JP2000147293A - 基板型光導波路およびその製造方法 - Google Patents
基板型光導波路およびその製造方法Info
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- JP2000147293A JP2000147293A JP32172398A JP32172398A JP2000147293A JP 2000147293 A JP2000147293 A JP 2000147293A JP 32172398 A JP32172398 A JP 32172398A JP 32172398 A JP32172398 A JP 32172398A JP 2000147293 A JP2000147293 A JP 2000147293A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】反りの発生をさらに抑制してなる高特性の基板
型光導波路およびその製造方法を提供する。 【解決手段】石英基板１上に電子ビーム蒸着法を用いて
コア層２を形成する工程と、コア層２をパターニングす
る工程と、パターニング後のコア層２を被覆するように
石英基板１上に火炎堆積法を用いて多孔質クラッド層６
を形成する工程と、多孔質クラッド層６に熱処理を施し
透明ガラス化してクラッド層７を形成する工程とを有す
る基板型光導波路の製造方法において、コア層２のパタ
ーニングは、光回路を成すコア４と、コア４を形成しな
い部分のほぼ全面であってコア４から所定間隔以上離れ
てなる反り抑制層５となる部分を残すように成される。
型光導波路およびその製造方法を提供する。 【解決手段】石英基板１上に電子ビーム蒸着法を用いて
コア層２を形成する工程と、コア層２をパターニングす
る工程と、パターニング後のコア層２を被覆するように
石英基板１上に火炎堆積法を用いて多孔質クラッド層６
を形成する工程と、多孔質クラッド層６に熱処理を施し
透明ガラス化してクラッド層７を形成する工程とを有す
る基板型光導波路の製造方法において、コア層２のパタ
ーニングは、光回路を成すコア４と、コア４を形成しな
い部分のほぼ全面であってコア４から所定間隔以上離れ
てなる反り抑制層５となる部分を残すように成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信等に利用さ
れる基板型光導波路およびその製造方法に関する。
れる基板型光導波路およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の基板型光導波路は、図３（ｅ）に
示すように、石英基板３１上にコア３４およびクラッド
３６からなるガラス膜が形成された構成をしている。
示すように、石英基板３１上にコア３４およびクラッド
３６からなるガラス膜が形成された構成をしている。
【０００３】この基板型光導波路の製造方法は、石英基
板３１の上に、電子ビーム蒸着法により、コア層３２を
形成し（図３（ａ））、コア層３２の上面にフォトリソ
グラフィ技術を用いて所定の光回路パターンを有するフ
ォトレジスト３３を形成し（図３（ｂ））、コア層３２
に対して反応性イオンエッチングを施し、パターンニン
グしてコア３４を形成し（図３（ｃ））、これらの上に
火炎堆積法を用いて多孔質クラッド層３５を堆積し（図
３（ｄ））、１２００℃以上の高温で加熱処理し、透明
ガラス化することによりクラッド層３６を形成していた
（図３（ｅ））。
板３１の上に、電子ビーム蒸着法により、コア層３２を
形成し（図３（ａ））、コア層３２の上面にフォトリソ
グラフィ技術を用いて所定の光回路パターンを有するフ
ォトレジスト３３を形成し（図３（ｂ））、コア層３２
に対して反応性イオンエッチングを施し、パターンニン
グしてコア３４を形成し（図３（ｃ））、これらの上に
火炎堆積法を用いて多孔質クラッド層３５を堆積し（図
３（ｄ））、１２００℃以上の高温で加熱処理し、透明
ガラス化することによりクラッド層３６を形成していた
（図３（ｅ））。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】石英基板３１の代わり
にＳｉ基板を用い、Ｓｉ基板上にアンダークラッド層を
形成した後に、上述したようにコア３４、クラッド層３
６を形成する方法もあるが、火炎堆積法で基板上にガラ
ス膜を形成するには、ガラス微粒子を１２００〜１４０
０℃の温度で焼結する必要があり、この高温焼結工程で
Ｓｉ基板上にクラッド層となるガラス膜を形成すると
き、ガラス膜の熱膨張係数とＳｉの熱膨張係数との差が
大きいために両者の間で反りが発生するという問題があ
った。
にＳｉ基板を用い、Ｓｉ基板上にアンダークラッド層を
形成した後に、上述したようにコア３４、クラッド層３
６を形成する方法もあるが、火炎堆積法で基板上にガラ
ス膜を形成するには、ガラス微粒子を１２００〜１４０
０℃の温度で焼結する必要があり、この高温焼結工程で
Ｓｉ基板上にクラッド層となるガラス膜を形成すると
き、ガラス膜の熱膨張係数とＳｉの熱膨張係数との差が
大きいために両者の間で反りが発生するという問題があ
った。
【０００５】上記従来の技術のように、石英基板を用い
ることにより、この熱膨脹係数の差を小さくして基板型
光導波路の反りをある程度抑えることができるが、それ
でもまだわずかに反りが発生するという問題があった。
この反りは、ガラス層の内部で屈折率を不均一とさせ、
ＴＥモードおよびＴＭモードの伝送特性に異なる影響を
与えて偏波特性を劣化させるという問題を発生させる。
ることにより、この熱膨脹係数の差を小さくして基板型
光導波路の反りをある程度抑えることができるが、それ
でもまだわずかに反りが発生するという問題があった。
この反りは、ガラス層の内部で屈折率を不均一とさせ、
ＴＥモードおよびＴＭモードの伝送特性に異なる影響を
与えて偏波特性を劣化させるという問題を発生させる。
【０００６】近年、高密度光波長多重伝送技術の急速な
進歩に伴い、基板型光導波路の光伝搬特性の要求は年々
厳しくなってきており、わずかな反りによっても基板型
光導波路の性能に大きく影響を及し、要求特性が得られ
ないという問題が生じている。
進歩に伴い、基板型光導波路の光伝搬特性の要求は年々
厳しくなってきており、わずかな反りによっても基板型
光導波路の性能に大きく影響を及し、要求特性が得られ
ないという問題が生じている。
【０００７】本発明の目的は、上記した問題を解決し、
反りの発生をさらに抑制してなる高特性の基板型光導波
路およびその製造方法を提供することにある。
反りの発生をさらに抑制してなる高特性の基板型光導波
路およびその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の発明は、
石英基板の直上にコアが形成され、該石英基板および該
コアの上にクラッド層が形成されてなる基板型光導波路
において、前記石英基板直上の前記コアが形成されてい
ない部分のほぼ全面に、前記コアと所定間隔以上離れて
前記コアと同じ材質からなる反り抑制層が設けられてい
ることにある。
石英基板の直上にコアが形成され、該石英基板および該
コアの上にクラッド層が形成されてなる基板型光導波路
において、前記石英基板直上の前記コアが形成されてい
ない部分のほぼ全面に、前記コアと所定間隔以上離れて
前記コアと同じ材質からなる反り抑制層が設けられてい
ることにある。
【０００９】前記コアと前記反り抑制層との間隔は１０
μｍ以上離れていることが好ましい。
μｍ以上離れていることが好ましい。
【００１０】本発明の第２の発明は、石英基板上に電子
ビーム蒸着法を用いてコア層を形成する工程と、前記コ
ア層をパターニングする工程と、パターニング後のコア
層を被覆するように前記石英基板上に火炎堆積法を用い
て多孔質クラッド層を形成する工程と、前記多孔質クラ
ッド層に熱処理を施し透明ガラス化してクラッド層を形
成する工程とを有する基板型光導波路の製造方法におい
て、前記コア層のパターニングは、光回路を成すコア
と、該コアを形成しない部分のほぼ全面であって該コア
から所定間隔以上離れてなる反り抑制層となる部分を残
すように成されることにある。
ビーム蒸着法を用いてコア層を形成する工程と、前記コ
ア層をパターニングする工程と、パターニング後のコア
層を被覆するように前記石英基板上に火炎堆積法を用い
て多孔質クラッド層を形成する工程と、前記多孔質クラ
ッド層に熱処理を施し透明ガラス化してクラッド層を形
成する工程とを有する基板型光導波路の製造方法におい
て、前記コア層のパターニングは、光回路を成すコア
と、該コアを形成しない部分のほぼ全面であって該コア
から所定間隔以上離れてなる反り抑制層となる部分を残
すように成されることにある。
【００１１】前記コアと前記反り抑制層との間隔は１０
μｍ以上離れていることが好ましい。
μｍ以上離れていることが好ましい。
【００１２】前記石英基板は、円形状をしたウエーハか
らなり、該ウエーハに複数個の基板型光導波路を形成
し、該ウエーハを切断加工して各々の基板型光導波路を
取り出す製造方法であり、前記反り抑制層は、基板型光
導波路とならない前記ウエーハの周辺部領域にも形成さ
れていることが好ましい。
らなり、該ウエーハに複数個の基板型光導波路を形成
し、該ウエーハを切断加工して各々の基板型光導波路を
取り出す製造方法であり、前記反り抑制層は、基板型光
導波路とならない前記ウエーハの周辺部領域にも形成さ
れていることが好ましい。
【００１３】［作用］火炎堆積法を用いて形成した多孔
質クラッド層を、高温焼結してクラッド層とし、これを
常温に戻すまでの間に基板型光導波路の内部で応力が発
生し、これが反りの原因になるものと思われる。この内
部応力は、クラッド層の厚さに比例するので、本発明に
おいては、コア層をパターニングする際に、コア以外
に、反り抑制層として、コアを形成しない部分のほぼ全
面をコアと所定間隔隔てて残しておくことにより、その
上に形成されるクラッド層の平均厚さを薄くし、内部応
力の発生を抑え反りを抑制している。
質クラッド層を、高温焼結してクラッド層とし、これを
常温に戻すまでの間に基板型光導波路の内部で応力が発
生し、これが反りの原因になるものと思われる。この内
部応力は、クラッド層の厚さに比例するので、本発明に
おいては、コア層をパターニングする際に、コア以外
に、反り抑制層として、コアを形成しない部分のほぼ全
面をコアと所定間隔隔てて残しておくことにより、その
上に形成されるクラッド層の平均厚さを薄くし、内部応
力の発生を抑え反りを抑制している。
【００１４】また、本発明によれば、コア層のパターニ
ングを変更するだけでよいため、従来と比べて製造工程
を増やすことなく、反りの発生を抑制でき、さらには、
多孔質クラッド層は従来より薄くするため、その形成時
間を減らすことができ、基板型光導波路の生産性を向上
することができる、という作用・効果も生じる。
ングを変更するだけでよいため、従来と比べて製造工程
を増やすことなく、反りの発生を抑制でき、さらには、
多孔質クラッド層は従来より薄くするため、その形成時
間を減らすことができ、基板型光導波路の生産性を向上
することができる、という作用・効果も生じる。
【００１５】コアと反り抑制層の間は、コアの十分な光
の閉じ込め作用を得るために、約１０μｍ以上とするの
が好ましい。
の閉じ込め作用を得るために、約１０μｍ以上とするの
が好ましい。
【００１６】また、コアと反り抑制層の間をあまり離す
と、反り抑制層の領域が狭くなり本発明の効果も薄れて
くるので５０μｍ以下とするのが好ましい。
と、反り抑制層の領域が狭くなり本発明の効果も薄れて
くるので５０μｍ以下とするのが好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１および
図２を参照しながら説明する。
図２を参照しながら説明する。
【００１８】図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形
態である基板型光導波路の製造方法を示す工程図であ
る。本実施の形態では、直径３インチ、厚さ１．０mmの
純粋ＳｉＯ2 からなる合成石英のウエーハを石英基板１
として用意し、このウエーハ上に石英系ガラスからなる
導波層を形成した。図１（ａ）〜（ｅ）は、このウエー
ハのうち、１つの基板型光導波路となる部分のみを断面
図で示した。
態である基板型光導波路の製造方法を示す工程図であ
る。本実施の形態では、直径３インチ、厚さ１．０mmの
純粋ＳｉＯ2 からなる合成石英のウエーハを石英基板１
として用意し、このウエーハ上に石英系ガラスからなる
導波層を形成した。図１（ａ）〜（ｅ）は、このウエー
ハのうち、１つの基板型光導波路となる部分のみを断面
図で示した。
【００１９】図１（ａ）のように、石英基板１上に、電
子ビーム蒸着法を用いてコア層２を形成する。このコア
層２は、ＳｉＯ2 ＋ＴｉＯ2 の組成構成を有する。Ｔｉ
Ｏ2は屈折率増加用のドーパントである。電子ビーム蒸
着法は、直接コア層を形成でき、焼結工程は必要ないの
で、ここまでの工程で反りが発生することはない。
子ビーム蒸着法を用いてコア層２を形成する。このコア
層２は、ＳｉＯ2 ＋ＴｉＯ2 の組成構成を有する。Ｔｉ
Ｏ2は屈折率増加用のドーパントである。電子ビーム蒸
着法は、直接コア層を形成でき、焼結工程は必要ないの
で、ここまでの工程で反りが発生することはない。
【００２０】次に、コア層２にパターニング加工を施す
べく、コア層２の上面にフォトリソグラフィ技術を用い
て所定の光回路パターンを有するコア用フォトレジスト
３ａおよび該光回路パターンを形成しない部分のほぼ全
面であって該光回路パターンから１５μｍ以上離れた部
分を残すように、反り抑制層用フォトレジスト３ｂを形
成する（図１（ｂ））。
べく、コア層２の上面にフォトリソグラフィ技術を用い
て所定の光回路パターンを有するコア用フォトレジスト
３ａおよび該光回路パターンを形成しない部分のほぼ全
面であって該光回路パターンから１５μｍ以上離れた部
分を残すように、反り抑制層用フォトレジスト３ｂを形
成する（図１（ｂ））。
【００２１】次に、コア層２に対して反応性イオンエッ
チングを施し、コア４および反り抑制層５を形成する
（図１（ｃ））。コア４は、８×８μｍの矩形断面を有
するように形成した。
チングを施し、コア４および反り抑制層５を形成する
（図１（ｃ））。コア４は、８×８μｍの矩形断面を有
するように形成した。
【００２２】次に、上記のようにして作製された光導波
路基体の上にクラッド層となる多孔質クラッド層６を火
炎堆積法を用いて形成する。これは、酸水素炎中にドー
パント原料たるＢＣｌ3 およびＰＯＣｌ4 のガスをＳｉ
Ｃｌ4 とともに送り込みながら、火炎中で生成されるガ
ラス微粒子をコア２、反り抑制層５および石英基板１の
上面に吹き付けることにより行う（図１（ｄ））。
路基体の上にクラッド層となる多孔質クラッド層６を火
炎堆積法を用いて形成する。これは、酸水素炎中にドー
パント原料たるＢＣｌ3 およびＰＯＣｌ4 のガスをＳｉ
Ｃｌ4 とともに送り込みながら、火炎中で生成されるガ
ラス微粒子をコア２、反り抑制層５および石英基板１の
上面に吹き付けることにより行う（図１（ｄ））。
【００２３】次に、この多孔質クラッド層６を焼結炉中
で加熱してから除冷して透明ガラス化を行い、ドーパン
トの添加されたクラッド層７（ＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 ＋Ｐ
2 Ｏ5 ）を形成する。クラッド層７の層厚（コア４の上
面からクラッド層７の上面までの厚さ）は約１５μｍと
なるように形成した。このクラッド層７は、石英基板１
と組み合わさって一つのクラッドを形成しており、この
クラッド中にコア４が埋め込まれている（図１
（ｅ））。
で加熱してから除冷して透明ガラス化を行い、ドーパン
トの添加されたクラッド層７（ＳｉＯ2 ＋Ｂ2 Ｏ3 ＋Ｐ
2 Ｏ5 ）を形成する。クラッド層７の層厚（コア４の上
面からクラッド層７の上面までの厚さ）は約１５μｍと
なるように形成した。このクラッド層７は、石英基板１
と組み合わさって一つのクラッドを形成しており、この
クラッド中にコア４が埋め込まれている（図１
（ｅ））。
【００２４】クラッド層７に含まれるＢ2 Ｏ3 、Ｐ2 Ｏ
5 は、コア４および石英基板１より軟化温度を下げるた
めのドーパントである。これにより、多孔質クラッド層
６の焼結温度を石英基板１およびコア４の軟化温度以下
とすることができ、石英基板１およびコア４の熱変形を
抑制できる。Ｂ2 Ｏ3 とＰ2 Ｏ5 の含有比率は、石英基
板１の屈折率と同じになるように設定する。コア４の屈
折率は、１．４６５７に、石英基板１およびクラッド層
７の屈折率は、１．４５８に設定した。
5 は、コア４および石英基板１より軟化温度を下げるた
めのドーパントである。これにより、多孔質クラッド層
６の焼結温度を石英基板１およびコア４の軟化温度以下
とすることができ、石英基板１およびコア４の熱変形を
抑制できる。Ｂ2 Ｏ3 とＰ2 Ｏ5 の含有比率は、石英基
板１の屈折率と同じになるように設定する。コア４の屈
折率は、１．４６５７に、石英基板１およびクラッド層
７の屈折率は、１．４５８に設定した。
【００２５】以上のようにして製造された基板型光導波
路は、石英基板１のコア４が形成されていない部分のほ
ぼ全面に、コア４と所定間隔（１５μｍ）以上離れて、
反り抑制層５が設けられた構成をしている。コア４と反
り抑制層５の間ｄは、光の閉じ込め効果および反り抑制
効果の点から１０〜５０μｍの範囲とするのが好まし
い。
路は、石英基板１のコア４が形成されていない部分のほ
ぼ全面に、コア４と所定間隔（１５μｍ）以上離れて、
反り抑制層５が設けられた構成をしている。コア４と反
り抑制層５の間ｄは、光の閉じ込め効果および反り抑制
効果の点から１０〜５０μｍの範囲とするのが好まし
い。
【００２６】上記基板型光導波路は、図２に示すよう
に、１枚のウエーハ２１上に、複数個同時に形成され、
ウエーハ２１を切断加工することにより、各々の基板型
光導波路２２として取り出される。前記反り抑制層５
は、基板型光導波路２２とならないウエーハ２１の周辺
部領域２３にも形成するのが好ましい。そのためには、
前述した製造工程において、前記反り抑制層用フォトレ
ジスト３ｂを、基板型光導波路２２が取れないウエーハ
２１の周辺部領域２３の全面に亘って形成すればよい。
なお、図２において、コアおよび反り抑制層のパターン
の図示は省略してある。
に、１枚のウエーハ２１上に、複数個同時に形成され、
ウエーハ２１を切断加工することにより、各々の基板型
光導波路２２として取り出される。前記反り抑制層５
は、基板型光導波路２２とならないウエーハ２１の周辺
部領域２３にも形成するのが好ましい。そのためには、
前述した製造工程において、前記反り抑制層用フォトレ
ジスト３ｂを、基板型光導波路２２が取れないウエーハ
２１の周辺部領域２３の全面に亘って形成すればよい。
なお、図２において、コアおよび反り抑制層のパターン
の図示は省略してある。
【００２７】上記本実施の形態によれば、反り抑制層５
が形成された部分において、反り抑制層５の厚さ（８μ
ｍ）分、従来よりクラッド層７の厚さを薄くすることが
できるため、石英基板１の全面におけるクラッド層７の
平均厚さを薄くすることができ、その分、クラッド層の
形成による内部応力を抑えることが可能となり、反りの
発生を抑制することができる。高光伝搬特性が要求され
るアレイ導波路格子型光合分波器等において、本発明の
効果は、顕著に発揮される。
が形成された部分において、反り抑制層５の厚さ（８μ
ｍ）分、従来よりクラッド層７の厚さを薄くすることが
できるため、石英基板１の全面におけるクラッド層７の
平均厚さを薄くすることができ、その分、クラッド層の
形成による内部応力を抑えることが可能となり、反りの
発生を抑制することができる。高光伝搬特性が要求され
るアレイ導波路格子型光合分波器等において、本発明の
効果は、顕著に発揮される。
【００２８】
【発明の効果】上記したように、本発明によれば、反り
の発生をさらに抑えた高光伝搬特性の基板型光導波路を
提供することができる。
の発生をさらに抑えた高光伝搬特性の基板型光導波路を
提供することができる。
【図１】本発明の実施の形態である基板型光導波路の製
造方法を示す工程図である。
造方法を示す工程図である。
【図２】１枚のウエーハに本発明の実施の形態である基
板型光導波路を６個形成した状態を示す上面概略図であ
る。
板型光導波路を６個形成した状態を示す上面概略図であ
る。
【図３】従来の基板型光導波路の製造工程を示す図であ
る。
る。
１ 石英基板 ２ コア層 ３ａ コア用フォトレジスト ３ｂ 反り抑制層用フォトレジスト ４ コア ５ 反り抑制層 ６ 多孔質クラッド層 ７ クラッド層 ２１ ウエーハ ２２ 基板型光導波路 ２３ 周辺部領域
Claims (5)
- 【請求項１】石英基板の直上にコアが形成され、該石英
基板および該コアの上にクラッド層が形成されてなる基
板型光導波路において、前記石英基板直上の前記コアが
形成されていない部分のほぼ全面に、前記コアと所定間
隔以上離れて前記コアと同じ材質からなる反り抑制層が
設けられていることを特徴とする基板型光導波路。 - 【請求項２】前記コアと前記反り抑制層との間隔は１０
μｍ以上離れていることを特徴とする請求項１記載の基
板型光導波路。 - 【請求項３】石英基板上に電子ビーム蒸着法を用いてコ
ア層を形成する工程と、前記コア層をパターニングする
工程と、パターニング後のコア層を被覆するように前記
石英基板上に火炎堆積法を用いて多孔質クラッド層を形
成する工程と、前記多孔質クラッド層に熱処理を施し透
明ガラス化してクラッド層を形成する工程とを有する基
板型光導波路の製造方法において、前記コア層のパター
ニングは、光回路を成すコアと、該コアを形成しない部
分のほぼ全面であって該コアから所定間隔以上離れてな
る反り抑制層となる部分を残すように成されることを特
徴とする基板型光導波路の製造方法。 - 【請求項４】前記コアと前記反り抑制層との間隔は１０
μｍ以上離れていることを特徴とする請求項３記載の基
板型光導波路の製造方法。 - 【請求項５】前記石英基板は、円形状をしたウエーハか
らなり、該ウエーハに複数個の基板型光導波路を形成
し、該ウエーハを切断加工して各々の基板型光導波路を
取り出す製造方法であり、前記反り抑制層は、基板型光
導波路とならない前記ウエーハの周辺部領域にも形成さ
れていることを特徴とする請求項３または４記載の基板
型光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32172398A JP3500990B2 (ja) | 1998-11-12 | 1998-11-12 | 基板型光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32172398A JP3500990B2 (ja) | 1998-11-12 | 1998-11-12 | 基板型光導波路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000147293A true JP2000147293A (ja) | 2000-05-26 |
| JP3500990B2 JP3500990B2 (ja) | 2004-02-23 |
Family
ID=18135728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32172398A Expired - Fee Related JP3500990B2 (ja) | 1998-11-12 | 1998-11-12 | 基板型光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3500990B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005116705A1 (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Omron Corporation | 光分岐器及びその製造方法 |
| WO2007039968A1 (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | 光導波路装置 |
| US7415183B2 (en) | 2001-11-14 | 2008-08-19 | Hitachi Cable, Ltd. | Silica based glass waveguide and optical module using the same |
| KR100901917B1 (ko) | 2004-05-27 | 2009-06-10 | 오므론 가부시키가이샤 | 광 분기기 및 그 제조 방법 |
| JP2010020180A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Nec Corp | 光導波路デバイスとその製造方法 |
| CN102298171A (zh) * | 2010-06-22 | 2011-12-28 | 日本电气株式会社 | 光波导装置和光波导装置的制造方法 |
-
1998
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