JP2002076502A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
- H01S5/168—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface with window regions comprising current blocking layers
Abstract
(57)【要約】
【課題】 隆起部を有しかつ信頼性の高い半導体レーザ
素子を提供することである。 【解決手段】 ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層上、
リッジ部の側面および窓領域の上方におけるリッジ部の
上面の領域にｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層が形成され
る。端面近傍の領域におけるｐ−ＧａＡｓキャップ層に
隆起部２０が形成され、端面近傍における第１電極１０
の領域に隆起領域２１が形成される。第１電極１０の隆
起領域２１間の領域上に隆起領域２１の高さよりも大き
な厚さを有する第２電極１１が形成される。
素子を提供することである。 【解決手段】 ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層上、
リッジ部の側面および窓領域の上方におけるリッジ部の
上面の領域にｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層が形成され
る。端面近傍の領域におけるｐ−ＧａＡｓキャップ層に
隆起部２０が形成され、端面近傍における第１電極１０
の領域に隆起領域２１が形成される。第１電極１０の隆
起領域２１間の領域上に隆起領域２１の高さよりも大き
な厚さを有する第２電極１１が形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、放熱体上に取り付
けられる半導体レーザ素子に関する。
けられる半導体レーザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】高出力半導体レーザ素子は、記録可能な
光ディスクシステムの光源として不可欠であり、高い信
頼性が要求される。半導体レーザ素子の高出力化を制限
する要因として、ＣＯＤ（光学的損傷；Catastrophic O
ptical Damage ）がある。このＣＯＤは次のようなサイ
クルで発生すると考えられている。
光ディスクシステムの光源として不可欠であり、高い信
頼性が要求される。半導体レーザ素子の高出力化を制限
する要因として、ＣＯＤ（光学的損傷；Catastrophic O
ptical Damage ）がある。このＣＯＤは次のようなサイ
クルで発生すると考えられている。
【０００３】まず、高密度に表面準位が存在する共振器
の端面に電流を注入すると、この準位を介して非発光再
結合が生じ、発熱が生じる。この発熱により端面部のエ
ネルギーギャップが減少し、光吸収が生じ、さらに発熱
が大きくなる。このサイクルを繰り返すことにより端面
の温度が上昇し、結晶が溶解してしまう。
の端面に電流を注入すると、この準位を介して非発光再
結合が生じ、発熱が生じる。この発熱により端面部のエ
ネルギーギャップが減少し、光吸収が生じ、さらに発熱
が大きくなる。このサイクルを繰り返すことにより端面
の温度が上昇し、結晶が溶解してしまう。
【０００４】このようなＣＯＤを抑制する方法として、
端面電流非注入構造やＺｎ拡散による窓構造が、ＥＬＥ
ＣＴＲＯＮＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ，Ｖｏｌ．３３，Ｎ
ｏ．１２，ｐｐ．１０８４−１０８６，１９９７やＩＥ
ＥＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦＱＵＡＮＴＵＭ ＥＬＥＣ
ＴＲＯＮＩＣＳ，Ｖｏｌ．２９，Ｎｏ．６，ｐｐ．１８
２４−１８２９，１９９３に開示されている。
端面電流非注入構造やＺｎ拡散による窓構造が、ＥＬＥ
ＣＴＲＯＮＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ，Ｖｏｌ．３３，Ｎ
ｏ．１２，ｐｐ．１０８４−１０８６，１９９７やＩＥ
ＥＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦＱＵＡＮＴＵＭ ＥＬＥＣ
ＴＲＯＮＩＣＳ，Ｖｏｌ．２９，Ｎｏ．６，ｐｐ．１８
２４−１８２９，１９９３に開示されている。
【０００５】図１０は端面電流非注入構造を有する従来
の半導体レーザ素子の一部切り欠き斜視図である。図１
１は窓構造を有する従来の半導体レーザ素子の一部切り
欠き斜視図である。
の半導体レーザ素子の一部切り欠き斜視図である。図１
１は窓構造を有する従来の半導体レーザ素子の一部切り
欠き斜視図である。
【０００６】図１０および図１１において、ｎ−ＧａＡ
ｓ基板３１上に、ｎ−ＧａＩｎＰバッファ層３２、ｎ−
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３３、量子井戸活性層３４お
よびｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層３５が順に形成
されている。
ｓ基板３１上に、ｎ−ＧａＩｎＰバッファ層３２、ｎ−
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３３、量子井戸活性層３４お
よびｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層３５が順に形成
されている。
【０００７】ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層３５上
のストライプ状の領域に、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラ
ッド層３６およびｐ−ＧａＩｎＰコンタクト層３７が順
に形成されている。これらのｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２ク
ラッド層３６およびｐ−ＧａＩｎＰコンタクト層３７が
リッジ部Ｒを構成する。
のストライプ状の領域に、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラ
ッド層３６およびｐ−ＧａＩｎＰコンタクト層３７が順
に形成されている。これらのｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２ク
ラッド層３６およびｐ−ＧａＩｎＰコンタクト層３７が
リッジ部Ｒを構成する。
【０００８】ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層３５上
およびリッジ部Ｒの両側面にｎ−ＧａＡｓ電流ブロック
層３８が形成されている。また、ｎ−ＧａＡｓ電流ブロ
ック層３８は、両端面近傍におけるリッジ部Ｒの上面の
領域にも形成されている。
およびリッジ部Ｒの両側面にｎ−ＧａＡｓ電流ブロック
層３８が形成されている。また、ｎ−ＧａＡｓ電流ブロ
ック層３８は、両端面近傍におけるリッジ部Ｒの上面の
領域にも形成されている。
【０００９】ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層３８上および
リッジ部Ｒ上にｐ−ＧａＡｓキャップ層３９が形成され
ている。
リッジ部Ｒ上にｐ−ＧａＡｓキャップ層３９が形成され
ている。
【００１０】このようにして、ｎ−ＧａＡｓ基板３１上
に複数の層３２〜３９からなるレーザ素子構造６０が形
成されている。ｎ−ＧａＡｓ基板３１の裏面には、ｎ電
極４２が形成されている。レーザ素子構造６０の上面に
は、ｐ電極（図示せず）が形成される。
に複数の層３２〜３９からなるレーザ素子構造６０が形
成されている。ｎ−ＧａＡｓ基板３１の裏面には、ｎ電
極４２が形成されている。レーザ素子構造６０の上面に
は、ｐ電極（図示せず）が形成される。
【００１１】上記のように、共振器の端面の近傍におけ
るリッジ部Ｒの上面の領域にｎ−ＧａＡｓ電流ブロック
層３８が形成されているので、端面近傍の領域に電流が
注入されない。それにより、ＣＯＤが抑制される。
るリッジ部Ｒの上面の領域にｎ−ＧａＡｓ電流ブロック
層３８が形成されているので、端面近傍の領域に電流が
注入されない。それにより、ＣＯＤが抑制される。
【００１２】特に、図１１の半導体レーザ素子において
は、量子井戸活性層３４の端面近傍の領域にＺｎの拡散
によるＺｎ拡散領域４３が設けられている。それによ
り、端面近傍の量子井戸活性層３４の領域にバンドギャ
ップが広くなる窓構造が形成される。したがって、端面
近傍で光の吸収が起こらず、ＣＯＤがさらに抑制され
る。
は、量子井戸活性層３４の端面近傍の領域にＺｎの拡散
によるＺｎ拡散領域４３が設けられている。それによ
り、端面近傍の量子井戸活性層３４の領域にバンドギャ
ップが広くなる窓構造が形成される。したがって、端面
近傍で光の吸収が起こらず、ＣＯＤがさらに抑制され
る。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】図１２は図１０または
図１１のレーザ素子構造を有する従来の高出力半導体レ
ーザ素子の模式的外観斜視図、図１３は図１２の半導体
レーザ素子の模式的平面図、図１４は図１２の半導体レ
ーザ素子の共振器長方向の模式的断面図である。
図１１のレーザ素子構造を有する従来の高出力半導体レ
ーザ素子の模式的外観斜視図、図１３は図１２の半導体
レーザ素子の模式的平面図、図１４は図１２の半導体レ
ーザ素子の共振器長方向の模式的断面図である。
【００１４】図１０および図１１に示したレーザ素子構
造６０では、リッジ部Ｒの上面のうち端面近傍の領域の
みにｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層３８が形成されている
ため、端面近傍の領域におけるｐ−ＧａＡｓキャップ層
３９に隆起部５０が形成されている。
造６０では、リッジ部Ｒの上面のうち端面近傍の領域の
みにｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層３８が形成されている
ため、端面近傍の領域におけるｐ−ＧａＡｓキャップ層
３９に隆起部５０が形成されている。
【００１５】さらに、図１２〜図１４に示すように、レ
ーザ素子構造６０の上面にｐ電極４１が形成されてい
る。隆起部５０に起因してｐ電極４１にも隆起領域５１
が形成されている。なお、隆起部５０および隆起領域５
１の下方における量子井戸活性層３４の端面にレーザ光
の出射点５３が位置する。
ーザ素子構造６０の上面にｐ電極４１が形成されてい
る。隆起部５０に起因してｐ電極４１にも隆起領域５１
が形成されている。なお、隆起部５０および隆起領域５
１の下方における量子井戸活性層３４の端面にレーザ光
の出射点５３が位置する。
【００１６】図１５は図１２の半導体レーザ素子をサブ
マウント上に取り付けた状態を示す共振器長方向の模式
的断面図、図１６は図１２の半導体レーザ素子をサブマ
ウント上に取り付けた状態を示す模式的正面図である。
マウント上に取り付けた状態を示す共振器長方向の模式
的断面図、図１６は図１２の半導体レーザ素子をサブマ
ウント上に取り付けた状態を示す模式的正面図である。
【００１７】図１５および図１６に示すように、図１２
の半導体レーザ素子３００をｐ電極４１を下に向けてサ
ブマウント４００の上面にジャンクションダウンで取り
付けた場合、ｐ電極４１の隆起部５１のみがサブマウン
ト４００の上面に接触する。そのため、ダイボンディン
グ時またはワイヤボンディング時に半導体レーザ素子３
００の端面近傍の部分に局所的に大きなストレスが加わ
る。また、ｐ電極４１とサブマウント４００との接触面
積が制限されるため、良好な放熱特性が得られず、接着
強度も低くなる。さらに、サブマウント４００上に半導
体レーザ素子３００が傾いた状態で取り付けられること
もある。これらの結果、半導体レーザ素子３００の信頼
性が低下する。
の半導体レーザ素子３００をｐ電極４１を下に向けてサ
ブマウント４００の上面にジャンクションダウンで取り
付けた場合、ｐ電極４１の隆起部５１のみがサブマウン
ト４００の上面に接触する。そのため、ダイボンディン
グ時またはワイヤボンディング時に半導体レーザ素子３
００の端面近傍の部分に局所的に大きなストレスが加わ
る。また、ｐ電極４１とサブマウント４００との接触面
積が制限されるため、良好な放熱特性が得られず、接着
強度も低くなる。さらに、サブマウント４００上に半導
体レーザ素子３００が傾いた状態で取り付けられること
もある。これらの結果、半導体レーザ素子３００の信頼
性が低下する。
【００１８】本発明の目的は、上面に隆起部を有しかつ
信頼性の高い半導体レーザ素子を提供することである。
信頼性の高い半導体レーザ素子を提供することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段および発明の効果】本発明
に係る半導体レーザ素子は、基板と、基板上に形成され
るとともに共振器を構成する活性層を含むレーザ素子構
造と、レーザ素子構造上に形成された電極層とを備え、
レーザ素子構造は、上面に隆起部を有し、電極層は、隆
起部上の領域で０以上の第１の膜厚を有し、隆起部を除
く領域で第１の膜厚よりも大きな第２の膜厚を有するも
のである。
に係る半導体レーザ素子は、基板と、基板上に形成され
るとともに共振器を構成する活性層を含むレーザ素子構
造と、レーザ素子構造上に形成された電極層とを備え、
レーザ素子構造は、上面に隆起部を有し、電極層は、隆
起部上の領域で０以上の第１の膜厚を有し、隆起部を除
く領域で第１の膜厚よりも大きな第２の膜厚を有するも
のである。
【００２０】ここで、第１の膜厚を０、すなわち隆起部
には電極層を形成しない構造としてもよい。
には電極層を形成しない構造としてもよい。
【００２１】本発明に係る半導体レーザ素子において
は、基板上に活性層を含むレーザ素子構造が形成され、
レーザ素子構造上に電極層が形成されている。電極層の
膜厚は、レーザ素子構造の隆起部を除く領域で隆起部の
領域に比べて大きくなっている。それにより、半導体レ
ーザ素子を電極層を下に向けて放熱体の上面にジャンク
ションダウンで取り付けた場合、電極層が放熱体に広い
面積で接触する。そのため、ストレスが半導体レーザ素
子の特定に部分に加わらず、半導体レーザ素子の全体に
分散されて低減される。また、電極層と放熱体との接触
面積が大きくなるため、放熱特性が良好になるととも
に、接着強度が向上する。さらに、半導体レーザ素子が
ほとんど傾くことなく放熱体上に安定に固定される。こ
れらの結果、半導体レーザ素子の信頼性が向上する。
は、基板上に活性層を含むレーザ素子構造が形成され、
レーザ素子構造上に電極層が形成されている。電極層の
膜厚は、レーザ素子構造の隆起部を除く領域で隆起部の
領域に比べて大きくなっている。それにより、半導体レ
ーザ素子を電極層を下に向けて放熱体の上面にジャンク
ションダウンで取り付けた場合、電極層が放熱体に広い
面積で接触する。そのため、ストレスが半導体レーザ素
子の特定に部分に加わらず、半導体レーザ素子の全体に
分散されて低減される。また、電極層と放熱体との接触
面積が大きくなるため、放熱特性が良好になるととも
に、接着強度が向上する。さらに、半導体レーザ素子が
ほとんど傾くことなく放熱体上に安定に固定される。こ
れらの結果、半導体レーザ素子の信頼性が向上する。
【００２２】第２の膜厚は、隆起部の高さと第１の膜厚
との合計以上であることが好ましい。それにより、半導
体レーザ素子を電極層を下に向けて放熱体の上面にジャ
ンクションダウンで取り付けた場合、電極層の上面の全
体が放熱体の上面に接触する。そのため、ストレスが半
導体レーザ素子の特定の部分に加わらず、半導体レーザ
素子の全体に十分に分散されて低減される。また、電極
層と放熱体との接触面積が十分に大きくなるため、放熱
特性がさらに良好になるとともに、接着強度がさらに向
上する。さらに、半導体レーザ素子が傾くことなく放熱
体上により安定に固定される。これらの結果、半導体レ
ーザ素子の信頼性がさらに向上する。
との合計以上であることが好ましい。それにより、半導
体レーザ素子を電極層を下に向けて放熱体の上面にジャ
ンクションダウンで取り付けた場合、電極層の上面の全
体が放熱体の上面に接触する。そのため、ストレスが半
導体レーザ素子の特定の部分に加わらず、半導体レーザ
素子の全体に十分に分散されて低減される。また、電極
層と放熱体との接触面積が十分に大きくなるため、放熱
特性がさらに良好になるとともに、接着強度がさらに向
上する。さらに、半導体レーザ素子が傾くことなく放熱
体上により安定に固定される。これらの結果、半導体レ
ーザ素子の信頼性がさらに向上する。
【００２３】電極層は、レーザ素子構造の上面に隆起部
の少なくとも一部を被覆するように形成された第１電極
と、隆起部に起因して第１電極に形成された隆起領域を
除いて第１電極上に形成された第２電極とを含んでもよ
い。
の少なくとも一部を被覆するように形成された第１電極
と、隆起部に起因して第１電極に形成された隆起領域を
除いて第１電極上に形成された第２電極とを含んでもよ
い。
【００２４】この場合、第１の電極にはレーザ素子構造
の隆起部に起因して隆起領域が形成される。そこで、第
２の電極が第１の電極の隆起領域を除く領域に形成され
る。それにより、半導体レーザ素子を第２の電極を下に
向けて放熱体の上面にジャンクションダウンで取り付け
た場合、第２の電極の上面の広い面積が放熱体の上面に
接触する。
の隆起部に起因して隆起領域が形成される。そこで、第
２の電極が第１の電極の隆起領域を除く領域に形成され
る。それにより、半導体レーザ素子を第２の電極を下に
向けて放熱体の上面にジャンクションダウンで取り付け
た場合、第２の電極の上面の広い面積が放熱体の上面に
接触する。
【００２５】第１の電極および第２の電極は異なる材料
により形成されてもよく、あるいは同じ材料により形成
されてもよい。
により形成されてもよく、あるいは同じ材料により形成
されてもよい。
【００２６】レーザ素子構造は、第１導電型のクラッド
層と、活性層と、第２導電型のクラッド層とを順に含
み、第２導電型のクラッド層は、平坦部と、平坦部上の
ストライプ状の領域に形成されたリッジ部とを有し、レ
ーザ素子構造は、リッジ部の両側の平坦部上、リッジ部
の側面およびリッジ部の上面の共振器端面側の領域に形
成された第１導電型の電流ブロック層をさらに含み、隆
起部は、リッジ部の上面の端面側の領域に形成された電
流ブロック層の部分に起因して形成されてもよい。
層と、活性層と、第２導電型のクラッド層とを順に含
み、第２導電型のクラッド層は、平坦部と、平坦部上の
ストライプ状の領域に形成されたリッジ部とを有し、レ
ーザ素子構造は、リッジ部の両側の平坦部上、リッジ部
の側面およびリッジ部の上面の共振器端面側の領域に形
成された第１導電型の電流ブロック層をさらに含み、隆
起部は、リッジ部の上面の端面側の領域に形成された電
流ブロック層の部分に起因して形成されてもよい。
【００２７】この場合、第１導電型の電流ブロック層は
リッジ部の両側の平坦部上、リッジ部の側面およびリッ
ジ部の上面の共振器端面側の領域に形成されているの
で、電極層から注入された電流が共振器端面側の領域を
除いてリッジ部に注入される。
リッジ部の両側の平坦部上、リッジ部の側面およびリッ
ジ部の上面の共振器端面側の領域に形成されているの
で、電極層から注入された電流が共振器端面側の領域を
除いてリッジ部に注入される。
【００２８】このように、共振器端面近傍の領域に電流
が注入されないので、ＣＯＤが抑制される。その結果、
高出力の半導体レーザ素子が実現される。
が注入されないので、ＣＯＤが抑制される。その結果、
高出力の半導体レーザ素子が実現される。
【００２９】隆起部は、両方の共振器端面側に形成され
た一対の隆起部分からなってもよい。
た一対の隆起部分からなってもよい。
【００３０】活性層は量子井戸構造を有し、活性層の共
振器端面側の領域は不純物の導入により活性層の他の領
域よりも大きなバンドギャップを有してもよい。
振器端面側の領域は不純物の導入により活性層の他の領
域よりも大きなバンドギャップを有してもよい。
【００３１】この場合、活性層の端面近傍の領域におい
て不純物の導入により量子井戸構造が無秩序化され、大
きなバンドギャップを有する窓構造が形成される。した
がって、共振器端面近傍で光の吸収が起こらず、ＣＯＤ
がさらに抑制される。したがって、さらに高出力の半導
体レーザ素子が実現される。
て不純物の導入により量子井戸構造が無秩序化され、大
きなバンドギャップを有する窓構造が形成される。した
がって、共振器端面近傍で光の吸収が起こらず、ＣＯＤ
がさらに抑制される。したがって、さらに高出力の半導
体レーザ素子が実現される。
【００３２】ここで、活性層が秩序構造、いわゆる自然
超格子を有し、この活性層の端面近傍のみに不純物を導
入し、自然超格子を無秩序化することによって、窓構造
を形成してもよい。
超格子を有し、この活性層の端面近傍のみに不純物を導
入し、自然超格子を無秩序化することによって、窓構造
を形成してもよい。
【００３３】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施の形態にお
ける高出力半導体レーザ素子の模式的外観斜視図、図２
は図１の半導体レーザ素子の模式的一部切り欠き斜視図
である。また、図３は図１の半導体レーザ素子の模式的
平面図、図４は図１の半導体レーザ素子の共振器長方向
の模式的断面図である。
ける高出力半導体レーザ素子の模式的外観斜視図、図２
は図１の半導体レーザ素子の模式的一部切り欠き斜視図
である。また、図３は図１の半導体レーザ素子の模式的
平面図、図４は図１の半導体レーザ素子の共振器長方向
の模式的断面図である。
【００３４】図２において、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、
Ｓｉドープのｎ−ＧａＩｎＰバッファ層２、Ｓｉドープ
のｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、量子井戸活性層
４、およびＺｎドープのｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッ
ド層５が順に形成されている。ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層３のＡｌ組成比は０．７であり、キャリア濃度は
３×１０17ｃｍ-3であり、膜厚は２．０μｍである。ｐ
−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５のＡｌ組成比は０．
７であり、キャリア濃度は１×１０18ｃｍ-3であり、膜
厚は０．３μｍである。
Ｓｉドープのｎ−ＧａＩｎＰバッファ層２、Ｓｉドープ
のｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、量子井戸活性層
４、およびＺｎドープのｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッ
ド層５が順に形成されている。ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層３のＡｌ組成比は０．７であり、キャリア濃度は
３×１０17ｃｍ-3であり、膜厚は２．０μｍである。ｐ
−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５のＡｌ組成比は０．
７であり、キャリア濃度は１×１０18ｃｍ-3であり、膜
厚は０．３μｍである。
【００３５】量子井戸活性層４は、ＡｌＧａＩｎＰ第１
光ガイド層、多重量子井戸構造およびＡｌＧａＩｎＰ第
２光ガイド層を順に含み、多重量子井戸構造はＧａＩｎ
Ｐ井戸層とＡｌＧａＩｎＰ障壁層とを交互に含む。Ａｌ
ＧａＩｎＰ第１光ガイド層のＡｌ組成比は０．５であ
り、膜厚は５０ｎｍである。ＡｌＧａＩｎＰ第２光ガイ
ド層のＡｌ組成比は０．５であり、膜厚は５０ｎｍであ
る。各ＧａＩｎＰ井戸層の膜厚は８ｎｍであり、各Ａｌ
ＧａＩｎＰ障壁層のＡｌ組成比は０．５であり、膜厚は
５ｎｍである。
光ガイド層、多重量子井戸構造およびＡｌＧａＩｎＰ第
２光ガイド層を順に含み、多重量子井戸構造はＧａＩｎ
Ｐ井戸層とＡｌＧａＩｎＰ障壁層とを交互に含む。Ａｌ
ＧａＩｎＰ第１光ガイド層のＡｌ組成比は０．５であ
り、膜厚は５０ｎｍである。ＡｌＧａＩｎＰ第２光ガイ
ド層のＡｌ組成比は０．５であり、膜厚は５０ｎｍであ
る。各ＧａＩｎＰ井戸層の膜厚は８ｎｍであり、各Ａｌ
ＧａＩｎＰ障壁層のＡｌ組成比は０．５であり、膜厚は
５ｎｍである。
【００３６】なお、しきい値電流の低減等などのレーザ
特性の向上のために、井戸層に圧縮歪または引っ張り歪
を導入してもよい。また、障壁層または光ガイド層の一
部に井戸層と逆方向の歪を導入した歪補償構造を採用し
てもよい。
特性の向上のために、井戸層に圧縮歪または引っ張り歪
を導入してもよい。また、障壁層または光ガイド層の一
部に井戸層と逆方向の歪を導入した歪補償構造を採用し
てもよい。
【００３７】ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５上の
ストライプ状の領域にＺｎドープのｐ−ＡｌＧａＩｎＰ
第２クラッド層６およびＺｎドープのｐ−ＧａＩｎＰコ
ンタクト層７が順に形成されている。ｐ−ＡｌＧａＩｎ
Ｐ第２クラッド層６のＡｌ組成比は０．７であり、キャ
リア濃度は１×１０18ｃｍ-3であり、膜厚は１．２μｍ
である。ｐ−ＧａＩｎＰコンタクト層７のキャリア濃度
は１×１０18ｃｍ-3であり、膜厚は０．１μｍである。
ストライプ状の領域にＺｎドープのｐ−ＡｌＧａＩｎＰ
第２クラッド層６およびＺｎドープのｐ−ＧａＩｎＰコ
ンタクト層７が順に形成されている。ｐ−ＡｌＧａＩｎ
Ｐ第２クラッド層６のＡｌ組成比は０．７であり、キャ
リア濃度は１×１０18ｃｍ-3であり、膜厚は１．２μｍ
である。ｐ−ＧａＩｎＰコンタクト層７のキャリア濃度
は１×１０18ｃｍ-3であり、膜厚は０．１μｍである。
【００３８】これらのｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド
層６およびｐ−ＧａＩｎＰコンタクト層７がストライプ
状のリッジ部Ｒを構成する。リッジ部Ｒの下端の幅は４
μｍである。
層６およびｐ−ＧａＩｎＰコンタクト層７がストライプ
状のリッジ部Ｒを構成する。リッジ部Ｒの下端の幅は４
μｍである。
【００３９】なお、リッジ部Ｒの形成の際のエッチング
の制御性を向上させるために、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１
クラッド層５とｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層６と
の間にＧａＩｎＰエッチング停止層を設けてもよい。
の制御性を向上させるために、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１
クラッド層５とｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層６と
の間にＧａＩｎＰエッチング停止層を設けてもよい。
【００４０】量子井戸活性層４の端面近傍の領域には、
不純物としてＺｎが拡散されたＺｎ拡散領域１３が設け
られている。Ｚｎ拡散領域１３では、量子井戸構造が無
秩序化され、端面近傍以外の領域に比べてバンドギャッ
プが拡大され、レーザ光を吸収しない窓構造となってい
る。
不純物としてＺｎが拡散されたＺｎ拡散領域１３が設け
られている。Ｚｎ拡散領域１３では、量子井戸構造が無
秩序化され、端面近傍以外の領域に比べてバンドギャッ
プが拡大され、レーザ光を吸収しない窓構造となってい
る。
【００４１】また、別の窓構造として、量子井戸活性層
４が自然超格子構造からなり、端面近傍では、自然超格
子が無秩序化された構造であってもよい。
４が自然超格子構造からなり、端面近傍では、自然超格
子が無秩序化された構造であってもよい。
【００４２】注入された電流をリッジ部Ｒの領域に狭窄
するために、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５上お
よびリッジ部Ｒの両側面に、Ｓｅドープのｎ−ＧａＡｓ
電流ブロック層８が形成されている。また、このｎ−Ｇ
ａＡｓ電流ブロック層８は、量子井戸活性層４の端面近
傍の領域への電流の注入を制限するためにＺｎ拡散領域
１３の上方のリッジ部Ｒの上面の領域にも形成されてい
る。ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層８のキャリア濃度は１
×１０18ｃｍ-3であり、膜厚は１．２μｍである。
するために、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５上お
よびリッジ部Ｒの両側面に、Ｓｅドープのｎ−ＧａＡｓ
電流ブロック層８が形成されている。また、このｎ−Ｇ
ａＡｓ電流ブロック層８は、量子井戸活性層４の端面近
傍の領域への電流の注入を制限するためにＺｎ拡散領域
１３の上方のリッジ部Ｒの上面の領域にも形成されてい
る。ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層８のキャリア濃度は１
×１０18ｃｍ-3であり、膜厚は１．２μｍである。
【００４３】ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層８上およびリ
ッジ部Ｒ上には、Ｚｎドープのｐ−ＧａＡｓキャップ層
９が形成されている。ｐ−ＧａＡｓキャップ層９のキャ
リア濃度は１×１０19ｃｍ-3であり、膜厚は３．０μｍ
である。
ッジ部Ｒ上には、Ｚｎドープのｐ−ＧａＡｓキャップ層
９が形成されている。ｐ−ＧａＡｓキャップ層９のキャ
リア濃度は１×１０19ｃｍ-3であり、膜厚は３．０μｍ
である。
【００４４】このようにして、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に
複数の層２〜９からなるレーザ素子構造３０が形成され
ている。ｎ−ＧａＡｓ基板１の裏面にはｎ電極１２が形
成されている。
複数の層２〜９からなるレーザ素子構造３０が形成され
ている。ｎ−ＧａＡｓ基板１の裏面にはｎ電極１２が形
成されている。
【００４５】上記の構造では、リッジ部Ｒの上面のうち
端面近傍の領域のみにｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層８が
形成されているため、端面近傍の領域におけるｐ−Ｇａ
Ａｓキャップ層９に隆起部２０が形成されている。
端面近傍の領域のみにｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層８が
形成されているため、端面近傍の領域におけるｐ−Ｇａ
Ａｓキャップ層９に隆起部２０が形成されている。
【００４６】図１、図３および図４に示すように、レー
ザ素子構造３０の上面にＣｒＡｕからなる第１電極１０
が形成されている。ｐ−ＧａＡｓキャップ層９の隆起部
２０に起因して端面近傍の第１電極１０の領域に隆起領
域２１が形成されている。第１電極１０の厚さは１．２
μｍである。
ザ素子構造３０の上面にＣｒＡｕからなる第１電極１０
が形成されている。ｐ−ＧａＡｓキャップ層９の隆起部
２０に起因して端面近傍の第１電極１０の領域に隆起領
域２１が形成されている。第１電極１０の厚さは１．２
μｍである。
【００４７】さらに、第１電極１０の隆起領域２１間の
領域にＰｄＡｕからなる第２電極１１が形成されてい
る。第２電極１１の膜厚は２．５μｍである。第２電極
１１の材料としてＣｒＡｕを用いてもよい。
領域にＰｄＡｕからなる第２電極１１が形成されてい
る。第２電極１１の膜厚は２．５μｍである。第２電極
１１の材料としてＣｒＡｕを用いてもよい。
【００４８】図１において、レーザ素子構造３０の幅Ｗ
は例えば３００μｍであり、共振器長Ｌは例えば９００
μｍである。
は例えば３００μｍであり、共振器長Ｌは例えば９００
μｍである。
【００４９】図５は図１〜図４の半導体レーザ素子の端
面近傍の拡大断面図である。レーザ素子構造３０の上面
から第２電極１１の上面までの高さＨは、隆起部２０の
高さｈ０と第１電極１０の膜厚ｔとの合計ｈ１と同じか
またはそれよりも大きく設定する。ここで、レーザ素子
構造３０の上面から第２電極１１の上面までの高さＨは
第１電極１０の膜厚および第２電極１１の膜厚の合計で
ある。
面近傍の拡大断面図である。レーザ素子構造３０の上面
から第２電極１１の上面までの高さＨは、隆起部２０の
高さｈ０と第１電極１０の膜厚ｔとの合計ｈ１と同じか
またはそれよりも大きく設定する。ここで、レーザ素子
構造３０の上面から第２電極１１の上面までの高さＨは
第１電極１０の膜厚および第２電極１１の膜厚の合計で
ある。
【００５０】本実施の形態では、第１電極１０の膜厚が
１．２μｍであり、第２電極１１の膜厚が２．５μｍで
あるため、レーザ素子構造３０の上面から第２電極１１
の上面までの高さＨは３．７μｍとなる。また、隆起部
２０の高さｈ０はｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層８の膜厚
に相当する１．２μｍであるため、隆起部２０の高さｈ
０と第１電極１０の膜厚ｔとの合計ｈ１は２．４μｍと
なる。
１．２μｍであり、第２電極１１の膜厚が２．５μｍで
あるため、レーザ素子構造３０の上面から第２電極１１
の上面までの高さＨは３．７μｍとなる。また、隆起部
２０の高さｈ０はｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層８の膜厚
に相当する１．２μｍであるため、隆起部２０の高さｈ
０と第１電極１０の膜厚ｔとの合計ｈ１は２．４μｍと
なる。
【００５１】図６は図１の半導体レーザ素子をサブマウ
ント上に取り付けた状態を示す共振器長方向の模式的断
面図、図７は図１の半導体レーザ素子をサブマウント上
に取り付けた状態を示す模式的正面図である。
ント上に取り付けた状態を示す共振器長方向の模式的断
面図、図７は図１の半導体レーザ素子をサブマウント上
に取り付けた状態を示す模式的正面図である。
【００５２】また、リッジ部Ｒ上のｎ−ＧａＡｓ電流ブ
ロック層８による電流非注入部の長さＬ１（図５参照）
は３０μｍである。
ロック層８による電流非注入部の長さＬ１（図５参照）
は３０μｍである。
【００５３】図６および図７に示すように、図１の半導
体レーザ素子１００を第２電極１１を下に向けてサブマ
ウント２００の上面にジャンクションダウンで取り付け
た場合、第２電極１１の上面の全体がサブマウント２０
０の上面に接触する。そのため、ストレスが半導体レー
ザ素子１００の特定の部分に加わらず、半導体レーザ素
子１００の全体に分散されて低減される。また、第２電
極１１とサブマウント２００との接触面積が大きくなる
ため、放熱特性が良好になるとともに、接着強度が向上
する。さらに、半導体レーザ素子１００がサブマウント
２００上に傾かずに安定に固定される。これらの結果、
半導体レーザ素子１００の信頼性が向上する。
体レーザ素子１００を第２電極１１を下に向けてサブマ
ウント２００の上面にジャンクションダウンで取り付け
た場合、第２電極１１の上面の全体がサブマウント２０
０の上面に接触する。そのため、ストレスが半導体レー
ザ素子１００の特定の部分に加わらず、半導体レーザ素
子１００の全体に分散されて低減される。また、第２電
極１１とサブマウント２００との接触面積が大きくなる
ため、放熱特性が良好になるとともに、接着強度が向上
する。さらに、半導体レーザ素子１００がサブマウント
２００上に傾かずに安定に固定される。これらの結果、
半導体レーザ素子１００の信頼性が向上する。
【００５４】ここで、上述のように、電極層を第１電極
１０と第２電極１１とで構成することが最良であるが、
第１電極１０を形成せず、第２電極１１のみとしてもよ
い。
１０と第２電極１１とで構成することが最良であるが、
第１電極１０を形成せず、第２電極１１のみとしてもよ
い。
【００５５】次に、図１〜図４の半導体レーザ素子の製
造方法について説明する。ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、減
圧有機金属気相成長法（ＯＭＶＰＥ法）等の結晶成長法
により、図２に示したレーザ素子構造３０を形成する。
造方法について説明する。ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、減
圧有機金属気相成長法（ＯＭＶＰＥ法）等の結晶成長法
により、図２に示したレーザ素子構造３０を形成する。
【００５６】次に、蒸着法およびフォトリソグラフィ工
程により、レーザ素子構造３０の上面のほぼ全体に第１
電極１０を形成する。この第１電極１０は、両端面近傍
のｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層８からなる電流非注入部
上の隆起部２０にも形成される。
程により、レーザ素子構造３０の上面のほぼ全体に第１
電極１０を形成する。この第１電極１０は、両端面近傍
のｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層８からなる電流非注入部
上の隆起部２０にも形成される。
【００５７】次に、蒸着法およびリフトオフ法により、
第１電極１０の隆起領域２１間の領域に第２電極１１を
形成する。この場合、予め両端面近傍の隆起領域２１を
含む所定幅の領域にマスクを形成した後、第２電極１１
の材料を蒸着する。その後、アセトンにより不要な蒸着
膜を除去する。
第１電極１０の隆起領域２１間の領域に第２電極１１を
形成する。この場合、予め両端面近傍の隆起領域２１を
含む所定幅の領域にマスクを形成した後、第２電極１１
の材料を蒸着する。その後、アセトンにより不要な蒸着
膜を除去する。
【００５８】その後、ｎ−ＧａＡｓ基板１の裏面をエッ
チングにより研磨し、ｎ−ＧａＡｓ基板１の厚さを１０
０μｍ程度とする。次いで、ｎ−ＧａＡｓ基板１の裏面
に蒸着法によりｎ電極１２を形成する。
チングにより研磨し、ｎ−ＧａＡｓ基板１の厚さを１０
０μｍ程度とする。次いで、ｎ−ＧａＡｓ基板１の裏面
に蒸着法によりｎ電極１２を形成する。
【００５９】最後に、スクライブ法等により素子分離を
行った後、図６および図７に示したようにジャンクショ
ンダウンで半導体レーザ素子１００をサブマウント２０
０上に取り付ける。
行った後、図６および図７に示したようにジャンクショ
ンダウンで半導体レーザ素子１００をサブマウント２０
０上に取り付ける。
【００６０】なお、金めっきにより第２電極１１の膜厚
を１０μｍ程度と厚くしてもよい。図８は第２電極１１
の他の例を示す模式的平面図である。図８の例では、第
２電極１１が第１電極１０の隆起領域２１を部分的に取
り囲むように設けられている。この場合にも、半導体レ
ーザ素子１００を第２電極１１を下に向けてサブマウン
ト２００の上面にジャンクションダウンで取り付けた場
合、第２電極１１の上面の全体がサブマウント２００上
面に接触する。
を１０μｍ程度と厚くしてもよい。図８は第２電極１１
の他の例を示す模式的平面図である。図８の例では、第
２電極１１が第１電極１０の隆起領域２１を部分的に取
り囲むように設けられている。この場合にも、半導体レ
ーザ素子１００を第２電極１１を下に向けてサブマウン
ト２００の上面にジャンクションダウンで取り付けた場
合、第２電極１１の上面の全体がサブマウント２００上
面に接触する。
【００６１】なお、上記実施の形態では、第１電極１０
および第２電極１１の合計の膜厚を３．７μｍとしてい
るが、第１電極１０および第２電極１１の合計の膜厚を
５μｍ以上にすることが好ましい。それにより、半導体
レーザ素子の信頼性が向上するとともに偏光特性が改善
される。第１電極１０および第２電極１１の膜厚の合計
を１０μｍ以上にすることがより好ましい。それによ
り、半導体レーザ素子の信頼性がさらに向上するととも
に、偏光特性がさらに改善される。
および第２電極１１の合計の膜厚を３．７μｍとしてい
るが、第１電極１０および第２電極１１の合計の膜厚を
５μｍ以上にすることが好ましい。それにより、半導体
レーザ素子の信頼性が向上するとともに偏光特性が改善
される。第１電極１０および第２電極１１の膜厚の合計
を１０μｍ以上にすることがより好ましい。それによ
り、半導体レーザ素子の信頼性がさらに向上するととも
に、偏光特性がさらに改善される。
【００６２】また、上記実施の形態では、第１電極１０
および第２電極１１を別個に形成しているが、第１電極
１０および第２電極１１を同一の材料により一体的に形
成してもよい。
および第２電極１１を別個に形成しているが、第１電極
１０および第２電極１１を同一の材料により一体的に形
成してもよい。
【００６３】
【実施例】ここで、実施例および比較例の半導体レーザ
素子の信頼性試験を行った。実施例の半導体レーザ素子
は図１〜図４の構造を有し、比較例の半導体レーザ素子
は、図１１〜図１４の構造を有する。なお、比較例の半
導体レーザ素子は、ｐ電極４１が第１電極１０および第
２電極１１と異なる点を除いて、実施例の半導体レーザ
素子と同じ構造を有する。
素子の信頼性試験を行った。実施例の半導体レーザ素子
は図１〜図４の構造を有し、比較例の半導体レーザ素子
は、図１１〜図１４の構造を有する。なお、比較例の半
導体レーザ素子は、ｐ電極４１が第１電極１０および第
２電極１１と異なる点を除いて、実施例の半導体レーザ
素子と同じ構造を有する。
【００６４】図９は実施例および比較例の半導体レーザ
素子の信頼性試験の結果を示す図である。この信頼性試
験では、実施例および比較例の半導体レーザ素子をパル
ス発振させた。パルス出力は７０ｍＷであり、周囲温度
は６０℃である。
素子の信頼性試験の結果を示す図である。この信頼性試
験では、実施例および比較例の半導体レーザ素子をパル
ス発振させた。パルス出力は７０ｍＷであり、周囲温度
は６０℃である。
【００６５】図９に示すように、比較例の半導体レーザ
素子は短時間で動作電流が上昇し、故障したが、実施例
の半導体レーザ素子は１０００時間以上安定に動作し
た。
素子は短時間で動作電流が上昇し、故障したが、実施例
の半導体レーザ素子は１０００時間以上安定に動作し
た。
【図１】本発明の一実施の形態における高出力半導体レ
ーザ素子の模式的外観斜視図である。
ーザ素子の模式的外観斜視図である。
【図２】図１の半導体レーザ素子の模式的一部切り欠き
斜視図である。
斜視図である。
【図３】図１の半導体レーザ素子の模式的平面図であ
る。
る。
【図４】図１の半導体レーザ素子の共振器長方向の模式
的断面図である。
的断面図である。
【図５】図１〜図４の半導体レーザ素子の端面近傍の拡
大断面図である。
大断面図である。
【図６】図１の半導体レーザ素子をサブマウント上に取
り付けた状態を示す共振器長方向の模式的断面図であ
る。
り付けた状態を示す共振器長方向の模式的断面図であ
る。
【図７】図１の半導体レーザ素子をサブマウント上に取
り付けた状態を示す模式的正面図である。
り付けた状態を示す模式的正面図である。
【図８】第２電極の他の例を示す模式的平面図である。
【図９】実施例および比較例の半導体レーザ素子の信頼
性試験の結果を示す図である。
性試験の結果を示す図である。
【図１０】端面電流非注入構造を有する従来の半導体レ
ーザ素子の一部切り欠き斜視図である。
ーザ素子の一部切り欠き斜視図である。
【図１１】窓構造を有する従来の半導体レーザ素子の一
部切り欠き斜視図である。
部切り欠き斜視図である。
【図１２】図１０または図１１のレーザ素子構造を有す
る従来の高出力半導体レーザ素子の模式的外観斜視図で
ある。
る従来の高出力半導体レーザ素子の模式的外観斜視図で
ある。
【図１３】図１２の半導体レーザ素子の模式的平面図で
ある。
ある。
【図１４】図１２の半導体レーザ素子の共振器長方向の
模式的断面図である。
模式的断面図である。
【図１５】図１２の半導体レーザ素子をサブマウント上
に取り付けた状態を示す共振器長方向の模式的断面図で
ある。
に取り付けた状態を示す共振器長方向の模式的断面図で
ある。
【図１６】図１２の半導体レーザ素子をサブマウント上
に取り付けた状態を示す模式的平面図である。
に取り付けた状態を示す模式的平面図である。
１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ２ ｎ−ＧａＩｎＰバッファ層 ３ ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ４ 量子井戸活性層 ５ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層 ６ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層 ７ ｐ−ＧａＩｎＰコンタクト層 ８ ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層 ９ ｐ−ＧａＡｓキャップ層 １０ 第１電極 １１ 第２電極 １２ ｎ電極 １３ Ｚｎ拡散領域 ２０ 隆起部 ２１ 隆起領域 ３０ レーザ素子構造 １００ 半導体レーザ素子 ２００ サブマウント
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１３年８月２９日（２００１．８．２
９）
９）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】このようなＣＯＤを抑制する方法として、
端面電流非注入構造やＺｎ拡散による窓構造が、ＥＬＥ
ＣＴＲＯＮＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ，Ｖｏｌ．３３，Ｎ
ｏ．１２，ｐｐ．１０８４−１０８６，１９９７やＩＥ
ＥＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦＱＵＡＮＴＵＭ ＥＬＥＣ
ＴＲＯＮＩＣＳ，Ｖｏｌ．２９，Ｎｏ．６，ｐｐ．１８
７４−１８７９，１９９３に開示されている。
端面電流非注入構造やＺｎ拡散による窓構造が、ＥＬＥ
ＣＴＲＯＮＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ，Ｖｏｌ．３３，Ｎ
ｏ．１２，ｐｐ．１０８４−１０８６，１９９７やＩＥ
ＥＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦＱＵＡＮＴＵＭ ＥＬＥＣ
ＴＲＯＮＩＣＳ，Ｖｏｌ．２９，Ｎｏ．６，ｐｐ．１８
７４−１８７９，１９９３に開示されている。
フロントページの続き (72)発明者 岡本 重之 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 冨永 浩司 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 野村 康彦 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 井上 大二朗 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5F073 AA09 AA13 AA45 AA61 AA74 AA87 CA14 CB22 DA05 DA30 DA35 EA28 FA16
Claims (7)
- 【請求項１】 基板と、 前記基板上に形成されるとともに共振器を構成する活性
層を含むレーザ素子構造と、 前記レーザ素子構造上に形成された電極層とを備え、 前記レーザ素子構造は、上面に隆起部を有し、前記電極
層は、前記隆起部上の領域で０以上の第１の膜厚を有
し、前記隆起部を除く領域で前記第１の膜厚よりも大き
な第２の膜厚を有することを特徴とする半導体レーザ素
子。 - 【請求項２】 前記第２の膜厚は、前記隆起部の高さと
前記第１の膜厚との合計以上であることを特徴とする請
求項１記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項３】 前記電極層は、 前記レーザ素子構造の上面に前記隆起部の少なくとも一
部を被覆するように形成された第１電極と、 前記隆起部に起因して前記第１電極に形成された隆起領
域を除いて前記第１電極上に形成された第２電極とを含
むことを特徴とする請求項１または２記載の半導体レー
ザ素子。 - 【請求項４】 前記レーザ素子構造は、第１導電型のク
ラッド層と、活性層と、第２導電型のクラッド層とを順
に含み、 前記第２導電型のクラッド層は、平坦部と、前記平坦部
上のストライプ状の領域に形成されたリッジ部とを有
し、 前記レーザ素子構造は、前記リッジ部の両側の前記平坦
部上、前記リッジ部の側面および前記リッジ部の上面の
共振器端面側の領域に形成された第１導電型の電流ブロ
ック層をさらに含み、 前記隆起部は、前記リッジ部の上面の端面側の領域に形
成された前記電流ブロック層の部分に起因して形成され
たことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半
導体レーザ素子。 - 【請求項５】 前記隆起部は、両方の共振器端面側に形
成された一対の隆起部分からなることを特徴とする請求
項１〜４のいずれかに記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項６】 前記活性層は量子井戸構造を有し、前記
活性層の共振器端面側の領域は不純物の導入により前記
活性層の他の領域よりも大きなバンドギャップを有する
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導
体レーザ素子。 - 【請求項７】 前記電極層上に取り付けられた放熱体を
さらに備えたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか
に記載の半導体レーザ素子。
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