JP2006134943A - 半導体レーザ素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 共振器端面の光損傷防止及びＩ−Ｌキンク発生の防止。
【解決手段】 半導体レーザ素子のレーザ光を出射する共振器端面近傍に、共振器に沿って周期的に電流が供給されない非注入部が形成されている。非注入部は一定の長さを持ち、一定のピッチに設けられている。従って、この非注入部の存在によって高出力下においてＩ−Ｌキンクが発生したり、あるいは共振器端面の光損傷も起きなくなる。
【選択図】 図２

Description

本発明は半導体レーザ素子及びその製造方法に係わり、例えば、出力Ｐｏが１０ｍＷ以上となる可視光レーザダイオード（ＬＤ）の製造技術に適用して有効な技術に関する。

半導体レーザ（ＬＤ）は光通信システムの光源や情報処理機器の光源として多用されている。ＣＤ，ＶＤ機器，レーザプリンタ，ＰＯＳ，バーコードリーダをはじめ、文書ファイルシステムなどの情報処理機器の光源として可視光半導体レーザが使用されている。

情報処理機器の処理能力増大等に伴い、光源としての半導体レーザもより出力の高いものが要請されている。出力Ｐｏが１０ｍＷ以上となると、レーザ光を放射する出射面の光損傷（ＣＯＤ：Catastrophic Optical Damage）が発生し、レーザ光放出が続行できなくなる。そこで、従来は半導体レーザの共振器の端面部分に亜鉛拡散を行って窓構造を形成し、出射面での破壊を防止する技術が採用されている（例えば、特許文献１）。
また、端面近傍に電流非注入領域を設けることにより、端面の温度上昇を抑え、ＣＯＤの発生を防ぐ構造も提案されている（例えば、特許文献２）。

特開平１１−６８２１７号公報 特開２００３−１５８３３９号公報

ＣＯＤ対策として採用されているＺｎの選択的拡散による窓構造は、半導体レーザチップの共振器の端面ともなる出射面の近傍に亜鉛（Ｚｎ）を拡散し、活性層となるＭＱＷ（多重量子井戸層）を混晶化することにより、Ｅｇ（エネルギーバンドギャップ）を拡大し、端面を発振波長に対して透明化することで、ＣＯＤレベルを改善している。

しかし、Ｚｎの拡散による窓構造は、追加プロセスを必要とするだけでなく、Ｚｎ拡散による半導体レーザの閾値（Ｉｔｈ）が増加する等の弊害も発生する。Ｚｎ拡散による窓構造での問題を避けるために、端面近傍を電流非注入とする構造が提案されている。しかし、端面近傍電流非注入構造である窓構造では以下の問題があることが判明した。半導体レーザチップはウエハを縦横に分断して形成する。半導体レーザ素子（半導体レーザチップ）のレーザ光を出射する出射面はレーザ光の反射鏡である必要があることから、半導体基板（結晶）を劈開して形成する。このため、劈開線は一定せずばらつく。この劈開のばらつきによって非注入部の長さがばらつき、そのばらつきも大きい。そのばらつきが、例えば、７μｍ以上と大きくなると弊害が発生することが判明した。半導体基板の劈開は基板の一縁に鋭利なカッターを当てて劈開を行うため、設計上の劈開線に対して、例えば、最大で１０μｍ程度ばらつく。

劈開のばらつきによって非注入部が長くなると、過飽和吸収によってＩ−Ｌキンクが発生する。また、非注入部が短すぎると温度上昇の抑制効果が小さくなる。このため、安定したＣＯＤ対策が難しくなる。

本発明の目的は、Ｉ−Ｌキンクが起き難い半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、半導体レーザの共振器端面の光損傷を抑制できる半導体レーザ及びその製造方法を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

（１）半導体レーザ素子は、第１の導電型からなる半導体基板（ｎ型のＧａＡｓ基板）と、前記半導体基板の上面に設けられる活性層（ＡｌＧａＩｎＰからなる障壁層と、ＡｌＧａＩｎＰまたはＩｎＧａＰからなる井戸層を多重に形成した多重量子井戸構造）と、前記活性層上に形成される第２の導電型からなる半導体層（ｐ型のＡｌＧａＩｎＰ層）と、前記半導体層上に形成され、前記半導体基板及び前記活性層並びに前記半導体層によって形成される細長の共振器の端から端に亘って対応して設けられ、前記共振器の前記活性層部分に電流を注入する電極とを有し、前記共振器の少なくとも一方の端側において、前記活性層への電流の注入を阻止する絶縁体からなる非注入部と、前記活性層への電流の注入をする注入部が前記共振器の延在方向に沿って周期的に設けられていることを特徴とする。半導体レーザ素子は、前記半導体層の上面から途中深さにまで到達するように設けられる２本の溝と、前記２本の溝に挟まれて形成される前記半導体層からなるメサと、前記メサの上面を除いて前記半導体層上面に設けられる絶縁膜とを有し、前記電極は前記メサの上面に電気的に接続され、前記メサの下方部分が前記共振器を構成している。前記非注入部は、前記半導体層によって形成されるメサと前記電極との間に設けられ、かつ前記共振器を横切る絶縁膜によって形成されている。前記非注入部は一定の長さで一定のピッチで配置されている。

このような半導体レーザ素子は以下の方法で製造される。半導体レーザ素子は、
（ａ）第１の導電型からなる半導体基板（ｎ型のＧａＡｓ基板）を準備する工程と、
（ｂ）前記半導体基板の上面に活性層（ＡｌＧａＩｎＰからなる障壁層と、ＡｌＧａＩｎＰまたはＩｎＧａＰからなる井戸層を多重に形成した多重量子井戸構造）を形成する工程と、
（ｃ）前記活性層上に第２の導電型からなる半導体層（ｐ型のＡｌＧａＩｎＰ層）を形成する工程と、
（ｄ）前記半導体層を除去するように２本の溝を所定間隔に形成して前記活性層上に前記２本の溝に挟まれる突出した１本のメサを複数形成し、前記メサの下に共振器を構成する工程と、
（ｅ）前記メサの上面を除いて前記半導体基板の上面を覆う絶縁膜を形成する工程と、
（ｆ）前記絶縁膜上に選択的に形成し、一部は前記メサ上に重なる電極を形成する工程と、
（ｇ）前記半導体基板の下面に電極を形成する工程と、
（ｈ）前記半導体基板及びその上の各層を前記メサとメサとの間で分断するとともに、前記メサに直交する方向に一定間隔で劈開して四角形の半導体レーザ素子を複数形成する工程と、
前記分断及び前記劈開を行う前記工程（ｈ）の前に行う、（ｉ）前記劈開を行う劈開線の両側の所定長さ域を含む劈開予定領域に、前記活性層への電流の注入を阻止する絶縁体からなる非注入部を前記共振器の延在方向に沿って周期的に設けておく工程とによって製造される。

また、前記半導体層上に形成する絶縁膜を前記メサと前記電極の間に選択的に形成して前記非注入部を形成する。前記非注入部を一定の長さで一定のピッチで配置する。

本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

前記（１）の手段によれば、（ａ）共振器を形成するｐｎ接合に対して電流を供給する領域（注入部）と電流を供給しない領域（非注入部）が、共振器端面を形成する領域をも含めて一定領域に周期的に設けられている。従って、半導体基板を劈開した際、劈開位置が大きくばらついても劈開面近傍では注入部と非注入部が交互に設けられていることから、劈開位置のばらつき寸法がそのまま非注入部の長さのばらつきとはならない。

特に、劈開位置のばらついた寸法領域に複数の注入部が存在する場合には、劈開位置のばらつきに対する非注入部の増減の比率は小さくなる。

本発明による非注入部の長さは５μｍ程度となる。この結果、非注入部が７μｍ以上と長すぎることによって発生する過飽和吸収によるＩ−Ｌキンクの発生を抑止でき、光損傷（ＣＯＤ）を抑止することができる。

（ｂ）本発明の半導体レーザ素子の製造方法では、メサの上面を除いて半導体基板の上面を覆う絶縁膜を形成する工程（ｅ）において、絶縁膜の一部をメサ上に部分的に設け、この部分的に設けた絶縁膜部分で前記非注入部を形成する。従って、製造においては絶縁膜をパターニングするホトマスクを変更するだけで前記非注入部を形成する絶縁膜の製造は可能であり、工程数は増大しない。この結果、半導体レーザ素子の製造コストの高騰を抑えることができる。

以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。なお、発明の実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

図１乃至図１５は本発明の実施例１である半導体レーザ素子に係わる図である。図１乃至図４は半導体レーザ素子の構造に係わる図、図５乃至図１４は半導体レーザ素子の製造方法に係わる図である。また、図１５は本実施例１の半導体レーザ素子を組み込んだ半導体レーザ装置の一部を切り欠いた斜視図である。

本実施例１では、０．６μｍ帯の赤色半導体レーザ（半導体レーザ素子）の製造に本発明を適用した例について説明する。また、本実施例１では第１導電型としてｎ型（Ｎ型）、第２導電型としてｐ型（Ｐ型）の波長が６３０ｎｍ帯の半導体レーザ素子の例について説明する。

本実施形態１の半導体レーザ素子１は、図１及び図２に示す構造になっている。図１は半導体レーザ素子１の外観を示す模式的斜視図、図２（ａ）〜（ｃ）は、図１のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線に沿う各断面図である。

半導体レーザ素子（半導体レーザチップ）１は図１及び図２に示すように、１００μｍ程度の厚さの半導体基板２を基にして製造されている。半導体基板２は、例えば、ｎ型のＧａＡｓ基板２である。ｎ−ＧａＡｓ基板２の主面（図１及び図２においては上面）には、図２に示すように、活性層３、ｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなる半導体層４が形成されている。活性層３は、ＡｌＧａＩｎＰからなる厚さ５ｎｍの障壁層と、ＩｎＧａＰからなる厚さ１２ｎｍの井戸層を多重に形成した多重量子井戸構造となっている。井戸層は３層となっている。半導体層４は１μｍ程度の厚さになっている。なお、半導体基板２の主面にエピタキシャル成長によってｎ型のＧａＡｓ層を設けておき、このｎ型のＧａＡｓ層上に活性層３を形成してもよい。

半導体層４の上面には、図１及び図２（ｃ）に示すように、平行に２本の溝５ａ，５ｂが設けられている。この溝５ａ，５ｂは活性層３の近傍にまで到達する深さとなっている。例えば、溝５ａ，５ｂの底の半導体層４の厚さは１μｍ程度である。一対の溝５ａ，５ｂに挟まれる部分はｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなる突出したメサ（突条）６となる。メサ６の幅は２μｍ程度となり、前記溝５ａ，５ｂの幅はそれぞれ１０μｍ程度になっている。

半導体レーザ素子１の上面には絶縁膜７が設けられている。この絶縁膜７は、図２（ｃ）に示すように、メサ６の側面及び溝５ａ，５ｂ並びに溝５ａ，５ｂの外側に位置する半導体層４を覆っている。また、この絶縁膜７は、図２（ａ）、図３及び図４（ａ），（ｂ）に示すように、細長いメサ６の端の部分ではメサ６を横切るようにメサ６の上面に形成されている。このメサ６を横切り、かつメサ６の上面を覆う絶縁膜７を説明の便宜上電流非注入用絶縁膜７ａとも呼称する。図４（ａ）で点々を付した部分が絶縁膜７を設けた領域であり、幅ａのメサ６を横切るように覆う絶縁膜部分が電流の注入を阻止する絶縁膜７、即ち電流非注入用絶縁膜７ａである。図３には電流非注入用絶縁膜７ａを拡大して一部示してある。図２（ａ）では、右端側に電流非注入用絶縁膜７ａを３個、左端側に４個示してある。右端では電流非注入用絶縁膜７ａと電流非注入用絶縁膜７ａの間の注入部で劈開が行われ、左端では電流非注入用絶縁膜７ａで劈開が行われた状態を示す。図では説明の便宜上電流非注入用絶縁膜７ａは３個または４個で示してあるが、さらに多くてもよい。

また、絶縁膜７上には、図１、図２（ａ）及び図２（ｃ）に示すように、導体層９が所定パターンに形成されている。図１では導体層９は点々を施した領域で示してある。導体層９の一つは、図１及び図２（ｃ）に示すように、メサ６の上面に重なり、メサ６に電気的に接続された状態になっている。この導体層９は電極（ｐ電極）１０を形成する。電極（ｐ電極）１０は、図２（ｃ）及び図１に示すように、メサ６の全長に亘って一定の幅ｂ（図４参照）設けられているとともに、一方の溝５ｂを横切り、溝５ｂから外れた右側の絶縁膜７上にまで延在するように設けられている。溝５ｂから外れた右側の絶縁膜７上に大きく形成される電極部分は、例えば、ワイヤを接続するボンディングパッド１０ｃを構成する。

また、溝５ａから外れた左側の絶縁膜７上にも独立した導体層９ａが形成されている。この導体層９ａと電極（ｐ電極）１０は、半導体レーザ素子１をジャンクションダウン（ｐｎ接合を下側にする状態）でヒートシンク等の基板に固定する際、接続用導体層として使用される。接続状態を良好とするためにメサ６に重ねて設けられる幅ｂ（図４参照）の電極部分は溝５ａ，５ｂの外側の縁上にも一定の幅で重なるようになっている。このようにすることによって、電極（ｐ電極）１０及び導体層９ａを介して半導体レーザ素子１で発生した熱を速やかにヒートシンクに伝達できるようになっている。

また、半導体レーザ素子１の両端近傍には、三角形状のマーク９ｂが設けられている。このマーク９ｂは、ウエハを劈開して半導体レーザ素子１を製造する際の目安として使われる。
また、半導体基板２の下面には電極（ｎ電極）１１が形成されている。電極（ｎ電極）１１は半導体基板２の下面全域に設けられている。

メサ６に対応する半導体基板２部分，活性層３部分及び半導体層４部分によって形成される細長い領域が共振器を形成することになる。従って、ｐ電極１０とｎ電極１１間に所定の電圧を印加することによって、共振器の両端面（出射面）からレーザ光１５を出射する。図示しないが、一般に両出射面には所定の屈折率の膜がそれぞれ形成され、出射されるレーザ光の出力が異なるようになっている。出力の大きい側を前方出射面とし、出力の小さい側を後方出射面としてレーザ光強度をモニターする光を取り出す面として使用している。

図４（ａ）に示すように、電流非注入用絶縁膜７ａが共振器の延在方向（メサ６の延在方向）に沿って半導体レーザ素子１の端面側に設けられている。実施例１では電流非注入用絶縁膜７ａで形成される非注入部の共振器の延在方向に沿う長さと、非注入部と非注入部との間のメサ６と電極（ｐ電極）１０とが接触する領域である注入部の共振器の延在方向に沿う長さは同じになっている。

電流非注入用絶縁膜７ａは電流を通さない非注入部となるため、電流非注入用絶縁膜７ａの真下の活性層３には電流が供給されなくなり、共振器端面の電流密度を低下させることができる。

半導体レーザ素子１の製造において、半導体基板２等（ウエハ）を劈開する場合、実際の劈開位置は、設計上の劈開線に対して、例えば、最大で１０μｍ程度ばらつく。そこで、本実施例１では、非注入部の長さを５μｍとし、１０μｍと大きくばらついて劈開が行われても、このばらつきのずれ長さ域に注入部が１乃至２個存在するようにし、ばらつき寸法がそのまま非注入部の増大または減少にならないようにしている。これにより、非注入部が７μｍ以上と長すぎることによって発生する過飽和吸収によるＩ−Ｌキンクの発生を防止するとともに、光損傷（ＣＯＤ）を防止することができる。

つぎに、半導体レーザ素子１の製造方法について、図５乃至図１４を参照しながら説明する。半導体レーザ素子１の製造においては、図５に示すようにウエハ（半導体基板）２０が用意される。ウエハ２０は製造の各工程で順次処理され、かつ最終工程において分割と劈開によって半導体レーザ素子１とされる。従って、最初に準備される段階でのウエハ２０は、半導体レーザ素子１を構成する半導体基板２そのものである。また、説明の便宜上各工程での説明においては、単一の半導体レーザ素子の製造について説明する。従って、各工程での説明においては、多くは一部の図のみをもって説明する。

ウエハ２０は、厚さ数百μｍのｎ導電型（第１導電型）のＧａＡｓ基板で構成されている。このウエハ２０はＳｉを不純物とし、不純物濃度が２．０×１０^１８ｃｍ^−３程度となっている。半導体基板１２の主面は（１００）結晶面となっている。

つぎに、ウエハ２０の主面（上面）側にＭＯＣＶＤ（Metal organic Chemical Vapor Deposition）法やＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法で順次半導体層を形成し、多層の半導体層を形成する。これら半導体層は、前述の活性層３、半導体層４である。その後、図５に示すように、常用のホトリソグラフィ技術及びエッチング技術によって２条の溝５ａ，５ｂを所定間隔に形成して、溝５ａと溝５ｂによって挟まれるメサ６を形成する。図６は図５のＡ−Ａ線に沿う拡大断面図である。溝５ａ，５ｂの底は活性層３に近接し、溝５ａ，５ｂの底の半導体層４は、例えば、１μｍ程度の厚さになっている。例えば、メサ６の幅は２μｍ、溝５ａ，５ｂの幅は１０μｍである。

つぎに、図７に示すように、ウエハ２０の主面側全域にＳｉＯ２からなる絶縁膜７を形成する。絶縁膜７の厚さは０．１〜０．３μｍである。

つぎに、図８に示すように、ウエハ２０の主面側全域にホトレジスト膜２１を形成する。その後、図９に示すように、ホトマスク２２をウエハ２０上に所定間隔離して配置し、かつホトマスク２２を透過した光でホトレジスト膜２１を選択的に露光する。

図１０はホトマスク２２の一部を示す拡大平面図である。図１０において点線枠で示す部分が半導体レーザ素子１が一つ形成される素子形成領域２３である。素子形成領域２３は、図９に示すように、縦横に整列配置される。

また、図１０に示すように、素子形成領域２３の中央線に沿うように、ホトマスク２２には開口２４，２５が設けられている。開口２４は細長い矩形となり、メサ６上に重なり、素子形成領域２３の中央から端近傍にまで延在している。開口２５は開口２４の両端側に複数配置されている。図１０においては、素子形成領域２３と素子形成領域２３との間に掛けて開口２５を３個配置したパターンとなっている。図１の半導体レーザ素子１の場合開口２５は４個になるが、図が複雑となることから開口２５の数を少なくして示してある。半導体レーザ素子１の端部分の非注入部をさらに多くする場合は開口２５の数はさらに多くなる。図１０において、２本の二点鎖線で挟まれる部分がメサ６が位置する部分である。

開口２５は、図９及び図１０においてＡ−Ａ線に沿う部分に配置されている。Ｂ−Ｂ線に沿う部分には開口２５及び開口２４は設けられず光を透過させない遮光領域となる。以降の図１１乃至図１４では、説明の便宜上、光を透過する開口２５が存在するＡ−Ａ部分を左側に示し、光を遮る遮光部分であるＢ−Ｂ部分を右側に示すことにする。

図１１はホトマスク２２をウエハ２０上に所定間隔離して配置し、かつホトマスク２２を透過した光でホトレジスト膜２１を選択的に露光する状態を示す断面図である。Ａ−Ａ部分ではメサ６上のホトレジスト膜２１が露光される。Ｂ−Ｂ部分ではホトレジスト膜２１の露光は行われない。

つぎに、ホトレジスト膜２１を現像し、図１２に示すような構造にホトレジスト膜２１を残留させる。即ち、露光，現像を調節して、図１２に示すように、メサ６上の絶縁膜７を露出させ、メサ６の側面を覆う絶縁膜７をホトレジスト膜２１で覆った状態とする。Ｂ−Ｂ部分ではホトレジスト膜２１は露光されていないので、ホトレジスト膜２１はそのままの厚さで残留する。

つぎに、図１３に示すように、ホトレジスト膜２１をエッチング用マスクとして露出する絶縁膜７をエッチング除去する。また、エッチング後ホトレジスト膜２１を除去する。この結果、Ｂ−Ｂ部分では絶縁膜７はホトレジスト膜２１で覆われていることから絶縁膜７はエッチングされず、そのまま残留する。Ａ−Ａ部ではメサ６の上面を覆う絶縁膜７が除去されてメサ６の上面が露出する。また、メサ６の両側面は絶縁膜７で覆われるとともに、溝５ａ，５ｂを含む半導体層４の上面は絶縁膜７がエッチングされることなく残留する。

つぎに、図１４に示すように、ウエハ２０の上面全域に導体層９を形成するとともに、この導体層９を常用のホトリソグラフィ技術とエッチング技術によってパターン化し、図１に示すような電極（ｐ電極）１０，ボンディングパッド１０ｃ，導体層９ａ，マーク９ｂを形成する。図１４のＡ−Ａ部分では、電極（ｐ電極）１０とメサ６が電気的に接続されることから活性層３に電流を注入する注入部を形成することになる。また、図１４のＢ−Ｂ部分では、メサ６の上面と電極（ｐ電極）１０との間には絶縁膜７が存在することから、メサ６の上面の絶縁膜７は活性層３に電流を供給するのを阻止する電流非注入用絶縁膜７ａ、即ち非注入部となる。

つぎに、図示はしないが、ウエハ２０の下面を所定厚さ除去してウエハ２０を１００μｍ程度の厚さとした後、ウエハ２０の下面全域に電極（ｎ電極）１１を形成する。その後、ウエハ２０を縦横に分断して複数の半導体レーザ素子１を製造する。この分断において、例えば、メサ６とメサ６との中間をダイシングブレード等によって切断して短冊体を形成し、その後、この短冊体を劈開によって分断して半導体レーザ素子１を製造する。この劈開時、設計上の劈開線に対して±の方向に劈開がずれて行われる。劈開位置のずれ（ばらつき）は小さいうちは何ら問題はない。しかし、劈開位置が大きくずれると、従来の窓構造を有する半導体レーザ素子の場合はキンク発生や光損失の発生等の不都合を有する。しかし、本実施例１では劈開可能領域内に非注入部と注入部が交互に配列されている結果劈開のばらつきが大きい場合でも大きい長さ領域には注入部も存在することから、劈開のばらつき寸法がそのまま非注入部寸法の増大とならず、緩和されるため、過飽和吸収によるＩ−Ｌキンクの発生が抑止できる。また、非注入部が短すぎることによる光損失（ＣＯＤ）の発生を抑止することができる。

このような半導体レーザ素子１は、封止容器に組み込まれて半導体レーザ装置として使用される。図１５は半導体レーザ素子１を組み込んだ半導体レーザ装置３０である。半導体レーザ装置３０は、アセンブリの主体部品となるパッケージ本体３１と、このパッケージ本体３１の表面側に取り付けられる蓋体３２とを有している。パッケージは、パッケージ本体３１と蓋体３２によって形成されている。

前記パッケージ本体３１は数ｍｍの厚さの円形の金属板からなり、その表面の中央から外れた部分には銅製のヒートシンク３３が導電性の鑞材等で固定されている。前記ヒートシンク３３の前記パッケージ本体３１の中央に面する側面（前面）の先端側にはＳｉＣ（シリコンカーバイト）からなるサブマウント３４が固定されている。前記サブマウント３４は、半導体レーザ素子１よりも大きい矩形板からなっている。

また、図示はしないが、サブマウント３４の表面には、チップ固定部と、このチップ固定部から延在し先端部分が幅広のワイヤ接続パッドとを構成する導体層が設けられている。半導体レーザ素子１はチップ固定部に導電性の接合材を介して固定されている。従って、図１に示す半導体レーザ素子１の電極（ｎ電極）１１はワイヤ接続パッドに電気的に接続されることになる。ワイヤ接続パッドとヒートシンク３３は導電性のワイヤ３５で電気的に接続されている。これにより、図１に示す半導体レーザ素子１の電極（ｎ電極）１１はパッケージ本体３１に電気的に接続されることになる。

また、前記パッケージ本体３１の中央には、前記半導体レーザ素子１の後方出射面から出射されるレーザ光を受光する受光素子（ＰＤ）４０が固定されている。受光素子４０の裏面電極は導電性の接合材を介してパッケージ本体３１に接続されている。従って、受光素子４０の裏面電極はパッケージ本体３１と電気的に等電位となる。

一方、前記パッケージ本体３１には３本のリード４１（４１ａ，４１ｂ，４１ｃ）が固定されている。２本のリード４１（４１ａ，４１ｂ）は絶縁体４２を介してパッケージ本体４１に貫通状態で固定されている。残りの１本のリード４１（４１ｃ）はパッケージ本体３１の裏面に突き合わせ状態で固定され、パッケージ本体３１と電気的に等電位状態になっている。

パッケージ本体３１の表面側に突出した一方のリード４１ａの先端と、半導体レーザ素子１の電極１０（ボンディングパッド１０ｃ：図では符号は省略する）は導電性のワイヤ４５で接続されている。また、受光素子４０の上部電極と、パッケージ本体３１の表面側に突出した他方のリード４１ｂの先端は導電性のワイヤ４６で接続されている。

他方、前記蓋体３２はキャップ構造からなるとともに、その中央にレーザ光１５を透過させる光透過窓５０を有している。この光透過窓５０は、蓋体３２に設けた穴の部分に透明ガラス板５１を重ねて固定することによって形成される。

このような半導体レーザ装置３０においては、一対のリード４１ａ，４１ｂ間に所定の電圧を印加することによって半導体レーザ素子１を動作させてレーザ光１５を出射させることができる。前方出射面から出射されたレーザ光１５は光透過窓５０から外部に放射される。また、後方出射面から出射したレーザ光１５は受光素子４０でモニターされ、光出力がモニターされる。

本実施形態１によれば以下の効果を有する。

（１）共振器を形成するｐｎ接合に対して電流を供給する領域（注入部）と、電流を供給しない領域（非注入部）が、共振器端面を形成する領域をも含めて一定領域に周期的に設けられている。従って、半導体基板（ウエハ）２０を劈開した際、劈開位置が大きくばらついても劈開面近傍では注入部と非注入部が交互に設けられていることから、劈開位置のばらつき寸法がそのまま非注入部の長さのばらつきとはならない。

即ち、従来のＺｎを拡散させて窓構造の半導体レーザ素子を形成する場合には、劈開位置のばらつき寸法がそのまま非注入部の長さの増減となるが、本発明の場合は非注入部と非注入部との間に注入部が存在することから、劈開位置のばらつき寸法がそのまま非注入部の長さのばらつきとはならなくなる。特に、劈開位置のばらついた寸法領域に複数の注入部が存在する場合には、劈開位置のばらつきに対する非注入部の増減の比率は小さくなる。

本実施例による非注入部の長さは５μｍ程度となる。この結果、非注入部が７μｍ以上と長すぎることによって発生する過飽和吸収によるＩ−Ｌキンクの発生を抑止できる。また、光損傷（ＣＯＤ）の発生を抑止することができる。

（２）本実施例の半導体レーザ素子の製造方法では、メサ６の上面を除いて半導体基板２０の上面を覆う絶縁膜７を形成する工程において、絶縁膜７の一部をメサ６上に部分的に設け、この部分的に設けた絶縁膜部分（電流非注入用絶縁膜７ａ）で非注入部を形成する。従って、製造においては絶縁膜７をパターニングするホトマスクを変更するだけで非注入部を形成する絶縁膜（電流非注入用絶縁膜７ａ）の製造は可能であり、工程数は増大しない。この結果、半導体レーザ素子１の製造コストの高騰を抑えることができる。

図１６乃至図１８は本発明の実施例２である半導体レーザ素子に係わる図である。図１６は半導体レーザ素子の模式的斜視図、図１７は図１６のＡ−Ａ線に沿う断面図、図１８は半導体レーザ素子の共振器端面部分の平面状態を示す模式図である。

実施例１ではメサ６の上面に周期的に電流非注入用絶縁膜７ａを設けて非注入部を形成したが、本実施例２ではメサ６の上面に設ける電極（ｐ電極）１０を、図１６及び図１７に示すように、細長いメサ６の両端部分において、周期的に注入用電極帯１０ｇを配列した構造になっている。注入用電極帯１０ｇが存在するメサ６部分には電流が注入されるが、注入用電極帯１０ｇが存在しない注入用電極帯１０ｇと注入用電極帯１０ｇとの間の部分及び注入用電極帯１０ｇと電極（ｐ電極）１０との間の部分は、電流が注入されない非注入部になる。

実施例２の半導体レーザ素子１は、実施例１の半導体レーザ素子１の製造において、絶縁膜で非注入部を形成することなく、半導体層４上に形成されかつ共振器上に重なる電極（ｐ電極）１０を、その一部が共振器上に重ならない構造とし、共振器上に電極１０が重ならない部分で非注入部を形成する構成になっている。

図１７に示すように、図では、メサ６の両端側、即ち共振器の両端側に注入用電極帯１０ｇをそれぞれ３本配列してあるが、実際はさらに多い。注入用電極帯１０ｇのメサ６（共振器）の延在方向に沿う長さは実施例１の注入部の長さと同じである。また、非注入部と注入部の長さは同じになっている。図１８には電極（ｐ電極）１０によって形成される３本の注入用電極帯１０ｇを示す半導体レーザ素子１の端面部分の拡大図である。図１８において、薄く黒くした領域が電極１０の部分である。電極１０は半導体層４の上面に図１６に示すようなパターンで形成されている。図１６では、注入用電極帯１０ｇはそれぞれが分断されているように模式的に多数記載してある。注入用電極帯１０ｇと注入用電極帯１０ｇとの間及び注入用電極帯１０ｇとメサ６上の電極１０との間には、電極１０が設けられていないことから、この電極が設けられない部分には電流が供給されなくなり、共振器端面の電流密度を低下させることができる。

本実施例２においても実施例１と同様に共振器の端面部分に非注入部と注入部が交互にかつ周期的に配列されていることから、半導体レーザ素子１の製造における劈開による劈開位置のばらつきが生じても、非注入部が長くなりすぎたり、あるいは短くなりすぎることもなくなり、Ｉ−Ｌキンクの発生及び光損傷（ＣＯＤ）の発生を抑止できる。

図１９乃至図２１は本発明の実施例３である半導体レーザ素子に係わる図である。図１９は半導体レーザ素子の模式的斜視図、図２０は図１９のＡ−Ａ線に沿う断面図、図２１は半導体レーザ素子の製造方法において、半導体層の中層に中層半導体を形成する状態を示す模式図である。

本実施例３の半導体レーザ素子１は、実施例１の半導体レーザ素子１の製造において、絶縁膜で非注入部を形成することなく、半導体層４内に、半導体層４とは反対の導電型となる第１の導電型（ｎ型）からなる中層半導体を形成し、この中層半導体部分によって非注入部を形成する構成になっている。

図２０に示すように、半導体層４の中層にｎ型のＧａＡｓ層からなる中層半導体５５を共振器の端面側に共振器の延在方向に沿って周期的に設けた構造になっている。中層半導体５５のメサ６（共振器）の延在方向に沿う長さは実施例１の注入部の長さと同じである。また、非注入部と注入部の長さは同じになっている。図２０では中層半導体５５を端面側でそれぞれ３個しか示してないが、実際には特性制御のため必要数の中層半導体５５を配置する。中層半導体５５は電流を通さない非注入部となるため、中層半導体５５の真下の活性層３には電流が供給されなくなり、共振器端面の電流密度を低下させることができる。

図２１（ａ），（ｂ）は実施例３の半導体レーザ素子１の製造の一部を示す模式的断面図である。半導体基板（ウエハ）２０の主面に活性層３を形成した後、この活性層３の上に半導体層４を構成する第２の導電型（ｐ型）からなる第１の層５７を形成する。第１の層５７はＡｌＧａＩｎＰからなる層である。

つぎに、ウエハ２０の主面上、即ち第１の層５７上に第１の導電型（ｎ型）からなる半導体層（ＧａＡｓ層）を形成する。そして、この半導体層（ＧａＡｓ層）を選択的にエッチングして、共振器を横切る劈開線の両側に前記半導体層（ＧａＡｓ層）からなる中層半導体５８を形成する。中層半導体５８は共振器を横切るように細長く形成され、共振器の延在方向に所定間隔で配置される。中層半導体５８の長さ及びピッチは実施例１の場合と同様である。

つぎに、中層半導体５８及び第１の層５７を覆うように半導体層４を構成する第２の導電型（ｐ型）からなる第２の層５９を形成する。第２の層５９はＡｌＧａＩｎＰからなる。第１の層５７と第２の層５９とによって半導体層４が形成される。中層半導体５８は非注入部を構成する。中層半導体５８が存在するメサ６部分には電流が注入されなくなり、共振器端面の電流密度を低下させることができる。

本実施例３においても実施例１と同様に共振器の端面部分に非注入部と注入部が交互にかつ周期的に配列されていることから、半導体レーザ素子１の製造における劈開による劈開位置のばらつきが生じても、非注入部が長くなりすぎたり、あるいは短くなりすぎることもなくなり、Ｉ−Ｌキンクの発生及び光損傷（ＣＯＤ）の発生を抑止できる。

図２２は本発明の実施例４である半導体レーザ素子の模式的斜視図、図２３は図２２のＡ−Ａ線に沿う断面図である。

本実施例４の半導体レーザ素子１は、実施例１の半導体レーザ素子１の製造において、絶縁膜で非注入部を形成することなく、半導体層４の表面に選択的にプロトン（Ｈ^＋ ）を打ち込んで拡散領域６０を形成する。拡散領域６０は共振器の延在方向に沿って周期的に形成される。拡散領域６０は共振器を横切るように細長く形成される。これら拡散領域６０が非注入部を形成する。拡散領域６０の長さ及びピッチは実施例１の場合と同様である。

本実施例４においても実施例１と同様に共振器の端面部分に非注入部と注入部が交互にかつ周期的に配列されていることから、半導体レーザ素子１の製造における劈開による劈開位置のばらつきが生じても、非注入部が長くなりすぎたり、あるいは短くなりすぎることもなくなり、Ｉ−Ｌキンクの発生及び光損傷（ＣＯＤ）の発生を抑止できる。

図２４乃至図２６は本発明の実施例４である半導体レーザ素子に係わる図である。図２４は半導体レーザ素子の模式的斜視図、図２５は図２４のＡ−Ａ線に沿う断面図、図２６は半導体レーザ素子の製造方法におけるウエハの劈開部分を示す断面図である。

本実施例５の半導体レーザ素子１は実施例１の半導体レーザ素子１において、電流非注入用絶縁膜７ａで形成される非注入部の長さが一部で異なる構成になっている。即ち、共振器の端面に近接する１乃至複数の非注入部（電流非注入用絶縁膜７ａ）の長さは、これら非注入部を除く共振器の奥側の非注入部（電流非注入用絶縁膜７ａ）の長さよりも短くなっている。

図２５に示すように、共振器の左端面側には６個の電流非注入用絶縁膜７ａが配置され、共振器の右端面側には４個の電流非注入用絶縁膜７ａが配置されている。電流非注入用絶縁膜７ａの数の違いは劈開位置のずれによるものである。本実施例５の半導体レーザ素子１の製造においては、例えば、図２６に示すように、ウエハ（半導体基板）２０には、劈開線６１の両端にそれぞれ長さがａなる短い電流非注入用絶縁膜７ａが配列され、その外側には長さがｂなる長い電流非注入用絶縁膜７ａが４個配列された構造になっている。劈開線６１で劈開を行った際、劈開線６１からのばらつきが極めて小さい状態で劈開が行われたものが、図２５の左端部分であり、図２６において劈開位置が左にずれ、かつ左側のｂなる寸法の隣のａなる寸法の電流非注入用絶縁膜７ａの途中部分で劈開が行われたものが、図２５の右端部分である。隣接する電流非注入用絶縁膜７ａの間の寸法は実施例１と同様である。また、例えば、２ａ＝ｂとなっている。２ａ＝ｂとなることから、キンクの発生を抑止したままで、非常に大きな温度上昇抑制効果が得られる。

本実施例５においても実施例１と同様に共振器の端面部分に非注入部と注入部が交互に配列されていることから、半導体レーザ素子１の製造における劈開による劈開位置のばらつきが生じても、非注入部が長くなりすぎたり、あるいは短くなりすぎることもなくなり、Ｉ−Ｌキンクの発生及び光損傷（ＣＯＤ）の発生を抑止できる。

図２７乃至図２９は本発明の実施例６である半導体レーザ素子に係わる図である。図２７は半導体レーザ素子の模式的斜視図、図２８は図２７のＡ−Ａ線に沿う断面図、図２９は半導体レーザ素子の共振器端面部分を示す断面図である。図２９は図２８の左端部分を示す図である。

本実施例６の半導体レーザ素子１は実施例１の半導体レーザ素子１において、図２８に示すように、非注入部（電流非注入用絶縁膜７ａ）の長さは一定であるが、隣接する非注入部間の間隔が共振器の端面から奥に向かうにつれて順次広くなる構造となっている。
このような構造にすることによって、共振器軸方向の温度分布を均一化できる。

本実施例６においても実施例１と同様に共振器の端面部分に非注入部と注入部が交互に配列されていることから、半導体レーザ素子１の製造における劈開による劈開位置のばらつきが生じても、非注入部が長くなりすぎたり、あるいは短くなりすぎることもなくなり、Ｉ−Ｌキンクの発生及び光損傷（ＣＯＤ）の発生を抑止できる。

また、本発明において、非注入部の長さを共振器の端面から奥に向かうにつれて順次長くしておいても実施例６と同様の効果を得ることができる。さらに、本発明において、非注入部の長さを共振器の端面から奥に向かうにつれて順次長くするとともに、隣接する非注入部間の間隔を共振器の端面から奥に向かうにつれて順次広くする構造としても実施例６と同様の効果を得ることができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

本発明の実施例１である半導体レーザ素子の模式的斜視図である。 図１のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線に沿う断面図である。 本実施例１の半導体レーザ素子の共振器端面部分の拡大断面図である。 本実施例１の半導体レーザ素子の共振器端面部分の平面状態及び断面状態を示す模式図である。 本実施例１の半導体レーザ素子の製造方法において平行にメサを形成したウエハの平面図である。 図５のＡ−Ａ線に沿うメサ部分の拡大断面図である。 前記メサ上に絶縁膜を形成したメサ部分の拡大断面図である。 前記メサ上の絶縁膜にホトレジスト膜を重ねて形成した一部の拡大断面図である。 前記ウエハ上に配置したマスクを示す平面図である。 前記マスクの一部を示す模式的拡大平面図である。 前記ホトレジスト膜上に前記マスクを配置した状態の図９のＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線に沿う一部の断面図である。 前記ホトレジスト膜を現像した状態の図９のＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線に沿う一部の断面図である。 前記ホトレジスト膜をマスクとして絶縁膜を選択的にエッチングした状態の図９のＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線に沿う一部の断面図である。 一部がメサに接続される電極を形成した状態の図９のＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線に沿う一部の断面図である。 本実施例１の半導体レーザ素子を組み込んだ半導体レーザ装置の一部を切り欠いた斜視図である。 本発明の実施例２である半導体レーザ素子の模式的斜視図である。 図１６のＡ−Ａ線に沿う断面図である。 本実施例２の半導体レーザ素子の共振器端面部分の平面状態を示す模式図である。 本発明の実施例３である半導体レーザ素子の模式的斜視図である。 図１９のＡ−Ａ線に沿う断面図である。 本発明の実施例３である半導体レーザ素子の製造方法において、半導体層の中層に中層半導体を形成する状態を示す模式図である。 本発明の実施例４である半導体レーザ素子の模式的斜視図である。 図２２のＡ−Ａ線に沿う断面図である。 本発明の実施例５である半導体レーザ素子の模式的斜視図である。 図２４のＡ−Ａ線に沿う断面図である。 本実施例５の半導体レーザ素子の製造方法におけるウエハの劈開部分を示す断面図である。 本発明の実施例６である半導体レーザ素子の模式的斜視図である。 図２７のＡ−Ａ線に沿う断面図である。 本実施例６の半導体レーザ素子の共振器端面部分を示す断面図である。

符号の説明

１…半導体レーザ素子、２…半導体基板、３…活性層、４…半導体層、５ａ，５ｂ…溝、６…メサ（突条）、７…絶縁膜、７ａ…電流非注入用絶縁膜、９…導体層、９ａ…導体層、９ｂ…マーク、１０…電極（ｐ電極）、１０ｃ…ボンディングパッド、１１…電極（ｎ電極）、１５…レーザ光、２０…ウエハ（半導体基板）、２１…ホトレジスト膜、２２…ホトマスク、２３…素子形成領域、２４，２５…開口、３０…半導体レーザ装置、３１…パッケージ本体、３２…蓋体、３３…ヒートシンク、３４…サブマウント、３５…ワイヤ、４０…受光素子（ＰＤ）、４１，４１ａ，４１ｂ，４１ｃ…リード、４２…絶縁体、４５，４６…ワイヤ、５０…光透過窓、５１…透明ガラス板、５５…中層半導体、５７…第１の層、５８…中層半導体、５９…第２の層、６０…拡散領域、６１…劈開線。

Claims (25)

1. 第１の導電型からなる半導体基板と、
   前記半導体基板の上面に設けられる活性層と、
   前記活性層上に形成される第２の導電型からなる半導体層と、
   前記半導体層上に形成され、前記半導体基板及び前記活性層並びに前記半導体層によって形成される細長の共振器の端から端に亘って対応して設けられ、前記共振器の前記活性層部分に電流を注入する電極とを有し、
   前記共振器の少なくとも一方の端側において、前記活性層への電流の注入を阻止する絶縁体からなる非注入部と、前記活性層への電流の注入をする注入部が前記共振器の延在方向に沿って周期的に設けられていることを特徴とする半導体レーザ素子。
2. 前記半導体層の上面から途中深さにまで到達するように設けられる２本の溝と、
   前記２本の溝に挟まれて形成される前記半導体層からなるメサと、
   前記メサの上面を除いて前記半導体層上面に設けられる絶縁膜とを有し、
   前記電極は前記メサの上面に電気的に接続され、
   前記メサの下方部分が前記共振器を構成していることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
3. 前記非注入部は一定の長さで一定のピッチで配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
4. 前記共振器の端面に近接する１乃至複数の前記非注入部の長さは、これら非注入部を除く前記共振器の奥側の前記非注入部の長さよりも短くなっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
5. 前記非注入部の長さは一定であり、かつ隣接する前記非注入部間の間隔が前記共振器の端面から奥に向かうにつれて順次広くなっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
6. 前記非注入部の長さが前記共振器の端面から奥に向かうにつれて順次長くなっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
7. 前記非注入部の長さが前記共振器の端面から奥に向かうにつれて順次長くなり、かつ隣接する前記非注入部間の間隔が前記共振器の端面から奥に向かうにつれて順次広くなっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
8. 前記非注入部の前記共振器の延在方向に沿う長さは５〜７μｍであり、前記注入部の前記共振器の延在方向に沿う長さは１．５〜３μｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
9. 前記非注入部は、前記半導体層と前記電極との間に設けられ、かつ前記共振器を横切る絶縁膜によって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
10. 前記半導体層上に形成されかつ前記共振器上に重なる前記電極はその一部が前記共振器上に重ならない構造とし、前記共振器上に重ならない部分が前記非注入部を構成することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
11. 前記半導体層内には第１の導電型からなる中層半導体が形成され、この中層半導体部分が前記非注入部を構成することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
12. 前記半導体層に選択的に形成されたプロトンを打ち込んだ拡散領域を形成し、この拡散領域が前記非注入部を構成することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
13. 前記半導体基板はｎ型のＧａＡｓからなり、
    前記半導体層はｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなり、
    前記活性層は、ＡｌＧａＩｎＰからなる障壁層と、ＡｌＧａＩｎＰあるいはＧａＩｎＰからなる井戸層を多重に形成した多重量子井戸構造となっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
14. 第１の導電型からなる半導体基板を準備する工程と、
    前記半導体基板の上面に活性層を形成する工程と、
    前記活性層上に第２の導電型からなる半導体層を形成する工程と、
    前記半導体層を除去するように２本の溝を所定間隔に形成して前記活性層上に前記２本の溝に挟まれる突出した１本のメサを複数形成し、前記メサの下に共振器を構成する工程と、
    前記メサの上面を除いて前記半導体基板の上面を覆う絶縁膜を形成する工程と、
    前記絶縁膜上に選択的に形成し、一部は前記メサ上に重なる電極を形成する工程と、
    前記半導体基板の下面に電極を形成する工程と、
    前記半導体基板及びその上の各層を前記メサとメサとの間で分断するとともに、前記メサに直交する方向に一定間隔で劈開して四角形の半導体レーザ素子を複数形成する工程とを有し、
    前記分断及び前記劈開の前に、前記劈開が行われる劈開予定領域に、前記活性層への電流の注入を阻止する絶縁体からなる非注入部を前記共振器の延在方向に沿って周期的に設けておくことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
15. 前記非注入部を一定の長さで一定のピッチで配置することを特徴とする請求項１４に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
16. 前記共振器の端面に近接する１乃至複数の前記非注入部の長さを、これら非注入部を除く前記共振器の奥側の前記非注入部の長さよりも短く形成することを特徴とする請求項１４に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
17. 前記非注入部の長さを一定にし、かつ隣接する前記非注入部間の間隔を前記共振器の端面から奥に向かうにつれて少なくとも所定の長さ域で順次広く形成することを特徴とする請求項１４に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
18. 前記非注入部の長さを前記共振器の端面から奥に向かうにつれて少なくとも所定の長さ域で順次長く形成することを特徴とする請求項１４に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
19. 前記非注入部の長さを前記共振器の端面から奥に向かうにつれて少なくとも所定の長さ域で順次長く形成し、かつ隣接する前記非注入部間の間隔を前記共振器の端面から奥に向かうにつれて少なくとも所定の長さ域で順次広く形成することを特徴とする請求項１４に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
20. 前記非注入部の前記共振器の延在方向に沿う長さを５〜７μｍとし、前記注入部の前記共振器の延在方向に沿う長さを１．５〜３μｍとすることを特徴とする請求項１４に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
21. 前記半導体層上に形成する絶縁膜を前記メサと前記電極の間に選択的に形成して前記非注入部を形成することを特徴とする請求項１４に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
22. 前記半導体層上に形成されかつ前記共振器上に重ねる前記電極の一部を前記共振器上に重ねない構造とし、前記共振器上に重ねない部分で前記非注入部を形成することを特徴とする請求項１４に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
23. 前記活性層の形成の後、前記活性層上に前記半導体層を構成する第２の導電型からなる第１の層を形成し、
    つぎに、前記第１の層上であり、かつ前記共振器の前記劈開線の両側に第１の導電型からなる中層半導体を前記共振器の延在方向に沿って周期的に形成し、
    つぎに、前記中層半導体及び前記第１の層を覆うように前記半導体層を構成する第２の導電型からなる第２の層を形成し、
    前記中層半導体部分で前記非注入部を形成することを特徴とする請求項１４に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
24. 前記半導体層の上面であり、かつ前記共振器上に選択的にプロトンを打ち込んで前記共振器の延在方向に沿って周期的に拡散領域を形成し、この拡散領域で前記非注入部を形成することを特徴とする請求項１４に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
25. 前記半導体基板としてｎ型のＧａＡｓ基板を使用し、
    前記半導体層はｐ型のＡｌＧａＩｎＰで形成し、
    前記活性層を、ＡｌＧａＩｎＰからなる障壁層と、ＡｌＧａＩｎＰあるいはＧａＩｎＰからなる井戸層による多重構造として多重量子井戸構造に形成することを特徴とする請求項１４に記載の半導体レーザ素子の製造方法。

Images