JPS63269593A - 半導体レ−ザ装置とその製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置とその製造方法Info
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- JPS63269593A JPS63269593A JP10525487A JP10525487A JPS63269593A JP S63269593 A JPS63269593 A JP S63269593A JP 10525487 A JP10525487 A JP 10525487A JP 10525487 A JP10525487 A JP 10525487A JP S63269593 A JPS63269593 A JP S63269593A
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- semiconductor laser
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 24
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910005091 Si3N Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体レーザ装置とその製造方法に関する
ものである。
ものである。
（従来の技術）
従来の半導体レーザ装置の製造方法を説明する。
（ａ） ｎ形（以下、ｎ−と略す）（第２導電形）Ｇａ
Ａｓ基板１の一方の主面上に、ｎ Ａ Ｊ！ ０４１
１Ｇ ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓをエビタキシャ）Ｌｔ成長
させてｉｆクラッド層２を形成し、 （ｂ）この第１クラッド層２の上にｐ形（以下、Ｐ−と
略す）（第１導電形） Ａ Ｒ，。、 ＋５０ ａ Ｏ
，ＩＩＧＡＳをエピタキシャル成長させて活性層３を形
成する。
Ａｓ基板１の一方の主面上に、ｎ Ａ Ｊ！ ０４１
１Ｇ ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓをエビタキシャ）Ｌｔ成長
させてｉｆクラッド層２を形成し、 （ｂ）この第１クラッド層２の上にｐ形（以下、Ｐ−と
略す）（第１導電形） Ａ Ｒ，。、 ＋５０ ａ Ｏ
，ＩＩＧＡＳをエピタキシャル成長させて活性層３を形
成する。
（ｃ）ついで、この活性層３にｐ Ａｎｏ４ｒ。
Ｇａ、、ｓ、ｘＡｓをエピタキシャル成長させて第２ク
ラッド層４を形成し、 （ｄ）この第２クラッド層４の上に、ｐ−ＧａＡｓのコ
ンタクト層を形成する。
ラッド層４を形成し、 （ｄ）この第２クラッド層４の上に、ｐ−ＧａＡｓのコ
ンタクト層を形成する。
（ｅ）その後、Ｓｉ３Ｎ＜ＩＩ！２（絶縁膜）をマスク
として前記コンタクト層と第２クラッド層４をエツチン
グし、ストライプ状のリッジ部４ｒを形成し。
として前記コンタクト層と第２クラッド層４をエツチン
グし、ストライプ状のリッジ部４ｒを形成し。
（ｆ）この形成したリッジ部４ｒを除いた前記第２クラ
ッド層４のＬに、ｎ−ＧａＡｓをエピタキシャル成長さ
せて電流阻止層５を形成する。
ッド層４のＬに、ｎ−ＧａＡｓをエピタキシャル成長さ
せて電流阻止層５を形成する。
（ｇ）そして、Ｚｎを全面拡散して前記電流阻止層５に
ｐ−ＧａＡｓのコンタクト層６を形成し、（ｈ）このコ
ンタクト層６と前記リッジ部４ｒｌｌにｐ側電極７を、
前記基板１の他の主面上にｎ側電極８を形成する。
ｐ−ＧａＡｓのコンタクト層６を形成し、（ｈ）このコ
ンタクト層６と前記リッジ部４ｒｌｌにｐ側電極７を、
前記基板１の他の主面上にｎ側電極８を形成する。
第４図に従来の製造方法により形成された半導体レーザ
装置を示す。図中、矢符は電流を示す。
装置を示す。図中、矢符は電流を示す。
（発明が解決しようとする問題点）
従来の半導体レーザ装置は、第２クラッド層４のリッジ
部４ｒを除いた部分に、ｎ−ＧａＡｓをエピタキシャル
成長させて電流阻止Ｗｊ５を形成する構成にしたから、
第５図に示すように、発振上限温度が９０℃になり、こ
れ以上、発振上限温度を高くさせることができないとい
う問題点があフた。
部４ｒを除いた部分に、ｎ−ＧａＡｓをエピタキシャル
成長させて電流阻止Ｗｊ５を形成する構成にしたから、
第５図に示すように、発振上限温度が９０℃になり、こ
れ以上、発振上限温度を高くさせることができないとい
う問題点があフた。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、発振に限温度をより高くさせた半導体レー
ザ装置とその製造方法を得ることを目的とする。
れたもので、発振に限温度をより高くさせた半導体レー
ザ装置とその製造方法を得ることを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
この発明に係る半導体レーザ装置は、ストライプ状のリ
ッジ部を有する第１導電形のクラッド層と、このクラッ
ド層のりッジ部を除いた部分に形成した第２導電形の電
流阻止層とを備えた半導体レーザ装置であって、前記ク
ラッド層と電流阻止層との間に、第１導電形のバッファ
層を設けたものである。
ッジ部を有する第１導電形のクラッド層と、このクラッ
ド層のりッジ部を除いた部分に形成した第２導電形の電
流阻止層とを備えた半導体レーザ装置であって、前記ク
ラッド層と電流阻止層との間に、第１導電形のバッファ
層を設けたものである。
また、この発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、
第１導電形ＡｎｘＧａ１−ｘＡｓのクラッド層にストラ
イプ状のりッジ部を形成する工程と、１１η記第２クラ
ッド層のりッジ部を除いた部分に第２導電形ＧａＡｓの
電流阻止層を形成する工程とを有する半導体レーザ装置
の製造方法であって、ｌ１ｉｒ記リッジ部を形成する工
程と電流阻止層を形成する工程との間に、第１導電形Ｇ
ａＡｓのバッファ層を形成する工程を設けたものである
。
第１導電形ＡｎｘＧａ１−ｘＡｓのクラッド層にストラ
イプ状のりッジ部を形成する工程と、１１η記第２クラ
ッド層のりッジ部を除いた部分に第２導電形ＧａＡｓの
電流阻止層を形成する工程とを有する半導体レーザ装置
の製造方法であって、ｌ１ｉｒ記リッジ部を形成する工
程と電流阻止層を形成する工程との間に、第１導電形Ｇ
ａＡｓのバッファ層を形成する工程を設けたものである
。
（作用）
この発明により形成したバッファ層と電流阻止層は、発
振上限温度を高くさせる。
振上限温度を高くさせる。
（実施例〕
第１図はこの発明の一実施例を示す。この実施例と従来
例とが相違するところは、第２クラッド層４のリッジ部
４ｒを除いた部分と電流阻止層５との間にバッファ層１
１を形成した点である。
例とが相違するところは、第２クラッド層４のリッジ部
４ｒを除いた部分と電流阻止層５との間にバッファ層１
１を形成した点である。
つぎに、第２図に基づいて第１図に示す半導体レーザ装
置の製造方法を説明する。
置の製造方法を説明する。
従来例と同様にして前記（ａ）〜（ｅ）の製造工程によ
り、第２クラッド層４にリッジ部４ｒを形成した後（第
２図（ａ）参照）、前記第２クラッド層４のリッジ部４
ｒを除いた部分にｐ−ＧａＡｓをエピタキシャル成長さ
せてバッファ層１１を形成しく第２図（ｂ）参照）、こ
の形成したバッファ層の上に、前記＜ｆ）の工程により
、ｎ−ＧａＡｓをエピタキシャル成長させて電流限１Ｅ
層５を形成する（第２図（Ｃ）参照）。そして、その後
、従来例と同様にして前記（ｇ）、（ｈ）の製造工程に
より、コンタクト層６、ρ側電極７、ｎ側電極８を形成
する。
り、第２クラッド層４にリッジ部４ｒを形成した後（第
２図（ａ）参照）、前記第２クラッド層４のリッジ部４
ｒを除いた部分にｐ−ＧａＡｓをエピタキシャル成長さ
せてバッファ層１１を形成しく第２図（ｂ）参照）、こ
の形成したバッファ層の上に、前記＜ｆ）の工程により
、ｎ−ＧａＡｓをエピタキシャル成長させて電流限１Ｅ
層５を形成する（第２図（Ｃ）参照）。そして、その後
、従来例と同様にして前記（ｇ）、（ｈ）の製造工程に
より、コンタクト層６、ρ側電極７、ｎ側電極８を形成
する。
この実施例の半導体レーザ装置は、上記のように構成し
たから、第３図に示すように発振上限温度が１３０℃と
なる。
たから、第３図に示すように発振上限温度が１３０℃と
なる。
また、この実施例の半導体レーザ装置は、上記のように
構成したから、バッファ層１１と電流阻止層５とのｐｎ
接合における深い界面準位が減少し、電流は第１図に矢
符で示すように、リッジ部４ｒのみを、流れ、電流状片
特性が向上する。
構成したから、バッファ層１１と電流阻止層５とのｐｎ
接合における深い界面準位が減少し、電流は第１図に矢
符で示すように、リッジ部４ｒのみを、流れ、電流状片
特性が向上する。
以上説明したように、この発明によれば、リッジ部を有
するクラッド層に前記リッジ部を除いてバッファ層を形
成し、この形成したバッファ層の上に電流阻止層を形成
する構成にしたから、発振上限温度をより高くさせるこ
とができるという効果がある。
するクラッド層に前記リッジ部を除いてバッファ層を形
成し、この形成したバッファ層の上に電流阻止層を形成
する構成にしたから、発振上限温度をより高くさせるこ
とができるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す模式断面図、第２図
（ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ製造方法の説明図、第３図は
温度としきい値電流の関係の一例を示す図、第４図は従
来の半導体レーザ装置の模式断面図、第５図は温度とし
きい値電流の関係の一例を示す図である。 図において、４は第２クラッド層、４ｒはリッジ部、５
は電流阻止層、１１はバッファ層である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
（ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ製造方法の説明図、第３図は
温度としきい値電流の関係の一例を示す図、第４図は従
来の半導体レーザ装置の模式断面図、第５図は温度とし
きい値電流の関係の一例を示す図である。 図において、４は第２クラッド層、４ｒはリッジ部、５
は電流阻止層、１１はバッファ層である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）ストライプ状のリッジ部を有する第１導電形のク
ラッド層と、このクラッド層のリッジ部を除いた部分に
形成した第２導電形の電流阻止層とを備えた半導体レー
ザ装置において、前記クラッド層と電流阻止層との間に
第１導電形のバッファ層を備えたことを特徴とする半導
体レーザ装置。 - （２）第１導電形Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓのクラ
ッド層にストライプ状のリッジ部を形成する工程と、前
記第２クラッド層のリッジ部を除いた部分に第２導電形
ＧａＡｓの電流阻止層を形成する工程とを有する半導体
レーザ装置の製造方法において、前記リッジ部を形成す
る工程と電流阻止層を形成する工程との間に、第１導電
形ＧａＡｓのバッファ層を形成する工程を備えたことを
特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10525487A JPS63269593A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 半導体レ−ザ装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10525487A JPS63269593A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 半導体レ−ザ装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63269593A true JPS63269593A (ja) | 1988-11-07 |
Family
ID=14402516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10525487A Pending JPS63269593A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 半導体レ−ザ装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63269593A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5003549A (en) * | 1988-07-20 | 1991-03-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
| DE4240539A1 (en) * | 1992-01-21 | 1993-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device mfr. e.g. for ridge waveguide semiconductor laser prodn. |
| US5426658A (en) * | 1992-01-21 | 1995-06-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser including ridge confining buffer layer |
| DE4244822C2 (de) * | 1992-01-21 | 1997-06-12 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
| US5835516A (en) * | 1994-12-13 | 1998-11-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method of fabricating semiconductor laser device |
-
1987
- 1987-04-27 JP JP10525487A patent/JPS63269593A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5003549A (en) * | 1988-07-20 | 1991-03-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
| US5053356A (en) * | 1988-07-20 | 1991-10-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for production of a semiconductor laser |
| DE4240539A1 (en) * | 1992-01-21 | 1993-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device mfr. e.g. for ridge waveguide semiconductor laser prodn. |
| US5426658A (en) * | 1992-01-21 | 1995-06-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser including ridge confining buffer layer |
| DE4244822C2 (de) * | 1992-01-21 | 1997-06-12 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
| DE4240539C2 (de) * | 1992-01-21 | 1997-07-03 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers |
| US5835516A (en) * | 1994-12-13 | 1998-11-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method of fabricating semiconductor laser device |
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