JPH03142985A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPH03142985A JPH03142985A JP1279745A JP27974589A JPH03142985A JP H03142985 A JPH03142985 A JP H03142985A JP 1279745 A JP1279745 A JP 1279745A JP 27974589 A JP27974589 A JP 27974589A JP H03142985 A JPH03142985 A JP H03142985A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野Ｊ
本発明は、電流狭窄用の狭いメサ幅を有する発光領域の
歪を小さくでき、かつ歩留まりの高いいわゆるリッジ型
の光半導体装置に関するものである。
歪を小さくでき、かつ歩留まりの高いいわゆるリッジ型
の光半導体装置に関するものである。
【従来の技術］
従来のりッジレーザの一例をＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系
の場合について第５図に示す。 第５図において、１はｎ形１ｎＰ基板、２は基板１上の
ｎ形１ｎＰクラッド層、３はクラッド層２上の発光層、
４は発光層３を覆うメサ部をもつｐ形ＩｎＰクラッド層
、５はクラッド層４のメサ部を覆うキャップ層、６は基
板ｌの他方の面に配置した負の電極、７はクラッド層４
を覆うＳｉｎ、などの誘電体膜、８は誘電体膜７じ被着
した正の電極である。 このレーザは正および負の電極８および６へ電圧を印加
し、発光（活性）層３へ電流を流す、すなわち電子と正
孔を注入することにより、発光させて光出力を取り出す
ものである。 ここで、一般に、半導体装置の効率向上を狙い、注入さ
れたキャリアおよび発光した光を発光領域へ効率良く閉
じ込めるために、発光層よりもバンドギャップが大きく
、屈折率の小さい、いわゆる、ｐ形１ｎＰクラッド層４
およびｎ形１ｎＰクラッド層２で当該発光層３を挟み込
む構造となっている。 キャップ層５は電極形成を容易にするものである。ｎ形
１ｎＰ基板１上にこれらの各層を順次に成長させた後、
ウェハのキャップ層５より、活性層３の上のクラッド層
４までメサ状にエツチングし、発光領域を限定し、動作
電流を低減させるようにする。ここで、メサ部を形成す
ることにより、電流が狭窄されるとともに、メサ部のあ
る領域とない領域で発光領域の屈折率が異なり、電流お
よび発光光を効率良く閉じ込める構造となっており、い
わゆる利得導波路と屈折率導波路としての性質を合わせ
持った構造となっている。 【発明が解決しようとする課題］ これらのりッジレーザでは、発光領域近傍に電極と数千
オングストロームの厚さの誘電体膜が重なった、いわゆ
るバイメタルがリッジ部分に形成された構造となってお
り、この構造により発生する歪が、素子の動作中に、発
光領域を歪ませ、結晶中へすべり転位を誘起し、信頼性
および素子特性を低下させていた。さらに、素子製作中
に絶縁膜の機械的に弱い部分を突き破り電極が直接メサ
側面あるいはエツチング底面へ接触するおそれがあり、
その場合には電流のリークの原因となり、製造歩留まり
の低下を招いていた。 そこで、本発明の目的は、上述した電極および絶縁膜か
ら発光領域への歪を低減し、信頼性の高いリッジ型レー
ザを歩留まり良く構成することのできる光半導体装置を
提供することにある。 【課題を解決するための手段］ このような目的を達成するために、本発明の第１形態は
、半導体基板を有し、該半導体基板の一方の主面上には
第１クラッド層２発光層および第゛２クラッド層をこの
順序で配置し、前記クラッド層のうち前記発光層の近傍
であって前記発光層を含まない部分に、当該発光層への
電流狭窄のためのメサ部を設け、前記半導体基板の他方
の主面上および前記メサ部の上に第１および第２電極を
配置した光半導体装置において、前記メサ部の少くとも
一方の側部の前記第２クラッド層には前記発光層にまで
は達しない深さに形成した溝を設け、前記第２電極を前
記溝をまたいで前記第２クラッド層の上に延在させたこ
とを特徴とする。 本発明の第２形態は、半導体基板を有し、該半導体基板
の一方の主面上には第１クラッド層１発光層および第２
クラッド層をこの順序で配置し、前記クラッド層のうち
前記発光層の近傍であって前記発光層を含まない部分に
、当該発光層への電流狭窄のためのメサ部を設け、前記
半導体基板の他方の主面上および前記メサ部の上に第１
および第２電極を配置した光半導体装置において、前記
メサ部の一方の側部の前記第２クラッド層には前記発光
層にまでは達しない深さに形成した溝を設け、前記第２
電極を前記溝をまたいで前記第２クラッド層の上に延在
させ、前記メサ部の他方の側部は少くとも前記第２クラ
ッド層および前記発光層にわたってエツチングまたはへ
きかいされた構造となして、前記メサ部の他方の側部の
メサ側面には前記第２電極を設けないようになしたこと
を特徴とする。 本発明の第３形態は、半導体基板を有し、該半導体基板
の一方の主面上には第１クラッド層８発光層および第２
クラッド層をこの順序で配置し、前記クラッド層のうち
前記発光層の近傍であって前記発光層を含まない部分に
、当該発光層への電流狭窄のためのメサ部を設け、前記
半導体基板の他方の主面上および前記メサ部の上に第１
および第２電極を配置した光半導体装置において、前記
メサ部の一方の側部の前記第２クラッド層には前記発光
層にまでは達しない深さに形成した溝を設け、前記第２
電極を前記溝をまたいで前記第２クラッド層の上に延在
させ、前記メサ部の他方の側部は少くとも前記第２クラ
ッド層および前記発光層にわたってエツチングまたはへ
、きかいされた構造となして、前記メサ部の他方の側部
のメサ側面には前記第２電極を設けないようになし、当
該メサ側面を半導体保護薄膜で覆ったことを特徴とする
。 本発明の第４形態は、半導体基板を有し、該半導体基板
の一方の主面上には第１クラッド層１発光層および第２
クラッド層をこの順序で配置し、前記クラッド層のうち
前記発光層の近傍であって前記発光層を含まない部分に
、当該発光層への電流狭窄のためのメサ部を設け、前記
半導体基板の他方の主面上および前記メサ部の上に第１
および第２？Ｉ！極を配置した光半導体装置において、
前記メサ部の一方の側部の前記第２クラッド層には前記
発光層にまでは達しない深さに形成した溝を設け、前記
第２電極を前記溝をまたいで前記第２クラッド層の上に
延在させ、前記メサ部の他方の側部は少くとも前記第２
クラッド層および前記発光層にわたってエツチングまた
はへきかいされた構造となして、前記メサ部の他方の側
部のメサ側面には前記第２電極を設けないようになし、
前記発光層のうち、前記メサ側面における部分をマスト
ランスボート領域となしたことを特徴とする。 【作 用】 本発明では、溝を設けることによって、メサ側面に電極
を形成せず、かつ発光領域から電極を離すとともに絶縁
膜の薄膜化を可能とし、極端な場合は無くても良いので
、発光領域への歪を低減することができる。 ［実施例］ 以下に、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。 ここでは、本発明の実施例をＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰレ
ーザを例Ｃとり述べるが、本発明はこの例にのみ限られ
るものではない。 第１図は本発明の第１の形態についての実施例を示す断
面図である。第１図において、１はｎ形ＩｎＰ基板、２
は基板１の一方の主面上に配置したｎ形１ｎＰクラッド
層、３はクラッド層２上に配置したＩｎＧａＡｓＰ活性
（発光）層である。４は活性層３を覆うｐ形！ｎＰクラ
ッド層であり、そのメサ部４＾の両側にはたとえば幅が
３０μｍの溝ｌＯを形成する。５はクラッド層４の溝１
Ｇ以外の部分の表面に配置したｐ形１ｎＧａＡｓＰキャ
ップ層である。６は基板１の露出表面に配置したｎ側電
極、７はＳＩＮ等の絶ｍｓであり、溝ｌＯおよびクラッ
ド層４を覆う。８は絶縁ｌｌｌ７上に配置され、メサ部
４＾のキャップ層５に接続されたｐ側電極である。ここ
で、溝ｌＯ内は空所であり、その上部にはメサ部４＾の
上方から電極ｌＯが延在されて配置されている。 １１は発光領域である。 本実施例の基本動作は従来の装置と同様であって、電極
８へ正の電圧、電極６へ負の電圧を印加し、活性層３に
はリッジ部分を通して電流を流すこと（電子と正孔の注
入）により発光を得るものである。 本発明ではメサ部４＾の側部に溝ｌＯを設けているので
、絶縁用の誘電体膜は不要となるが、表面保護のために
薄い（０，１μｍ程度）の膜７を設けた。 この構造で共振器長３００μｍの素子を製作したところ
、３０ａ＋Ａ程度の発振しきい電流値を得ることができ
、数千時間の高ストレス通電にも耐える素子を製作する
ことができた。 第２図は本発明の第２の形態の実施例を示す断面図であ
る。この実施例の基本的な構成および動作は第１図の実
施例と同様であるが、ここでは、メサ部４＾の片側を発
光層３までエツチングもしくはへきかい等により形成す
る点が異なっている。 このままの状態でもレーザとすることができ、３００μ
厘の共振器長の素子で６０ｍ八程への発振しきい電流値
を得ることができた。しかし、発光層３を含んだメサ部
４Ａの側面が空気中に露出しており、表面再結合が発振
しきい電流値を増加させる。 そこで、本発明の第３の形態では、発光層３を含んだメ
サ部４＾の側面にクラ層４と同じｐ形ＩｎＰによる薄膜
半導体保護層１２を０．５μｍ以下の厚さに成長させる
。 あるいはまた、本発明の第４の形態では、発光層３のみ
を選択的じエツチングし、６００℃程度の高温中に放置
しておくと上下のＩｎＰ層２．４から発光層４にＩｎＰ
が移動し、エツチング部分を埋め込むことにより形成し
たマストランスポート領域１３により、発光層３の側面
を厚さ０．５μ−程度クラッド層材料で覆った。その結
果、表面再結合の影響を低減でき、３００μ−の共振器
長で約３０ｍＡの発振しきい電流値が得られた。このと
き、メサ部４＾の側面を覆う半導体層１３の厚さが０．
５μｍ以上になると、電流のリークバスとなるので厚み
制御を注意深く行う必要があった。 以上、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰファブリ・ベロー型レー
ザを例にとり、本発明を説明したが、本発明はこの例に
限られるものではなく、ＧａＡｓ等の他の材料系よりな
る場合でも有効である。 さらにまた、本発明はｐおよびｎ形の導電形の逆転した
いわゆるｐ基板型素子でも有効である。 さらに、活性領域へ回折格子を作り付けた分布帰還型ま
た分布反射型レーザおよび発光ダイオード等の素子に対
しても本発明を適用可能であることは言うまでもない。 ［発明の効果］ 上述したように、本発明による光半導体装置は、リッジ
型素子において、溝を設けることによって、メサ側面に
電極を形成せず、かつ発光領域から電極を離すとともに
絶縁膜の薄膜化を可能とし、極端な場合は無くても良い
ので、電極形成時における電気的な短絡の防止および電
極が関与した歪の低減ができるため、歩留まりが向上し
、信頼性も向上する。さらに、素子製作工程の簡便さか
ら光集積素子への展開も容易である。
の場合について第５図に示す。 第５図において、１はｎ形１ｎＰ基板、２は基板１上の
ｎ形１ｎＰクラッド層、３はクラッド層２上の発光層、
４は発光層３を覆うメサ部をもつｐ形ＩｎＰクラッド層
、５はクラッド層４のメサ部を覆うキャップ層、６は基
板ｌの他方の面に配置した負の電極、７はクラッド層４
を覆うＳｉｎ、などの誘電体膜、８は誘電体膜７じ被着
した正の電極である。 このレーザは正および負の電極８および６へ電圧を印加
し、発光（活性）層３へ電流を流す、すなわち電子と正
孔を注入することにより、発光させて光出力を取り出す
ものである。 ここで、一般に、半導体装置の効率向上を狙い、注入さ
れたキャリアおよび発光した光を発光領域へ効率良く閉
じ込めるために、発光層よりもバンドギャップが大きく
、屈折率の小さい、いわゆる、ｐ形１ｎＰクラッド層４
およびｎ形１ｎＰクラッド層２で当該発光層３を挟み込
む構造となっている。 キャップ層５は電極形成を容易にするものである。ｎ形
１ｎＰ基板１上にこれらの各層を順次に成長させた後、
ウェハのキャップ層５より、活性層３の上のクラッド層
４までメサ状にエツチングし、発光領域を限定し、動作
電流を低減させるようにする。ここで、メサ部を形成す
ることにより、電流が狭窄されるとともに、メサ部のあ
る領域とない領域で発光領域の屈折率が異なり、電流お
よび発光光を効率良く閉じ込める構造となっており、い
わゆる利得導波路と屈折率導波路としての性質を合わせ
持った構造となっている。 【発明が解決しようとする課題］ これらのりッジレーザでは、発光領域近傍に電極と数千
オングストロームの厚さの誘電体膜が重なった、いわゆ
るバイメタルがリッジ部分に形成された構造となってお
り、この構造により発生する歪が、素子の動作中に、発
光領域を歪ませ、結晶中へすべり転位を誘起し、信頼性
および素子特性を低下させていた。さらに、素子製作中
に絶縁膜の機械的に弱い部分を突き破り電極が直接メサ
側面あるいはエツチング底面へ接触するおそれがあり、
その場合には電流のリークの原因となり、製造歩留まり
の低下を招いていた。 そこで、本発明の目的は、上述した電極および絶縁膜か
ら発光領域への歪を低減し、信頼性の高いリッジ型レー
ザを歩留まり良く構成することのできる光半導体装置を
提供することにある。 【課題を解決するための手段］ このような目的を達成するために、本発明の第１形態は
、半導体基板を有し、該半導体基板の一方の主面上には
第１クラッド層２発光層および第゛２クラッド層をこの
順序で配置し、前記クラッド層のうち前記発光層の近傍
であって前記発光層を含まない部分に、当該発光層への
電流狭窄のためのメサ部を設け、前記半導体基板の他方
の主面上および前記メサ部の上に第１および第２電極を
配置した光半導体装置において、前記メサ部の少くとも
一方の側部の前記第２クラッド層には前記発光層にまで
は達しない深さに形成した溝を設け、前記第２電極を前
記溝をまたいで前記第２クラッド層の上に延在させたこ
とを特徴とする。 本発明の第２形態は、半導体基板を有し、該半導体基板
の一方の主面上には第１クラッド層１発光層および第２
クラッド層をこの順序で配置し、前記クラッド層のうち
前記発光層の近傍であって前記発光層を含まない部分に
、当該発光層への電流狭窄のためのメサ部を設け、前記
半導体基板の他方の主面上および前記メサ部の上に第１
および第２電極を配置した光半導体装置において、前記
メサ部の一方の側部の前記第２クラッド層には前記発光
層にまでは達しない深さに形成した溝を設け、前記第２
電極を前記溝をまたいで前記第２クラッド層の上に延在
させ、前記メサ部の他方の側部は少くとも前記第２クラ
ッド層および前記発光層にわたってエツチングまたはへ
きかいされた構造となして、前記メサ部の他方の側部の
メサ側面には前記第２電極を設けないようになしたこと
を特徴とする。 本発明の第３形態は、半導体基板を有し、該半導体基板
の一方の主面上には第１クラッド層８発光層および第２
クラッド層をこの順序で配置し、前記クラッド層のうち
前記発光層の近傍であって前記発光層を含まない部分に
、当該発光層への電流狭窄のためのメサ部を設け、前記
半導体基板の他方の主面上および前記メサ部の上に第１
および第２電極を配置した光半導体装置において、前記
メサ部の一方の側部の前記第２クラッド層には前記発光
層にまでは達しない深さに形成した溝を設け、前記第２
電極を前記溝をまたいで前記第２クラッド層の上に延在
させ、前記メサ部の他方の側部は少くとも前記第２クラ
ッド層および前記発光層にわたってエツチングまたはへ
、きかいされた構造となして、前記メサ部の他方の側部
のメサ側面には前記第２電極を設けないようになし、当
該メサ側面を半導体保護薄膜で覆ったことを特徴とする
。 本発明の第４形態は、半導体基板を有し、該半導体基板
の一方の主面上には第１クラッド層１発光層および第２
クラッド層をこの順序で配置し、前記クラッド層のうち
前記発光層の近傍であって前記発光層を含まない部分に
、当該発光層への電流狭窄のためのメサ部を設け、前記
半導体基板の他方の主面上および前記メサ部の上に第１
および第２？Ｉ！極を配置した光半導体装置において、
前記メサ部の一方の側部の前記第２クラッド層には前記
発光層にまでは達しない深さに形成した溝を設け、前記
第２電極を前記溝をまたいで前記第２クラッド層の上に
延在させ、前記メサ部の他方の側部は少くとも前記第２
クラッド層および前記発光層にわたってエツチングまた
はへきかいされた構造となして、前記メサ部の他方の側
部のメサ側面には前記第２電極を設けないようになし、
前記発光層のうち、前記メサ側面における部分をマスト
ランスボート領域となしたことを特徴とする。 【作 用】 本発明では、溝を設けることによって、メサ側面に電極
を形成せず、かつ発光領域から電極を離すとともに絶縁
膜の薄膜化を可能とし、極端な場合は無くても良いので
、発光領域への歪を低減することができる。 ［実施例］ 以下に、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。 ここでは、本発明の実施例をＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰレ
ーザを例Ｃとり述べるが、本発明はこの例にのみ限られ
るものではない。 第１図は本発明の第１の形態についての実施例を示す断
面図である。第１図において、１はｎ形ＩｎＰ基板、２
は基板１の一方の主面上に配置したｎ形１ｎＰクラッド
層、３はクラッド層２上に配置したＩｎＧａＡｓＰ活性
（発光）層である。４は活性層３を覆うｐ形！ｎＰクラ
ッド層であり、そのメサ部４＾の両側にはたとえば幅が
３０μｍの溝ｌＯを形成する。５はクラッド層４の溝１
Ｇ以外の部分の表面に配置したｐ形１ｎＧａＡｓＰキャ
ップ層である。６は基板１の露出表面に配置したｎ側電
極、７はＳＩＮ等の絶ｍｓであり、溝ｌＯおよびクラッ
ド層４を覆う。８は絶縁ｌｌｌ７上に配置され、メサ部
４＾のキャップ層５に接続されたｐ側電極である。ここ
で、溝ｌＯ内は空所であり、その上部にはメサ部４＾の
上方から電極ｌＯが延在されて配置されている。 １１は発光領域である。 本実施例の基本動作は従来の装置と同様であって、電極
８へ正の電圧、電極６へ負の電圧を印加し、活性層３に
はリッジ部分を通して電流を流すこと（電子と正孔の注
入）により発光を得るものである。 本発明ではメサ部４＾の側部に溝ｌＯを設けているので
、絶縁用の誘電体膜は不要となるが、表面保護のために
薄い（０，１μｍ程度）の膜７を設けた。 この構造で共振器長３００μｍの素子を製作したところ
、３０ａ＋Ａ程度の発振しきい電流値を得ることができ
、数千時間の高ストレス通電にも耐える素子を製作する
ことができた。 第２図は本発明の第２の形態の実施例を示す断面図であ
る。この実施例の基本的な構成および動作は第１図の実
施例と同様であるが、ここでは、メサ部４＾の片側を発
光層３までエツチングもしくはへきかい等により形成す
る点が異なっている。 このままの状態でもレーザとすることができ、３００μ
厘の共振器長の素子で６０ｍ八程への発振しきい電流値
を得ることができた。しかし、発光層３を含んだメサ部
４Ａの側面が空気中に露出しており、表面再結合が発振
しきい電流値を増加させる。 そこで、本発明の第３の形態では、発光層３を含んだメ
サ部４＾の側面にクラ層４と同じｐ形ＩｎＰによる薄膜
半導体保護層１２を０．５μｍ以下の厚さに成長させる
。 あるいはまた、本発明の第４の形態では、発光層３のみ
を選択的じエツチングし、６００℃程度の高温中に放置
しておくと上下のＩｎＰ層２．４から発光層４にＩｎＰ
が移動し、エツチング部分を埋め込むことにより形成し
たマストランスポート領域１３により、発光層３の側面
を厚さ０．５μ−程度クラッド層材料で覆った。その結
果、表面再結合の影響を低減でき、３００μ−の共振器
長で約３０ｍＡの発振しきい電流値が得られた。このと
き、メサ部４＾の側面を覆う半導体層１３の厚さが０．
５μｍ以上になると、電流のリークバスとなるので厚み
制御を注意深く行う必要があった。 以上、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰファブリ・ベロー型レー
ザを例にとり、本発明を説明したが、本発明はこの例に
限られるものではなく、ＧａＡｓ等の他の材料系よりな
る場合でも有効である。 さらにまた、本発明はｐおよびｎ形の導電形の逆転した
いわゆるｐ基板型素子でも有効である。 さらに、活性領域へ回折格子を作り付けた分布帰還型ま
た分布反射型レーザおよび発光ダイオード等の素子に対
しても本発明を適用可能であることは言うまでもない。 ［発明の効果］ 上述したように、本発明による光半導体装置は、リッジ
型素子において、溝を設けることによって、メサ側面に
電極を形成せず、かつ発光領域から電極を離すとともに
絶縁膜の薄膜化を可能とし、極端な場合は無くても良い
ので、電極形成時における電気的な短絡の防止および電
極が関与した歪の低減ができるため、歩留まりが向上し
、信頼性も向上する。さらに、素子製作工程の簡便さか
ら光集積素子への展開も容易である。
第１図〜第４図は本発明の第１〜第４の形態の各実施例
を示す断面図、 第５図は従来例を示す断面図である。 １・・・ｎ形１ｎＰ基板、 ２・・・ｎ形１ｎＰクラッド層、 ３ ・・・ＩｎＧａＡｓＰ活性層、 ４・・・ｐ形１ｎＰクラッド層、 ４Ａ・・・メサ部、 ５ ・” ＩｎＧａＡｓＰキ？ ’／ブ層、６・・・ｎ
側電極、 ７・・・誘電体膜（ＳｉＯｚ等）、 ８・・・ｐ側電極、 ９・・・溝、 ｌＯ・・・溝部、 １１・・・発光領域、 １２・・・半導体保護層、 １３・・・マストランスポート領域。
を示す断面図、 第５図は従来例を示す断面図である。 １・・・ｎ形１ｎＰ基板、 ２・・・ｎ形１ｎＰクラッド層、 ３ ・・・ＩｎＧａＡｓＰ活性層、 ４・・・ｐ形１ｎＰクラッド層、 ４Ａ・・・メサ部、 ５ ・” ＩｎＧａＡｓＰキ？ ’／ブ層、６・・・ｎ
側電極、 ７・・・誘電体膜（ＳｉＯｚ等）、 ８・・・ｐ側電極、 ９・・・溝、 ｌＯ・・・溝部、 １１・・・発光領域、 １２・・・半導体保護層、 １３・・・マストランスポート領域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体基板を有し、該半導体基板の一方の主面上に
は第１クラッド層、発光層および第２クラッド層をこの
順序で配置し、前記クラッド層のうち前記発光層の近傍
であって前記発光層を含まない部分に、当該発光層への
電流狭窄のためのメサ部を設け、前記半導体基板の他方
の主面上および前記メサ部の上に第１および第２電極を
配置した光半導体装置において、前記メサ部の少くとも
一方の側部の前記第２クラッド層には前記発光層にまで
は達しない深さに形成した溝を設け、前記第２電極を前
記溝をまたいで前記第２クラッド層の上に延在させたこ
とを特徴とする光半導体装置。 ２）半導体基板を有し、該半導体基板の一方の主面上に
は第１クラッド層、発光層および第２クラッド層をこの
順序で配置し、前記クラッド層のうち前記発光層の近傍
であって前記発光層を含まない部分に、当該発光層への
電流狭窄のためのメサ部を設け、前記半導体基板の他方
の主面上および前記メサ部の上に第１および第２電極を
配置した光半導体装置において、前記メサ部の一方の側
部の前記第２クラッド層には前記発光層にまでは達しな
い深さに形成した溝を設け、前記第２電極を前記溝をま
たいで前記第２クラッド層の上に延在させ、前記メサ部
の他方の側部は少くとも前記第２クラッド層および前記
発光層にわたってエッチングまたはへきかいされた構造
となして、前記メサ部の他方の側部のメサ側面には前記
第２電極を設けないようになしたことを特徴とする光半
導体装置。 ３）半導体基板を有し、該半導体基板の一方の主面上に
は第１クラッド層、発光層および第２クラッド層をこの
順序で配置し、前記クラッド層のうち前記発光層の近傍
であって前記発光層を含まない部分に、当該発光層への
電流狭窄のためのメサ部を設け、前記半導体基板の他方
の主面上および前記メサ部の上に第１および第２電極を
配置した光半導体装置において、前記メサ部の一方の側
部の前記第２クラッド層には前記発光層にまでは達しな
い深さに形成した溝を設け、前記第２電極を前記溝をま
たいで前記第２クラッド層の上に延在させ、前記メサ部
の他方の側部は少くとも前記第２クラッド層および前記
発光層にわたつてエッチングまたはへきかいされた構造
となして、前記メサ部の他方の側部のメサ側面には前記
第２電極を設けないようになし、当該メサ側面を半導体
保護薄膜で覆ったことを特徴とする光半導体装置。 ４）半導体基板を有し、該半導体基板の一方の主面上に
は第１クラッド層、発光層および第２クラッド層をこの
順序で配置し、前記クラッド層のうち前記発光層の近傍
であって前記発光層を含まない部分に、当該発光層への
電流狭窄のためのメサ部を設け、前記半導体基板の他方
の主面上および前記メサ部の上に第１および第２電極を
配置した光半導体装置において、前記メサ部の一方の側
部の前記第２クラッド層には前記発光層にまでは達しな
い深さに形成した溝を設け、前記第２電極を前記溝をま
たいで前記第２クラッド層の上に延在させ、前記メサ部
の他方の側部は少くとも前記第２クラッド層および前記
発光層にわたってエッチングまたはへきかいされた構造
となして、前記メサ部の他方の側部のメサ側面には前記
第２電極を設けないようになし、前記発光層のうち、前
記メサ側面における部分をマストランスポート領域とな
したことを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27974589A JP2805094B2 (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27974589A JP2805094B2 (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03142985A true JPH03142985A (ja) | 1991-06-18 |
| JP2805094B2 JP2805094B2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=17615311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27974589A Expired - Fee Related JP2805094B2 (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2805094B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0629618A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | マルチビーム半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP2000091691A (ja) * | 1998-09-16 | 2000-03-31 | Hitachi Ltd | 半導体光素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0376293A (ja) * | 1989-08-18 | 1991-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
-
1989
- 1989-10-30 JP JP27974589A patent/JP2805094B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0376293A (ja) * | 1989-08-18 | 1991-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0629618A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | マルチビーム半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP2000091691A (ja) * | 1998-09-16 | 2000-03-31 | Hitachi Ltd | 半導体光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2805094B2 (ja) | 1998-09-30 |
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