JPS59119781A - 半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザの製造方法Info
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- JPS59119781A JPS59119781A JP23306682A JP23306682A JPS59119781A JP S59119781 A JPS59119781 A JP S59119781A JP 23306682 A JP23306682 A JP 23306682A JP 23306682 A JP23306682 A JP 23306682A JP S59119781 A JPS59119781 A JP S59119781A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
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- Electromagnetism (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は埋め込みへテロ構造を有する半導体レーザの製
造方法に関する。
造方法に関する。
半導体レーザの低発振閾値電流、安定な基本モード発振
を実現するために埋め込み型半導体レーザが出現してい
る。この構造は活性領域が低屈折率物質によって補完的
に取囲まれ、例えばＧ ａ Ａ ｓ活性層の場合ｈ Ａ
ＺＧａ Ａ ｓ層によって包囲されて、その低屈折率物
質に強い光導波路作用をもたせている。そのためこの半
導体レーザはかなり良い特性を得られるが、その屈折率
差が必要以上に大きくならざるを得ない。このため活性
層の幅が１μｍ以内では基本モード発振を行うが、それ
以上広い幅の活性層になると高次モードの混入が避けが
たくなっていた。又、この活性層の幅が狭ければ当然の
ことながら光出力が数ｍＷ以下に制限され、光出力が小
さすぎる。
を実現するために埋め込み型半導体レーザが出現してい
る。この構造は活性領域が低屈折率物質によって補完的
に取囲まれ、例えばＧ ａ Ａ ｓ活性層の場合ｈ Ａ
ＺＧａ Ａ ｓ層によって包囲されて、その低屈折率物
質に強い光導波路作用をもたせている。そのためこの半
導体レーザはかなり良い特性を得られるが、その屈折率
差が必要以上に大きくならざるを得ない。このため活性
層の幅が１μｍ以内では基本モード発振を行うが、それ
以上広い幅の活性層になると高次モードの混入が避けが
たくなっていた。又、この活性層の幅が狭ければ当然の
ことながら光出力が数ｍＷ以下に制限され、光出力が小
さすぎる。
こうした埋め込み型レーザの欠点や小光出力の問題等を
改良するために、活性層の下に光導波層を設けた光導波
路封埋め込み型半導体レーザが提案されている。この光
導波路封埋め込み構造は、活性層と別に光導波層を設け
、活性層の光を光導波層に伝播させることで大きな光出
力を得ようとするものである。この光導波路封埋め込み
型半導体レーザの構造及び製造方法について説明する。
改良するために、活性層の下に光導波層を設けた光導波
路封埋め込み型半導体レーザが提案されている。この光
導波路封埋め込み構造は、活性層と別に光導波層を設け
、活性層の光を光導波層に伝播させることで大きな光出
力を得ようとするものである。この光導波路封埋め込み
型半導体レーザの構造及び製造方法について説明する。
第１図はこの従来の構造の一例を示す断面図、第２図（
ａ）〜（Ｃ）はその製造工程の実施例を示す断面図であ
る。先ず、第２図（１１）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ
基体１上にｎ ｍＡｚ ｏ、ｓ Ｇ ａ Ｏ，？ Ａ
８ クラッド層２． ｎ型Ａｚｏ、ｔ Ｇａｏ、ｓ
Ａｓ光導波層３．活性層’＋Ｐ型ＡＡＯ１ａＧａｏ、
ｙＡｓクラッド層５を第１の液相エピタキシャル成長工
程によって順次形成する。次に、第２図（ｂ）に示すよ
うにクラッド層５よりＧ ａ Ａ ｓ基体に達する深さ
まで選択エツチングを行なって半導体層２． ３． ４
． ５をストライブ状に残したメサを形成する。この間
に前記メサのＡｔＧａＡｓが露出した面にはＡｔが酸化
されやすいために、酸化層が自然に形成される。このの
ち、第２図（Ｃ）に示すように、第２の液相エピタキシ
ャル成長を行なってメサの埋め込み層、すなわちｐ型Ａ
４ｏ、ｓ Ｇａｏ、ｙ Ａｓ層６． ｎ型Ａ ｌ、ｏ
、３Ｇ ａ Ｏ，７Ａ ｓ層７を形成する。これら半導
体層６，７は電流ブロック層である。この酸化層上には
結晶が成長しにくいため、メサの埋め込み層の形成にお
いては、通常過飽和度の大きい成長用溶液を用いて酸化
層のないＧ ａ Ａ ｓ面を種として埋め込み層を形成
するか、メルトバック法を用いてメサ表面を清浄にした
のち埋め込み層を形成するという方法がとられている。
ａ）〜（Ｃ）はその製造工程の実施例を示す断面図であ
る。先ず、第２図（１１）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ
基体１上にｎ ｍＡｚ ｏ、ｓ Ｇ ａ Ｏ，？ Ａ
８ クラッド層２． ｎ型Ａｚｏ、ｔ Ｇａｏ、ｓ
Ａｓ光導波層３．活性層’＋Ｐ型ＡＡＯ１ａＧａｏ、
ｙＡｓクラッド層５を第１の液相エピタキシャル成長工
程によって順次形成する。次に、第２図（ｂ）に示すよ
うにクラッド層５よりＧ ａ Ａ ｓ基体に達する深さ
まで選択エツチングを行なって半導体層２． ３． ４
． ５をストライブ状に残したメサを形成する。この間
に前記メサのＡｔＧａＡｓが露出した面にはＡｔが酸化
されやすいために、酸化層が自然に形成される。このの
ち、第２図（Ｃ）に示すように、第２の液相エピタキシ
ャル成長を行なってメサの埋め込み層、すなわちｐ型Ａ
４ｏ、ｓ Ｇａｏ、ｙ Ａｓ層６． ｎ型Ａ ｌ、ｏ
、３Ｇ ａ Ｏ，７Ａ ｓ層７を形成する。これら半導
体層６，７は電流ブロック層である。この酸化層上には
結晶が成長しにくいため、メサの埋め込み層の形成にお
いては、通常過飽和度の大きい成長用溶液を用いて酸化
層のないＧ ａ Ａ ｓ面を種として埋め込み層を形成
するか、メルトバック法を用いてメサ表面を清浄にした
のち埋め込み層を形成するという方法がとられている。
この第２の液相エピタキシャル成長工程後、レーザ結晶
を大気にさらすとｎ型ｋｌ、ｏ、ｓ Ｇａｏ、ｙ Ａｓ
層７表面にも自然に酸化層が形成される。前記ｐ型Ａｔ
ｏ、ａ Ｇａｏ、ｙ Ａｓクラッド層５表面の酸化層を
選択的に除去し、ｐ電極１０．ｎ電極１１を形成して光
導波路封埋め込み型半導体レーザが完成する。
を大気にさらすとｎ型ｋｌ、ｏ、ｓ Ｇａｏ、ｙ Ａｓ
層７表面にも自然に酸化層が形成される。前記ｐ型Ａｔ
ｏ、ａ Ｇａｏ、ｙ Ａｓクラッド層５表面の酸化層を
選択的に除去し、ｐ電極１０．ｎ電極１１を形成して光
導波路封埋め込み型半導体レーザが完成する。
この構造において発振光は活性層４から光導波層３にひ
ろがって伝播するため、活性層内の光強度があまり上が
らず、高光出力でも活性層に光ダメージを与えることな
く動作することができる。
ろがって伝播するため、活性層内の光強度があまり上が
らず、高光出力でも活性層に光ダメージを与えることな
く動作することができる。
また光伝播領域がこの領域よりも屈折率の小さい半導体
層によってとりかこまれているため、安定な基本モード
発掘が可能である。さらにストライブ状の電流注入領域
の両横に電流ブロック層を形成して低閾値発振を実現し
ている。
層によってとりかこまれているため、安定な基本モード
発掘が可能である。さらにストライブ状の電流注入領域
の両横に電流ブロック層を形成して低閾値発振を実現し
ている。
しかし、埋め込み層形成の際に過飽和度の大きい成長用
溶液やメルトバック法を用いることは種々の問題がある
。すなわち、過飽和度の大きい成長用溶液を用いる方法
では、埋め込み層の形状制御が難しく、ｐ型埋め込み層
とｎ型埋め込み層の境界の位置を再現性よく同じにする
ことができない。このため、半導体レーザの電気的特性
にばらつきが生じることになる。また、メサの上部には
結晶が成長しないため、ｎ ｍＡ ｔｏ、ｓ Ｇ ａ
Ｏ，７Ａ ８層７がｐ型クラッド層５とが第１図に示す
様にメサの左右で段差をもつような形状となり、またこ
の形状も制御できないためｐ電極側の結晶表面は再現性
のない凹凸をもったものとなり、その結果ｐ電極も凹凸
をもったものとなる。
溶液やメルトバック法を用いることは種々の問題がある
。すなわち、過飽和度の大きい成長用溶液を用いる方法
では、埋め込み層の形状制御が難しく、ｐ型埋め込み層
とｎ型埋め込み層の境界の位置を再現性よく同じにする
ことができない。このため、半導体レーザの電気的特性
にばらつきが生じることになる。また、メサの上部には
結晶が成長しないため、ｎ ｍＡ ｔｏ、ｓ Ｇ ａ
Ｏ，７Ａ ８層７がｐ型クラッド層５とが第１図に示す
様にメサの左右で段差をもつような形状となり、またこ
の形状も制御できないためｐ電極側の結晶表面は再現性
のない凹凸をもったものとなり、その結果ｐ電極も凹凸
をもったものとなる。
一般に、半導体レーザでは活性層に近い側の電極をヒー
トシンクに密着させて熱放散を行うが、従来の製造法に
よる半導体レーザでは電極が凹凸をもつため密着がわる
く熱放散の効率が低くなり、ヒートシンクに密着する際
に素子に歪みが発生するという問題がおこっている。ま
た、電極の凹凸が一定でないので必然的に素子の温度特
性がばらつくことになる。さらに結晶表面の凹凸はｐ％
極の形成工程、素子化を困難にしており、歩留りの向上
をさまたげている。一方、メルトバック法によりメサ表
面を清浄にする方法ではこれら問題点は緩和されるが、
メルトバック量が制御困難であるため、メルトバックに
よるメサの変形を制御できず、特性のそろった素子を再
現性よく得ることができない欠点がある。
トシンクに密着させて熱放散を行うが、従来の製造法に
よる半導体レーザでは電極が凹凸をもつため密着がわる
く熱放散の効率が低くなり、ヒートシンクに密着する際
に素子に歪みが発生するという問題がおこっている。ま
た、電極の凹凸が一定でないので必然的に素子の温度特
性がばらつくことになる。さらに結晶表面の凹凸はｐ％
極の形成工程、素子化を困難にしており、歩留りの向上
をさまたげている。一方、メルトバック法によりメサ表
面を清浄にする方法ではこれら問題点は緩和されるが、
メルトバック量が制御困難であるため、メルトバックに
よるメサの変形を制御できず、特性のそろった素子を再
現性よく得ることができない欠点がある。
本発明の目的は、従来の製造方法における欠点を除去し
、生産性が高く歩留りのよい埋め込み型半導体レーザを
提供することにある。
、生産性が高く歩留りのよい埋め込み型半導体レーザを
提供することにある。
本発明の半導体レーザの製造方法の構成は、第１の液相
エピタキシャル成長工程により、活性層及びこの活性層
の両面に接する第１及び第２クララド層を含む多層構造
を形成し、次にこの多層構造結晶を半導体基体が露出す
る深さまで選択エツチングを行なってメサを形成し、前
記メサの側面及び上面を還元反応の強い元素（標準酸化
還元電位が負でその絶対値が１以上のもの）を含む溶液
で洗浄し、第２の液相エピタキシャル成長工程によって
前記メサの側部および上部に接して半導体層を形成する
ことを特徴とする。
エピタキシャル成長工程により、活性層及びこの活性層
の両面に接する第１及び第２クララド層を含む多層構造
を形成し、次にこの多層構造結晶を半導体基体が露出す
る深さまで選択エツチングを行なってメサを形成し、前
記メサの側面及び上面を還元反応の強い元素（標準酸化
還元電位が負でその絶対値が１以上のもの）を含む溶液
で洗浄し、第２の液相エピタキシャル成長工程によって
前記メサの側部および上部に接して半導体層を形成する
ことを特徴とする。
以下本発明を図面により詳細に説明する。
第３図は本発明の一実施例により得られた埋込型半導体
レーザの断面図、第４図（ａ）〜Ｉｃ）は本発明の実施
例を工程順に示した断面図である。
レーザの断面図、第４図（ａ）〜Ｉｃ）は本発明の実施
例を工程順に示した断面図である。
はじめに、従来と同様の方法により、ｎ型Ｇ ａ Ａ
ｓ基体上にｎ型Ａ ｔｏ、ｓ Ｇ ａ ｏ、ｙ Ａ ｓ
クラッド層２． ｎ型Ａ ｌｏ、ｘ Ｇ ａ ｏ、９
Ａ ｓガイド層３．活性層４． Ｉ）型Ａ ｌｏ、ｓ
Ｇ ａ ｏ、ｙ Ａ ｓクラッド層５を形成しく第４
図（ａ） ）１次に従来と同様な方法でメサを形成する
（２）４図（ｂ））。このときＡ ｔ Ｇ ａ Ａ ｓ
の露出した部分には大気中の酸素等とＡｔの化学反
応により酸化層が自然に形成され、前述のように第２０
液相エピタキシヤル成長工程を行なってもこの酸化層上
には結晶が成長しにくい。本発明においては、次の第２
の液相エピタキシャル成長工程に先立ち、ｐ型Ａｔｏ、
ａ Ｇ ａ Ｏ，７Ａ ｓ層６の成長に使用する溶液の
前におかれた洗浄溶液で酸化層を除去する。この洗浄溶
液はｐ型ＡＡｏ、ａ Ｇａ ０．７ Ａ ｓ層６の成長
に使用する溶液に近似した組成を有し、標準酸化還元電
位（以下、Ｅｏ値という）が負であるＡ４Ｍｇ。
ｓ基体上にｎ型Ａ ｔｏ、ｓ Ｇ ａ ｏ、ｙ Ａ ｓ
クラッド層２． ｎ型Ａ ｌｏ、ｘ Ｇ ａ ｏ、９
Ａ ｓガイド層３．活性層４． Ｉ）型Ａ ｌｏ、ｓ
Ｇ ａ ｏ、ｙ Ａ ｓクラッド層５を形成しく第４
図（ａ） ）１次に従来と同様な方法でメサを形成する
（２）４図（ｂ））。このときＡ ｔ Ｇ ａ Ａ ｓ
の露出した部分には大気中の酸素等とＡｔの化学反
応により酸化層が自然に形成され、前述のように第２０
液相エピタキシヤル成長工程を行なってもこの酸化層上
には結晶が成長しにくい。本発明においては、次の第２
の液相エピタキシャル成長工程に先立ち、ｐ型Ａｔｏ、
ａ Ｇ ａ Ｏ，７Ａ ｓ層６の成長に使用する溶液の
前におかれた洗浄溶液で酸化層を除去する。この洗浄溶
液はｐ型ＡＡｏ、ａ Ｇａ ０．７ Ａ ｓ層６の成長
に使用する溶液に近似した組成を有し、標準酸化還元電
位（以下、Ｅｏ値という）が負であるＡ４Ｍｇ。
Ｂｅ等の元素を含有しており、前記酸化層を除去するは
たらきを有するものである。こののち第２０液相エピタ
キシヤル成長によってｐｇＡｔｏ・３Ｑ１ｏ、ｖＡｓ層
６． ｎ型Ａ４ｏ、ｉ Ｇａｏ、ｙ Ａｓ Ｊｉｉ
７． ｐ型Ａ ｔｏ、ｓ Ｇ ａ ｏ、ｔ Ａ ｓ層
８． ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ層９を順次形成する。（第
４図（Ｃ））・ 本発明による洗浄工程により結晶表面の酸化層が除去さ
れているために、メサ側部を埋め込むのに大きな過飽和
度の成長用溶液を用いな（でもよい。したがって、埋め
込み層の形状制御性が向上し、ｐ型埋め込み層６とｎ型
埋め込み層７の境界の位置、ｐ型クラッド層５とｎ型埋
め込み層７の間の段差の制御が容易となる。また、メル
トバックを用いてメ′す表面を洗浄しないので、洗浄工
程によるメサの変形はない。
たらきを有するものである。こののち第２０液相エピタ
キシヤル成長によってｐｇＡｔｏ・３Ｑ１ｏ、ｖＡｓ層
６． ｎ型Ａ４ｏ、ｉ Ｇａｏ、ｙ Ａｓ Ｊｉｉ
７． ｐ型Ａ ｔｏ、ｓ Ｇ ａ ｏ、ｔ Ａ ｓ層
８． ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ層９を順次形成する。（第
４図（Ｃ））・ 本発明による洗浄工程により結晶表面の酸化層が除去さ
れているために、メサ側部を埋め込むのに大きな過飽和
度の成長用溶液を用いな（でもよい。したがって、埋め
込み層の形状制御性が向上し、ｐ型埋め込み層６とｎ型
埋め込み層７の境界の位置、ｐ型クラッド層５とｎ型埋
め込み層７の間の段差の制御が容易となる。また、メル
トバックを用いてメ′す表面を洗浄しないので、洗浄工
程によるメサの変形はない。
さらに、メサ上部の酸化層も除去されているためにメサ
上部にも結晶を成長させることが可能であり、第４図（
Ｃ）に示すようにｐ型Ａｔｏ、ａ Ｇａｏ７Ａｓ層ｓ、
ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ層９の層厚を充分大きくすれば
、ｐ型Ａ 、ｌ、ｏ、ｓ Ｇ ａ ｏ、ｙ Ａ ｓ層５
とｎ型ｋｔｏ、３Ｇａｏ、ｙＡｓＡｓＯ２に段差ができ
ていてもｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ層９の表面は平坦となる。
上部にも結晶を成長させることが可能であり、第４図（
Ｃ）に示すようにｐ型Ａｔｏ、ａ Ｇａｏ７Ａｓ層ｓ、
ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ層９の層厚を充分大きくすれば
、ｐ型Ａ 、ｌ、ｏ、ｓ Ｇ ａ ｏ、ｙ Ａ ｓ層５
とｎ型ｋｔｏ、３Ｇａｏ、ｙＡｓＡｓＯ２に段差ができ
ていてもｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ層９の表面は平坦となる。
こうしてできあがった結晶にｐｔ極１０．ｎ電極１１を
形成して埋め込み型半導体レーザは完成する。
形成して埋め込み型半導体レーザは完成する。
典型的な層厚はｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板１の段差が０．
３μｍ、 ｎ型Ａｔｏ、ａ Ｇａｏ、ｙ Ａｓ層２が１
４ｍ、ｎ型Ａ ｔＯ，Ｉ Ｇ ａ Ｏ，Ｇ Ａ ８層３
が０．５Ａｍ＋ 活性層４が０．１４ｍ、ｐ型Ａ Ｌ
ａ、３Ｑ １１６．フＡｓ層５が０．５ μｍ。
３μｍ、 ｎ型Ａｔｏ、ａ Ｇａｏ、ｙ Ａｓ層２が１
４ｍ、ｎ型Ａ ｔＯ，Ｉ Ｇ ａ Ｏ，Ｇ Ａ ８層３
が０．５Ａｍ＋ 活性層４が０．１４ｍ、ｐ型Ａ Ｌ
ａ、３Ｑ １１６．フＡｓ層５が０．５ μｍ。
ｐ型入ｌｏ、ｓ Ｇ ａ ０．７ Ａ ａ層６が１．５
μｍ、 ｎ型Ａｔｏ、ｓ Ｇ ａ ｏ、ｙ Ａ ｓ層
７が１ μｍ、 ｐ型Ａ ｉ ｏ、ｓ Ｑ ａ ｏ、ｙ
Ａｓ層８が１４ｍ、Ｉ）型ＧａＡｓ９が１／Ａｍである
。
μｍ、 ｎ型Ａｔｏ、ｓ Ｇ ａ ｏ、ｙ Ａ ｓ層
７が１ μｍ、 ｐ型Ａ ｉ ｏ、ｓ Ｑ ａ ｏ、ｙ
Ａｓ層８が１４ｍ、Ｉ）型ＧａＡｓ９が１／Ａｍである
。
本実施例の工程によれば、埋め込み層形成前にメサの酸
化層を除去し、電流ブロック層を形状制御性よく形成し
、さらに電流ブロック層形成後結晶全面に平坦にエピタ
キシャル層を形成することができる。また、本実施例に
使用される洗浄溶液中に含まれるＡｔ、Ｍｇ、Ｂｅ等の
元素は多量である必要はなく、ごく微量でその効果は充
分発揮される。また、これらの元素はＥｏ値が小さいの
で還元反応が起りやすく、その効果は大きいものとなる
。なお、このＥｏ値が−１より大きい場合は本発明の効
果はあまり期待できない。ちなみにＡ４ Ｍｇ、Ｂｅに
ついていえばＭｇ（Ｅｏ＝−２，３６３）が最も効果が
大きく、次いでＢｅ（−１，８５）、Ａ７（−１，６６
２）の順となる。
化層を除去し、電流ブロック層を形状制御性よく形成し
、さらに電流ブロック層形成後結晶全面に平坦にエピタ
キシャル層を形成することができる。また、本実施例に
使用される洗浄溶液中に含まれるＡｔ、Ｍｇ、Ｂｅ等の
元素は多量である必要はなく、ごく微量でその効果は充
分発揮される。また、これらの元素はＥｏ値が小さいの
で還元反応が起りやすく、その効果は大きいものとなる
。なお、このＥｏ値が−１より大きい場合は本発明の効
果はあまり期待できない。ちなみにＡ４ Ｍｇ、Ｂｅに
ついていえばＭｇ（Ｅｏ＝−２，３６３）が最も効果が
大きく、次いでＢｅ（−１，８５）、Ａ７（−１，６６
２）の順となる。
本発明によれば、表面の平坦な埋め込み型半導体レーザ
を製作できるが、従来型の埋め込み型半導体レーザと同
様の優れた特徴を有するばかりでなく、従来型に比べて
次のような長所をもっている。
を製作できるが、従来型の埋め込み型半導体レーザと同
様の優れた特徴を有するばかりでなく、従来型に比べて
次のような長所をもっている。
すなわち、レーザ結晶表面が平坦であるため、活性層に
近い側の電極を平坦に形成でき、この電極をヒートシン
クに密着させて熱放散の効率を向上することができる。
近い側の電極を平坦に形成でき、この電極をヒートシン
クに密着させて熱放散の効率を向上することができる。
また、レーザ結晶表面全面に電極を形成できるので熱放
散の効率の向上はさらに顕著である。更に、表面の平坦
さは電極形成工程、素子化を容易にし、素子固着の際に
発生する歪みを低減するため歩留りが向上する。また、
メサ側面の酸化層を除去したのちメサ側部の埋め込み成
長を行うので埋め込み層の形状の再現性、制御性が向上
し、レーザ結晶の電気的特性のばらつきが少なくなり、
この意味においても歩留りが向上する。
散の効率の向上はさらに顕著である。更に、表面の平坦
さは電極形成工程、素子化を容易にし、素子固着の際に
発生する歪みを低減するため歩留りが向上する。また、
メサ側面の酸化層を除去したのちメサ側部の埋め込み成
長を行うので埋め込み層の形状の再現性、制御性が向上
し、レーザ結晶の電気的特性のばらつきが少なくなり、
この意味においても歩留りが向上する。
以上、詳細に述べたように本発明の製造方法により発振
閾値電流が低く、高光出力まで安定なＯ次モード発振が
可能であり、又熱放散効率のよい高温動作にすぐれた半
導体レーザを提供することができる。さらに、メサ側部
埋め込み層の形状制御性、再現性が向上するため電気的
特性のばらつきが少なくなり、平坦な結晶表面が形成で
きるため、電極形成、素子化する際の素子固着が容易と
なり素子固着の際に発生する歪みが減り、全体として歩
留りが向上し、信頼性の高い半導体レーザを得ることが
できた。
閾値電流が低く、高光出力まで安定なＯ次モード発振が
可能であり、又熱放散効率のよい高温動作にすぐれた半
導体レーザを提供することができる。さらに、メサ側部
埋め込み層の形状制御性、再現性が向上するため電気的
特性のばらつきが少なくなり、平坦な結晶表面が形成で
きるため、電極形成、素子化する際の素子固着が容易と
なり素子固着の際に発生する歪みが減り、全体として歩
留りが向上し、信頼性の高い半導体レーザを得ることが
できた。
法を示す工程図である。図において
１・・・・・・ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基体、２，７・・・
・・・ｎ型Ａ７ｏｙａＧａｏ、ｙＡｓ層、３−−・ｎ型
Ａ Ｌｏ、ｓ Ｇ ａ ｏ、ｅ Ａ ｓ ＪＪ 。 ４・・・・・・活性層、５．６．８−曲ｐ型Ａｔｏ、ａ
Ｇａｏ、７Ａｓ層、９・・・・・・ｐｍＧａＡｓ層、
１０・・・・・・ｐ電極、１１・・・・・・ｎ電極であ
る。 ８Ｚ図 （Ｃ） 第 ３ 区 第４図 （ｅ）
・・・ｎ型Ａ７ｏｙａＧａｏ、ｙＡｓ層、３−−・ｎ型
Ａ Ｌｏ、ｓ Ｇ ａ ｏ、ｅ Ａ ｓ ＪＪ 。 ４・・・・・・活性層、５．６．８−曲ｐ型Ａｔｏ、ａ
Ｇａｏ、７Ａｓ層、９・・・・・・ｐｍＧａＡｓ層、
１０・・・・・・ｐ電極、１１・・・・・・ｎ電極であ
る。 ８Ｚ図 （Ｃ） 第 ３ 区 第４図 （ｅ）
Claims (1)
- 牛導体活性層の両面に接してこの活性層よりも屈折率の
小さい第１及び第２クラッド層とを少なくとも有する半
導体多層を半導体基体上に形成する第１の液相エピタキ
シャル成長工程と、前記半導体多層の表面から前記半導
体基体に達する澤さまで選択的にエツチングしてメサを
形成するエツチング工程と、標準酸化還元電位が負でそ
の絶対値が１以上である元素を含有した溶液で前記メサ
の側面及び上面を洗浄する洗浄工程と、前記メサの側部
及び上部に接して単一または複数個の半導体層を形成す
る第２の液相エピタキシャル成長工程とを含むことを特
徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23306682A JPS59119781A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23306682A JPS59119781A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59119781A true JPS59119781A (ja) | 1984-07-11 |
Family
ID=16949263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23306682A Pending JPS59119781A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59119781A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5179040A (en) * | 1990-07-16 | 1993-01-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making a semiconductor laser device |
| US5236864A (en) * | 1988-12-28 | 1993-08-17 | Research Development Corporation Of Japan | Method of manufacturing a surface-emitting type semiconductor laser device |
| US5523256A (en) * | 1993-07-21 | 1996-06-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing a semiconductor laser |
| US5610096A (en) * | 1992-11-06 | 1997-03-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser with a self sustained pulsation |
| CN103317240A (zh) * | 2013-07-12 | 2013-09-25 | 北京东明兴业科技有限公司 | 镁合金表面氧化层的激光蚀刻加工方法 |
-
1982
- 1982-12-24 JP JP23306682A patent/JPS59119781A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5236864A (en) * | 1988-12-28 | 1993-08-17 | Research Development Corporation Of Japan | Method of manufacturing a surface-emitting type semiconductor laser device |
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| US5610096A (en) * | 1992-11-06 | 1997-03-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser with a self sustained pulsation |
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| US5974068A (en) * | 1993-07-21 | 1999-10-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser and a method for producing the same |
| CN103317240A (zh) * | 2013-07-12 | 2013-09-25 | 北京东明兴业科技有限公司 | 镁合金表面氧化层的激光蚀刻加工方法 |
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