JPS63269593A - 半導体レ−ザ装置とその製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置とその製造方法Info
- Publication number
- JPS63269593A JPS63269593A JP10525487A JP10525487A JPS63269593A JP S63269593 A JPS63269593 A JP S63269593A JP 10525487 A JP10525487 A JP 10525487A JP 10525487 A JP10525487 A JP 10525487A JP S63269593 A JPS63269593 A JP S63269593A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor laser
- laser device
- current
- ridge portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 24
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910005091 Si3N Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体レーザ装置とその製造方法に関する
ものである。
ものである。
(従来の技術)
従来の半導体レーザ装置の製造方法を説明する。
(a) n形(以下、n−と略す)(第2導電形)Ga
As基板1の一方の主面上に、n A J! 041
1G a o、 ssA Sをエビタキシャ)Lt成長
させてifクラッド層2を形成し、 (b)この第1クラッド層2の上にp形(以下、P−と
略す)(第1導電形) A R,。、 +50 a O
,IIGASをエピタキシャル成長させて活性層3を形
成する。
As基板1の一方の主面上に、n A J! 041
1G a o、 ssA Sをエビタキシャ)Lt成長
させてifクラッド層2を形成し、 (b)この第1クラッド層2の上にp形(以下、P−と
略す)(第1導電形) A R,。、 +50 a O
,IIGASをエピタキシャル成長させて活性層3を形
成する。
(c)ついで、この活性層3にp Ano4r。
Ga、、s、xAsをエピタキシャル成長させて第2ク
ラッド層4を形成し、 (d)この第2クラッド層4の上に、p−GaAsのコ
ンタクト層を形成する。
ラッド層4を形成し、 (d)この第2クラッド層4の上に、p−GaAsのコ
ンタクト層を形成する。
(e)その後、Si3N<II!2(絶縁膜)をマスク
として前記コンタクト層と第2クラッド層4をエツチン
グし、ストライプ状のリッジ部4rを形成し。
として前記コンタクト層と第2クラッド層4をエツチン
グし、ストライプ状のリッジ部4rを形成し。
(f)この形成したリッジ部4rを除いた前記第2クラ
ッド層4のLに、n−GaAsをエピタキシャル成長さ
せて電流阻止層5を形成する。
ッド層4のLに、n−GaAsをエピタキシャル成長さ
せて電流阻止層5を形成する。
(g)そして、Znを全面拡散して前記電流阻止層5に
p−GaAsのコンタクト層6を形成し、(h)このコ
ンタクト層6と前記リッジ部4rllにp側電極7を、
前記基板1の他の主面上にn側電極8を形成する。
p−GaAsのコンタクト層6を形成し、(h)このコ
ンタクト層6と前記リッジ部4rllにp側電極7を、
前記基板1の他の主面上にn側電極8を形成する。
第4図に従来の製造方法により形成された半導体レーザ
装置を示す。図中、矢符は電流を示す。
装置を示す。図中、矢符は電流を示す。
(発明が解決しようとする問題点)
従来の半導体レーザ装置は、第2クラッド層4のリッジ
部4rを除いた部分に、n−GaAsをエピタキシャル
成長させて電流阻止Wj5を形成する構成にしたから、
第5図に示すように、発振上限温度が90℃になり、こ
れ以上、発振上限温度を高くさせることができないとい
う問題点があフた。
部4rを除いた部分に、n−GaAsをエピタキシャル
成長させて電流阻止Wj5を形成する構成にしたから、
第5図に示すように、発振上限温度が90℃になり、こ
れ以上、発振上限温度を高くさせることができないとい
う問題点があフた。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、発振に限温度をより高くさせた半導体レー
ザ装置とその製造方法を得ることを目的とする。
れたもので、発振に限温度をより高くさせた半導体レー
ザ装置とその製造方法を得ることを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
この発明に係る半導体レーザ装置は、ストライプ状のリ
ッジ部を有する第1導電形のクラッド層と、このクラッ
ド層のりッジ部を除いた部分に形成した第2導電形の電
流阻止層とを備えた半導体レーザ装置であって、前記ク
ラッド層と電流阻止層との間に、第1導電形のバッファ
層を設けたものである。
ッジ部を有する第1導電形のクラッド層と、このクラッ
ド層のりッジ部を除いた部分に形成した第2導電形の電
流阻止層とを備えた半導体レーザ装置であって、前記ク
ラッド層と電流阻止層との間に、第1導電形のバッファ
層を設けたものである。
また、この発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、
第1導電形AnxGa1−xAsのクラッド層にストラ
イプ状のりッジ部を形成する工程と、11η記第2クラ
ッド層のりッジ部を除いた部分に第2導電形GaAsの
電流阻止層を形成する工程とを有する半導体レーザ装置
の製造方法であって、l1ir記リッジ部を形成する工
程と電流阻止層を形成する工程との間に、第1導電形G
aAsのバッファ層を形成する工程を設けたものである
。
第1導電形AnxGa1−xAsのクラッド層にストラ
イプ状のりッジ部を形成する工程と、11η記第2クラ
ッド層のりッジ部を除いた部分に第2導電形GaAsの
電流阻止層を形成する工程とを有する半導体レーザ装置
の製造方法であって、l1ir記リッジ部を形成する工
程と電流阻止層を形成する工程との間に、第1導電形G
aAsのバッファ層を形成する工程を設けたものである
。
(作用)
この発明により形成したバッファ層と電流阻止層は、発
振上限温度を高くさせる。
振上限温度を高くさせる。
(実施例〕
第1図はこの発明の一実施例を示す。この実施例と従来
例とが相違するところは、第2クラッド層4のリッジ部
4rを除いた部分と電流阻止層5との間にバッファ層1
1を形成した点である。
例とが相違するところは、第2クラッド層4のリッジ部
4rを除いた部分と電流阻止層5との間にバッファ層1
1を形成した点である。
つぎに、第2図に基づいて第1図に示す半導体レーザ装
置の製造方法を説明する。
置の製造方法を説明する。
従来例と同様にして前記(a)〜(e)の製造工程によ
り、第2クラッド層4にリッジ部4rを形成した後(第
2図(a)参照)、前記第2クラッド層4のリッジ部4
rを除いた部分にp−GaAsをエピタキシャル成長さ
せてバッファ層11を形成しく第2図(b)参照)、こ
の形成したバッファ層の上に、前記<f)の工程により
、n−GaAsをエピタキシャル成長させて電流限1E
層5を形成する(第2図(C)参照)。そして、その後
、従来例と同様にして前記(g)、(h)の製造工程に
より、コンタクト層6、ρ側電極7、n側電極8を形成
する。
り、第2クラッド層4にリッジ部4rを形成した後(第
2図(a)参照)、前記第2クラッド層4のリッジ部4
rを除いた部分にp−GaAsをエピタキシャル成長さ
せてバッファ層11を形成しく第2図(b)参照)、こ
の形成したバッファ層の上に、前記<f)の工程により
、n−GaAsをエピタキシャル成長させて電流限1E
層5を形成する(第2図(C)参照)。そして、その後
、従来例と同様にして前記(g)、(h)の製造工程に
より、コンタクト層6、ρ側電極7、n側電極8を形成
する。
この実施例の半導体レーザ装置は、上記のように構成し
たから、第3図に示すように発振上限温度が130℃と
なる。
たから、第3図に示すように発振上限温度が130℃と
なる。
また、この実施例の半導体レーザ装置は、上記のように
構成したから、バッファ層11と電流阻止層5とのpn
接合における深い界面準位が減少し、電流は第1図に矢
符で示すように、リッジ部4rのみを、流れ、電流状片
特性が向上する。
構成したから、バッファ層11と電流阻止層5とのpn
接合における深い界面準位が減少し、電流は第1図に矢
符で示すように、リッジ部4rのみを、流れ、電流状片
特性が向上する。
以上説明したように、この発明によれば、リッジ部を有
するクラッド層に前記リッジ部を除いてバッファ層を形
成し、この形成したバッファ層の上に電流阻止層を形成
する構成にしたから、発振上限温度をより高くさせるこ
とができるという効果がある。
するクラッド層に前記リッジ部を除いてバッファ層を形
成し、この形成したバッファ層の上に電流阻止層を形成
する構成にしたから、発振上限温度をより高くさせるこ
とができるという効果がある。
第1図はこの発明の一実施例を示す模式断面図、第2図
(a)〜(C)はそれぞれ製造方法の説明図、第3図は
温度としきい値電流の関係の一例を示す図、第4図は従
来の半導体レーザ装置の模式断面図、第5図は温度とし
きい値電流の関係の一例を示す図である。 図において、4は第2クラッド層、4rはリッジ部、5
は電流阻止層、11はバッファ層である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
(a)〜(C)はそれぞれ製造方法の説明図、第3図は
温度としきい値電流の関係の一例を示す図、第4図は従
来の半導体レーザ装置の模式断面図、第5図は温度とし
きい値電流の関係の一例を示す図である。 図において、4は第2クラッド層、4rはリッジ部、5
は電流阻止層、11はバッファ層である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- (1)ストライプ状のリッジ部を有する第1導電形のク
ラッド層と、このクラッド層のリッジ部を除いた部分に
形成した第2導電形の電流阻止層とを備えた半導体レー
ザ装置において、前記クラッド層と電流阻止層との間に
第1導電形のバッファ層を備えたことを特徴とする半導
体レーザ装置。 - (2)第1導電形Al_xGa_1_−_xAsのクラ
ッド層にストライプ状のリッジ部を形成する工程と、前
記第2クラッド層のリッジ部を除いた部分に第2導電形
GaAsの電流阻止層を形成する工程とを有する半導体
レーザ装置の製造方法において、前記リッジ部を形成す
る工程と電流阻止層を形成する工程との間に、第1導電
形GaAsのバッファ層を形成する工程を備えたことを
特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10525487A JPS63269593A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 半導体レ−ザ装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10525487A JPS63269593A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 半導体レ−ザ装置とその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63269593A true JPS63269593A (ja) | 1988-11-07 |
Family
ID=14402516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10525487A Pending JPS63269593A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 半導体レ−ザ装置とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63269593A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5003549A (en) * | 1988-07-20 | 1991-03-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
DE4240539A1 (en) * | 1992-01-21 | 1993-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device mfr. e.g. for ridge waveguide semiconductor laser prodn. |
US5426658A (en) * | 1992-01-21 | 1995-06-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser including ridge confining buffer layer |
DE4244822C2 (de) * | 1992-01-21 | 1997-06-12 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
US5835516A (en) * | 1994-12-13 | 1998-11-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method of fabricating semiconductor laser device |
-
1987
- 1987-04-27 JP JP10525487A patent/JPS63269593A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5003549A (en) * | 1988-07-20 | 1991-03-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
US5053356A (en) * | 1988-07-20 | 1991-10-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for production of a semiconductor laser |
DE4240539A1 (en) * | 1992-01-21 | 1993-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device mfr. e.g. for ridge waveguide semiconductor laser prodn. |
US5426658A (en) * | 1992-01-21 | 1995-06-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser including ridge confining buffer layer |
DE4244822C2 (de) * | 1992-01-21 | 1997-06-12 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
DE4240539C2 (de) * | 1992-01-21 | 1997-07-03 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers |
US5835516A (en) * | 1994-12-13 | 1998-11-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method of fabricating semiconductor laser device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS63269593A (ja) | 半導体レ−ザ装置とその製造方法 | |
JPH0416033B2 (ja) | ||
JPH0682886B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
JPH07111361A (ja) | 埋込型半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
JP2528877B2 (ja) | 半導体レ−ザ | |
JPS61176181A (ja) | 半導体発光装置 | |
JPH05226774A (ja) | 半導体レーザ素子とその製造方法 | |
JPS60102790A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
JPS6244440B2 (ja) | ||
JPH03119777A (ja) | 埋込みヘテロ型半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
JPS61139082A (ja) | 半導体発光装置 | |
JPS6132587A (ja) | 半導体レ−ザおよびその製造方法 | |
JPS6232679A (ja) | 半導体レ−ザ | |
JPH04320071A (ja) | 発光素子 | |
JPH02240988A (ja) | 半導体レーザ | |
JPH0377675B2 (ja) | ||
JPS62259490A (ja) | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ | |
JPS62159486A (ja) | 半導体発光装置 | |
JPS6076184A (ja) | 半導体レ−ザ | |
JPS59112674A (ja) | 半導体発光装置 | |
JPH0254592A (ja) | 半導体レーザ | |
JPH02181491A (ja) | 半導体発光装置 | |
JPS59148382A (ja) | 注入形レ−ザの製造方法 | |
JPS63122190A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
JPH0370391B2 (ja) |