JPH01217990A - 半導体レーザ装置と製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置と製造方法Info
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- JPH01217990A JPH01217990A JP4509188A JP4509188A JPH01217990A JP H01217990 A JPH01217990 A JP H01217990A JP 4509188 A JP4509188 A JP 4509188A JP 4509188 A JP4509188 A JP 4509188A JP H01217990 A JPH01217990 A JP H01217990A
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- gaas
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- stopper layer
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2081—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques
- H01S5/209—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques special etch stop layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明はｍ−ｖ族化合物半導体レーザ装置及びその製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
［従来の技術］
従来のこの種の半導体レーザ装置を第２図に断面図とし
て示す。図中（１）は、例えばＳｉなどのドナーを高濃
度にドープしたｎ型ＧａＡｓ半導体基板、（２）は、上
記半導体基板（１）上に、例えばＭＯＣＶＤなどの方法
ヤ成長された、ｎ型ＡｌｘＧａ＋−ｚＡｓ上クラッド層
と、（３）は上記下クラッド層（２）上に成長された、
ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ活性層と、（４）は上記下クラッ
ド層（２）、活性層（３）と共にタプルヘテロ接合を形
成する、例えば７．ｎなどのアクセプタをドープしたｐ
型Ａ ｌ ｚＧａ 、−ｚＡｓ上クラッド層と、（５）
は上記上クラッド層（４）上に成長されたｎ型ＧａへＳ
電流ブロック層と、（６）は上記電流ブロック層（５）
にストライプ状に加工形成された電流通路用の溝、（７
）は上記電流ブロック層（５）上に、上記電流通路用の
溝（６）で上記上クラッド層（４） と電気的に接触す
べく、例えばＭＯＣＶＤなどの方法で成長されたｐ型Ａ
１ｒＧａ ＋−，Ａｓキャップ層と、（８）は上記キ
ャブ層（７）上に順次成長されたｐ型ＧａＡｓコンタク
ト層と、（９ａ） 、 （９ｂ）はそれぞれ、上記コン
タクト層（８）半導体基板に、オーミック接触する、例
えばＡｕＧｅ 。
て示す。図中（１）は、例えばＳｉなどのドナーを高濃
度にドープしたｎ型ＧａＡｓ半導体基板、（２）は、上
記半導体基板（１）上に、例えばＭＯＣＶＤなどの方法
ヤ成長された、ｎ型ＡｌｘＧａ＋−ｚＡｓ上クラッド層
と、（３）は上記下クラッド層（２）上に成長された、
ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ活性層と、（４）は上記下クラッ
ド層（２）、活性層（３）と共にタプルヘテロ接合を形
成する、例えば７．ｎなどのアクセプタをドープしたｐ
型Ａ ｌ ｚＧａ 、−ｚＡｓ上クラッド層と、（５）
は上記上クラッド層（４）上に成長されたｎ型ＧａへＳ
電流ブロック層と、（６）は上記電流ブロック層（５）
にストライプ状に加工形成された電流通路用の溝、（７
）は上記電流ブロック層（５）上に、上記電流通路用の
溝（６）で上記上クラッド層（４） と電気的に接触す
べく、例えばＭＯＣＶＤなどの方法で成長されたｐ型Ａ
１ｒＧａ ＋−，Ａｓキャップ層と、（８）は上記キ
ャブ層（７）上に順次成長されたｐ型ＧａＡｓコンタク
ト層と、（９ａ） 、 （９ｂ）はそれぞれ、上記コン
タクト層（８）半導体基板に、オーミック接触する、例
えばＡｕＧｅ 。
Ｎｉ、八ｕなどを主材料とする電極である。
次に動作について説明する。上記電極（９ａ） 。
（９ｂ）間に順方向電圧を印加すれば上記活性層 （３
）を含むＰＮ接合に順方向電界が生じ、電流が流れる。
）を含むＰＮ接合に順方向電界が生じ、電流が流れる。
この時電流は、上記電流ブロック層（５） と上記上ク
ラッド層（４）との間で生じる空え層のため、上記電流
通路用の溝（６）の部分を選択的に流れ、上記活性層（
３）へ局所的な電流注入が生じ、又、上記下クラッド層
（２）、上記活性層（３）、上記上クラッド層（４）と
で形成されたダブルへテロ接合により、注入キャリヤの
反転分布が生じ、フォトンの誘導放出を行ないレーザ発
振を行なう。さらに、上記活性層（３）からしみ出した
光の、上記電流ブロック層（５） と、上記キャップ層
（７）への光の吸収量の違いから生じる横方向の実効的
な屈折率分布によって、横モードの安定でキングの少な
い、レーザ発振特性が得られる。
ラッド層（４）との間で生じる空え層のため、上記電流
通路用の溝（６）の部分を選択的に流れ、上記活性層（
３）へ局所的な電流注入が生じ、又、上記下クラッド層
（２）、上記活性層（３）、上記上クラッド層（４）と
で形成されたダブルへテロ接合により、注入キャリヤの
反転分布が生じ、フォトンの誘導放出を行ないレーザ発
振を行なう。さらに、上記活性層（３）からしみ出した
光の、上記電流ブロック層（５） と、上記キャップ層
（７）への光の吸収量の違いから生じる横方向の実効的
な屈折率分布によって、横モードの安定でキングの少な
い、レーザ発振特性が得られる。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、従来の半導体レーザ装置は１以上の様に
構成されているため、製造方法としては、上記半導体基
板（１）上に、上記下クラッド層（２）、上記活性層（
３）、上記上クラッド層（４）、上記電流ブロック層（
５）を順次積層する第１のエビ成長の工程と、上記電流
ブロック層（５）にストライブ状に加工形成し、上記上
クラッド層（４）を露呈せしめる上記電流通路用の溝（
６）を形成する工程と、上記電流ブロック層（５）及び
上記電流通路用の溝（吐）上に上記キャップ層（７）、
上記コンタクト層（８）を順次積層する第２のエビ成長
の工程が生じるが、上記電流通路用の溝（６）の部分で
、上記上クラッド層（４）が露出しており、第２のエビ
成長の工程において、上記キャップ層（７）を成長させ
るためには、ＭＯＣＶＤなどの気相成長法などを用いな
ければ成長できないという制約が有り、この原因が上記
電流通路用の溝（６）の部分に省出している上記上クラ
ッド層（４）の酸化の影響である事が知うわている。さ
らに、ＭＯＣＶＤなどの方法で、第２のエビ成長を行な
えたとしても、上記上クラッド層（４）の酸化層は、界
面中に存在するか、又は、結晶性の悪化を招く事が容易
に考えられレーザ動作中に、発生する光のエネルギーの
吸収即ち、フォトンの吸収、ビートスポットの発生に伴
う結晶欠陥の増大が生じ、信頼性の悪化を事実招いてい
た。
構成されているため、製造方法としては、上記半導体基
板（１）上に、上記下クラッド層（２）、上記活性層（
３）、上記上クラッド層（４）、上記電流ブロック層（
５）を順次積層する第１のエビ成長の工程と、上記電流
ブロック層（５）にストライブ状に加工形成し、上記上
クラッド層（４）を露呈せしめる上記電流通路用の溝（
６）を形成する工程と、上記電流ブロック層（５）及び
上記電流通路用の溝（吐）上に上記キャップ層（７）、
上記コンタクト層（８）を順次積層する第２のエビ成長
の工程が生じるが、上記電流通路用の溝（６）の部分で
、上記上クラッド層（４）が露出しており、第２のエビ
成長の工程において、上記キャップ層（７）を成長させ
るためには、ＭＯＣＶＤなどの気相成長法などを用いな
ければ成長できないという制約が有り、この原因が上記
電流通路用の溝（６）の部分に省出している上記上クラ
ッド層（４）の酸化の影響である事が知うわている。さ
らに、ＭＯＣＶＤなどの方法で、第２のエビ成長を行な
えたとしても、上記上クラッド層（４）の酸化層は、界
面中に存在するか、又は、結晶性の悪化を招く事が容易
に考えられレーザ動作中に、発生する光のエネルギーの
吸収即ち、フォトンの吸収、ビートスポットの発生に伴
う結晶欠陥の増大が生じ、信頼性の悪化を事実招いてい
た。
［課題を解決するための手段］
この発明は上記の様な問題点を解消するためになされた
もので、上記第２のエビ成長工程の再成長界面の酸化を
解消し、結晶性を向上させ、信頼性を向上させると共に
製造歩留の向上、コストダウンを図る事を目的とする。
もので、上記第２のエビ成長工程の再成長界面の酸化を
解消し、結晶性を向上させ、信頼性を向上させると共に
製造歩留の向上、コストダウンを図る事を目的とする。
［作用］
この発明に係る半導体レーザ装置の構成及び製造方法は
、上記第１のエビ成長工程において成長された上記電流
ブロック層（５）に加工形成された上記電流通路用の溝
（６）の、加工形成の制御性を向上させ、特性歩留の向
上を図るために、上記電流ブロック層（５）中に、エツ
チングストッパ層を導入する事、及び加工形成後の上記
電流通路用の溝（６）の底部に、上記電流ブロック層（
５）の一部を薄膜状に残す事、及び上記第２のエビ成長
工程の上記キャップ層（７）の成長方法を、液相エピタ
キシャル法でメルトバックさせて形成する事などによっ
て、再成長界面での結晶性を向上させ、信頼性の向上を
実現できるものである。
、上記第１のエビ成長工程において成長された上記電流
ブロック層（５）に加工形成された上記電流通路用の溝
（６）の、加工形成の制御性を向上させ、特性歩留の向
上を図るために、上記電流ブロック層（５）中に、エツ
チングストッパ層を導入する事、及び加工形成後の上記
電流通路用の溝（６）の底部に、上記電流ブロック層（
５）の一部を薄膜状に残す事、及び上記第２のエビ成長
工程の上記キャップ層（７）の成長方法を、液相エピタ
キシャル法でメルトバックさせて形成する事などによっ
て、再成長界面での結晶性を向上させ、信頼性の向上を
実現できるものである。
［発明の実施例］
以下、この発明の一実施例を第１図に断面図で又、製造
方法を第２図に示す。図中第３図と同−又は相当部分は
同じ符号で示されている。第１図において（１０）は、
上記上クラッド層（４）上に積層されたｎ型ＧａＡｓエ
ツチングストッパ層と、 （１１）は、上記ＧａＡｓエ
ツチングストッパ層（ｌＯ）上に積層されたｎ 型Ａｌ
ｐＧａ、−ｐＡｓエツチングストッパ層で、上記ＧａＡ
ｓエツチングストッパ層（１０）、上記ＡｌｐＧａ＋−
ｐＡｓエツチングストッパ層（１１）の厚みをそれぞれ
ｄ４、ｄ５とした時、ｄ４≦０．１ μｍ 、 ０．１
μｍ≦ｄ５≦０．２μｍと限定する事により、製造上
の再現性を良くできる。又、上記キャップ層（７）は、
従来のものと同様、上記電流通路用の溝（６）の領域で
のみ上記上クラッド層（４）と電気的に接触する。次に
、この発明の一実施例の製造方法を第２図において説明
する。第２図において、第３図と同−又は相当部分は同
じ符号で示されている。第２図−（ａ）図は、上記半導
体基板（１）上に順次、上記電流ブロック層（５） ま
でエピタキシャル成長した後の構成を示す図で、以下こ
の成長を第１のエビ成長工程と称す。第２図−（ｂ）図
は、上記第１のエビ成長工程が終った後、リソグラフィ
ー技術により、ストライブ状に、上記電流ブロツ層（５
）のみを、エツチング加工した後の構成を示す図で、上
記電流ブロック層（５）の組成であるＧａＡｓと、上記
エツチングストッパ層（１１）の組成であるＡｌＧａＡ
ｓとの選択性のあるエッチャント、例えばＮＩ！４０Ｈ
：Ｈ２Ｏ２＝ １：３０などのウェットエッチャントを
用いれば、容易にかつ再現性良く、（ｂ）図の構造が得
られる。第２図−（Ｃ）図は、今度は上記エツチングス
トッパＭ （１１）のみをエツチングするエッチャント
、例えば、］暑Ｆ：）１２０＝ １：２０、などのウェ
ットエッチャントを用いれば、同様に再現性良く、（Ｃ
）図の構造が得られ最表面の自然酸化膜を除去するとい
う、前処理効果もある。第２図−（ｄ）図は、ストライ
ブ状に加工形成された上記電流通路用の溝（６）の形成
が完了した後に、例えば液相エピタキシャル成長法など
により、上記キャップ層（７）、上記コンタクト層（８
）を順次積層した後の構成を示す図で、以下この成長を
、第２のエビ成長工程と称す。（ｄ）図において、上記
キャップ層（７）を成長させる場合、液相エピタキシャ
ル成長法を用いているので成長メルトの過飽和度を最適
にする事で、メルト中への拡散速度の大きいＡｓの特徴
を生かして、上記エツチングストッパ層（１０）のＧａ
Ａｓ層をメルトバックさせると共に、上記上クラッド層
（４）の表面を、上記電流通路用の溝（６）の部分での
み露呈せしめ電気的に接触させる事を特徴とする。さら
に、上述のメルトバックを再現性よく起こさせるために
、上記エツチングストッパ層（１０） 、 （１１）の
厚みをそれぞれｄ１、ｄ、とすれば、０＜ｄ、≦０．１
μｍ 、 ０．１ μｍ１１≦ｄ２≦０．２μｍとす
る事を特徴とする。
方法を第２図に示す。図中第３図と同−又は相当部分は
同じ符号で示されている。第１図において（１０）は、
上記上クラッド層（４）上に積層されたｎ型ＧａＡｓエ
ツチングストッパ層と、 （１１）は、上記ＧａＡｓエ
ツチングストッパ層（ｌＯ）上に積層されたｎ 型Ａｌ
ｐＧａ、−ｐＡｓエツチングストッパ層で、上記ＧａＡ
ｓエツチングストッパ層（１０）、上記ＡｌｐＧａ＋−
ｐＡｓエツチングストッパ層（１１）の厚みをそれぞれ
ｄ４、ｄ５とした時、ｄ４≦０．１ μｍ 、 ０．１
μｍ≦ｄ５≦０．２μｍと限定する事により、製造上
の再現性を良くできる。又、上記キャップ層（７）は、
従来のものと同様、上記電流通路用の溝（６）の領域で
のみ上記上クラッド層（４）と電気的に接触する。次に
、この発明の一実施例の製造方法を第２図において説明
する。第２図において、第３図と同−又は相当部分は同
じ符号で示されている。第２図−（ａ）図は、上記半導
体基板（１）上に順次、上記電流ブロック層（５） ま
でエピタキシャル成長した後の構成を示す図で、以下こ
の成長を第１のエビ成長工程と称す。第２図−（ｂ）図
は、上記第１のエビ成長工程が終った後、リソグラフィ
ー技術により、ストライブ状に、上記電流ブロツ層（５
）のみを、エツチング加工した後の構成を示す図で、上
記電流ブロック層（５）の組成であるＧａＡｓと、上記
エツチングストッパ層（１１）の組成であるＡｌＧａＡ
ｓとの選択性のあるエッチャント、例えばＮＩ！４０Ｈ
：Ｈ２Ｏ２＝ １：３０などのウェットエッチャントを
用いれば、容易にかつ再現性良く、（ｂ）図の構造が得
られる。第２図−（Ｃ）図は、今度は上記エツチングス
トッパＭ （１１）のみをエツチングするエッチャント
、例えば、］暑Ｆ：）１２０＝ １：２０、などのウェ
ットエッチャントを用いれば、同様に再現性良く、（Ｃ
）図の構造が得られ最表面の自然酸化膜を除去するとい
う、前処理効果もある。第２図−（ｄ）図は、ストライ
ブ状に加工形成された上記電流通路用の溝（６）の形成
が完了した後に、例えば液相エピタキシャル成長法など
により、上記キャップ層（７）、上記コンタクト層（８
）を順次積層した後の構成を示す図で、以下この成長を
、第２のエビ成長工程と称す。（ｄ）図において、上記
キャップ層（７）を成長させる場合、液相エピタキシャ
ル成長法を用いているので成長メルトの過飽和度を最適
にする事で、メルト中への拡散速度の大きいＡｓの特徴
を生かして、上記エツチングストッパ層（１０）のＧａ
Ａｓ層をメルトバックさせると共に、上記上クラッド層
（４）の表面を、上記電流通路用の溝（６）の部分での
み露呈せしめ電気的に接触させる事を特徴とする。さら
に、上述のメルトバックを再現性よく起こさせるために
、上記エツチングストッパ層（１０） 、 （１１）の
厚みをそれぞれｄ１、ｄ、とすれば、０＜ｄ、≦０．１
μｍ 、 ０．１ μｍ１１≦ｄ２≦０．２μｍとす
る事を特徴とする。
この様な半導体レーザ装置において、従来のものと同じ
様に、上記電極（９ａ） 、 （９ｂ）間に順方向電圧
を加えれば、同様な原理で、安定な横モードでレーザ発
振するが、今回の発明によって、新たに、上記エツチン
グストッパ層（１Ｇ）、（１１）をそれぞれ４人したた
め、上記電流通路用の溝（６）における上記第１のエビ
成長工程と、上記第２のエビ成長工程との間の再成長界
面を、ＡｌＧａＡｓからＧａＡｓの組成にする事ができ
、酸化を抑えると共に上記第２のエビ成長工程中の上記
キャップ層（７）を成長する時、大気中にさらされたＧ
ａＡｓ組成を一度メルトバックし、た後に粗晶成長を行
なう事により、結晶性は向上する、この事によって１通
電動作中の光のしみ出しエネルギーの再吸による欠陥増
大、それに伴う結晶劣化、信頼性の低下を抑える事がで
きる。
様に、上記電極（９ａ） 、 （９ｂ）間に順方向電圧
を加えれば、同様な原理で、安定な横モードでレーザ発
振するが、今回の発明によって、新たに、上記エツチン
グストッパ層（１Ｇ）、（１１）をそれぞれ４人したた
め、上記電流通路用の溝（６）における上記第１のエビ
成長工程と、上記第２のエビ成長工程との間の再成長界
面を、ＡｌＧａＡｓからＧａＡｓの組成にする事ができ
、酸化を抑えると共に上記第２のエビ成長工程中の上記
キャップ層（７）を成長する時、大気中にさらされたＧ
ａＡｓ組成を一度メルトバックし、た後に粗晶成長を行
なう事により、結晶性は向上する、この事によって１通
電動作中の光のしみ出しエネルギーの再吸による欠陥増
大、それに伴う結晶劣化、信頼性の低下を抑える事がで
きる。
［他の実施例］
なお、上記実施例では、上記半導体基板（１）の導電型
をｎ型として示したが反対導電型、即ち、ｐ型でも良く
、以下、各半導体層の導電型も、それぞれ反対導電型に
したものでも良い。
をｎ型として示したが反対導電型、即ち、ｐ型でも良く
、以下、各半導体層の導電型も、それぞれ反対導電型に
したものでも良い。
［発明の効果］
以上の様に、この発明によれば、上記電流ブロック層（
５）と、上記上クラッド層（４） との間に、新たにｎ
型ＡｌｐＧａ＋−ｐＡｓエツチングストッパ層（１１）
、ｎ型ＧａＡｓエツチングストッパ層（１０）を設け、
上記電流通路用の溝（６）を形成する時に、上記ｎ型Ｇ
ａＡｓエツチングストッパ層（ｌＯ）を露呈せしめ、上
記キャップ層（７）を形成する時に、液相エピタキシャ
ル成長法によるメルトバック手法で露呈した上記電流通
路用の溝（６）の領域の上記ＧａＡｓエツチングストッ
パ層（１０）をメルトバックさせて、上記上クラッド層
（４）を露呈させて、電気的に接触すべく上記キャップ
層（７）を上記上クラッド層（４）上に形成する事で、
結晶性の良い、再成長が行なえ、信頼性の向上が実現で
きる効果がある。
５）と、上記上クラッド層（４） との間に、新たにｎ
型ＡｌｐＧａ＋−ｐＡｓエツチングストッパ層（１１）
、ｎ型ＧａＡｓエツチングストッパ層（１０）を設け、
上記電流通路用の溝（６）を形成する時に、上記ｎ型Ｇ
ａＡｓエツチングストッパ層（ｌＯ）を露呈せしめ、上
記キャップ層（７）を形成する時に、液相エピタキシャ
ル成長法によるメルトバック手法で露呈した上記電流通
路用の溝（６）の領域の上記ＧａＡｓエツチングストッ
パ層（１０）をメルトバックさせて、上記上クラッド層
（４）を露呈させて、電気的に接触すべく上記キャップ
層（７）を上記上クラッド層（４）上に形成する事で、
結晶性の良い、再成長が行なえ、信頼性の向上が実現で
きる効果がある。
第１図は、この発明の一実施例による半導体レーザ装置
の断面図、第２図は、同じく製造方法を示す工程別断面
図、第３図は、従来の半導体レーザ装置の断面図である
。（１）は半導体基板、（２）は下クラッド層と、（３
）は活性層と、（４）はとクラッド層と、（５）は電流
ブロック層と、（６）は電流通路用の溝、（７）はキャ
ップ層と、（８）はコンタクト層と、（９ａ） 、 （
９ｂ）は電極、（１０）はＧａＡｓエツチングストッパ
層と、（１１）はＡｌＧａＡｓエツチングストッパ層で
ある。 なお図中同一符号は、同−又は相当部分を示す。
の断面図、第２図は、同じく製造方法を示す工程別断面
図、第３図は、従来の半導体レーザ装置の断面図である
。（１）は半導体基板、（２）は下クラッド層と、（３
）は活性層と、（４）はとクラッド層と、（５）は電流
ブロック層と、（６）は電流通路用の溝、（７）はキャ
ップ層と、（８）はコンタクト層と、（９ａ） 、 （
９ｂ）は電極、（１０）はＧａＡｓエツチングストッパ
層と、（１１）はＡｌＧａＡｓエツチングストッパ層で
ある。 なお図中同一符号は、同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）第１の導電型を有するＧａＡｓ半導体基板と、上
記半導体基板上に順次積層された、第１の導電型を有す
るＡｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ下クラッド層、Ａｌ＿
ｙＧａ＿１＿−＿ｙＡｓ活性層、第２の導電型を有する
Ａｌ＿ｚＧａ＿１＿−＿ｚＡｓ上クラッド層、第１の導
電型を有するＧａＡｓエッチングストッパ層、第１の導
電型を有するＡｌ＿ｐＧａ＿１＿−＿ｐＡｓエッチング
ストッパ層、第１の導電型を有するＧａＡｓ電流ブロッ
ク層と、前記ＧａＡｓエッチングストッパ層、前記Ａｌ
＿ｐＧａ＿１＿−＿ｐＡｓエッチングストッパ層、前記
電流ブロック層の同一領域にストライプ状に加工形成さ
れ、前記上クラッド層が露呈された電流通路用の溝と、
前記電流ブロック層上に、前記電流通路用の溝において
のみ、前記上クラッド層と、電気的に接触すべく形成さ
れ、主面が平坦に形成された第２の導電型を有するＡｌ
＿ｚＧａ＿１＿−＿ｚＡｓキャップ層と、前記キャップ
層上に積層された第２の導電型を有するＧａＡｓコンタ
クト層と、前記ＧａＡｓ半導体基板及び前記コンタクト
層にそれぞれオーミック接触する電極とを有する事を特
徴とする半導体レーザ装置において、 前記下クラッド層、前記活性層、前記上クラッド層、前
記Ａｌ＿ｐＧａ＿１＿−＿ｐＡｓエッチングストッパ層
の厚みをそれぞれｄ＿１、ｄ＿２、ｄ＿３、ｄ＿５とし
、各層のＧａに対するＡｌの混晶比を、ｘ、ｙ、ｚ、ｐ
又、前記ＧａＡｓエッチングストッパ層、前記電流ブロ
ック層の厚みを、それぞれ、ｄ＿４、ｄ＿６とした時、 １．０μｍ≦ｄ＿１、０．０３μｍ≦ｄ＿２≦０．１５
μｍ、０．１μｍ≦ｄ＿３≦０．６μｍ、０．１μｍ≦
ｄ＿５≦０．２μｍ、０．３≦ｘ≦０．５、０≦ｙ≦０
．２、０．３≦ｚ≦０．５、０．４≦ｐ≦０．５ ｄ＿４≦０．１μｍ、０．２μｍ≦ｄ＿６ である事を特徴とする半導体レーザ装置。 - （２）前記電流通路用の溝の形成方法が、まず第１に、
前記電流ブロック層に、加工形成する際、ＧａＡｓのエ
ッチレートに比べＡｌＧａＡｓのエッチレートが、充分
小さいエッチャント例えばＮＨ＿４ＯＨ：Ｈ＿２Ｏ＿２
＝１：２０でエッチングを行ない、前記Ａｌ＿ｐＧａ＿
１＿−＿ｐＡｓエッチングストッパ層を露呈せしめる工
程と、ＡｌＧａＡｓのエッチレートに比べＧａＡｓのエ
ッチレートが充分小さいエッチャント、例えばＨＦ：Ｎ
Ｈ＿４Ｆ＝１：６でエッチングを行ない、前記ＧａＡｓ
エッチングストッパ層を露呈せしめる工程と、第２に前
記キャップ層を成長する際にＧａＡｓをメルトバックさ
せる例えば液相エピタキシャル成長法を用いて、前記Ｇ
ａＡｓエッチングストッパ層をメルトバックして前記上
クラッド層を露呈せしめる工程を含む事を特徴とする半
導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4509188A JPH01217990A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | 半導体レーザ装置と製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4509188A JPH01217990A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | 半導体レーザ装置と製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01217990A true JPH01217990A (ja) | 1989-08-31 |
Family
ID=12709643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4509188A Pending JPH01217990A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | 半導体レーザ装置と製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01217990A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5835516A (en) * | 1994-12-13 | 1998-11-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method of fabricating semiconductor laser device |
-
1988
- 1988-02-25 JP JP4509188A patent/JPH01217990A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5835516A (en) * | 1994-12-13 | 1998-11-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method of fabricating semiconductor laser device |
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