｐｎ接合によって挾ま
れた領域１３“が発光部となる。
示されるように、ストライプ状の互いに対面する一対の
ｐｎ接合が形成さね、この一対のｐｎ接合によって挾ま
れた領域１３“が発光部となる。
発光部１３“は幅３〔μｍ〕程度となり、単一モードで
の発振に有効に寄与する。
の発振に有効に寄与する。
第５図参照
上記基板１１の上部全面に酸化アルミニウム（ＡＡ’ｚ
Ｏａ）よりなる絶縁膜１６を化学気相成長法（ＯＶＤ法
）等を使用り、 テ３．０００ （Ｘ：］程度の厚さに
形成する。しかるのち、メサ部の車枠コンタクト領域の
絶縁膜１６を、フォトリソグラフィー法とフッ酸（ＨＦ
）、！＝フフ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）トの混合溶液
をエツチング液としてなすウェットエツチング法とを使
用して選択的に除去する。
Ｏａ）よりなる絶縁膜１６を化学気相成長法（ＯＶＤ法
）等を使用り、 テ３．０００ （Ｘ：］程度の厚さに
形成する。しかるのち、メサ部の車枠コンタクト領域の
絶縁膜１６を、フォトリソグラフィー法とフッ酸（ＨＦ
）、！＝フフ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）トの混合溶液
をエツチング液としてなすウェットエツチング法とを使
用して選択的に除去する。
第６図参照
最後に、基板１１の上面にチタン／白金／金（Ｔｉ／Ｐ
ｔ／Ａｕ ）三重層よりなる正電極１７と、基板１１の
下面に金（Ａｕ ）よりなる負電極１８とをそねぞわ真
空蒸着法を使用することにより形成する。
ｔ／Ａｕ ）三重層よりなる正電極１７と、基板１１の
下面に金（Ａｕ ）よりなる負電極１８とをそねぞわ真
空蒸着法を使用することにより形成する。
上記の構造において、発光部１３“においては上下面と
も厚いクラッド層１２．１４によって覆われているので
、上下のクラッド効果が極めて大きいが、その他の領域
では、上部クラッド層のＪｖさが不十分であるから、ク
ラッド効果は小さく、発光領域が広がって多重モードと
なるのを有効に防止する。さらに発光部の幅が挾いため
、しきい値電流を低減する効果も発生する。・ 以上の工程により、発光部の幅が５〔μｍ〕 未満であ
り、単一モードで安定に発振することが可能であり、か
つ、損失が少なく効率の問い半導体レーザの構造が比較
的簡易な工程により実現しうる。
も厚いクラッド層１２．１４によって覆われているので
、上下のクラッド効果が極めて大きいが、その他の領域
では、上部クラッド層のＪｖさが不十分であるから、ク
ラッド効果は小さく、発光領域が広がって多重モードと
なるのを有効に防止する。さらに発光部の幅が挾いため
、しきい値電流を低減する効果も発生する。・ 以上の工程により、発光部の幅が５〔μｍ〕 未満であ
り、単一モードで安定に発振することが可能であり、か
つ、損失が少なく効率の問い半導体レーザの構造が比較
的簡易な工程により実現しうる。
また、上部クラッド層１４と下部クラッド層１２中に存
在するｐｎ接合においてはその障壁電圧が活性層のｐｎ
接合１３′におけるそれより僅かに大 ９− きいため、電流はｐｎ接合１３′のみを辿過して流れ、
上下クラッド層１４’、１２中のｐｎ接合を介しては流
れない。その結果、電流阻止効果も大きく効率が向上す
る。
在するｐｎ接合においてはその障壁電圧が活性層のｐｎ
接合１３′におけるそれより僅かに大 ９− きいため、電流はｐｎ接合１３′のみを辿過して流れ、
上下クラッド層１４’、１２中のｐｎ接合を介しては流
れない。その結果、電流阻止効果も大きく効率が向上す
る。
（７）発明の詳細
な説明せるとおり、本発明によれば、化合物半導体より
なる半導体発光装置において、発光部の幅が５〔μｍ〕
未満であり、単一モードでの発振が可能でしかもしき
い値電流密度が低減さねている、半導体発光装置を提供
することができる。
なる半導体発光装置において、発光部の幅が５〔μｍ〕
未満であり、単一モードでの発振が可能でしかもしき
い値電流密度が低減さねている、半導体発光装置を提供
することができる。
第１図は従来技術におけるガリウムヒ素（ＧａＡｓ）／
アルミニウムガリウムヒ素（ＪＧａＡｓ ）糸レーザの
断面図であり、第２図乃至第６図は本発明の一実施例に
係るガリウムヒ素（ＧａＡｓ）／アルミニウムガリウム
ヒ素（ＡｌＧａＡｓ ）糸レーザの主要製造工程完了後
の基板断面図である。 ｌ ・・・ 基板（ｎ−ＧａＡｓ）、 ２ ・・・
下部クラッド層（ｎ−ＡｌＧａＡｓ）、 ３ ・・・
活性層 １０− （ＧａＡｓ ） 、３’・・・ 本発明の一実施例に係
る半導体レーザの活性層に形成されたｐｎ接合、３”・
・・ 本発明の一実施例に係る半導体レーザの発光部、
４ ・・・ 従来技術における半導体レーザの上部
クラッドＩ％ｌ （ｐ−ＡｌＧａＡｓ ）、 ４′
・・・ 本発明の一実施例に係る半導体レーザの上部ク
ラッド層（ｎ−Ａｌ１ＧａＡｓ ）、 ５ ・・・
従来技術における半導体レーザのキャップ層ω−ＧａＡ
ｓ ）、５′ ・・・ 本発明の一実施例に係る半導体
レーザのキャップ層（ｎ−ＧａＡａ ） 、６ ・・
・ 絶縁膜（Ｊ２０ｇ）、 ７ ・・・ 正電極（’
ｌｌ’ｉ／Ｐｔ／Ａｕ三重Ｎ）、 ８ ・・・ 負’
ＩＴｈ（Ａｕｌｆｕ）、９ ・・・ 本発明の一実施例
に係る半導体レーザの。 拡散によりｐ型となった領域（斜線部）。 １１ −
アルミニウムガリウムヒ素（ＪＧａＡｓ ）糸レーザの
断面図であり、第２図乃至第６図は本発明の一実施例に
係るガリウムヒ素（ＧａＡｓ）／アルミニウムガリウム
ヒ素（ＡｌＧａＡｓ ）糸レーザの主要製造工程完了後
の基板断面図である。 ｌ ・・・ 基板（ｎ−ＧａＡｓ）、 ２ ・・・
下部クラッド層（ｎ−ＡｌＧａＡｓ）、 ３ ・・・
活性層 １０− （ＧａＡｓ ） 、３’・・・ 本発明の一実施例に係
る半導体レーザの活性層に形成されたｐｎ接合、３”・
・・ 本発明の一実施例に係る半導体レーザの発光部、
４ ・・・ 従来技術における半導体レーザの上部
クラッドＩ％ｌ （ｐ−ＡｌＧａＡｓ ）、 ４′
・・・ 本発明の一実施例に係る半導体レーザの上部ク
ラッド層（ｎ−Ａｌ１ＧａＡｓ ）、 ５ ・・・
従来技術における半導体レーザのキャップ層ω−ＧａＡ
ｓ ）、５′ ・・・ 本発明の一実施例に係る半導体
レーザのキャップ層（ｎ−ＧａＡａ ） 、６ ・・
・ 絶縁膜（Ｊ２０ｇ）、 ７ ・・・ 正電極（’
ｌｌ’ｉ／Ｐｔ／Ａｕ三重Ｎ）、 ８ ・・・ 負’
ＩＴｈ（Ａｕｌｆｕ）、９ ・・・ 本発明の一実施例
に係る半導体レーザの。 拡散によりｐ型となった領域（斜線部）。 １１ −
Claims (1)
- 基鈑上に設けられた下部クラッド層、該下部クラッド層
上に設けられた第１導電型活性層、該活性層上に設けら
れ、表面にストライプ状のメサ部を有する上部クラッド
層とを有し、前記上部クラッド層表面から一部が前記活
性層を越えて形成された第２導電型領域により、前記ス
トライプ状のメ、す部に対応する前記活性層に二つのｐ
ｎ接合が設けられてなることを特徴とする半導体発光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57218962A JPS59108386A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57218962A JPS59108386A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59108386A true JPS59108386A (ja) | 1984-06-22 |
Family
ID=16728074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57218962A Pending JPS59108386A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59108386A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62149186A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-03 | Nec Corp | 埋め込み型半導体レ−ザの製造方法 |
| FR2628891A1 (fr) * | 1988-03-16 | 1989-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | Laser a semiconducteurs |
| WO1991017575A2 (en) * | 1990-05-01 | 1991-11-14 | British Telecommunications Public Limited Company | Optoelectronic device |
| JPH04247670A (ja) * | 1990-10-04 | 1992-09-03 | Telefunken Electronic Gmbh | 半導体装置 |
-
1982
- 1982-12-14 JP JP57218962A patent/JPS59108386A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62149186A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-03 | Nec Corp | 埋め込み型半導体レ−ザの製造方法 |
| FR2628891A1 (fr) * | 1988-03-16 | 1989-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | Laser a semiconducteurs |
| WO1991017575A2 (en) * | 1990-05-01 | 1991-11-14 | British Telecommunications Public Limited Company | Optoelectronic device |
| US5446751A (en) * | 1990-05-01 | 1995-08-29 | British Telecommunications Public Limited Company | Optoelectronic device |
| JPH04247670A (ja) * | 1990-10-04 | 1992-09-03 | Telefunken Electronic Gmbh | 半導体装置 |
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