JP2000352633A - 光導波路、それを用いた導波路型光デバイス、及び導波路型光デバイスの製造方法 - Google Patents
光導波路、それを用いた導波路型光デバイス、及び導波路型光デバイスの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 本発明は、光導波路そのものの温度依存性を
解消した温度無依存光導波路及びそれを用いた外部温度
補償の不必要な導波路型光デバイスを提供することを目
的とする。 【解決手段】 基板１に、線膨張係数が負である材料を
用い、その線膨張係数の値を制御することにより、光導
波路コア層２、光導波路クラッド層３を有する光導波路
の等価屈折率の温度依存性を相殺したアサーマル光導波
路を形成する。
解消した温度無依存光導波路及びそれを用いた外部温度
補償の不必要な導波路型光デバイスを提供することを目
的とする。 【解決手段】 基板１に、線膨張係数が負である材料を
用い、その線膨張係数の値を制御することにより、光導
波路コア層２、光導波路クラッド層３を有する光導波路
の等価屈折率の温度依存性を相殺したアサーマル光導波
路を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、温度無依存光導波
路デバイスに関する。さらに詳しくは、本発明は、光通
信システムに使用される光導波路型デバイスにおいて、
光導波路そのものの温度依存性を解消することにより、
ペルチェ素子等による外部温度補償を不必要とするため
の技術に関する。
路デバイスに関する。さらに詳しくは、本発明は、光通
信システムに使用される光導波路型デバイスにおいて、
光導波路そのものの温度依存性を解消することにより、
ペルチェ素子等による外部温度補償を不必要とするため
の技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ通信システムにおいて、伝送
容量の拡大を実現するための高密度波長分割多重通信方
式（Dense Wavelength Division Multiplexing:DWDM）
では、それぞれの波長を分割、統合するための合分波デ
バイス（波長フィルタ）が極めて重要となる。
容量の拡大を実現するための高密度波長分割多重通信方
式（Dense Wavelength Division Multiplexing:DWDM）
では、それぞれの波長を分割、統合するための合分波デ
バイス（波長フィルタ）が極めて重要となる。
【０００３】しかし、周囲環境に温度変化が生じた場
合、波長フィルタの透過帯域（中心波長）が変動すると
いう問題があり、この波長フィルタの安定化に関する課
題は、現在のところ未解決である。
合、波長フィルタの透過帯域（中心波長）が変動すると
いう問題があり、この波長フィルタの安定化に関する課
題は、現在のところ未解決である。
【０００４】この変動の要因は、フィルタを構成する光
回路の光路長の温度依存性に起因する。光路長の温度依
存性は、光導波路材料の屈折率の温度依存性dn/dT（n：
屈折率、T：温度）と材料の線膨張係数に左右される。
回路の光路長の温度依存性に起因する。光路長の温度依
存性は、光導波路材料の屈折率の温度依存性dn/dT（n：
屈折率、T：温度）と材料の線膨張係数に左右される。
【０００５】通常、光導波路材料として用いられる石英
ガラス、半導体はほぼ全て屈折率温度係数および線膨張
係数が共に正の値であるため、光路長の温度依存性dS/d
T（S：光路長）も正となる。
ガラス、半導体はほぼ全て屈折率温度係数および線膨張
係数が共に正の値であるため、光路長の温度依存性dS/d
T（S：光路長）も正となる。
【０００６】例えば石英系光導波路において温度が１℃
変化すると、波長フィルタの中心波長は、この光路長の
温度依存性によって約0.01 nm（中心周波数に換算する
と約1.3 GHz）変動する。さらに半導体系光導波路を用
いたデバイスにおいては、石英系光導波路の約１０倍の
温度依存性が存在する。
変化すると、波長フィルタの中心波長は、この光路長の
温度依存性によって約0.01 nm（中心周波数に換算する
と約1.3 GHz）変動する。さらに半導体系光導波路を用
いたデバイスにおいては、石英系光導波路の約１０倍の
温度依存性が存在する。
【０００７】このような温度特性を安定化させるための
一つの方法として、高精度な温度制御装置を素子に付加
するという方法もあるが、この方法ではデバイスの低コ
スト化、小型化の障害になり、さらに装置全体の信頼性
を低下させることにもつながる。
一つの方法として、高精度な温度制御装置を素子に付加
するという方法もあるが、この方法ではデバイスの低コ
スト化、小型化の障害になり、さらに装置全体の信頼性
を低下させることにもつながる。
【０００８】そこで、この問題を解決するためには、デ
バイス自体の温度依存性を解消することが必要になる。
そのような観点から、温度無依存光デバイスに対する研
究が盛んに行われており、これまでに幾つかの温度無依
存波長フィルタが報告されている。
バイス自体の温度依存性を解消することが必要になる。
そのような観点から、温度無依存光デバイスに対する研
究が盛んに行われており、これまでに幾つかの温度無依
存波長フィルタが報告されている。
【０００９】例えば「H. Tanabe et al., IEEE Photoni
cs Technology Letters, Vol.8, No.11, pp.1489-1491,
1996」では、マッハツェンダ（ＭＺ）型波長フィルタ
の中心波長の温度依存性が各アームの光路長差の温度依
存性に起因することから、各アームの導波路材料に屈折
率温度係数の違うものを用い、光路長差の温度係数を等
しくすることによって、フィルタの温度依存性を低減し
ている。
cs Technology Letters, Vol.8, No.11, pp.1489-1491,
1996」では、マッハツェンダ（ＭＺ）型波長フィルタ
の中心波長の温度依存性が各アームの光路長差の温度依
存性に起因することから、各アームの導波路材料に屈折
率温度係数の違うものを用い、光路長差の温度係数を等
しくすることによって、フィルタの温度依存性を低減し
ている。
【００１０】また「Y. Inoue et al., Electronics Let
ters, Vol.33, No.23, pp.1945-1947, 1997」では、ア
レイ導波路回折格子（ＡＷＧ）の中心波長が各アレイ導
波路間の光路長差の温度依存性に起因することに着目
し、屈折率温度係数が負であるシリコーン樹脂をアレイ
導波路の一部に用い、各アレイ間の光路長差の温度依存
性を解消することによって、温度無依存ＡＷＧを実現し
ている。
ters, Vol.33, No.23, pp.1945-1947, 1997」では、ア
レイ導波路回折格子（ＡＷＧ）の中心波長が各アレイ導
波路間の光路長差の温度依存性に起因することに着目
し、屈折率温度係数が負であるシリコーン樹脂をアレイ
導波路の一部に用い、各アレイ間の光路長差の温度依存
性を解消することによって、温度無依存ＡＷＧを実現し
ている。
【００１１】しかしこれらの技術は、フィルタ中心波長
の温度依存性が導波路間の光路長差の温度依存性に起因
する構造のものに限られるという問題がある。
の温度依存性が導波路間の光路長差の温度依存性に起因
する構造のものに限られるという問題がある。
【００１２】また、特開平１０−２４６８２４号公報で
は非対称方向性結合器型波長フィルタにおいて、所望の
中心波長において２つの光導波路の伝搬定数、及び等価
屈折率の温度係数を互いに等しくすることにより中心波
長の温度依存性を無くす方法が提案されている。しかし
この方法も、対象が非対称方向性結合器型波長フィルタ
に限られるという問題がある。
は非対称方向性結合器型波長フィルタにおいて、所望の
中心波長において２つの光導波路の伝搬定数、及び等価
屈折率の温度係数を互いに等しくすることにより中心波
長の温度依存性を無くす方法が提案されている。しかし
この方法も、対象が非対称方向性結合器型波長フィルタ
に限られるという問題がある。
【００１３】様々な構造および原理に基づく波長フィル
タに適用可能な、汎用性のある温度無依存化の手法とし
ては、光導波路自体の光路長の温度依存性を零にする方
法がある。光路長の温度依存性（＝光路長温度係数）は
以下のように定義される。
タに適用可能な、汎用性のある温度無依存化の手法とし
ては、光導波路自体の光路長の温度依存性を零にする方
法がある。光路長の温度依存性（＝光路長温度係数）は
以下のように定義される。
【００１４】図３に示されるような、基板５上に形成さ
れた、長さL、クラッド６およびコア７より成る、等価
屈折率ｎeq（導波光が実際に感じる屈折率）の光導波路
の中を導波する光に対する光路長Sは、等価屈折率と長
さの積で
れた、長さL、クラッド６およびコア７より成る、等価
屈折率ｎeq（導波光が実際に感じる屈折率）の光導波路
の中を導波する光に対する光路長Sは、等価屈折率と長
さの積で
【００１５】
【数２】 （式２） と表わされる。
【００１６】よってこの光路長Sの温度依存性は、式２
を温度Tで全微分することにより求められる。ここで、
一般的に基板５は、６および７より成る導波路層に比べ
て十分厚いため、導波路の線膨張係数1/L?dL/dTは基板
の線膨張係数αsubで近似できる。したがって、導波路
長Lで規格化した光路長の温度依存性は、
を温度Tで全微分することにより求められる。ここで、
一般的に基板５は、６および７より成る導波路層に比べ
て十分厚いため、導波路の線膨張係数1/L?dL/dTは基板
の線膨張係数αsubで近似できる。したがって、導波路
長Lで規格化した光路長の温度依存性は、
【００１７】
【数３】 （式３） と表される。ここで、1/L?dS/dTを光路長温度係数、dn
eq/dTを等価屈折率温度係数と定義する。この1/L?dS/dT
の値が零である光導波路を用いることにより、中心波長
が温度に無依存な光波長フィルタを実現することができ
る。つまり、
eq/dTを等価屈折率温度係数と定義する。この1/L?dS/dT
の値が零である光導波路を用いることにより、中心波長
が温度に無依存な光波長フィルタを実現することができ
る。つまり、
【００１８】
【数４】 （式１） を満たす光導波路は光路長の温度依存性が零であり、こ
のような光導波路をアサーマル光導波路と言う。
のような光導波路をアサーマル光導波路と言う。
【００１９】式１より、光路長温度係数を零にするため
には、dneq/dT＜0、もしくはαsub＜0として、互いに正
負で相殺すれば良いことが分かる。
には、dneq/dT＜0、もしくはαsub＜0として、互いに正
負で相殺すれば良いことが分かる。
【００２０】アサーマル光導波路を用いた波長フィルタ
としては、例えば「Y. Kokubun etal, IEICE Trans. El
ectron.,Vol.E81-C,No.8, August 1998」がある。図４
は、ここに用いられているアサーマル光導波路の構造で
ある。同図に示すように、Si基板８上に下部クラッド
９、コア１０が形成され、コア１０上に、上部第１クラ
ッド１１が形成されている。さらに、下部クラッド９上
に、コア１０及び上部第１クラッド１１を囲むように、
上部第２クラッド１２が形成されている。
としては、例えば「Y. Kokubun etal, IEICE Trans. El
ectron.,Vol.E81-C,No.8, August 1998」がある。図４
は、ここに用いられているアサーマル光導波路の構造で
ある。同図に示すように、Si基板８上に下部クラッド
９、コア１０が形成され、コア１０上に、上部第１クラ
ッド１１が形成されている。さらに、下部クラッド９上
に、コア１０及び上部第１クラッド１１を囲むように、
上部第２クラッド１２が形成されている。
【００２１】図４の光導波路では、上部第２クラッド１
２に、屈折率温度係数が負であるPMMA-TFMA混合ポリマ
ーを用いることにより導波路全体の等価屈折率温度係数
dneq/dTを負にし、Si基板４の線膨張係数と正負で相殺
することによって1/L?dS/dT=0を実現している。
２に、屈折率温度係数が負であるPMMA-TFMA混合ポリマ
ーを用いることにより導波路全体の等価屈折率温度係数
dneq/dTを負にし、Si基板４の線膨張係数と正負で相殺
することによって1/L?dS/dT=0を実現している。
【００２２】しかしこの方法に用いられているPMMA（ポ
リメチルメタクリレート）やTFMA（トリフルオロエチル
メタクリレート）、さらに、一般的に屈折率温度係数が
負であるポリマー材料は、現在一般的なＰＬＣに用いら
れている石英系材料に比べて耐熱性、耐湿性、強度、経
時変化等の点で大きく劣っており、デバイスの保証寿命
を短くする要因になる。
リメチルメタクリレート）やTFMA（トリフルオロエチル
メタクリレート）、さらに、一般的に屈折率温度係数が
負であるポリマー材料は、現在一般的なＰＬＣに用いら
れている石英系材料に比べて耐熱性、耐湿性、強度、経
時変化等の点で大きく劣っており、デバイスの保証寿命
を短くする要因になる。
【００２３】また、上記方法においては、光導波路の光
路長温度係数を制御するために上部第１クラッド層１１
の厚さを制御しているが、これによって制御できる光路
長温度係数の幅は僅かであり、場合によっては大幅な構
造の変更、さらにプロセスの変更を強いられる可能性も
ある。
路長温度係数を制御するために上部第１クラッド層１１
の厚さを制御しているが、これによって制御できる光路
長温度係数の幅は僅かであり、場合によっては大幅な構
造の変更、さらにプロセスの変更を強いられる可能性も
ある。
【００２４】導波路構造が大幅に変更される場合、例え
ば導波路の許容曲げ半径が変化したり、導波路間許容近
接距離（ライン／スペ一スのギャップ）が変化するな
ど、デバイスの基本設計自体に影響を及ぼす可能性もあ
るなどの欠点がある。さらに構造によっては、複屈折を
生じることにもなる。
ば導波路の許容曲げ半径が変化したり、導波路間許容近
接距離（ライン／スペ一スのギャップ）が変化するな
ど、デバイスの基本設計自体に影響を及ぼす可能性もあ
るなどの欠点がある。さらに構造によっては、複屈折を
生じることにもなる。
【００２５】
【発明が解決しようとする課題】以上のように従来の技
術では、温度無依存化の対象の光波長フィルタ構造が限
定されていたり、あるいは、全ての種類の光波長フィル
タヘの適用が可能な温度無依存化の手法であっても、使
用材料の寿命や強度、耐候性に問題が存在し、さらに場
合によっては、温度無依存化実現のために、デバイスの
基本設計や製造プロセスの大幅な見直しが必要になる等
の課題がある。
術では、温度無依存化の対象の光波長フィルタ構造が限
定されていたり、あるいは、全ての種類の光波長フィル
タヘの適用が可能な温度無依存化の手法であっても、使
用材料の寿命や強度、耐候性に問題が存在し、さらに場
合によっては、温度無依存化実現のために、デバイスの
基本設計や製造プロセスの大幅な見直しが必要になる等
の課題がある。
【００２６】したがって本発明の目的は、上記従来技術
における諸問題を考慮し、一般的な全ての構造および原
理に基づく光波長フィルタに適用可能で、かつ、既に得
られている（温度依存性のある）光波長フィルタにおい
て、その導波路材料（コア、クラッド材料）、構造パラ
メータ、導波路層製造プロセス等を大幅に変更する必要
の無い、波長フィルタの温度無依存化法を提供すること
にある。
における諸問題を考慮し、一般的な全ての構造および原
理に基づく光波長フィルタに適用可能で、かつ、既に得
られている（温度依存性のある）光波長フィルタにおい
て、その導波路材料（コア、クラッド材料）、構造パラ
メータ、導波路層製造プロセス等を大幅に変更する必要
の無い、波長フィルタの温度無依存化法を提供すること
にある。
【００２７】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に形成
され、コアと該コアより屈折率の小さいクラッドとを有
する光導波路であって、前記基板が、０〜６５℃の温度
範囲において、負の線膨張係数を有することを特徴とす
る光導波路に関する。
され、コアと該コアより屈折率の小さいクラッドとを有
する光導波路であって、前記基板が、０〜６５℃の温度
範囲において、負の線膨張係数を有することを特徴とす
る光導波路に関する。
【００２８】前記光導波路の等価屈折率をneq、該等価
屈折率の温度変化をdneq/dT、前記基板の線膨張係数を
αsubとして、前記基板が、実質的に式１の関係を満た
すことが好ましい。
屈折率の温度変化をdneq/dT、前記基板の線膨張係数を
αsubとして、前記基板が、実質的に式１の関係を満た
すことが好ましい。
【００２９】
【数５】 （式１） さらに本発明は、光導波路中を伝搬する光を干渉または
共振させることにより、特定の波長を共振、反射、透過
または分岐する導波路型光デバイスであって、上記の光
導波路を用いていることを特徴とする導波路型光デバイ
スに関する。
共振させることにより、特定の波長を共振、反射、透過
または分岐する導波路型光デバイスであって、上記の光
導波路を用いていることを特徴とする導波路型光デバイ
スに関する。
【００３０】また、本発明は、上記導波路型光デバイス
を反射器として用いて、発振波長の温度依存性を低減し
たＤＢＲレ一ザに関する。
を反射器として用いて、発振波長の温度依存性を低減し
たＤＢＲレ一ザに関する。
【００３１】更に、本発明は、基板と、該基板上に形成
された光導波路を含む導波路型光デバイスの製造方法に
おいて、線膨張係数が光導波路材料に近いか或いは等し
い基板上に光導波路を形成した後、所望の基板（線膨張
係数が負または零）を当初の基板の反対側に接着し、そ
の後、当初の基板をエッチング等により除去することを
特徴とする導波路型光デバイスの製造方法に関する。
された光導波路を含む導波路型光デバイスの製造方法に
おいて、線膨張係数が光導波路材料に近いか或いは等し
い基板上に光導波路を形成した後、所望の基板（線膨張
係数が負または零）を当初の基板の反対側に接着し、そ
の後、当初の基板をエッチング等により除去することを
特徴とする導波路型光デバイスの製造方法に関する。
【００３２】更に、本発明は、基板と、該基板上に形成
された光導波路を含む導波路型光デバイスの製造方法に
おいて、線膨張係数が光導波路材料に近いか或いは等し
い第１の基板と、線膨張係数が負または零である第２の
基板とを貼り合わせ、第２の基板側の表面上に光導波路
を形成し、第１の基板を除去することを特徴とする導波
路型光デバイスの製造方法に関する。
された光導波路を含む導波路型光デバイスの製造方法に
おいて、線膨張係数が光導波路材料に近いか或いは等し
い第１の基板と、線膨張係数が負または零である第２の
基板とを貼り合わせ、第２の基板側の表面上に光導波路
を形成し、第１の基板を除去することを特徴とする導波
路型光デバイスの製造方法に関する。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
について図面を用いて説明する。図１は本発明によるア
サーマル光導波路の斜視図である。
について図面を用いて説明する。図１は本発明によるア
サーマル光導波路の斜視図である。
【００３４】図１のアサーマル光導波路は、負の線膨張
係数を持つ基板１、光導波路コア２、クラッド３から構
成される。図１における基板上の光導波路はＰＬＣ（Pl
anarLightwave circuit）構造を取っているが、本発明
では式１のアサーマル条件は基板の線膨張係数を操作す
ることによって制御するため、導波路構造には依存せ
ず、図１に示されるようなＰＬＣ構造だけでなく、スラ
ブ型、リッジ型、装荷型等、任意の導波路断面構造であ
って良い。
係数を持つ基板１、光導波路コア２、クラッド３から構
成される。図１における基板上の光導波路はＰＬＣ（Pl
anarLightwave circuit）構造を取っているが、本発明
では式１のアサーマル条件は基板の線膨張係数を操作す
ることによって制御するため、導波路構造には依存せ
ず、図１に示されるようなＰＬＣ構造だけでなく、スラ
ブ型、リッジ型、装荷型等、任意の導波路断面構造であ
って良い。
【００３５】次に基板１の材料であるが、線膨張係数が
負であり、かつ表面の平滑性が保たれていれば良い。線
膨張係数が負である材料としては、TiO２-SiO２（TiO２
をドープした石英ガラス）や、LiO２-Al２O３-SiO２、A
l２O３-TiO２等の、ガラスを熱処理して結晶化させた結
晶化ガラス（ガラスセラミックス）など様々なものがあ
り、それらは一般的に、その材料組成比や生成法を変え
ることによって、線膨張係数を連続的に変えることが可
能である。
負であり、かつ表面の平滑性が保たれていれば良い。線
膨張係数が負である材料としては、TiO２-SiO２（TiO２
をドープした石英ガラス）や、LiO２-Al２O３-SiO２、A
l２O３-TiO２等の、ガラスを熱処理して結晶化させた結
晶化ガラス（ガラスセラミックス）など様々なものがあ
り、それらは一般的に、その材料組成比や生成法を変え
ることによって、線膨張係数を連続的に変えることが可
能である。
【００３６】つまり、式１において、neq、dneq/dTの値
が既知であれば、実質的にアサーマル条件を満足するた
めのαsubの値を導き出すことができ、その値を満たす
ような組成を持つ基板を用意することにより、後はそれ
までと同様のプロセスによってその基板上に光導波路を
形成すれば、アサーマル光導波路を実現することができ
る。
が既知であれば、実質的にアサーマル条件を満足するた
めのαsubの値を導き出すことができ、その値を満たす
ような組成を持つ基板を用意することにより、後はそれ
までと同様のプロセスによってその基板上に光導波路を
形成すれば、アサーマル光導波路を実現することができ
る。
【００３７】式１の右辺は、実質的に０であればよく、
dneq/dT＋neqＸαsubの絶対値が、0.5×10−５以下、さ
らには、1×10−６以下であることが好ましい。
dneq/dT＋neqＸαsubの絶対値が、0.5×10−５以下、さ
らには、1×10−６以下であることが好ましい。
【００３８】例えば、石英ガラス等の従来の材料系の基
板を用いてデバイスを構成した場合、式１の右辺は、1
×10−５程度の値となり、したがって、式１の右辺の値
を、0.5×10−５以下とすることにより、光導波路の温
度依存性が半分になる。
板を用いてデバイスを構成した場合、式１の右辺は、1
×10−５程度の値となり、したがって、式１の右辺の値
を、0.5×10−５以下とすることにより、光導波路の温
度依存性が半分になる。
【００３９】この負の線膨張係数を示す温度領域は、使
用温度を考慮し、０〜６５℃であればよく、また、線膨
張係数に異方性がある場合は、光導波路方向に負の線膨
張係数を有すればよい。
用温度を考慮し、０〜６５℃であればよく、また、線膨
張係数に異方性がある場合は、光導波路方向に負の線膨
張係数を有すればよい。
【００４０】式１において、例えばneq＝1.5、dneq/dT
＝5×10−６とすると、実質的にアサーマル条件を溝た
すためには、αsub＝ -3.3×10−６（１／℃）あれば良
いことが分かる。ここで用いる基板材料の例として、以
下のようなものが挙げられる。
＝5×10−６とすると、実質的にアサーマル条件を溝た
すためには、αsub＝ -3.3×10−６（１／℃）あれば良
いことが分かる。ここで用いる基板材料の例として、以
下のようなものが挙げられる。
【００４１】例えばTiO２-SiO２（TiO２をドープした石
英ガラス）では、「Stewart E. Miller and Alan G.Chy
noweth,“OPTICAL FIBER TELECOMMUNICATIONS”, p.18
9, Fig.7.10B」において図２のような例が示されてい
る。
英ガラス）では、「Stewart E. Miller and Alan G.Chy
noweth,“OPTICAL FIBER TELECOMMUNICATIONS”, p.18
9, Fig.7.10B」において図２のような例が示されてい
る。
【００４２】この図は、石英ガラスに、TiO２、Be
２O３、GeO２、P２O５を所定量ドープしたときの線膨張
係数を示したものである。TiO２をドープすることによ
り線膨張係数が低下し、約5.5mol％で、負の線膨張係数
を示すようになる。
２O３、GeO２、P２O５を所定量ドープしたときの線膨張
係数を示したものである。TiO２をドープすることによ
り線膨張係数が低下し、約5.5mol％で、負の線膨張係数
を示すようになる。
【００４３】例えば先のαsub＝ -3.3×10−６（１／
℃）の線膨張係数を得るには、図２のグラフを外挿する
と、SiO２にTiO２を３０数％ドープすれば良いことが分
かる。
℃）の線膨張係数を得るには、図２のグラフを外挿する
と、SiO２にTiO２を３０数％ドープすれば良いことが分
かる。
【００４４】また、例えば特開平２−２０８２５６号公
報では、主結晶相がβ一石英固溶体及び／又は亜鉛ペタ
ライト固溶体であるZnO-Al２O３-SiO２系結晶化ガラス
の線膨張係数制御の例が示されており、表１に示される
ように、各材料の組成比および結晶化条件を変えること
により、様々な線膨張係数の値が得られている。つまり
これらの条件を変更することによって、所望の線膨張係
数を得ることができるのである。
報では、主結晶相がβ一石英固溶体及び／又は亜鉛ペタ
ライト固溶体であるZnO-Al２O３-SiO２系結晶化ガラス
の線膨張係数制御の例が示されており、表１に示される
ように、各材料の組成比および結晶化条件を変えること
により、様々な線膨張係数の値が得られている。つまり
これらの条件を変更することによって、所望の線膨張係
数を得ることができるのである。
【００４５】β−石英固溶体系ガラスセラミックスと
は、SiO２の結晶系のｌつであり、リチウムやアルミニ
ウムを少量含有し、他のSiO２結晶と比較すると密度が
小さく、空隙の多い結晶構造を示す。また、このβ一石
英固溶体系ガラスセラミックスを高温加熱（1100〜1200
℃）すると、β−スポジュメン固溶体系ガラスセラミッ
クスに変化する。このβ一スポジュメン固溶体系ガラス
セラミックスは、β−石英固溶体系ガラスセラミックス
より、高めの線膨張係数を示す。
は、SiO２の結晶系のｌつであり、リチウムやアルミニ
ウムを少量含有し、他のSiO２結晶と比較すると密度が
小さく、空隙の多い結晶構造を示す。また、このβ一石
英固溶体系ガラスセラミックスを高温加熱（1100〜1200
℃）すると、β−スポジュメン固溶体系ガラスセラミッ
クスに変化する。このβ一スポジュメン固溶体系ガラス
セラミックスは、β−石英固溶体系ガラスセラミックス
より、高めの線膨張係数を示す。
【００４６】
【表１】 これらの他にも線膨張係数が負である材料は数多くあ
り、例えば、LiO２-Al２O３-SiO２系結晶化ガラス、MgO
-LiO２-Al２O３-SiO２系結晶化ガラスは、SiO２を主成
分とし、それぞれの成分を含んだSiO２を加熱して得ら
れた結晶である。
り、例えば、LiO２-Al２O３-SiO２系結晶化ガラス、MgO
-LiO２-Al２O３-SiO２系結晶化ガラスは、SiO２を主成
分とし、それぞれの成分を含んだSiO２を加熱して得ら
れた結晶である。
【００４７】例えば、表２に示すように、LiO２-Al２O
３-２SiO２では、-8.6×10−６（１／℃）、Al２O３-Ti
O２では、-1.9×10−６（１／℃）の負の線膨張係数を
示す。これらの材料の線膨張係数を表２に例示する。
３-２SiO２では、-8.6×10−６（１／℃）、Al２O３-Ti
O２では、-1.9×10−６（１／℃）の負の線膨張係数を
示す。これらの材料の線膨張係数を表２に例示する。
【００４８】
【表２】 また、本発明に用いることができる市販の基板材料とし
ては、以下のものが挙げられる。
ては、以下のものが挙げられる。
【００４９】「ネオセラムＮ−０」（商品名：日本電気
硝子株式会社製）はLiO２-Al２O３-SiO２系であり、表
２に示すように、-0.65×10−６（１／℃）の負の線膨
張係数を示す。
硝子株式会社製）はLiO２-Al２O３-SiO２系であり、表
２に示すように、-0.65×10−６（１／℃）の負の線膨
張係数を示す。
【００５０】「ミラクロンＰＨ−３」（登録商標：日本
ガイシ株式会社製）は、表２に示すように、-0.2×10
−６（１／℃）の負の線膨張係数を示す。
ガイシ株式会社製）は、表２に示すように、-0.2×10
−６（１／℃）の負の線膨張係数を示す。
【００５１】「ゼロデュア（ZERODUR）」（登録商標：S
chott社製）はLiO2-Al２O３-SiO２系であり、-0.1×10
−６（１／℃）の負の線膨張係数を示す。
chott社製）はLiO2-Al２O３-SiO２系であり、-0.1×10
−６（１／℃）の負の線膨張係数を示す。
【００５２】以上のような負の線膨張係数を持つ材料
を、式１を満たすように、その材料組成比や製造工程を
変えることによってその線膨張係数を所望の値にし、そ
れを導波路基板として用いることによって、光路長温度
係数が零である光導波路、つまり温度無依存光導波路を
得ることができる。
を、式１を満たすように、その材料組成比や製造工程を
変えることによってその線膨張係数を所望の値にし、そ
れを導波路基板として用いることによって、光路長温度
係数が零である光導波路、つまり温度無依存光導波路を
得ることができる。
【００５３】なお、これら負線膨張係数材料の中には、
材料特性として可視・近赤外部に吸収があるものもある
が、基板材料として用いるには導波光の電界分布が十分
減衰するように下部クラッドの厚さを十分に取れば基板
材料の吸収は問題にはならない。つまり、基板材料の光
透過性については考慮する必要はない。
材料特性として可視・近赤外部に吸収があるものもある
が、基板材料として用いるには導波光の電界分布が十分
減衰するように下部クラッドの厚さを十分に取れば基板
材料の吸収は問題にはならない。つまり、基板材料の光
透過性については考慮する必要はない。
【００５４】上記基板上に形成した光導波路は、直線、
曲がり、分岐、結合等どのような構造を取ってもアサー
マル条件を満たすため、どのような原理および構造に基
づく光機能素子の特性も温度無依存化される。また、そ
れらを実際に製造する際には、基板が変更されたことを
意識せずに従来のプロセスがそのまま適用可能となる。
曲がり、分岐、結合等どのような構造を取ってもアサー
マル条件を満たすため、どのような原理および構造に基
づく光機能素子の特性も温度無依存化される。また、そ
れらを実際に製造する際には、基板が変更されたことを
意識せずに従来のプロセスがそのまま適用可能となる。
【００５５】次に、本発明の第２の実施の形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００５６】図５は、第２の実施の形態に係るアサーマ
ル導波路の製造方法を説明する図である。２０は線膨張
係数が光導波路材料に近いか或いは等しい材料からなる
基板、２２は光導波路層、２４は接着剤層、２６は線膨
張係数が負または零の基板である。
ル導波路の製造方法を説明する図である。２０は線膨張
係数が光導波路材料に近いか或いは等しい材料からなる
基板、２２は光導波路層、２４は接着剤層、２６は線膨
張係数が負または零の基板である。
【００５７】上述した第１の実施の形態では、負の線膨
張係数を有する基板上に直接光導波路を成膜することを
前提としているが、この場合、基板材料と光導波路材料
の線膨張係数の差が大きいため、成膜およびアニール時
に基板および光導波路膜が高温下にさらされる際に、
“そり”或いはクラックが発生する可能性が高い。第２
の実施の形態は、この“そり”或いはクラックの発生を
抑えるための製造方法に関する。
張係数を有する基板上に直接光導波路を成膜することを
前提としているが、この場合、基板材料と光導波路材料
の線膨張係数の差が大きいため、成膜およびアニール時
に基板および光導波路膜が高温下にさらされる際に、
“そり”或いはクラックが発生する可能性が高い。第２
の実施の形態は、この“そり”或いはクラックの発生を
抑えるための製造方法に関する。
【００５８】先ず、線膨張係数が光導波路膜に近いか或
いは等しい基板２０を準備する。次に、基板２０の上に
光導波路膜２２を形成する。上述したように、基板２０
及び光導波路膜２２の線膨張係数は互いに近いか或いは
等しいので、成膜時及びアニール時、或いは冷却時の熱
応力に起因するクラックは発生することはない。続い
て、光導波路の光路長温度係数を零にする条件（式１）
を満たすための基板２６を用意し、接着剤層２４により
基板２６を光導波路層２２の上面（基板２０の反対側）
に接着する。最後に、基板２０を除去する。
いは等しい基板２０を準備する。次に、基板２０の上に
光導波路膜２２を形成する。上述したように、基板２０
及び光導波路膜２２の線膨張係数は互いに近いか或いは
等しいので、成膜時及びアニール時、或いは冷却時の熱
応力に起因するクラックは発生することはない。続い
て、光導波路の光路長温度係数を零にする条件（式１）
を満たすための基板２６を用意し、接着剤層２４により
基板２６を光導波路層２２の上面（基板２０の反対側）
に接着する。最後に、基板２０を除去する。
【００５９】基板２０の除去は、研磨、ウェットエッチ
ング、ドライエッチングが考えられるが、どの基板除去
方法を選択するかは基板２０の材質、物性、厚さ等によ
り決定される。例えば、基板２０がＳiの場合にはＫＯ
Ｈ等でのウェットエッチングが考えられる。一方、基板
２０が石英或いはガラス基板等の場合には、フッ酸系ウ
ェットエッチングが考えられる。尚、基板２０は必ずし
も完全に除去する必要はなく、むしろ残存基板厚を制御
することによって、デバイス全体の線膨張係数を制御す
ることができ、それにより光導波路デバイスの温度依存
性を調整することが可能である。つまり、デバイスの温
度依存性の微調節は基板のエッチング量により行うこと
ができる。
ング、ドライエッチングが考えられるが、どの基板除去
方法を選択するかは基板２０の材質、物性、厚さ等によ
り決定される。例えば、基板２０がＳiの場合にはＫＯ
Ｈ等でのウェットエッチングが考えられる。一方、基板
２０が石英或いはガラス基板等の場合には、フッ酸系ウ
ェットエッチングが考えられる。尚、基板２０は必ずし
も完全に除去する必要はなく、むしろ残存基板厚を制御
することによって、デバイス全体の線膨張係数を制御す
ることができ、それにより光導波路デバイスの温度依存
性を調整することが可能である。つまり、デバイスの温
度依存性の微調節は基板のエッチング量により行うこと
ができる。
【００６０】次に、本発明の第３の実施の形態について
図面を用いて説明する。
図面を用いて説明する。
【００６１】図６は、第３の実施の形態に係るアサーマ
ル導波路の製造方法を説明する図である。３０は線膨張
係数が光導波路材料に近いか或いは等しい材料からなる
基板、３２は光導波路層、３４は接着剤層、３６は線膨
張係数が負または零の基板である。
ル導波路の製造方法を説明する図である。３０は線膨張
係数が光導波路材料に近いか或いは等しい材料からなる
基板、３２は光導波路層、３４は接着剤層、３６は線膨
張係数が負または零の基板である。
【００６２】第３の実施の形態は、上述の第２の実施の
形態と同様に、成膜及びアニール時に基板及び光導波路
膜が高温にさらされる際に発生する“そり”或いはクラ
ックを抑えるための製造方法である。
形態と同様に、成膜及びアニール時に基板及び光導波路
膜が高温にさらされる際に発生する“そり”或いはクラ
ックを抑えるための製造方法である。
【００６３】先ず、線膨張係数が光導波路膜に近いか或
いは等しい基板３０と、光導波路の光路長温度係数を零
にする条件（式１）を満たす基板３６とを準備する。次
に、接着剤層３４によって基板３０及び３６を接着す
る。基板３０の厚さを基板３６の厚さよりも大きくする
ことによって、基板３０及び３６を接着した後の線膨張
係数は基板３０の線膨張係数が支配的になる。つまり、
接着した基板の線膨張係数は光導波路材料の線膨張係数
に近いか或いは等しいことになる。接着後の基板の線膨
張係数をより光導波路膜に接近させるためには、基板３
０及び３６の厚さの比を調節する。
いは等しい基板３０と、光導波路の光路長温度係数を零
にする条件（式１）を満たす基板３６とを準備する。次
に、接着剤層３４によって基板３０及び３６を接着す
る。基板３０の厚さを基板３６の厚さよりも大きくする
ことによって、基板３０及び３６を接着した後の線膨張
係数は基板３０の線膨張係数が支配的になる。つまり、
接着した基板の線膨張係数は光導波路材料の線膨張係数
に近いか或いは等しいことになる。接着後の基板の線膨
張係数をより光導波路膜に接近させるためには、基板３
０及び３６の厚さの比を調節する。
【００６４】基板３０及び３６を貼り合わせた後、基板
３６側表面上に光導波路層３２を形成する。尚、基板３
６は線膨張係数が負であることから、その上に形成する
光導波路の線膨張係数（正）とは異なるが、この接着し
た基板は基板３０の線膨張係数が支配的であることか
ら、この接着した基板上には、成膜時の熱応力に起因す
る“そり”或いはクラックを発生させることなく光導波
路膜３２を形成することが可能である。その後、基板３
０を除去する。基板の除去方法は上述の第２の実施の形
態と同様であるが、本実施例の形態の場合には、更に、
接着剤の溶剤を使用して接着剤層を剥離（リフトオフ）
することによっても基板除去が可能である。
３６側表面上に光導波路層３２を形成する。尚、基板３
６は線膨張係数が負であることから、その上に形成する
光導波路の線膨張係数（正）とは異なるが、この接着し
た基板は基板３０の線膨張係数が支配的であることか
ら、この接着した基板上には、成膜時の熱応力に起因す
る“そり”或いはクラックを発生させることなく光導波
路膜３２を形成することが可能である。その後、基板３
０を除去する。基板の除去方法は上述の第２の実施の形
態と同様であるが、本実施例の形態の場合には、更に、
接着剤の溶剤を使用して接着剤層を剥離（リフトオフ）
することによっても基板除去が可能である。
【００６５】次に、第２及び第３の実施の形態の相違点
を述べる。
を述べる。
【００６６】第２の実施の形態では最終的に光導波路層
と基板との界面に接着剤層が残る。一方、第３の実施の
形態では、光導波路層と基板との界面には接着剤層がな
く、最終的には、負の線膨張係数を持つ基板上に光導波
路層を直接成膜した場合と同等になる。第２の実施の形
態では、接着剤層に経時劣化がある場合はその影響を受
けることになるが、第３の実施の形態においては最終的
に接着剤層は残らないため、接着剤層の経時劣化や密着
性の低下を考慮する必要がないという利点がある。一
方、第３の実施の形態では、基板を接着する際に基板３
０を厚くし、基板３６を（相対的に）薄くしなければな
らないが、第２の実施の形態では各基板の厚さは特に考
慮する必要がない。
と基板との界面に接着剤層が残る。一方、第３の実施の
形態では、光導波路層と基板との界面には接着剤層がな
く、最終的には、負の線膨張係数を持つ基板上に光導波
路層を直接成膜した場合と同等になる。第２の実施の形
態では、接着剤層に経時劣化がある場合はその影響を受
けることになるが、第３の実施の形態においては最終的
に接着剤層は残らないため、接着剤層の経時劣化や密着
性の低下を考慮する必要がないという利点がある。一
方、第３の実施の形態では、基板を接着する際に基板３
０を厚くし、基板３６を（相対的に）薄くしなければな
らないが、第２の実施の形態では各基板の厚さは特に考
慮する必要がない。
【００６７】尚、本発明の光導波路は、光導波路中を伝
搬する光を干渉または共振させることにより、特定の波
長を共振、反射、透過または分岐する導波路型光デバイ
スに用いることができる。
搬する光を干渉または共振させることにより、特定の波
長を共振、反射、透過または分岐する導波路型光デバイ
スに用いることができる。
【００６８】例えば第７図に示されるような、２本の光
導波路４０を波長オーダーで近接させることによって光
導波路間で光パワーが移行する現象を利用した方向性結
合器や、第８図に示されるような、光路長の異なる２本
の光導波路４０を導波する光に付与される位相差を利用
して波長選択性を得るマッハツェンダ干渉器、第９図に
示されるような、リング部４２を周回する光のうち共振
条件（リング１周分の光路長が波長の整数倍）を満たす
光のみを選択的に取り出すリング共振器、第１０図に示
されるような、導波路４０の端面部に２枚のミラー４４
（劈開面、屈折率の異なる膜等の反射機能を有するも
の）を対向させて共振器とするファブリーペロ共振器、
第１１図に示されるような、長さの異なる複数のアレイ
導波路とスラブ導波路により構成され、アレイ部を導波
する光の等位相面が波長によって傾くことを利用したア
レイ導波路回折格子（ＡＷＧ：Arrayed Waveguide Grat
ing）等、様々な導波路型光デバイスに用いることがで
きる。
導波路４０を波長オーダーで近接させることによって光
導波路間で光パワーが移行する現象を利用した方向性結
合器や、第８図に示されるような、光路長の異なる２本
の光導波路４０を導波する光に付与される位相差を利用
して波長選択性を得るマッハツェンダ干渉器、第９図に
示されるような、リング部４２を周回する光のうち共振
条件（リング１周分の光路長が波長の整数倍）を満たす
光のみを選択的に取り出すリング共振器、第１０図に示
されるような、導波路４０の端面部に２枚のミラー４４
（劈開面、屈折率の異なる膜等の反射機能を有するも
の）を対向させて共振器とするファブリーペロ共振器、
第１１図に示されるような、長さの異なる複数のアレイ
導波路とスラブ導波路により構成され、アレイ部を導波
する光の等位相面が波長によって傾くことを利用したア
レイ導波路回折格子（ＡＷＧ：Arrayed Waveguide Grat
ing）等、様々な導波路型光デバイスに用いることがで
きる。
【００６９】また、本発明の導波路型光デバイスにおい
て、光導波路内にグレ一ティングを設けることも可能で
ある。つまり、基板表面、クラッド内、コア内にグレ一
ティングを設けてもよい。
て、光導波路内にグレ一ティングを設けることも可能で
ある。つまり、基板表面、クラッド内、コア内にグレ一
ティングを設けてもよい。
【００７０】さらに、レ一ザ活性層の片端もしくは両端
に配置された反射器（グレーティング）によって発振波
長選択性を待たせたＤＢＲレ一ザ（ＤＢＲ：Distribute
d Bragg Reflector）において、反射器を前記温度無依
存光導波路によって構成することにより、レーザ発振波
長を温度無依存化することが可能となる（半導体レーザ
端面に、上記アサーマル光導波路によるグレーティング
を接合させる）。
に配置された反射器（グレーティング）によって発振波
長選択性を待たせたＤＢＲレ一ザ（ＤＢＲ：Distribute
d Bragg Reflector）において、反射器を前記温度無依
存光導波路によって構成することにより、レーザ発振波
長を温度無依存化することが可能となる（半導体レーザ
端面に、上記アサーマル光導波路によるグレーティング
を接合させる）。
【００７１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、従
来用いられていなかった負の線膨張係数を有する基板を
光導波路の基板として用い、さらにその材料を選択する
ことにより、温度無依存化することができる。また、温
度無依存化を基板の材料変更のみにより達成しているた
め、デバイスの基本設計やまたその製造プロセスを大幅
に変更する必要がない。
来用いられていなかった負の線膨張係数を有する基板を
光導波路の基板として用い、さらにその材料を選択する
ことにより、温度無依存化することができる。また、温
度無依存化を基板の材料変更のみにより達成しているた
め、デバイスの基本設計やまたその製造プロセスを大幅
に変更する必要がない。
【００７２】さらに、屈折率温度係数が負であるポリマ
ー材料を用いて温度無依存化した従来技術で問題となっ
た耐熱性、耐湿性、強度、経時変化等についても、本発
明においては、無機基板により温度無依存化しているた
めに良好な結果が得られる。
ー材料を用いて温度無依存化した従来技術で問題となっ
た耐熱性、耐湿性、強度、経時変化等についても、本発
明においては、無機基板により温度無依存化しているた
めに良好な結果が得られる。
【００７３】更に、本発明は、光導波路それ自体が、実
質的に温度依存性を持たないため、さまざまな構造の導
波路型光デバイスに応用することが可能であり汎用性に
優れる。
質的に温度依存性を持たないため、さまざまな構造の導
波路型光デバイスに応用することが可能であり汎用性に
優れる。
【００７４】更に、本発明によれば、成膜時及びアニー
ル時、或いは冷却時の熱応力に起因するクラック等が発
生しない導波路型光デバイスを製造することができると
いう効果が得られる。
ル時、或いは冷却時の熱応力に起因するクラック等が発
生しない導波路型光デバイスを製造することができると
いう効果が得られる。
【図１】本発明の温度無依存光導波路の一実施形態を模
式的に示した図である。
式的に示した図である。
【図２】酸化物をドープした石英ガラスの線膨張係数の
変化を示す図である。
変化を示す図である。
【図３】本発明の原理を説明するための一般的な光導波
路の構造を示す図である。
路の構造を示す図である。
【図４】負の屈折率温度係数を有するポリマー材料を用
いた従来型温度無依存光導波路の構成を示す図である。
いた従来型温度無依存光導波路の構成を示す図である。
【図５】本発明に係る第２の実施の形態を説明する図。
【図６】本発明に係る第３の実施の形態を説明する図。
【図７】本発明の光導波路を用いた方向性結合器の概略
図である。
図である。
【図８】本発明の光導波路を用いたマッハツェンダ干渉
器の概略図である。
器の概略図である。
【図９】本発明の光導波路を用いたリング共振器の概略
図である。
図である。
【図１０】本発明の光導波路を用いたファブリ−ペロ共
振器の概略図である。
振器の概略図である。
【図１１】本発明の光導波路を用いたアレイ導波路格子
の概略図である。
の概略図である。
１ 負の線膨張係数を有する基板 ２ 光導波路コア層 ３ 光導波路クラッド層 ５ 導波路基板 ６ 光導波路クラッド層 ７ 光導波路コア層 ８ Ｓｉ基板 ９ 下部クラッド層 １０ コア層 １１ 上部クラッド第１層 １２ 上部ポリマークラッド層 ２０、２６ 基板 ２２ 光導波路層 ２４ 接着剤層 ３０、３６ 基板 ３２ 光導波路層 ３４ 接着剤層 ４０ 光導波路 ４２ リング部 ４４ ミラー
Claims (20)
- 【請求項１】基板上に形成され、コアと該コアより屈折
率の小さいクラッドとを有する光導波路であって、前記
基板が、０〜６５℃の温度範囲において、負の線膨張係
数を有することを特徴とする光導波路。 - 【請求項２】前記光導波路の等価屈折率をｎeq、該等価
屈折率の温度変化をdn eq/dT、前記基板の線膨張係数を
αsub として、前記基板が、実質的に式１の関係を満た
すことを特徴とする請求項１記載の光導波路。 【数１】 （式１） - 【請求項３】前記基板が、二酸化チタン（TiO２）を5.5
mol％以上ドープした石英ガラスであることを特徴とす
る請求項１または２記載の光導波路。 - 【請求項４】前記基板が、β−石英固溶体系ガラスセラ
ミックスであることを特徴とする請求項１または２記載
の光導波路。 - 【請求項５】前記基板が、β−スポジュメン固溶体系ガ
ラスセラミックスであることを特徴とする請求項１また
は２記載の光導波路。 - 【請求項６】前記基板が、ZnO-Al２O３-SiO２系結晶化
ガラスであることを特徴とする請求項１または２記載の
光導波路。 - 【請求項７】前記基板が、LiO２-Al２O３-SiO２系結晶
化ガラスであることを特徴とする請求項１または２記載
の光導波路。 - 【請求項８】前記基板が、Al２O３-TiO２系結晶化ガラ
スであることを特徴とする請求項１または２記載の光導
波路。 - 【請求項９】前記基板が、MgO-LiO２-Al２O３-SiO２系
結晶化ガラスであることを特徴とする請求項１または２
記載の光導波路。 - 【請求項１０】前記基板が、CsClであることを特徴とす
る請求項１または２記載の光導波路。 - 【請求項１１】光導波路中を伝搬する光を干渉または共
振させることにより、特定の波長を共振、反射、透過ま
たは分岐する導波路型光デバイスであって、請求項１〜
１０のいずれかに記載の光導波路を用いていることを特
徴とする導波路型光デバイス。 - 【請求項１２】前記導波路型光デバイスが、方向性結合
器であることを特徴とする請求項１１記載の導波路型光
デバイス。 - 【請求項１３】前記導波路型光デバイスが、マッハツェ
ンダ干渉器であることを特徴とする請求項１１記載の導
波路型光デバイス。 - 【請求項１４】前記導波路型光デバイスが、リング共振
器であることを特徴とする請求項１１記載の導波路型光
デバイス。 - 【請求項１５】前記導波路型光デバイスが、ファブリペ
ロー共振器であることを特徴とする請求項１１記載の導
波路型光デバイス。 - 【請求項１６】前記導波路型光デバイスが、アレイ導波
路回折格子であることを特徴とする請求項１１記載の導
波路型光デバイス。 - 【請求項１７】前記光導波路内にグレーティングが形成
されていることを特徴とする請求項１１記載の導波路型
光デバイス。 - 【請求項１８】請求項１１または１７記載の導波路型光
デバイスを反射器として用いたＤＢＲレーザ。 - 【請求項１９】基板と、該基板上に形成された光導波路
を含む導波路型光デバイスの製造方法において、線膨張
係数が光導波路材料に近いか或いは等しい基板上に光導
波路を形成した後、所望の基板（線膨張係数が負または
零）を当初の基板の反対側に接着し、その後、当初の基
板をエッチング等により除去することを特徴とする導波
路型光デバイスの製造方法。 - 【請求項２０】基板と、該基板上に形成された光導波路
を含む導波路型光デバイスの製造方法において、線膨張
係数が光導波路材料に近いか或いは等しい第１の基板
と、線膨張係数が負または零である第２の基板とを貼り
合わせ、第２の基板側の表面上に光導波路を形成し、第
１の基板を除去することを特徴とする導波路型光デバイ
スの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000102402A JP2000352633A (ja) | 1999-04-05 | 2000-04-04 | 光導波路、それを用いた導波路型光デバイス、及び導波路型光デバイスの製造方法 |
| US09/543,762 US6542685B1 (en) | 1999-04-05 | 2000-04-05 | Temperature insensitive optical waveguides and optical devices using the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9790299 | 1999-04-05 | ||
| JP11-97902 | 1999-04-05 | ||
| JP2000102402A JP2000352633A (ja) | 1999-04-05 | 2000-04-04 | 光導波路、それを用いた導波路型光デバイス、及び導波路型光デバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000352633A true JP2000352633A (ja) | 2000-12-19 |
Family
ID=26439051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000102402A Pending JP2000352633A (ja) | 1999-04-05 | 2000-04-04 | 光導波路、それを用いた導波路型光デバイス、及び導波路型光デバイスの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6542685B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000352633A (ja) |
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| WO2006092919A1 (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-08 | Nikon Corporation | 光学素子及び光学素子の製造方法 |
| JP2016164986A (ja) * | 2015-03-06 | 2016-09-08 | 華為技術有限公司Ｈｕａｗｅｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 温度無依存レーザ |
| US11966103B2 (en) | 2018-03-30 | 2024-04-23 | Kyungpook National University Industry-Academic Cooperation Foundation | Circular resonator, and optical modulator and optical element comprising same |
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| JP2010282042A (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学表示装置及びプロジェクター |
| JP5573497B2 (ja) | 2010-08-27 | 2014-08-20 | 沖電気工業株式会社 | 光波長フィルタ |
| WO2012134025A1 (ko) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | Lee Seo Young | 광도파로 및 그 제조방법 |
| US11131601B2 (en) * | 2017-11-30 | 2021-09-28 | Rain Tree Photonics Pte. Ltd. | Method for in-line optical testing |
| CN111883667B (zh) * | 2020-08-28 | 2022-06-10 | 电子科技大学 | 一种基于负热膨胀效应的柔性光电探测器及其制备方法 |
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-
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- 2000-04-04 JP JP2000102402A patent/JP2000352633A/ja active Pending
- 2000-04-05 US US09/543,762 patent/US6542685B1/en not_active Expired - Lifetime
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