JPS6170780A - 半導体レ−ザ−の製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ−の製造方法Info
- Publication number
- JPS6170780A JPS6170780A JP19218584A JP19218584A JPS6170780A JP S6170780 A JPS6170780 A JP S6170780A JP 19218584 A JP19218584 A JP 19218584A JP 19218584 A JP19218584 A JP 19218584A JP S6170780 A JPS6170780 A JP S6170780A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- protective film
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- laser element
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザーの製造方法に係る。
半導体レーザーは、種々の構造のものが提案されている
が、いずれの場合も、一般にその光放出端面、すなわち
、半導体内部に形成する光共振器の相対向する光反射面
ともなる共振面は、半導体結晶自体のへき開面によって
構成している０通常この半導体レーザーの作製は、複数
の半導体レーザー素子に関するＰＮ接合、ヘテロ接合等
のこれら半導体レーザー素子を構成する各半導体層、或
いは各半導体領域を、共通の半導体レーザー結晶板とし
て作製して後に、これをその板面方向と交る結晶へき開
面に沿ってそのへき開性を利用して分割し、このように
して露出したへき開面を共振面とする。ところがこのへ
き開面より成る共振面は、これよりの光発振による光化
学反応によって、或いはこの光化学反応が、共振面を作
製するに際して生じた機械的歪や応力による結晶面の劣
化を助長して半導体レーザーの特性劣化を招来する。
が、いずれの場合も、一般にその光放出端面、すなわち
、半導体内部に形成する光共振器の相対向する光反射面
ともなる共振面は、半導体結晶自体のへき開面によって
構成している０通常この半導体レーザーの作製は、複数
の半導体レーザー素子に関するＰＮ接合、ヘテロ接合等
のこれら半導体レーザー素子を構成する各半導体層、或
いは各半導体領域を、共通の半導体レーザー結晶板とし
て作製して後に、これをその板面方向と交る結晶へき開
面に沿ってそのへき開性を利用して分割し、このように
して露出したへき開面を共振面とする。ところがこのへ
き開面より成る共振面は、これよりの光発振による光化
学反応によって、或いはこの光化学反応が、共振面を作
製するに際して生じた機械的歪や応力による結晶面の劣
化を助長して半導体レーザーの特性劣化を招来する。
そこで、この種の半導体レーザーにおいては、その共振
面に、Ａｌ２Ｏ３＋ ５ｌＯｘａ ＳｉＯ等の保護膜の
被着がなされる。この保護膜の被着は、例えば特公昭５
ｓ−ｇｏｏ３７号公報に開示されているところである。
面に、Ａｌ２Ｏ３＋ ５ｌＯｘａ ＳｉＯ等の保護膜の
被着がなされる。この保護膜の被着は、例えば特公昭５
ｓ−ｇｏｏ３７号公報に開示されているところである。
ところが、この場合保護膜は、共振面以外の表裏面に形
成されることは、これら表裏面に設けられている半導体
レーザーダイオードの対向電極の表面を覆ってこれら電
極に対するリード導出の例えばワイヤーポンディングを
阻害するので、回避されることが望まれる。
成されることは、これら表裏面に設けられている半導体
レーザーダイオードの対向電極の表面を覆ってこれら電
極に対するリード導出の例えばワイヤーポンディングを
阻害するので、回避されることが望まれる。
したがって、この半導体レーザー素子の共振面への保護
膜の形成に当っては、これら相対向する共振面以外の面
、すなわち半導体レーザー素子の表裏両面にこの保ｉ′
！膜をリフトオフするに供する例えばフォトレジスト膜
すなわち、感光性樹脂膜を形成しておき、共振面にＡｌ
２Ｏ３＋ ５ｔ（ｈ ＋ ＳｉＯ等の保１４ｉｌｌを蒸
着或いはＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって形成し、その後、レジ
スト膜を除去して、このレジス）Ｉｆｆの除去と共に共
振面以外に付着された保護膜の除去、すなわちリフトオ
フするという方法が適用されている。
膜の形成に当っては、これら相対向する共振面以外の面
、すなわち半導体レーザー素子の表裏両面にこの保ｉ′
！膜をリフトオフするに供する例えばフォトレジスト膜
すなわち、感光性樹脂膜を形成しておき、共振面にＡｌ
２Ｏ３＋ ５ｔ（ｈ ＋ ＳｉＯ等の保１４ｉｌｌを蒸
着或いはＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって形成し、その後、レジ
スト膜を除去して、このレジス）Ｉｆｆの除去と共に共
振面以外に付着された保護膜の除去、すなわちリフトオ
フするという方法が適用されている。
上述した共振面に対する保護膜の形成に際しては、生成
された保護膜に良好な緻密性、ん着性、屈折率等を得る
上において、その蒸着、或いはＣＶＤにおける基敬温度
は１５０℃〜１８０℃好ましくは２００℃程度の加熱が
望まれる。
された保護膜に良好な緻密性、ん着性、屈折率等を得る
上において、その蒸着、或いはＣＶＤにおける基敬温度
は１５０℃〜１８０℃好ましくは２００℃程度の加熱が
望まれる。
ところが上述したリフトオフ候としてフォトレジスト膜
を用いる場合、これは１２０℃程度の加熱で変形、変質
が生じ、剥離が困難になる。
を用いる場合、これは１２０℃程度の加熱で変形、変質
が生じ、剥離が困難になる。
本発明は、半導体レーザーの共振面に対する保護膜の形
成に当って、リフトオフ法を通用するにもかかわらず、
上述した諸問題を解決するものである。
成に当って、リフトオフ法を通用するにもかかわらず、
上述した諸問題を解決するものである。
本発明においては、半導体レーザーの結晶板、すなわち
、複数の半導体レーザー素子に関するＰＮ接合、ヘテロ
接合等のこれら半導体レーザー素子を構成する各半導体
層、或いは各半導体領域が、形成された共通の半導体レ
ーザー結晶板の表裏両面に、後述する保護膜のリフトオ
フ用の耐熱性材料層を被着する。この耐熱性材料層は、
後述する保ｗＬ膜の形成に望まれる加熱温度に充分耐え
ると共に、その後溶剤によって容易に除去することので
きる材料、例えばシリケートガラス、或いはこれにりん
Ｐ等の不純物が含まれたりんシリケートガラスのような
ドープドガラス、或いはポリイミド樹脂によって構成す
るものであり、この材料層は特にスピンコードによって
結晶板上に塗布することによって比較的厚い層として形
成するこ、とが望ましいものである０例えばシリケート
ガラスを用いる場合、溶剤中に５ｉ０２粉末を混入した
塗料を結晶板中にスピンコードした後、この塗料中の溶
剤をとばしてシリケートガラス材料層を形成する。その
後、この結晶板を複数部分に分割、いわゆるペレッタイ
ズして半導体レーザー素子を得ると共に、各素子に関し
てその分断面、すなわち結晶のへき開面によって各レー
ザー素子の共振面を形成する。この分割は周知の方法、
例えばスクライビング、すなわち罫書き工程の後にへき
開面を利用した破断によって行う。すなわち、この分割
は結晶板の結晶へき開面に沿って行う。
、複数の半導体レーザー素子に関するＰＮ接合、ヘテロ
接合等のこれら半導体レーザー素子を構成する各半導体
層、或いは各半導体領域が、形成された共通の半導体レ
ーザー結晶板の表裏両面に、後述する保護膜のリフトオ
フ用の耐熱性材料層を被着する。この耐熱性材料層は、
後述する保ｗＬ膜の形成に望まれる加熱温度に充分耐え
ると共に、その後溶剤によって容易に除去することので
きる材料、例えばシリケートガラス、或いはこれにりん
Ｐ等の不純物が含まれたりんシリケートガラスのような
ドープドガラス、或いはポリイミド樹脂によって構成す
るものであり、この材料層は特にスピンコードによって
結晶板上に塗布することによって比較的厚い層として形
成するこ、とが望ましいものである０例えばシリケート
ガラスを用いる場合、溶剤中に５ｉ０２粉末を混入した
塗料を結晶板中にスピンコードした後、この塗料中の溶
剤をとばしてシリケートガラス材料層を形成する。その
後、この結晶板を複数部分に分割、いわゆるペレッタイ
ズして半導体レーザー素子を得ると共に、各素子に関し
てその分断面、すなわち結晶のへき開面によって各レー
ザー素子の共振面を形成する。この分割は周知の方法、
例えばスクライビング、すなわち罫書き工程の後にへき
開面を利用した破断によって行う。すなわち、この分割
は結晶板の結晶へき開面に沿って行う。
その後、これら各レーザー素子の分割面によって形成し
た共振面に、夫々Ａｌ２Ｏ３＋ ５ｔ（ｈ ＋ ＳｉＯ
等の保護膜をＣＶＤ法、蒸着法等によって被着する。
た共振面に、夫々Ａｌ２Ｏ３＋ ５ｔ（ｈ ＋ ＳｉＯ
等の保護膜をＣＶＤ法、蒸着法等によって被着する。
この保護膜の被着は、基体温度、才なわら半導体レーザ
ー素子を２００℃程度の高温に加熱した状態で行うもの
であり、このようにして良質にして被着強度にすぐれた
保護膜の被着形成を行うことができる。
ー素子を２００℃程度の高温に加熱した状態で行うもの
であり、このようにして良質にして被着強度にすぐれた
保護膜の被着形成を行うことができる。
その後、先に形成したリフトオフ用の耐熱性材料層をそ
の溶剤によって溶去してこの材料層の除去と共にこれの
上に被着された保護膜を除去すなわちリフトオフする。
の溶剤によって溶去してこの材料層の除去と共にこれの
上に被着された保護膜を除去すなわちリフトオフする。
このようにしてこの保護膜を、半導体レーザー素子の表
面すなわち電極の被着面からは除去し、その側面、すな
わち共振面には被着された状態にあるようにする。
面すなわち電極の被着面からは除去し、その側面、すな
わち共振面には被着された状態にあるようにする。
上述したように、本発明においては、半導体レーザー素
子の共振面に保護膜を限定的に被−着するに、その表裏
面に形成しておくリフトオフ膜として、不純物を含むか
含まないシリケートガラス、或いはポリイミド樹脂のよ
うに２００℃程度の温度に耐熱性を有する材料層を被着
して置くようにしたので、共振面に対する１保ＷＩＭ＠
の形成において基体温度を２００℃程度下で行うことが
でき良質で且つ共振面に対する被着強度にすぐれた保ｉ
ｔ膜の形成を容易に行うことができる。
子の共振面に保護膜を限定的に被−着するに、その表裏
面に形成しておくリフトオフ膜として、不純物を含むか
含まないシリケートガラス、或いはポリイミド樹脂のよ
うに２００℃程度の温度に耐熱性を有する材料層を被着
して置くようにしたので、共振面に対する１保ＷＩＭ＠
の形成において基体温度を２００℃程度下で行うことが
でき良質で且つ共振面に対する被着強度にすぐれた保ｉ
ｔ膜の形成を容易に行うことができる。
図面を参照して、本発明製法の一例を説明する。
図中（１）は、半導体レーザーの結晶板、すなわち複数
の半導体レーザー素子に関するＰＮ接合、ペテロ接合等
のこれら半導体レーザー素子を構成する各半導体層、或
いは各半導体餉域が形成された共通の半導体レーザー結
晶板で、（１ａ）及び（１ｂ）はこの結晶ｉ （１）の
表裏各面で、これら面（ｌａ）及び（Ｉｂ）には図示し
ないが各半導体レーザー素子の電極、すなわち半導体レ
ーザーダイオードのカソード及びアノードの各電極が被
着されている。
の半導体レーザー素子に関するＰＮ接合、ペテロ接合等
のこれら半導体レーザー素子を構成する各半導体層、或
いは各半導体餉域が形成された共通の半導体レーザー結
晶板で、（１ａ）及び（１ｂ）はこの結晶ｉ （１）の
表裏各面で、これら面（ｌａ）及び（Ｉｂ）には図示し
ないが各半導体レーザー素子の電極、すなわち半導体レ
ーザーダイオードのカソード及びアノードの各電極が被
着されている。
先ず、第１図−Ａにその拡大平面図を示し、第１図−Ｂ
に第１図−ＡのＢ−Ｂ線上の拡大断面図を示すように、
結晶板（１）の表面（１ａ）及び（１ｂ）に全面的に後
述する保Ｍ膜のリフトオフ用の耐熱性材料層を被着する
。この耐熱性材料層は、後述する保護膜の形成に望まれ
る加熱温度の２００℃程度に充分耐えると共に、この加
熱後において溶剤によって容易に除去することのできる
材料、例えはシリケートガラス、或いはこれにりんＰ等
の不純物がドープされた、ドープトシリケートガラス、
或いはポリイミド樹脂によって構成する。この材料層は
、例えばこの材料粉末が溶剤の添加によって所要のの流
動性を有するように調整された塗料全用意し、これをス
ピンコードによって塗布し′ζ後乾燥することによって
形成する。
に第１図−ＡのＢ−Ｂ線上の拡大断面図を示すように、
結晶板（１）の表面（１ａ）及び（１ｂ）に全面的に後
述する保Ｍ膜のリフトオフ用の耐熱性材料層を被着する
。この耐熱性材料層は、後述する保護膜の形成に望まれ
る加熱温度の２００℃程度に充分耐えると共に、この加
熱後において溶剤によって容易に除去することのできる
材料、例えはシリケートガラス、或いはこれにりんＰ等
の不純物がドープされた、ドープトシリケートガラス、
或いはポリイミド樹脂によって構成する。この材料層は
、例えばこの材料粉末が溶剤の添加によって所要のの流
動性を有するように調整された塗料全用意し、これをス
ピンコードによって塗布し′ζ後乾燥することによって
形成する。
その後第１図−Ａ中に鎖線ａ１．ａ２ｔ ａ３・・・
を付して示すように結晶板（１）の各半導体レーザー素
子間を分断して第２図−Ａに拡大平面図を示し、第２図
−Ｂに拡大断面図を示すように、半導体レーザー素子（
１１）にベレンタイズする。この場合分断面ａｔ＋
ａ２＋ ａ３・・・が丁度結晶のへき開面に沿うよう
に選ばれ、この切断面、すなわちへき開面によってレー
ザー素子（１１）の相対向する共振面（ｌｌａ）及び（
Ｌｌｂ）が形成されるようにする。このようにして分割
して生じた各レーザー素子（１１）の共振面（ｌｌａ）
及び（ｌｌｂ）に、第３図−Ａに拡大平面図を示し、第
３図−Ｂに第３図−ＡのＢ−Ｂ線の拡大断面図を示すよ
うに夫々Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２＋ ＳｉＯ等の保護膜（
１２）をＣＶＤ法、蒸着法等によって被着する。この保
護膜（１２）の被着は、基体温度、すなわち半導体レー
ザー素子を２００℃程度に加熱した状態で行う。
を付して示すように結晶板（１）の各半導体レーザー素
子間を分断して第２図−Ａに拡大平面図を示し、第２図
−Ｂに拡大断面図を示すように、半導体レーザー素子（
１１）にベレンタイズする。この場合分断面ａｔ＋
ａ２＋ ａ３・・・が丁度結晶のへき開面に沿うよう
に選ばれ、この切断面、すなわちへき開面によってレー
ザー素子（１１）の相対向する共振面（ｌｌａ）及び（
Ｌｌｂ）が形成されるようにする。このようにして分割
して生じた各レーザー素子（１１）の共振面（ｌｌａ）
及び（ｌｌｂ）に、第３図−Ａに拡大平面図を示し、第
３図−Ｂに第３図−ＡのＢ−Ｂ線の拡大断面図を示すよ
うに夫々Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２＋ ＳｉＯ等の保護膜（
１２）をＣＶＤ法、蒸着法等によって被着する。この保
護膜（１２）の被着は、基体温度、すなわち半導体レー
ザー素子を２００℃程度に加熱した状態で行う。
次に第３図−Ａにその拡大平面図を示し、第３図−Ｂに
第３図−ＡのＢ−Ｂ線の拡大断面図を示すように、耐熱
性材料層（２）をその溶剤によって溶去して、各共振面
（ｌｌａ）及び（ｌｌｂ）上には保護膜（１２）が残さ
れてその被覆がなされるが、他の表裏面においては材料
Ｎ（２）の除去と共にこれが排除される。
第３図−ＡのＢ−Ｂ線の拡大断面図を示すように、耐熱
性材料層（２）をその溶剤によって溶去して、各共振面
（ｌｌａ）及び（ｌｌｂ）上には保護膜（１２）が残さ
れてその被覆がなされるが、他の表裏面においては材料
Ｎ（２）の除去と共にこれが排除される。
このようにして、各共振面（ｌｌａ）及び（ｌｌｂ、、
）が保護膜（１２）によって被覆保護された半導体レー
ザーが得られる。
）が保護膜（１２）によって被覆保護された半導体レー
ザーが得られる。
上述の本発明によれば、半導体レーザー素子の共振面に
保護膜を限定的に被着するに、その表裏面に形成してお
くリフトオフ映として、 ２００を程度の温度に耐熱性
を有する材料層を被着して置くようにしたので、共振面
に対する保護膜の形成において基体温度２００℃程度下
で行うことができ良質で且つ共振面に対する被着強度に
すぐれた保護膜の形成を容易に行うことができるもので
ある。
保護膜を限定的に被着するに、その表裏面に形成してお
くリフトオフ映として、 ２００を程度の温度に耐熱性
を有する材料層を被着して置くようにしたので、共振面
に対する保護膜の形成において基体温度２００℃程度下
で行うことができ良質で且つ共振面に対する被着強度に
すぐれた保護膜の形成を容易に行うことができるもので
ある。
第１図〜第４図は本発明による半導体レーザーの製造方
法の一例の各工程図で、その各Ａ図はその拡大平面図、
各Ｂ１５１は各Ａ図のＢ−Ｂ線上の拡大断面図である。 （１）・−・結晶板、（１ａ）及び（１ｂ）・・・その
表裏各面、（２）・・・耐熱性材料層、（１１）・・・
半導体レーザー素子、（ｌｌａ ）及び（ｌｌｂ）
・・・その共振面、（１２） ・・・保護膜。 同 松隈秀盛１−・ 、、°°・、１ −１゛ｊ
法の一例の各工程図で、その各Ａ図はその拡大平面図、
各Ｂ１５１は各Ａ図のＢ−Ｂ線上の拡大断面図である。 （１）・−・結晶板、（１ａ）及び（１ｂ）・・・その
表裏各面、（２）・・・耐熱性材料層、（１１）・・・
半導体レーザー素子、（ｌｌａ ）及び（ｌｌｂ）
・・・その共振面、（１２） ・・・保護膜。 同 松隈秀盛１−・ 、、°°・、１ −１゛ｊ
Claims (1)
- 半導体レーザー結晶板の表裏両面に耐熱性材料層を被着
形成する工程と、その後上記半導体レーザー結晶板を分
割して半導体レーザー素子を得る工程と、該半導体レー
ザー素子の共振面に保護膜を形成する工程と、その後上
記耐熱性材料層を除去する工程とを経ることを特徴とす
る半導体レーザーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19218584A JPS6170780A (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | 半導体レ−ザ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19218584A JPS6170780A (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | 半導体レ−ザ−の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6170780A true JPS6170780A (ja) | 1986-04-11 |
Family
ID=16287090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19218584A Pending JPS6170780A (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | 半導体レ−ザ−の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6170780A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6450585A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Fuji Electric Co Ltd | Formation of protective film of semiconductor laser |
| JPH03136390A (ja) * | 1989-07-31 | 1991-06-11 | Gold Star Co Ltd | 半導体レーザ製造工程でクリービングするためのフォト工程 |
| JPH04130786A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-01 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| EP0649198A1 (en) * | 1993-10-18 | 1995-04-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a radiation-emitting semiconductor diode |
| US6737717B2 (en) | 1998-09-04 | 2004-05-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin-film transistor having lightly-doped drain structure |
| US7320905B2 (en) | 1998-08-21 | 2008-01-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device provided with semiconductor circuit made of semiconductor element and method of fabricating the same |
-
1984
- 1984-09-13 JP JP19218584A patent/JPS6170780A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6450585A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Fuji Electric Co Ltd | Formation of protective film of semiconductor laser |
| JPH03136390A (ja) * | 1989-07-31 | 1991-06-11 | Gold Star Co Ltd | 半導体レーザ製造工程でクリービングするためのフォト工程 |
| JPH04130786A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-01 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| EP0649198A1 (en) * | 1993-10-18 | 1995-04-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a radiation-emitting semiconductor diode |
| BE1007661A3 (nl) * | 1993-10-18 | 1995-09-05 | Philips Electronics Nv | Werkwijze ter vervaardiging van een straling-emitterende halfgeleiderdiode. |
| US5541139A (en) * | 1993-10-18 | 1996-07-30 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a radiation-emitting semiconductor diode |
| US7320905B2 (en) | 1998-08-21 | 2008-01-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device provided with semiconductor circuit made of semiconductor element and method of fabricating the same |
| US6737717B2 (en) | 1998-09-04 | 2004-05-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin-film transistor having lightly-doped drain structure |
| US7098088B2 (en) | 1998-09-04 | 2006-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having semiconductor circuit formed by semiconductor elements and method for manufacturing the same |
| US7410847B2 (en) | 1998-09-04 | 2008-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having semiconductor circuit formed by semiconductor elements and method for manufacturing the same |
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