JP2003026429A - ガラス成形金型およびその製造方法 - Google Patents

ガラス成形金型およびその製造方法

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JP2003026429A JP2001210434A JP2001210434A JP2003026429A JP 2003026429 A JP2003026429 A JP 2003026429A JP 2001210434 A JP2001210434 A JP 2001210434A JP 2001210434 A JP2001210434 A JP 2001210434A JP 2003026429 A JP2003026429 A JP 2003026429A
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molding
glass
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Hiroshi Riyounai
領内  博
Makoto Umetani
梅谷  誠
Miyoko Doi
美代子 土肥
Shoji Nakamura
正二 中村
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は成形性(流動性)に適した、SiO
2を75wt%以上、Li2Oを10wt%以上含有する結晶
化ガラスを基材とする成形金型において、成形面を構成
するガラスと金型表面の保護膜の密着性を良好にし、金
型の耐久性、および品質の安定した金型を提供すること
を目的とする。 【解決手段】 本発明は、上記問題点を解決するため
に、SiO2を75wt%以上、Li2Oを10wt%以上含
有する結晶化ガラスからなるレプリカ金型と金属保護膜
との間にSi34あるいはSiCをベースにして保護膜
構成元素を含んだ中間膜を所定の温度条件、濃度条件で
形成した後、Pt、Ir、W、Re、Ta、Rh、R
u、Osのうち少なくとも1種類の元素からなる保護膜
をスパッタにより形成する。これによって、ガラス成形
型と保護膜の密着性が改善され、金型の耐久性、安定性
が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラスまたはプラ
スチックをプレス成形するためのガラス成形金型および
その製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、プレス成形によるガラスレンズ
などの素子成形では、所定の表面形状に仕上げた表面層
を有する成形型内に、被成形ガラスを入れた後加熱・軟
化させ(または加熱軟化させた被成形ガラスを入れ)、
この成形型に所定の圧力を加えることによって、成形型
の形状が被成形ガラスに転写されてガラス成形体が得ら
れる。
【0003】したがって、成形型は、その表面層の形状
がガラス成形体の表面形状としてそのまま転写されるこ
とになる。
【0004】金型に用いられる基材としては、従来、超
硬合金、セラミック、サーメット、鋼等が用いられてき
たが、これらを精密に加工するには時間とコストがかか
り、多数の金型を短期間に製造することは困難であっ
た。
【0005】これを解決するために、成形用の金型に結
晶化ガラスなどを用いて、結晶化前のガラスを成形母型
によって成形後結晶化させて、このガラス金型(以後、
レプリカ金型と称す)を製造することが提案されてい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】レプリカ金型の基材と
して被成形ガラスよりも高軟化点を有するガラス、もし
くは結晶化ガラスを用いることが提案されている。しか
し、レプリカ金型でガラスを成形する場合、高温成形時
にレプリカ金型と被成形ガラスが融着してしまうため、
その防止としてレプリカ金型の少なくとも成形面には貴
金属などの保護膜が形成されている。
【0007】しかし、これら貴金属膜はガラスとの反応
性に乏しく、レプリカ金型への密着性も悪く、ガラス成
形時にはレプリカ金型からの剥離が生じる。
【0008】そのため、ガラス基材と保護膜との間に中
間膜の導入が提案されている。
【0009】しかし、レプリカ金型に適した結晶化ガラ
スは成形性を良くするためにLi2Oが多く含まれてお
り、その結果熱膨張係数が大きくなると言うデメリット
も現れる。Li2Oを多く含有する結晶化ガラスは、そ
の大きな熱膨張係数を有するが故、従来の中間膜構成で
は保護膜をレプリカ金型の表面に保つことができず、保
護膜の剥離という現象を生じる。
【0010】本発明は、こういった金属保護膜のレプリ
カ金型への密着性を改善し、ガラス成形金型としての寿
命、信頼性を確保することを可能とするガラス成形金型
およびその製造方法に関する。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、SiO2を75wt%以上、Li2Oを1
0wt%以上含有する結晶化ガラスからなるレプリカ金型
と金属保護膜との間にSi34あるいはSiCをベース
にして保護膜構成元素を含んだ中間膜を所定の温度条
件、濃度条件で形成した後、Pt、Ir、W、Re、T
a、Rh、Ru、Osのうち少なくとも1種類の元素か
らなる保護膜をスパッタにより形成する。
【0012】これによって、ガラス成形型と保護膜の密
着性が改善され、金型の耐久性、安定性が向上する。
【0013】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例1について
図1および図2を用いて説明する。
【0014】図1は本発明に関わるガラス成形金型1の
断面の概略図であり、図2はその製造方法を模式的に表
した図である。
【0015】まずプロセスを図2を用いて説明する。
【0016】図2(a)で、高速度鋼からなる基材2上
に結晶化ガラス3(松浪硝子社製D150)のマザーガ
ラスを置き、案内型4および母型5を準備する。
【0017】図2(b)で、加熱・加圧により、母型の
形状を結晶化ガラスに転写(550℃)し、マザーガラ
スの結晶化(750℃1時間)を行い、ガラス成形金型
への形状転写を完了する。
【0018】図2(c)で、ガラス成形金型を加熱し、
第1の中間膜6としてSiC−15at%Ir(600
℃)および第2の中間膜7としてSiC−50at%Ir
(450℃)を成膜する。
【0019】図2(d)で、続いて、保護膜Pt−Ir
合金8を450℃で1μm形成してガラス成形金型1を
作製する。
【0020】図2(c)における中間膜の形成では、2
ターゲットスパッタ装置を用いてもよいし、また、1タ
ーゲットスパッタ装置でターゲットをその都度交換して
もよい。
【0021】以上のスパッタ中は基板を回転させ、膜組
成が面内で均一になるようにする。また、スパッタ時の
Arガス圧は0.67Paとした。また、保護膜8の厚
みは1μmとした。
【0022】以上のように作製したガラス成形金型1の
断面の概略を図1に示した。
【0023】次に、実施例2〜10として、主に保護膜
組成をPt−Irターゲットの代わりに、Ta、W、I
r、Pt、Re、Pt−Re、Rh、Ru、Osを用い
て保護膜を形成した。中間膜の組成および成膜時の温度
は表1に示した(保護膜組成に応じて、中間膜は若干の
組成変更を行った)。
【0024】
【表1】
【0025】さらに、実施例11〜20として、保護膜
をPt−Irに固定して、中間膜の組成比、成膜温度を
変えてガラス成形金型を作製した。この場合の条件は表
2に示した。
【0026】
【表2】
【0027】実施例21では、表3に示すように中間膜
を3層にしてガラス成形金型を作製した。
【0028】
【表3】
【0029】保護膜の評価は、図3に模式的に示したよ
うに作製した金型を用いてガラス成形を繰り返すことに
よって行った。保護膜の金型への密着度が悪いとガラス
成形を繰り返すことで保護膜の剥離が発生する。
【0030】図3に示すように、2個の成形用型の間に
成形ガラス9を入れ、全体を加熱する。屈伏点以上50
℃まで加熱し、上下から加圧し成形ガラスに金型形状を
転写する。
【0031】その後、(ガラス転移温度−20℃)まで
冷却した後、成形されたガラスを取り出し、このプロセ
スを1回の成形とした。
【0032】それぞれ1000回の成形を実施した。そ
の時点で保護膜の剥離が全く生じていないものを可
(○)とし、1000回未満の成形で保護膜の剥離が発
生したものは不可(×)とした。
【0033】結果はそれぞれの表の中にあわせて記述し
た。
【0034】上記の実施例1〜21においては、すべて
の金型について保護膜の剥離は確認されなかった。
【0035】次に、中間膜組成、および中間膜の成膜温
度を変え、さらには中間膜の単層化も行って、比較例1
〜9とした。その構成、および成膜温度などを表4に示
した。
【0036】
【表4】
【0037】これら比較例では、すべて保護膜の剥離が
発生している。
【0038】比較例1では第1の中間膜の保護膜構成元
素(Ir)量を30at%として、それ以外は実施例1
2、実施例14と同様にした。
【0039】ここでは、第1の中間膜内のIr量が25
at%以下では保護膜の剥離は起きないが30at%で生じ
ることが分かる。
【0040】比較例2では第2の中間膜内のIr量を3
0%とした。第2の中間膜以外は、実施例13、実施例
14と同様である。ここでは、第2の中間膜のIr量が
35at%以上では保護膜の剥離は生じないが30at%で
は生じていることが確認できる。
【0041】比較例3では第1および第2の中間膜の組
成は実施例14と同じであるが、成膜時の温度を変更し
た。すなわち、第1の中間膜形成時の温度を、第2の中
間膜形成時の温度よりも低くした。この成膜時の温度の
影響がなぜ保護膜の剥離に影響を与えるかは明らかでは
ないが、第1の中間膜を形成した後でさらに高温で第2
の中間膜を形成することで第1の中間膜に何らかの変化
が生じているのではないかと考えている。
【0042】比較例4および比較例5は、成膜温度以外
は実施例17と同じである。これらの比較から、第1の
中間膜の成膜温度は400℃以上、第2の中間膜の成膜
温度は300℃以上必要であることが分かる。
【0043】比較例6および比較例7を、実施例15と
比較する。実施例と比較例では第1の中間膜と第2の中
間膜との保護膜構成元素(Ir)量の差が異なる。実施
例15の50at%に対して、比較例6および比較例7で
は60at%の差である。
【0044】もともとガラス材料と金属である保護膜の
密着性に難があるが、その組成比が50at%以内であれ
ば互いに親和性をもつものと考えられる。
【0045】比較例8および比較例9は、単層の中間膜
を形成した場合である。それぞれ保護膜構成元素量が1
5at%と50at%であるが、前者では保護膜との密着性
が悪くなり剥離が発生し、後者では基材との密着性が悪
くなり剥離が発生したものと考えられる。
【0046】ここで採用した結晶化ガラスは、成形性
(流動性)を得るために、SiO2を75wt%以上、L
2Oを10wt%以上含有するものである。この場合、
Li2Oの増加により、熱膨張係数も大きくなり、保護
膜との熱膨張係数の差が大きくなる(D150では熱膨
張係数は104×107/℃である)。
【0047】その熱膨張係数の差が、レプリカ金型と保
護膜との密着を悪化させ保護膜の剥離という現象を引き
起こしているものと考える。
【0048】次に、中間膜の積層化に代わって、厚み方
向に保護膜構成元素量の濃度勾配を持つ中間膜について
の実施例を示す。構成は表5に示した。
【0049】
【表5】
【0050】実施例22は中間膜初期においては550
℃で成膜を開始しその時の保護膜構成元素(Ir)量は
25at%とし、徐々にその濃度を増すと同時に温度を4
50℃まで低化させる。保護膜の基材および保護膜との
界面の組成は実施例11と同じである。
【0051】同様に実施例23は実施例14、実施例2
4は実施例15に匹敵するものと考えられ、温度および
濃度勾配をつけた成膜方法を採れば積層中間膜と同様の
効果が得られるものと考える。
【0052】また、同様に、積層中間膜において、均一
な保護膜構成元素量をもつ中間膜と、濃度勾配をもつ中
間膜の組み合わせによる積層膜でも同様の効果が得られ
る。
【0053】以上、中間膜はその金型形状の保持と言う
観点から0.5μm以下が望ましい。
【0054】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、母型形状を転写することによって形成される
SiO2を75wt%以上、Li2Oを10wt%以上含有す
るガラス成形型において、基材との密着性のよい保護膜
が形成され、成形中に保護膜が剥離するというトラブル
から解放される。このことにより、ガラス成形工程の生
産性の向上、および品質の安定性が得られるという利点
がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】ガラス成形金型の一実施例の断面の概略図
【図2】ガラス成形金型の一実施例の製造方法の概略図
【図3】ガラス成形を説明する概略図
【符号の説明】
1 ガラス成形金型 2 基材(高速度鋼) 3 結晶化ガラス 4 案内型 5 母型 6 第1の中間膜 7 第2の中間膜 8 保護膜 9 成形ガラス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 土肥 美代子 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 中村 正二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 4G015 HA01

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガラスあるいはプラスチックよりなる光
    学素子をプレス成形によって成形するために用いる金型
    であって、該金型の少なくとも成形面部分の基材がSi
    2を75wt%以上、Li2Oを10wt%以上含有する結
    晶化ガラスからなり、該成形面表面はPt、Ir、W、
    Re、Ta、Rh、Ru、Osのいずれかの金属あるい
    はこれらの合金によってなる保護膜に被覆されており、
    さらに該成形面表面の保護膜は少なくとも2層の中間膜
    を介して基材に密着していることを特徴とするガラス成
    形金型。
  2. 【請求項2】 上記中間膜はSi34あるいはSiCを
    ベースにして、その中に含有する保護膜構成元素の量が
    異なるn層(n≧2)の薄膜からなり、基材側の中間膜
    (1層目)では保護膜を構成する金属の含有量を25at
    %以下とし、保護膜側の中間膜(n層目)内では保護膜
    を構成する金属の含有量を35at%以上となるように
    し、さらに隣接する中間膜の保護膜構成元素量の差が5
    0at%以下であることを特徴とする請求項1記載のガラ
    ス成形金型。
  3. 【請求項3】 上記中間膜の膜厚が全厚では0.5μm
    以下であることを特徴とする請求項1および請求項2記
    載のガラス成形金型。
  4. 【請求項4】 ガラスあるいはプラスチックよりなる光
    学素子をプレス成形によって成形するために用いる金型
    であって、該金型の少なくとも成形面部分の基材がSi
    2を75wt%以上、Li2Oを10wt%以上含有する結
    晶化ガラスからなり、該成形面表面はPt、Ir、W、
    Re、Ta、Rh、Ru、Osのいずれかの金属あるい
    はこれらの合金によってなる保護膜に被覆されており、
    さらに該成形面表面の保護膜は1層の中間膜を介して基
    材に密着しており、該中間膜はSi34あるいはSiC
    をベースにして、膜厚方向に保護膜を構成する金属の濃
    度が変化していることを特徴とするガラス成形金型。
  5. 【請求項5】 上記中間膜における基材側の界面では保
    護膜を構成する金属の含有量が25at%以下であり、保
    護膜側の界面では35at%以上であることを特徴とする
    請求項4記載のガラス成形金型。
  6. 【請求項6】 上記中間膜の膜厚が全厚では0.5μm
    以下であることを特徴とする請求項4または5記載のガ
    ラス成形金型。
  7. 【請求項7】 ガラスあるいはプラスチックよりなる光
    学素子をプレス成形によって成形するために用いる金型
    であって、該金型の少なくとも成形面部分の基材がSi
    2を75wt%以上、Li2Oを10wt%以上含有する結
    晶化ガラスからなり、該成形面表面はPt、Ir、W、
    Re、Ta、Rh、Ru、Osのいずれかの金属あるい
    はこれらの合金によってなる保護膜に被覆されており、
    さらに該成形面表面の保護膜はn層(n≧2)の薄膜か
    らなる中間膜を介して基材に密着しており、該中間膜は
    Si34あるいはSiCをベースにして、膜厚方向に保
    護膜を構成する金属の含有量が変化している中間膜と、
    金属濃度が均一の中間膜の組み合わせからなることを特
    徴とするガラス成形金型。
  8. 【請求項8】 上記中間膜における基材側の界面(1層
    目の中間膜の基材との界面)では保護膜を構成する金属
    の含有量が25at%以下であり、保護膜側の中間膜の界
    面(n層目の保護膜との界面)では保護膜を構成する金
    属の含有量が35at%以上であり、さらに各中間膜間の
    界面では保護膜構成元素量の差が50at%以下であるこ
    とを特徴とする請求項7記載のガラス成形金型。
  9. 【請求項9】 上記中間膜の膜厚が全厚では0.5μm
    以下であることを特徴とする請求項7または8記載のガ
    ラス成形金型。
  10. 【請求項10】 ガラスあるいはプラスチックよりなる
    光学素子をプレス成形によって成形するために用いる金
    型の製造方法であって、該金型の少なくとも成形面部分
    の基材がSiO2を75wt%以上、Li2Oを10wt%以
    上含有する結晶化ガラスからなっている金型に、所定の
    形状をした母型を高温で押し当てることによってその形
    状を金型の成形面に転写し、少なくとも該成形面上に中
    間膜を介してPt、Ir、W、Re、Ta、Rh、R
    u、Osのいずれかの金属あるいはこれらの合金を真空
    蒸着やスパッタ蒸着などにより形成する。該中間膜は少
    なくとも2層の薄膜からなり、まず、金型を400℃以
    上に加熱し、Si34あるいはSiCをベースにして、
    その中に含有する保護膜構成元素の量を25at%以下と
    なる第1の中間膜をスパッタにより形成し、さらに第
    2、第3、・・・、第n(n≧2)の中間膜を順次形成
    する。その際、第1、第2、・・・、第nの中間膜中の
    保護膜構成元素量の差を50at%以内にするように順次
    高めて行き、第nの中間膜の保護膜構成元素量が35at
    %以上になるようにするとともに、中間膜全厚を0.5
    μm以下になるようにする。さらに各中間膜の成膜時の
    金型の温度を順次低下させ、第nの中間膜形成時の金型
    の温度を300℃以上となるようにしたことを特徴とす
    るガラス成形金型の製造方法。
  11. 【請求項11】 ガラスあるいはプラスチックよりなる
    光学素子をプレス成形によって成形するために用いる金
    型の製造方法であって、該金型の少なくとも成形面部分
    の基材がSiO2を75wt%以上、Li2Oを10wt%以
    上含有する結晶化ガラスからなっている金型に、所定の
    形状をした母型を高温で押し当てることによってその形
    状を金型の成形面に転写し、少なくとも該成形面上に中
    間膜を介してPt、Ir、W、Re、Ta、Rh、R
    u、Osのいずれかの金属あるいはこれらの合金を真空
    蒸着やスパッタ蒸着などにより形成する。該中間膜は単
    層であり、まず、金型を400℃以上に加熱し、Si3
    4あるいはSiCをベースにして、その中に含有する
    保護膜構成元素の量を25at%以下となるように中間膜
    の初期組成を制御しスパッタにより形成する。その後、
    保護膜構成元素量を連続的に高めて行き、最終組成を保
    護膜構成元素量が35at%以上になるように増加させる
    とともに、成膜時の金型の温度を連続的に低下させ、中
    間膜形成最終時の金型の温度を300℃以上となるよう
    にしたことを特徴とするガラス成形金型の製造方法。
  12. 【請求項12】 上記中間膜の膜厚が全厚では0.5μ
    m以下であることを特徴とする請求項11記載のガラス
    成形金型の製造方法。
  13. 【請求項13】 ガラスあるいはプラスチックよりなる
    光学素子をプレス成形によって成形するために用いる金
    型の製造方法であって、該金型の少なくとも成形面部分
    の基材がSiO2を75wt%以上、Li2Oを10wt%以
    上含有する結晶化ガラスからなっている金型に、所定の
    形状をした母型を高温で押し当てることによってその形
    状を金型の成形面に転写し、少なくとも該成形面上に中
    間膜を介してPt、Ir、W、Re、Ta、Rh、R
    u、Osのいずれかの金属あるいはこれらの合金を真空
    蒸着やスパッタ蒸着などにより形成する。該中間膜は複
    数の薄膜からなる。各中間膜は、Si34あるいはSi
    Cをベースにして、その中に含有する保護膜構成元素の
    量が均一のものと厚み方向に連続的に変化している膜の
    2種類の膜から構成される。基材表面に接する第1の中
    間膜の基材と接する面の保護膜構成元素量が25at%以
    下であり、その後順次形成した第2、第3、・・・、第
    n(n≧2)のうち、保護膜と接する第nの中間膜の保
    護膜側の保護膜構成元素量が35at%以上とし、互いに
    接する中間膜の界面での保護膜構成元素量の差が50at
    %以下であり、さらに、第1の中間膜の成膜温度を40
    0℃以上とし、第2、第3・・と順次温度を下げ、最終
    中間膜の第nの中間膜の成膜温度は300℃以上となる
    ようにしたことを特徴とするガラス成形金型の製造方
    法。
  14. 【請求項14】 上記中間膜の膜厚が全厚では0.5μ
    m以下であることを特徴とする請求項13記載のガラス
    成形金型の製造方法。
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