JP2805094B2 - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JP2805094B2 JP2805094B2 JP27974589A JP27974589A JP2805094B2 JP 2805094 B2 JP2805094 B2 JP 2805094B2 JP 27974589 A JP27974589 A JP 27974589A JP 27974589 A JP27974589 A JP 27974589A JP 2805094 B2 JP2805094 B2 JP 2805094B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、電流狭窄用の狭いメサ幅を有する発光領域
の歪を小さくでき、かつ歩留まりの高いいわゆるリッジ
型の光半導体装置に関するものである。
の歪を小さくでき、かつ歩留まりの高いいわゆるリッジ
型の光半導体装置に関するものである。
［従来の技術］ 従来のリッジレーザの一例をInGaAsP/InP系の場合に
ついて第５図に示す。第５図において、１は半導体基板
（ｎ形InP）、２は半導体基板１上のｎ形InP第１クラッ
ド層、３は第１クラッド層２上の発光層、４は発光層３
を覆うメサ部をもつｐ形InP第２クラッド層、５は第２
クラッド層４のメサ部を覆うキャップ層、６は半導体基
板１の他方の面に配置した第１電極（負の電極）、７は
第２クラッド層４を覆うSiO2などの誘電体膜、８は誘電
体膜７に被着した第２電極（正の電極）である。
ついて第５図に示す。第５図において、１は半導体基板
（ｎ形InP）、２は半導体基板１上のｎ形InP第１クラッ
ド層、３は第１クラッド層２上の発光層、４は発光層３
を覆うメサ部をもつｐ形InP第２クラッド層、５は第２
クラッド層４のメサ部を覆うキャップ層、６は半導体基
板１の他方の面に配置した第１電極（負の電極）、７は
第２クラッド層４を覆うSiO2などの誘電体膜、８は誘電
体膜７に被着した第２電極（正の電極）である。
このレーザは正および負の電極８および６へ電圧を印
加し、発光（活性）層３へ電流を流す、すなわち電子と
正孔を注入することにより、発光させて光出力を取り出
すものである。
加し、発光（活性）層３へ電流を流す、すなわち電子と
正孔を注入することにより、発光させて光出力を取り出
すものである。
ここで、一般に、半導体装置の効率向上を狙い、注入
されたキャリアおよび発光した光を発光領域へ効率良く
閉じ込めるために、発光層よりもバンドギャップが大き
く、屈折率の小さい、いわゆる、ｐ形InP第２クラッド
層４およびｎ形InP第１クラッド層２で当該発光層３を
挟み込む構造となっている。
されたキャリアおよび発光した光を発光領域へ効率良く
閉じ込めるために、発光層よりもバンドギャップが大き
く、屈折率の小さい、いわゆる、ｐ形InP第２クラッド
層４およびｎ形InP第１クラッド層２で当該発光層３を
挟み込む構造となっている。
キャップ層５は電極形成を容易にするものである。ｎ
形InP半導体基板１上にこれらの各層を順次に成長させ
た後、ウェハのキャップ層５より、発光層（活性層）３
の上の第２クラッド層４までメサ状にエッチングし、発
光領域を限定し、動作電流を低減させるようにする。こ
こで、メサ部を形成することにより、電流が狭窄される
とともに、メサ部のある領域とない領域で発光領域の屈
折率が異なり、電流および発光光を効率良く閉じ込める
構造となっており、いわゆる利得導波路と屈折率導波路
としての性質を合わせ持った構造となっている。
形InP半導体基板１上にこれらの各層を順次に成長させ
た後、ウェハのキャップ層５より、発光層（活性層）３
の上の第２クラッド層４までメサ状にエッチングし、発
光領域を限定し、動作電流を低減させるようにする。こ
こで、メサ部を形成することにより、電流が狭窄される
とともに、メサ部のある領域とない領域で発光領域の屈
折率が異なり、電流および発光光を効率良く閉じ込める
構造となっており、いわゆる利得導波路と屈折率導波路
としての性質を合わせ持った構造となっている。
［発明が解決しようとする課題］ これらのリッジレーザでは、発光領域近傍に電極と数
千オングストロームの厚さの誘電体膜が重なった、いわ
ゆるバイメタルがリッジ部分に形成された構造となって
おり、この構造により発生する歪が、素子の動作中に、
発光領域を歪ませ、結晶中へすべり転位を誘起し、信頼
性および素子特性を低下させていた。さらに、素子製作
中に絶縁膜の機械的に弱い部分を突き破り電極が直接メ
サ側面あるいはエッチング底面へ接触するおそれがあ
り、その場合には電流のリークの原因となり、製造歩留
まりの低下を招いていた。
千オングストロームの厚さの誘電体膜が重なった、いわ
ゆるバイメタルがリッジ部分に形成された構造となって
おり、この構造により発生する歪が、素子の動作中に、
発光領域を歪ませ、結晶中へすべり転位を誘起し、信頼
性および素子特性を低下させていた。さらに、素子製作
中に絶縁膜の機械的に弱い部分を突き破り電極が直接メ
サ側面あるいはエッチング底面へ接触するおそれがあ
り、その場合には電流のリークの原因となり、製造歩留
まりの低下を招いていた。
そこで、本発明の目的は、上述した電極および絶縁膜
から発光領域への歪を低減し、信頼性の高いリッジ型レ
ーザを歩留まり良く構成することのできる光半導体装置
を提供することにある。
から発光領域への歪を低減し、信頼性の高いリッジ型レ
ーザを歩留まり良く構成することのできる光半導体装置
を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ このような目的を達成するために、本発明の基本形態
としては、半導体基板を有し、該半導体基板の一方の主
面上には第１クラッド層，発光層および第２クラッド層
をこの順序で配置し、当該発光層への電流狭窄のための
メサ部を設け、前記半導体基板の他方の主面上および前
記メサ部の上にそれぞれ第１電極および第２電極を配置
した光半導体装置において、前記メサ部の少くとも一方
の側部の前記第２クラッド層には前記発光層にまでは達
しない深さに形成した溝を設け、前記第２電極を前記溝
をまたいで前記第２クラッド層の上に延在させたことを
特徴とするものである。
としては、半導体基板を有し、該半導体基板の一方の主
面上には第１クラッド層，発光層および第２クラッド層
をこの順序で配置し、当該発光層への電流狭窄のための
メサ部を設け、前記半導体基板の他方の主面上および前
記メサ部の上にそれぞれ第１電極および第２電極を配置
した光半導体装置において、前記メサ部の少くとも一方
の側部の前記第２クラッド層には前記発光層にまでは達
しない深さに形成した溝を設け、前記第２電極を前記溝
をまたいで前記第２クラッド層の上に延在させたことを
特徴とするものである。
本発明の第１形態は、半導体基板を有し、該半導体基
板の一方の主面上には第１クラッド層，発光層および第
２クラッド層をこの順序で配置し、当該発光層への電流
狭窄のためのメサ部を設け、前記半導体基板の他方の主
面上および前記メサ部の上にそれぞれ第１電極および第
２電極を配置した光半導体装置において、前記メサ部の
一方の側部の前記第２クラッド層には前記発光層にまで
は達しない深さに形成した溝を設け、前記第２電極を前
記溝をまたいで前記第２クラッド層の上に延在させ、前
記メサ部の他方の側部は少くとも前記第２クラッド層お
よび前記発光層にわたってエッチングまたはへきかいさ
れた構造となして、前記メサ部の他方の側部のメサ側面
には前記第２電極を設けないようになしたことを特徴と
する。
板の一方の主面上には第１クラッド層，発光層および第
２クラッド層をこの順序で配置し、当該発光層への電流
狭窄のためのメサ部を設け、前記半導体基板の他方の主
面上および前記メサ部の上にそれぞれ第１電極および第
２電極を配置した光半導体装置において、前記メサ部の
一方の側部の前記第２クラッド層には前記発光層にまで
は達しない深さに形成した溝を設け、前記第２電極を前
記溝をまたいで前記第２クラッド層の上に延在させ、前
記メサ部の他方の側部は少くとも前記第２クラッド層お
よび前記発光層にわたってエッチングまたはへきかいさ
れた構造となして、前記メサ部の他方の側部のメサ側面
には前記第２電極を設けないようになしたことを特徴と
する。
本発明の第２形態は、半導体基板を有し、該半導体基
板の一方の主面上には第１クラッド層，発光層および第
２クラッド層をこの順序で配置し、当該発光層への電流
狭窄のためのメサ部を設け、前記半導体基板の他方の主
面上および前記メサ部の上にそれぞれ第１電極および第
２電極を配置した光半導体装置において、前記メサ部の
一方の側部の前記第２クラッド層には前記発光層にまで
は達しない深さに形成した溝を設け、前記第２電極を前
記溝をまたいで前記第２クラッド層の上に延在させ、前
記メサ部の他方の側部は少くとも前記第２クラッド層お
よび前記発光層にわたってエッチングまたはへきかいさ
れた構造となして、前記メサ部の他方の側部のメサ側面
には前記第２電極を設けないようになし、当該メサ側面
を半導体保護層で覆ったことを特徴とする。
板の一方の主面上には第１クラッド層，発光層および第
２クラッド層をこの順序で配置し、当該発光層への電流
狭窄のためのメサ部を設け、前記半導体基板の他方の主
面上および前記メサ部の上にそれぞれ第１電極および第
２電極を配置した光半導体装置において、前記メサ部の
一方の側部の前記第２クラッド層には前記発光層にまで
は達しない深さに形成した溝を設け、前記第２電極を前
記溝をまたいで前記第２クラッド層の上に延在させ、前
記メサ部の他方の側部は少くとも前記第２クラッド層お
よび前記発光層にわたってエッチングまたはへきかいさ
れた構造となして、前記メサ部の他方の側部のメサ側面
には前記第２電極を設けないようになし、当該メサ側面
を半導体保護層で覆ったことを特徴とする。
本発明の第３形態は、半導体基板を有し、該半導体基
板の一方の主面上には第１クラッド層，発光層および第
２クラッド層をこの順序で配置し、当該発光層への電流
狭窄のためのメサ部を設け、前記半導体基板の他方の主
面上および前記メサ部の上にそれぞれ第１電極および第
２電極を配置した光半導体装置において、前記メサ部の
一方の側部の前記第２クラッド層には前記発光層にまで
は達しない深さに形成した溝を設け、前記第２電極を前
記溝をまたいで前記第２クラッド層の上に延在させ、前
記メサ部の他方の側部は少くとも前記第２クラッド層お
よび前記発光層にわたってエッチングまたはへきかいさ
れた構造となして、前記メサ部の他方の側部のメサ側面
には前記第２電極を設けないようになし、前記発光層の
うち、前記メサ側面における部分をマストランスポート
領域となしたことを特徴とする。
板の一方の主面上には第１クラッド層，発光層および第
２クラッド層をこの順序で配置し、当該発光層への電流
狭窄のためのメサ部を設け、前記半導体基板の他方の主
面上および前記メサ部の上にそれぞれ第１電極および第
２電極を配置した光半導体装置において、前記メサ部の
一方の側部の前記第２クラッド層には前記発光層にまで
は達しない深さに形成した溝を設け、前記第２電極を前
記溝をまたいで前記第２クラッド層の上に延在させ、前
記メサ部の他方の側部は少くとも前記第２クラッド層お
よび前記発光層にわたってエッチングまたはへきかいさ
れた構造となして、前記メサ部の他方の側部のメサ側面
には前記第２電極を設けないようになし、前記発光層の
うち、前記メサ側面における部分をマストランスポート
領域となしたことを特徴とする。
［作用］ 本発明では、溝を設けることによって、メサ側面に電
極を形成せず、かつ発光領域から電極を離すとともに絶
縁膜の薄膜化を可能とし、極端な場合は無くても良いの
で、発光領域への歪を低減することができる。
極を形成せず、かつ発光領域から電極を離すとともに絶
縁膜の薄膜化を可能とし、極端な場合は無くても良いの
で、発光領域への歪を低減することができる。
［実施例］ 以下に、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明
する。
する。
ここでは、本発明の実施例をInGaAsP/InPレーザを例
にとり述べるが、本発明はこの例にのみ限られるもので
はない。
にとり述べるが、本発明はこの例にのみ限られるもので
はない。
第１図は本発明の基本的形態についての実施例を示す
断面図である。第１図において、１はｎ形InP半導体基
板、２は基板１の一方の主面上に配置したｎ形InP第１
クラッド層、３はクラッド層２上に配置したInGaAsP発
光（活性）層である。４は活性層３を覆うｐ形InP第２
クラッド層であり、そのメサ部4Aの両側にはたとえば幅
が30μｍの溝10を形成する。５は第２クラッド層４の溝
10以外の部分の表面に配置したｐ形InGaAsPキャップ層
である。６は半導体基板１の露出表面に配置した第１電
極（ｎ側電極）、７はSin等の誘電体（絶縁）膜であ
り、溝10および第２クラッド層４を覆う。８は誘電体
（絶縁）膜７上に配置され、メサ部4Aのキャップ層５に
接続された第２電極（ｐ側電極）である。ここで、溝10
内は空所であり、その上部にはメサ部4Aの上方から第２
電極８が延在されて配置されている。11は発光領域であ
る。
断面図である。第１図において、１はｎ形InP半導体基
板、２は基板１の一方の主面上に配置したｎ形InP第１
クラッド層、３はクラッド層２上に配置したInGaAsP発
光（活性）層である。４は活性層３を覆うｐ形InP第２
クラッド層であり、そのメサ部4Aの両側にはたとえば幅
が30μｍの溝10を形成する。５は第２クラッド層４の溝
10以外の部分の表面に配置したｐ形InGaAsPキャップ層
である。６は半導体基板１の露出表面に配置した第１電
極（ｎ側電極）、７はSin等の誘電体（絶縁）膜であ
り、溝10および第２クラッド層４を覆う。８は誘電体
（絶縁）膜７上に配置され、メサ部4Aのキャップ層５に
接続された第２電極（ｐ側電極）である。ここで、溝10
内は空所であり、その上部にはメサ部4Aの上方から第２
電極８が延在されて配置されている。11は発光領域であ
る。
本実施例の基本動作は従来の装置と同様であって、第
２電極８へ正の電圧、第１電極６へ負の電圧を印加し、
発光層３にはリッジ部分を通して電流を流すこと（電子
と正孔の注入）により発光を得るものである。
２電極８へ正の電圧、第１電極６へ負の電圧を印加し、
発光層３にはリッジ部分を通して電流を流すこと（電子
と正孔の注入）により発光を得るものである。
本発明ではメサ部4Aの側部に溝10を設けているので、
絶縁用の誘電体膜は不要となるが、表面保護のために薄
い（0.1μｍ程度）の誘電体（絶縁）膜７を設けた。
絶縁用の誘電体膜は不要となるが、表面保護のために薄
い（0.1μｍ程度）の誘電体（絶縁）膜７を設けた。
この構造で共振器長300μｍの素子を製作したとこ
ろ、30mA程度の発振しきい電流値を得ることができ、数
千時間の高ストレス通電にも耐える素子を製作すること
ができた。
ろ、30mA程度の発振しきい電流値を得ることができ、数
千時間の高ストレス通電にも耐える素子を製作すること
ができた。
第２図は本発明の第１の形態の実施例を示す断面図で
ある。この実施例の基本的な構成および動作は第１図の
実施例と同様であるが、ここでは、メサ部4Aの片側を発
光層３までエッチングもしくはへきかい等により形成す
る点が異なっている。このままの状態でもレーザとする
ことができ、300μｍの共振器長の素子で60mA程度の発
振しきい電流値を得ることができた。しかし、発光層３
を含んだメサ部4Aの側面が空気中に露出しており、表面
再結合が発振しきい電流値を増加させる。
ある。この実施例の基本的な構成および動作は第１図の
実施例と同様であるが、ここでは、メサ部4Aの片側を発
光層３までエッチングもしくはへきかい等により形成す
る点が異なっている。このままの状態でもレーザとする
ことができ、300μｍの共振器長の素子で60mA程度の発
振しきい電流値を得ることができた。しかし、発光層３
を含んだメサ部4Aの側面が空気中に露出しており、表面
再結合が発振しきい電流値を増加させる。
そこで、本発明の第２の形態では、発光層３を含んだ
メサ部4Aの側面に第２クラッド層４と同じｐ形InPによ
る薄膜半導体保護層12を0.5μｍ以下の厚さに成長させ
る。
メサ部4Aの側面に第２クラッド層４と同じｐ形InPによ
る薄膜半導体保護層12を0.5μｍ以下の厚さに成長させ
る。
あるいはまた、本発明の第３の形態では、発光層３の
みを選択的にエッチングし、600℃程度の高温中に放置
しておくと上下のInP第１クラッド層２および第２クラ
ッド層４から発光層３にInPが移動し、エッチング部分
を埋め込むことにより形成したマストランスポート領域
13により、発光層３の側面を厚さ0.5μｍ程度クラッド
層材料で覆った。その結果、表面再結合の影響を低減で
き、300μｍの共振器長で約30mAの発振しきい電流値が
得られた。このとき、メサ部4Aの側面を覆う半導体層13
の厚さが0.5μｍ以上になると、電流のリークパスとな
るので厚み制御を注意深く行う必要があった。
みを選択的にエッチングし、600℃程度の高温中に放置
しておくと上下のInP第１クラッド層２および第２クラ
ッド層４から発光層３にInPが移動し、エッチング部分
を埋め込むことにより形成したマストランスポート領域
13により、発光層３の側面を厚さ0.5μｍ程度クラッド
層材料で覆った。その結果、表面再結合の影響を低減で
き、300μｍの共振器長で約30mAの発振しきい電流値が
得られた。このとき、メサ部4Aの側面を覆う半導体層13
の厚さが0.5μｍ以上になると、電流のリークパスとな
るので厚み制御を注意深く行う必要があった。
以上、InGaAsP/InPファブリ・ペロー型レーザを例に
とり、本発明を説明したが、本発明はこの例に限られる
ものではなく、GaAs等の他の材料系よりなる場合でも有
効である。
とり、本発明を説明したが、本発明はこの例に限られる
ものではなく、GaAs等の他の材料系よりなる場合でも有
効である。
さらにまた、本発明はｐおよびｎ形の導電形の逆転し
たいわゆるｐ基板型素子でも有効である。
たいわゆるｐ基板型素子でも有効である。
さらに、活性領域へ回折格子を作り付けた分布帰還型
また分布反射型レーザおよび発光ダイオード等の素子に
対しても本発明を適用可能であることは言うまでもな
い。
また分布反射型レーザおよび発光ダイオード等の素子に
対しても本発明を適用可能であることは言うまでもな
い。
［発明の効果］ 上述したように、本発明による光半導体装置は、リッ
ジ型素子において、溝を設けることによって、メサ側面
に電極を形成せず、かつ発光領域から電極を離すととも
に絶縁膜の薄膜化を可能とし、極端な場合は無くても良
いので、電極形成時における電気的な短絡の防止および
電極が関与した歪の低減ができるため、歩留まりが向上
し、信頼性も向上する。さらに、素子製作工程の簡便さ
から光集積素子への展開も容易である。
ジ型素子において、溝を設けることによって、メサ側面
に電極を形成せず、かつ発光領域から電極を離すととも
に絶縁膜の薄膜化を可能とし、極端な場合は無くても良
いので、電極形成時における電気的な短絡の防止および
電極が関与した歪の低減ができるため、歩留まりが向上
し、信頼性も向上する。さらに、素子製作工程の簡便さ
から光集積素子への展開も容易である。
第１図は本発明の基本的形態の実施例を示す断面図であ
る。 第２図〜第４図は本発明の第１〜第３の形態の各実施例
を示す断面図である。 第５図は従来例を示す断面図である。 １……半導体基板（ｎ形InP）、 ２……第１クラッド層（ｎ形InP）、 ３……発光層（活性層、InGaAsP）、 ４……第２クラッド層（ｐ形InP）、 4A……メサ部、 ５……キャップ層（InGaAsP）、 ６……第１電極（ｎ側電極）、 ７……誘電体膜（SiO2等）、 ８……第２電極（ｐ側電極）、 10……溝、 11……発光領域、 12……半導体保護層、 13……マストランスポート領域。
る。 第２図〜第４図は本発明の第１〜第３の形態の各実施例
を示す断面図である。 第５図は従来例を示す断面図である。 １……半導体基板（ｎ形InP）、 ２……第１クラッド層（ｎ形InP）、 ３……発光層（活性層、InGaAsP）、 ４……第２クラッド層（ｐ形InP）、 4A……メサ部、 ５……キャップ層（InGaAsP）、 ６……第１電極（ｎ側電極）、 ７……誘電体膜（SiO2等）、 ８……第２電極（ｐ側電極）、 10……溝、 11……発光領域、 12……半導体保護層、 13……マストランスポート領域。
フロントページの続き (72)発明者 小暮 攻 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−76293（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−116185（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−90879（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−216374（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−116687（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18 H01L 33/00 ＪＩＣＳＴファイル
Claims (3)
- 【請求項１】半導体基板（１）を有し、該半導体基板
（１）の一方の主面上には第１クラッド層（２），発光
層（３）および第２クラッド層（４）をこの順序で配置
し、当該発光層（３）への電流狭窄のためのメサ部（4
A）を設け、前記半導体基板（１）の他方の主面上およ
び前記メサ部（4A）の上にそれぞれ第１電極（６）およ
び第２電極（８）を配置した光半導体装置において、前
記メサ部（4A）の一方の側部の前記第２クラッド層
（４）には前記発光層（３）にまでは達しない深さに形
成した溝（10）を設け、前記第２電極（８）を前記溝
（10）をまたいで前記第２クラッド層（４）の上に延在
させ、前記メサ部（4A）の他方の側部は少くとも前記第
２クラッド層（４）および前記発光層（３）にわたって
エッチングまたはへきかいされた構造となして、前記メ
サ部（4A）の他方の側部のメサ側面には前記第２電極
（８）を設けないようになしたこを特徴とする光半導体
装置。 - 【請求項２】半導体基板（１）を有し、該半導体基板
（１）の一方の主面上には第１クラッド層（２），発光
層（３）および第２クラッド層（４）をこの順序で配置
し、当該発光層（３）への電流狭窄のためのメサ部（4
A）を設け、前記半導体基板（１）の他方の主面上およ
び前記メサ部（4A）の上にそれぞれ第１電極（６）およ
び第２電極（８）を配置した光半導体装置において、前
記メサ部（4A）の一方の側部の前記第２クラッド層
（４）には前記発光層（３）にまでは達しない深さに形
成した溝（10）を設け、前記第２電極（８）を前記溝
（10）をまたいで前記第２クラッド層（４）の上に延在
させ、前記メサ部（4A）の他方の側部は少くとも前記第
２クラッド層（４）および前記発光層（３）にわたって
エッチングまたはへきかいされた構造となして、前記メ
サ部（4A）の他方の側部のメサ側面には前記第２電極
（８）を設けないようになし、当該メサ側面を半導体保
護層（12）で覆ったことを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項３】半導体基板（１）を有し、該半導体基板
（１）の一方の主面上には第１クラッド層（２），発光
層（３）および第２クラッド層（４）をこの順序で配置
し、当該発光層（３）への電流狭窄のためのメサ部（4
A）を設け、前記半導体基板（１）の他方の主面上およ
び前記メサ部（4A）の上にそれぞれ第１電極（６）およ
び第２電極（８）を配置した光半導体装置において、前
記メサ部（4A）の一方の側部の前記第２クラッド層
（４）には前記発光層（３）にまでは達しない深さに形
成した溝（10）を設け、前記第２電極（８）を前記溝
（10）をまたいで前記第２クラッド層（４）の上に延在
させ、前記メサ部（4A）の他方の側部は少くとも前記第
２クラッド層（４）および前記発光層（３）にわたって
エッチングまたはへきかいされた構造となして、前記メ
サ部（4A）の他方の側部のメサ側面には前記第２電極
（８）を設けないようになし、前記発光層（３）のう
ち、前記メサ側面における部分をマストランスポート領
域（13）となしたことを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27974589A JP2805094B2 (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27974589A JP2805094B2 (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03142985A JPH03142985A (ja) | 1991-06-18 |
| JP2805094B2 true JP2805094B2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=17615311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27974589A Expired - Fee Related JP2805094B2 (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2805094B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0629618A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | マルチビーム半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP3566107B2 (ja) * | 1998-09-16 | 2004-09-15 | 株式会社日立製作所 | 光通信用モジュール |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0376293A (ja) * | 1989-08-18 | 1991-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
-
1989
- 1989-10-30 JP JP27974589A patent/JP2805094B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03142985A (ja) | 1991-06-18 |
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