JP2016026410A - 半導体レーザーダイオード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体レーザーダイオードは、内部に側方に離隔されたn−領域及びp−領域を有する半導体部を備える。レーザーダイオードは、前端及び後端部を有するn−領域とp−領域との間の活性領域、n−領域に隣接して位置し、活性領域内に電流を導入するための第一の導入部を有するn−メタライゼーション層、並びにn−メタライゼーション層に対向して、p−領域に隣接し、活性領域内に電流を導入するための第二の導入部を有するp−メタライゼーション層を有して提供される。少なくとも一つのメタライゼーション層の厚さ及び/または幅は、活性領域の少なくとも一端の近傍の活性領域の一部における電流導入を、活性領域の他の部分における電流導入と比較して制御できるように選択される。少なくとも一つのメタライゼーション層の幅は、活性領域の幅よりも大きい。
【選択図】図4d
Description
101、102 電極
103 量子井戸活性領域
104、105 半導体クラッド層
200、201、202 光子密度分布
300、400a、400b、400c、400d 高出力レーザーダイオード
301 n−メタライゼーション層
302、402 p−メタライゼーション層
402a 薄い金属層
402b 厚い金属層
303、403 活性領域
304 n−半導体クラッド層
305 p−半導体クラッド層
306、411 前端
412 後端
413 ワイヤーボンド
415 絶縁ギャップ
421 絶縁層
501、502、503 電流密度
511、512、513 電圧分布
Claims (19)
- 内部に側方に離隔されたn−領域及びp−領域を有する半導体部、
前端及び後端を有する前記n−領域と前記p−領域との間の活性領域、
前記n−領域に隣接し、その上部に配置されて前記活性領域内へ電流を導入するための第一の導入部を有する第一のメタライゼーション層、並びに
前記第一のメタライゼーション層と対向し、前記p−領域に隣接し、その上部に配置されて前記活性領域内へ電流を導入するための第二の導入部を有する第二のメタライゼーション層を備え、
少なくとも一つの前記メタライゼーション層の厚さ及び/または幅が、前記活性領域の少なくとも一端の近傍の活性領域の一部における電流導入を、前記活性領域の他の部分における電流導入と比較して制御できるように選択され、少なくとも一つの前記メタライゼーション層の幅が、前記活性領域の幅よりも大きい、半導体レーザーダイオード。 - 少なくとも一つの前記メタライゼーション層が、前記活性領域の前端近傍に前端部を備え、前記前端部が、前記活性領域の前端近傍の電流導入が前記活性領域の他のどの領域における電流導入と比較しても実質的に減少されるように構成される、請求項1に記載のレーザーダイオード。
- 少なくとも一つの前記メタライゼーション層の前端部の幅及び/または厚さが、少なくとも一つの前記メタライゼーション層の他のどの部分の厚さよりも薄い、請求項2に記載のレーザーダイオード。
- 少なくとも一つの前記メタライゼーション層の前端部が、少なくとも一つの前記メタライゼーション層の抵抗が前記前端部において少なくとも一つの前記メタライゼーション層内の他のどの領域と比較しても増加されるように構成される、請求項2または3に記載のレーザーダイオード。
- 少なくとも一つの前記メタライゼーション層が、前記活性領域の前端及び後端近傍の電流導入が前記活性領域の中間部における電流導入と比較して減少されるように構成される、請求項1から4のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。
- 少なくとも一つの前記メタライゼーション層が、前記活性領域の前端近傍でほぼ均一な電流密度を提供するように構成される、請求項1から5のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。
- 前記活性領域が、前記前端近傍で拡張部を備え、前記拡張部が、減少された幅及び/または厚さを有する少なくとも一つの前記メタライゼーション層の一部によって覆われる、請求項1から6のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。
- 前記導入部が、前記活性領域の少なくとも一端から離れた少なくとも一つの前記メタライゼーション層の一部の上に位置されたワイヤーボンドを備える、請求項1から7のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。
- 前記活性領域の前端において少なくとも一つの前記メタライゼーション層と前記半導体部との間に、前記活性領域の前端における電流導入を遮断するための絶縁層をさらに備え、前記絶縁層が、前記活性領域内において非ポンプ端部を形成する、請求項1から8のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。
- 少なくとも一つの前記メタライゼーション層が、第一の層及び第二の層を備え、前記第二の層が、前記第一の層よりも厚い、請求項1から9のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。
- 前記第二の層が、少なくとも一つの前記メタライゼーション層の後端部上で前記第一の層の少なくとも一部を覆う、請求項10に記載のレーザーダイオード。
- 少なくとも一つの前記メタライゼーション層の前端部の幅及び/または厚さが、少なくとも一つの前記メタライゼーション層内に絶縁ギャップを提供することによって減少される、請求項1から11のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。
- 前記活性領域の前端近傍の実質的に減少された電流導入が、サブマウントプロファイリングまたは前記p−領域及び/または前記n−領域の材料最適化、または少なくとも一つの前記メタライゼーション層の材料最適化によって発生される、請求項1から12のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。
- フレアリッジダイオード、
非フレアリッジダイオード、及び
広域シングルエミッタ(BASE)ダイオード、
からなる群から選択される、請求項1から13のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。 - 前記半導体部の前記p−領域が、メタライズされたサブマウントと接合されるように構成される、請求項1から14のいずれか一項に記載のレーザーダイオード。
- 内部に側方に離隔されたn−領域及びp−領域を有する半導体部、
前端及び後端を有する前記n−領域と前記p−領域との間の活性領域、
前記n−領域に隣接し、その上部に配置されて前記活性領域内へ電流を導入するための第一の導入部を有する第一のメタライゼーション層並びに、
前記第一のメタライゼーション層と対向し、前記p−領域に隣接し、その上部に配置されて前記活性領域内へ電流を導入するための第二の導入部を有する第二のメタライゼーション層を備える高出力レーザーダイオードを製造する方法であって、
少なくとも一つの前記メタライゼーション層の幅及び/または厚さをダイオードの長さに沿って、前記活性領域の少なくとも一端の近傍の前記活性領域の一部における電流導入を、前記活性領域の他の部分における電流導入と比較して制御できるように変更することを含み、少なくとも一つの前記メタライゼーション層の幅が、前記ダイオードの長さに沿った前記活性領域の幅よりも大きい、方法。 - 少なくとも一つの前記メタライゼーション層を、選択的成膜及び成膜後の選択的除去またはエッチングを備える群から選択されたパターニングプロセスによって製造することを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記パターニングプロセスに用いられるマスクの形状を、前記メタライゼーション層の所定のパターンを得ることができるように選択することをさらに含む、請求項17に記載の方法。
- 少なくとも一つの前記メタライゼーション層の前端部の幅及び/または厚さを、後端部と比較して減少させること、
少なくとも一つの前記メタライゼーション層の前記後端部上にワイヤーボンドを備える少なくとも一つの前記導入部を位置させること、
サブマウントの形状を形成すること、または前記p−領域及び/もしくは前記n−領域の材料を最適化すること、及び
少なくとも一つの前記メタライゼーション層と前記半導体部との間の前記活性領域の前端に絶縁層を形成すること、
の一つまたはすべてによって、前記前端における電流導入が減少される、請求項16から18のいずれか一項に記載の方法。
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EP3794694B1 (en) | 2018-05-14 | 2023-11-08 | Trumpf Photonics, Inc. | Low current, high power laser diode bar |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4856017A (en) * | 1987-12-22 | 1989-08-08 | Ortel Corporation | Single frequency high power semiconductor laser |
JPH04282883A (ja) * | 1991-03-11 | 1992-10-07 | Toshiba Corp | 光増幅装置 |
JPH0637386A (ja) * | 1992-07-14 | 1994-02-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ |
JPH08335742A (ja) * | 1995-04-07 | 1996-12-17 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体デバイス |
JP2002076502A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
JP2003086891A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-03-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよびこれを用いたラマン増幅器ならびにwdm通信システム |
JP2003258370A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子及び光モジュール |
JP2005235830A (ja) * | 2004-02-17 | 2005-09-02 | Anritsu Corp | 半導体レーザ |
JP2006134943A (ja) * | 2004-11-02 | 2006-05-25 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3551842A (en) * | 1968-03-27 | 1970-12-29 | Rca Corp | Semiconductor laser having high power output and reduced threshold |
JPH02168691A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-06-28 | Fujitsu Ltd | 光双安定半導体レーザ.光双安定レーザ装置及び制御方法 |
JPH02278781A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-15 | Nec Corp | 半導体レーザダイオード |
US5392308A (en) * | 1993-01-07 | 1995-02-21 | Sdl, Inc. | Semiconductor laser with integral spatial mode filter |
GB2283858A (en) | 1993-11-12 | 1995-05-17 | British Tech Group | Semiconductor laser |
JP2817769B2 (ja) | 1994-12-28 | 1998-10-30 | 日本電気株式会社 | 光増幅装置及びそれを用いた半導体レーザ装置,並びにそれらの駆動方法 |
TW289175B (ja) * | 1995-04-07 | 1996-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | |
JP3339369B2 (ja) * | 1997-05-30 | 2002-10-28 | 株式会社デンソー | レーザダイオード |
JP2001358405A (ja) | 2000-06-14 | 2001-12-26 | Nec Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
JP2002026448A (ja) | 2000-07-05 | 2002-01-25 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
JP3970530B2 (ja) | 2001-02-19 | 2007-09-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2002261379A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体デバイスおよびそれを応用した光半導体デバイス |
JP2003008145A (ja) | 2001-06-27 | 2003-01-10 | Sony Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
US6898227B2 (en) | 2001-12-14 | 2005-05-24 | Adc Telecommunications, Inc. | Semiconductor laser with a tapered ridge |
US6967982B2 (en) * | 2001-12-25 | 2005-11-22 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device with a strain reduction cushion function, semiconductor laser module, and semiconductor laser device fabrication method |
JP3968564B2 (ja) * | 2002-03-14 | 2007-08-29 | 日本電気株式会社 | ファイバー型光増幅器、光中継器、および光伝送システム |
EP1710877B1 (en) | 2003-12-22 | 2010-12-01 | Panasonic Corporation | Surface-emitting laser and laser projector |
DE602004024451D1 (de) * | 2003-12-22 | 2010-01-14 | Panasonic Corp | Halbleiterlaser-bauelement und laserprojektor |
GB2427752A (en) | 2005-06-28 | 2007-01-03 | Bookham Technology Plc | High power semiconductor laser diode |
JP4535997B2 (ja) * | 2005-12-09 | 2010-09-01 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP4929776B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2012-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
JP2008244440A (ja) | 2007-02-13 | 2008-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置及び画像表示装置 |
-
2010
- 2010-04-06 GB GBGB1005696.8A patent/GB201005696D0/en not_active Ceased
-
2011
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2015
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4856017A (en) * | 1987-12-22 | 1989-08-08 | Ortel Corporation | Single frequency high power semiconductor laser |
JPH04282883A (ja) * | 1991-03-11 | 1992-10-07 | Toshiba Corp | 光増幅装置 |
JPH0637386A (ja) * | 1992-07-14 | 1994-02-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ |
JPH08335742A (ja) * | 1995-04-07 | 1996-12-17 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体デバイス |
JP2002076502A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
JP2003086891A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-03-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよびこれを用いたラマン増幅器ならびにwdm通信システム |
JP2003258370A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子及び光モジュール |
JP2005235830A (ja) * | 2004-02-17 | 2005-09-02 | Anritsu Corp | 半導体レーザ |
JP2006134943A (ja) * | 2004-11-02 | 2006-05-25 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
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