JP2005338467A - 光分岐器及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】挿入損失の波長均一性が高く、かつ偏波依存性損失の低い光分岐器を提供する。
【解決手段】この発明の光分岐器１は、基板１０上に、光が入射される光入射部２１と、光入射部に入射される光を所定の比率で分岐する光分岐部２２Ａ〜２２Ｇと、光分岐部により分岐された光を所定位置に案内する光出射部２３Ａ〜２３Ｈと、基板上の光入射部、光分岐部及び光出射部が設けられる領域と独立に、光入射部、光分岐部及び光出射部と同一の材質により、基板上の光入射部、光分岐部及び光出射部が設けられる領域を除いた領域の割合を示す占有率が７０％より大きくなるよう、基板上に設けられたダミーパターン２４Ａ〜２４Ｈを有する。
【選択図】 図１

Description

この発明は、光通信等の分野に利用可能であって、入力端に入力された光を複数の出力端に出力する光分岐器に関する。

光導波回路部品としてＰＬＣ（Planer Light wave Circuit：平板型光導波回路）部品が知られている。このＰＬＣ部品の一例として、シリコン基板上に光導波回路のパターンが形成され、この光導波回路が形成された基板上に、部分的に独立したコアパターンを設けた例が報告されている（例えば特許文献１参照）。
特開平１１−２７１５４５

しかしながら、特許文献１に開示された提案では、ＰＬＣ部品である光分岐器に特有の構造上の問題として、光入射側の導波路の数（面積）と光出射側の導波路の数（面積）との差に起因して、例えばドライエッチングにおいて、ローディング効果によりエッチングレートが、基板上で大きく異なることが知られている。結果として、エッチング後の入射側の曲がり導波路の線幅が設計値より細く形成されるため、曲がり導波路の損失が使用波長の長波長側で増大する。その結果、光分岐器の挿入損失の波長における均一性が悪化する問題がある。

また、エッチング後、エッチングにより形成されたコア部分を含む基板全域にクラッド層を設けることでコア部分でクラッド層が凸状となることにより、リッドガラスを接着剤により固定する際に、コア部分に応力が集中してＰＤＬ（Polarization Dependent Loss：偏波依存性損失）が劣化する問題がある。

この発明の目的は、挿入損失の波長均一性が高く、かつ偏波依存性損失の低い光分岐器を提供することである。

この発明は、光が入射される光入射部と、この光入射部に入射される光を所定の比率で分岐する光分岐部と、この光分岐部により分岐された光を所定位置に案内する光出射部と、前記光入射部、前記光分岐部及び前記光出射部上に所定厚さに形成される接着剤層と、前記光入射部、前記光分岐部及び前記光出射部を保持する基板と、前記接着剤層を介して前記基板上の前記光入射部、前記光分岐部及び前記光出射部のそれぞれを覆うカバー部材と、前記基板上に、前記光入射部、前記光分岐部及び前記光出射部が設けられる領域と独立に設けられ、前記接着剤層が硬化する際に生じる応力が、前記基板上の前記光入射部、前記光分岐部及び前記光出射部のいずれか、または全域に作用することを抑止する応力均一化部材と、を有することを特徴とする光分岐器を提供するものである。

すなわち、上述した光分岐器によれば、カバー部材を接着剤により固定する際に生じる応力の影響が低減される。従って、カバー部材接着後の偏波依存性損失（ＰＤＬ）の悪化が抑えられる。

また、この発明は、基板上に、光が入射される光入射部と、光入射部に入射される光を所定の比率で分岐する光分岐部と、光分岐部により分岐された光を所定位置に案内する光出射部と、基板上の光入射部、光分岐部及び光出射部が設けられる領域と独立に、光入射部、光分岐部及び光出射部と同一の材質により、基板上の光入射部、光分岐部及び光出射部が設けられる領域を除いた領域の割合を示す占有率が７０％より大きくなるよう、基板上に設けられた応力均一化部材と、を有することを特徴とする光分岐器を提供するものである。

すなわち、上述した光分岐器によれば、光入射部、光分岐部及び光出射部に用いられる領域をエッチングする際に、基板の全域のエッチングレートが概ね均一化される。これにより、ローディング効果により、光入射部、光分岐部及び光出射部に用いられる領域の太さ（幅）に差が生じることが抑止され、それぞれの領域の幅（太さ）が均一化される。従って、光分岐器の曲がり導波路において、長波長側での過剰損失を低減でき、挿入損失の波長均一性が向上される。

また、この発明は、基板に、光導波路として利用可能な基板の屈折率に比較して屈折率の高い光伝達材質層を所定の厚さに堆積し、光伝達材料層に、光信号の伝送に利用される第１の領域と、第１の領域の周囲に所定の間隔をおいて、第１の領域をエッチングする際のエッチングレートを、基板の全域で概ね一定とするための第２の領域を規定し、第１の領域及び第２の領域のそれぞれに、非エッチングパターンを形成して、基板上の残りの領域をエッチングによりパターニングし、パターニングにより残った光伝達材料層及び基板が露出された領域の全域に、光伝達材料層に比較して屈折率が低い材質を所定厚さに設けて第１及び第２の領域とは異なる第３の領域を形成し、第３の領域に、接着剤を介してカバー部材を接着することを特徴とする光分岐器の製造方法である。

すなわち、上述した光分岐器の製造方法によれば、カバー部材を接着剤により固定する際に生じる応力の影響が低減される。従って、カバー部材接着後の偏波依存性損失（ＰＤＬ）の悪化が抑えられる。以上のことから、歩留まりが高められ、光分岐器のコストが低減される。

また、この発明は、光が入射される光入射部と、この光入射部に入射される光を所定の比率で分岐する光分岐部と、この光分岐部により分岐された光を所定位置に案内する光出射部と、前記光入射部、前記光分岐部及び前記光出射部上に所定厚さに形成される接着剤層と、前記光入射部、前記光分岐部及び前記光出射部を保持する基板と、前記基板上に、前記光入射部、前記光分岐部及び前記光出射部が設けられる領域と独立して設けられ、前記基板上の前記光入射部、前記光分岐部及び前記光出射部を形成する際に、前記基板上の前記光入射部、前記光分岐部及び前記光出射部のそれぞれの前記基板の面方向に沿った長さである線幅が不均一となることを低減する非光信号伝送領域と、を有することを特徴とする光分岐器を提供するものである。

すなわち、上述した光分岐器によれば、光入射部、光分岐部及び光出射部に用いられる領域をエッチングする際に、基板の全域のエッチングレートが概ね均一化される。これにより、ローディング効果により、光入射部、光分岐部及び光出射部に用いられる領域の太さ（幅）に差が生じることが抑止され、それぞれの領域の幅（太さ）が均一化される。従って、光分岐器の曲がり導波路において、長波長側での過剰損失を低減でき、挿入損失の波長均一性が向上される。

また、この発明は、基板に、光導波路として利用可能な基板の屈折率に比較して屈折率の高い光伝達材質層を所定の厚さに堆積し、光伝達材料層に、光信号の伝送に利用される第１の領域と、第１の領域の周囲に所定の間隔をおいて、第１の領域をエッチングする際のエッチングレートを、基板の全域で概ね一定とするための第２の領域を規定し、第１の領域及び第２の領域のそれぞれに、非エッチングパターンを形成して、基板上の残りの領域をエッチングによりパターニングし、パターニングにより残った光伝達材料層及び基板が露出された領域の全域に、光伝達材料層に比較して屈折率が低い材質を所定厚さに設けて第１及び第２の領域とは異なる第３の領域を形成することを特徴とする光分岐器の製造方法である。

すなわち、上述した光分岐器の製造方法によれば、光信号の伝送に利用されるパターンをエッチングする際に、ローディング効果により基板上の位置に応じてエッチングレートが変動してエッチング後の入射側の曲がり導波路の線幅が設計値より細くなることが防止される。これにより、曲がり導波路の損失が使用波長に関わりなく均一化され、光学特性が改善される。

本発明によれば、挿入損失の波長均一性が高く、かつカバー部材を接着した後も偏波依存性損失の低い光分岐器が歩留まりよく形成可能となる。

以下、図面を参照して、この発明の実施の形態について詳細に説明する。

図１は、この発明の実施の形態が適用される光分岐器の一例を説明する概略図である。

図１に示すように、光分岐器１は、例えば二酸化シリコン（Ｓｉ０_２）等を主成分とする基板１０と、基板１０上に所定形状にパターニングされて形成された光導波路構造２０と、を有する。なお、光導波路構造２０の周囲は、光導波路構造２０をコアとして利用可能とするためのクラッド部材３０により覆われている。また、コア部分とクラッド部分との比屈折率差は、０．４５％である。

光導波路構造２０は、例えば光ファイバもしくは前段の光分岐器等である図示しない、光伝達部材を介して供給される光（光信号）が入射される入射端２１、入射端２１に入射された光信号を第１及び第２の比率で分岐する光分岐部２２Ａ〜２２Ｇ、光分岐部２２Ａ〜２２Ｇにより（この例では、８に）分岐された光信号を後段に接続される図示しない、例えばシングルモードファイバあるいは後段の光分岐器等に向けて案内する出力端２３Ａ〜２３Ｈを含む。

光導波路構造２０の周辺であって、クラッド部材３０が堆積される領域には、光導波路構造２０と同一の工程で基板１０上に堆積されたコア部分として利用される材質と同一の材質が、コア部分（光導波路構造）２０をパターニングする際に、所定の形状に残された応力均一化部材（以下、ダミーパターンと呼称する）２４Ａ〜２４Ｈが設けられている。すなわち、ダミーパターン２４Ａ〜２４Ｈは、基板１０上に堆積された光導波路構造２０を、例えばドライエッチングによりエッチングしてコア部分２０を形成する際に、エッチングされずにそのまま残された領域である。

光導波路構造（コア部分）２０及びダミーパターン２４Ａ〜２４Ｈは、例えば基板１０上に所定厚さに形成された二酸化シリコンを主成分とするガラス層を、所定形状にパターニングすることにより形成される。なお、光導波路構造２０は、例えば、基板１０上に、予め所定厚さに図示しないクラッド層部材を堆積させた後、コアすなわち光導波路構造２０に相当する部分に、リン（Ｐ）、チタン（Ｔｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）もしくはアルミニウム（Ａｌ）等をドープしても形成可能である。光導波路構造２０はまた、例えばコアとして利用可能な屈折率の材料を基板１０の全域に所定厚さに堆積させた後、図示しないクラッド層部分に対応する領域にホウ素（Ｂ）やフッ素（Ｆ）等をドープして屈折率を選択的に低下させることによっても形成できる。また、光導波路構造２０は、熱膨張率が、例えば約３．５×１０^−６以下の任意の成分を含む多成分ガラスとし、コア（すなわち光導波路構造２０）に対応する領域を、周知のイオン交換法によってイオン交換して、選択的に屈折率を変化させることによっても形成できる。

図２は、図１に示した光分岐器を、切断線Ｉ−Ｉで切断した状態を示している。

図２に示されるように、基板１０上には、光導波路構造（コア部分）２０並びにダミーパターン２４Ａ〜２４Ｈ（図２は、切断線Ｉ−Ｉによる断面であるから２４Ａ〜２４Ｃのみが見える）上には、クラッド層３０が所定厚さに堆積され、その上に接着剤層２５が、所定の厚さに形成されている。なお、接着剤層２５上には、リッドすなわちカバーガラス層４０が、接着剤層２５によりクラッド層３０上に固定されている。また、図１及び図２に示す光分岐器１において、基板１０の厚さは概ね１ｍｍ、コア部分（光導波路構造）２０の厚さ及び基板１０に沿う方向の長さは概ね６μｍ（断面において一辺が概ね６μｍの矩形）、ダミーパターン２４Ａ〜２４Ｈの厚さは概ね６μｍ（幅は位置により異なる）、クラッド層３０の厚さが概ね２５μｍ、接着剤層２５の厚さが概ね２５μｍ、及びリッド４０の厚さが概ね１．５ｍｍである。なお、接着剤層２５の厚さは、好ましくは概ね１０〜５０μｍの範囲内で、リッド４０の接着強度とＰＤＬの悪化を考慮して設定される。

なお、図２から明らかなように、光導波路構造（２０）が所定の幅（基板１０の面方向に沿った方向の長さ）にパターニングされて形成されたコア部分２０は、その両側（基板１０の端部を除く）に、ダミーパターン２４Ａ〜２４Ｈ（上述したとおり、図２では２４Ａ〜２４Ｃのみが見える）により区画されている。また、ダミーパターン２４Ａ〜２４Ｈとコア部分２０との間の間隔は、図４を用いて後段に関連を説明するが、少なくともコア部分２０の幅（太さ）と同一か、それ以上に規定される。従って、図１において、出射端２３Ａ〜２３Ｈで示されるコア部分（２０）の間については、コア部分相互の間隔（分岐数）にも依存するが、ダミーパターン２４Ｅ〜２４Ｈを省略できる場合がある。

図３（ａ）〜図３（ｆ）は、図１及び図２に示した光分岐器を製造する工程（方法）の一例を説明する概略図である。

第１に、図３（ａ）に示されるように、例えば二酸化シリコンを主成分とするガラス平板が基板１０として用意される。続いて、基板１０上に、基板１０の屈折率に比較して屈折率の大きな光導波路構造２０およびダミーパターン２４Ａ〜２４Ｈとして利用される材質、例えば二酸化シリコンが、ＣＶＤ法（chemical vapor deposition method）により、所定厚さに堆積される。なお、光導波路構造２０に利用される酸化シリコンの薄層には、屈折率を高めるために、例えばリン（Ｐ）、チタン（Ｔｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、もしくはアルミニウム（Ａｌ）等が、必要に応じてドープされる。

次に、図３（ｂ）に示すように、酸化シリコン層（２０）上に、例えばタングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の保護膜１２１が所定の厚さに、堆積される。

続いて、保護膜１２１上に、レジスト材（例えば光硬化性樹脂等の耐エッチング材料）１２２が所定厚さ塗布され、図示しない乾燥工程で硬化された後、図示しない露光工程によりコア部分２０とダミーパターン２４Ａ〜２４Ｈに相当するパターンが記録（露光）される。以下、図示しない現像工程により、レジスト材が現像されて、図３（ｃ）に示すような、コア部分２０及びダミーパターン２４Ａ〜２４Ｈの形状に対応するレジストパターン（非エッチングパターンとなった保護膜）１２３が形成される。

次に、図３（ｄ）に示すように、例えばエッチング処理により、エッチングすべき領域の保護膜１２１が除去される。従って、光導波路構造２０として先に基板１０上に、所定厚さに堆積された高屈折率層（二酸化シリコン）のうち引き続く工程においてエッチングすべき被エッチング部分１２４が露出される。

以下、図３（ｅ）に示すように、周知のドライエッチングにより、被エッチング部分１２４が除去され、コア２０及びダミーパターン２４Ａ〜２４Ｈ部分（図３（ｅ）では２４Ｂ，２４Ｃのみが見える）が形成される。

次に、図３（ｆ）に示すように、コア２０及びダミーパターン２４Ａ〜２４Ｈ（この図３（ｆ）では２４Ａ〜２４Ｃのみが見える）を含む基板１０の全域に、クラッド層３０として利用される材質、例えば二酸化シリコンが所定の厚さに堆積される。なお、クラッド層３０には、屈折率を低下することのできる、例えばホウ素（Ｂ）もしくはフッ素（Ｆ）がドープされてもよい。

コア部分（光導波路構造２０）やダミーパターン２４Ａ〜２４Ｈ（光導波路構造２０）及びクラッド層３０は、ＣＶＤ法に限らず、例えば火炎堆積法（ＦＨＤ：Flame Hydrolysis Deposition 法）によって形成されてもよく、その製法は、特に特定の製法に限定されるものではない。

続いて、クラッド層３０上に、図２により前に説明した接着剤層２５が形成され、接着剤層２５上に、カバー（ガラス）層すなわちリッド４０が固定される。なお、クラッド層３０が、コア２０及びダミーパターン２４Ａ〜２４Ｈに対応する領域で盛り上がる（凸部を呈する）場合には、接着剤層２５を形成する前に、図示しないが平滑化（研磨）工程により、その表面の凹凸、特に凸状部が平坦化されてもよい。なお、リッド４０を接着剤層２５によりクラッド層３０上に固定する方法に代えて、クラッド層３０の材質を、予め、リッド４０の材質と等しい材質か、熱膨張率が所定の範囲内にある材質とし、リッド４０をクラッド層３０上に配置した後、所定の圧力と熱を加え、リッド４０とクラッド層３０とを同化させることによっても、リッド４０をクラッド層３０に固定できる。

図４は、図１及び図２に示した光分岐器において、光導波路構造をエッチングして所定の光信号伝送路すなわちコア部分を形成する際に、コア部分（またはコア部分に相当する領域）の幅が不所望に変化する要因を説明する概略図である。なお、図４においては、横軸をコア部分を形成するための［工程］とし、各工程において、コア部分（相当領域）の幅の変動の分布（３σ）を求めたものである。また、図４において、各曲線は、ダミーパターン２４Ａ〜２４Ｈとコア部分２０（図１参照）が基板１０の面積（同図参照）に占める割合すなわち占有率とコア部分の幅の変動の分布（３σ）との関係を示し、曲線ａは占有率９０％を、曲線ｂは同７０％を、曲線ｃは同６０％を、曲線ｂは同３０％を、及び曲線ｅは同５％を、それぞれ、示している。

なお、占有率９０％は、コア部分の外側に、コア部分の幅と概ね等しい間隔が残るように、ダミーパターン２４Ａ〜２４Ｈの面積を設定した状態に対応する。また、占有率５％は、ダミーパターンが全くない状態に対応する。

図４から明らかなように、コア部分の幅の変動の分布（３σ）が最も大きくなる工程は、コア部分のエッチング工程であることがわかる。その一方で、占有率を７０％以上とすることで、コア部分の幅の変動（３σ）を０．１５μｍ以下に低減できることが認められる。特に、占有率を９０％以上とした場合には、同（３σ）を０．１μｍ以下に低減できる。なお、占有率５％の場合には、図１に区分線Ｌで示したように、光入射側と光出射側との間でエッチングレートが大きく異なることから、それに起因して、コア部分の幅の変動の分布（３σ）が増大するものと考えることが妥当である。また、出力端２３Ａ〜２３Ｈ（図１参照）においては、分岐（チャンネル）数に応じてコア部分の間隔が狭くなることから、コア部分相互の間隔がコア部分の幅（基板１０の面に沿う方向の長さすなわちコアの太さ）の２倍よりも少ない場合には、ダミーパターンは、必ずしも必要ではない。

図５は、リッドガラスを接着した場合のパターン（コア部分とダミーパターンの合計）占有率とＰＤＬとの関係を示す概略図である。なお、図５に示すＰＤＬは、基板１０（図１参照）の大きさを、短辺が６インチ（約１２５ｍｍ）の正方形とし、コア部分（光導波路構造）２０とダミーパターン２４Ａ〜２４Ｈ（図１参照）の面積の合計を変化させて得たものである。

図５から明らかなように、占有率を９０％以上にした（コア部分の外側に、コア部分の幅と概ね等しい間隔が残るようにダミーパターン２４Ａ〜２４Ｈの面積を設定した）場合は、ＰＤＬは、０．０７［ｄＢ］まで低減できることが認められた。

また、ダミーパターン２４Ａ〜２４Ｈを、占有率が７０％以上となるように基板１０に設ける（非エッチング対象となる光導波路構造２０の所定部分を残存させる）ことにより、エッチング時に、基板１０の端部に設けられるコア部分が基板１０の中央またはその近傍に設けられるコア部分よりも多くエッチングされる程度も低減されることが確認されている。

図６は、コア部分及びダミーパターンが基板に占める占有率と過剰損失との関係を説明する概略図である。なお、図６において、曲線ａは占有率９０％を、曲線ｂは同７０％を、曲線ｆは同５０％を、曲線ｅは同５％を、それぞれ、示している。

図６に示される通り、占有率が小さいとローディング効果により、入射側の曲がり導波路が、他の部分より細く形成される。このため、曲がり部から光が漏れ、長波長側で損失が大きくなる。占有率を大きくしていくと曲がり導波路の線幅が均一に形成されるため光の漏れが抑えられ、フラットな波長特性が得られる。なお、図４を用いて前に説明したが、占有率を７０％以上にすることで、コア部分の幅の変動（３σ）を０．１５μｍ以下にできる。また、占有率を９０％以上とすることで、コア部分の幅の変動（３σ）を０．１μｍ以下にできる。

以上説明したように本発明によれば、エッチングレートが基板の全域で概ね均一化されるので、分岐先毎（チャンネル相互間）で、コア部分の幅が大きく変動することが抑止できるため、挿入損失の波長均一性が高く、かつダミーコアの存在によりカバーガラス（リッド）を接着しても、偏波依存性損失の低い光分岐器が得られる。

なお、この発明は、前記各実施の形態に限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々な変形もしくは変更が可能である。また、各実施の形態は、可能な限り適宜組み合わせて実施されてもよく、その場合、組み合わせによる効果が得られる。例えば、上述した実施の形態においては、主として入力側に入力された光信号を分岐する光分岐器を例に説明したが、入力側が複数で、入力された光信号が順に合波される光合波器や、２つの入力ポートの一方から入力された光信号が２つの出力ポートから出力される１入力２出力光方向性結合器等の、基板上に光導波路構造が形成される光素子に適用されても、同一の効果が得られる。

この発明の実施の形態が適用される光分岐器の一例を説明する概略図。 図１に示した光分岐器をＩ−Ｉ線に沿って切断した状態を示す概略図。 図１及び図２に示した光分岐器を製造する工程の一例を説明する概略図。 図１及び図２に示した光分岐器において、コア部分（またはコア部分に相当する領域）の幅が不所望に変化する要因を説明する概略図。 占有率［％］とＰＤＬ［ｄＢ］との関係を説明する概略図。 占有率［％］と過剰損失［ｄＢ］との関係を説明する概略図である。

符号の説明

１…光分岐器、１０…基板、２０…光導波路構造（コア）、２１…光入射端、２２Ａ〜２２Ｇ…光分岐部、２３Ａ〜２３Ｈ…光出射端、２４Ａ〜２４Ｈ…ダミーパターン、２５…接着剤層（接着剤）、３０…クラッド層、４０…リッド（カバー層）。

Claims (13)

1. 光が入射される光入射部と、
   この光入射部に入射される光を所定の比率で分岐する光分岐部と、
   この光分岐部により分岐された光を所定位置に案内する光出射部と、
   前記光入射部、前記光分岐部及び前記光出射部上に所定厚さに形成される接着剤層と、
   前記光入射部、前記光分岐部及び前記光出射部を保持する基板と、
   前記接着剤層を介して前記基板上の前記光入射部、前記光分岐部及び前記光出射部のそれぞれを覆うカバー部材と、
   前記基板上に、前記光入射部、前記光分岐部及び前記光出射部が設けられる領域と独立に設けられ、前記接着剤層が硬化する際に生じる応力が、前記基板上の前記光入射部、前記光分岐部及び前記光出射部のいずれか、または全域に作用することを抑止する応力均一化部材と、
   を有することを特徴とする光分岐器。
2. 前記応力均一化部材は、前記基板の面積に対する前記基板上に設けられる前記光入射部、前記光分岐部及び前記光出射部の面積と前記応力均一化部材の面積との合計の面積の比である占有率が７０％より大きくなるような面積に規定されていることを特徴とする請求項１記載の光分岐器。
3. 前記応力均一化部材は、前記占有率が９０％より大きくなるような面積に規定されていることを特徴とする請求項２記載の光分岐器。
4. 前記応力均一化部材は、前記光入射部、前記光分岐部及び前記光出射部と同一の材質により形成されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の光分岐器。
5. 前記応力均一化部材は、前記光入射部、前記光分岐部及び前記光出射部と同一の工程において形成されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の光分岐器。
6. 基板上に、光が入射される光入射部と、光入射部に入射される光を所定の比率で分岐する光分岐部と、光分岐部により分岐された光を所定位置に案内する光出射部と、基板上の光入射部、光分岐部及び光出射部が設けられる領域と独立に、光入射部、光分岐部及び光出射部と同一の材質により、基板上の光入射部、光分岐部及び光出射部が設けられる領域を除いた領域の割合を示す占有率が７０％より大きくなるよう、基板上に設けられた応力均一化部材と、を有することを特徴とする光分岐器。
7. 前記応力均一化部材は、前記占有率が９０％より大きくなるような面積に規定されていることを特徴とする請求項６記載の光分岐器。
8. 前記応力均一化部材は、前記光入射部、前記光分岐部及び前記光出射部と同一の工程において形成されることを特徴とする請求項７記載の光分岐器。
9. 基板に、光導波路として利用可能な基板の屈折率に比較して屈折率の高い光伝達材質層を所定の厚さに堆積し、
   光伝達材料層に、光信号の伝送に利用される第１の領域と、第１の領域の周囲に所定の間隔をおいて、第１の領域をエッチングする際のエッチングレートを、基板の全域で概ね一定とするための第２の領域を規定し、
   第１の領域及び第２の領域のそれぞれに、非エッチングパターンを形成して、基板上の残りの領域をエッチングによりパターニングし、
   パターニングにより残った光伝達材料層及び基板が露出された領域の全域に、光伝達材料層に比較して屈折率が低い材質を所定厚さに設けて第１及び第２の領域とは異なる第３の領域を形成し、
   第３の領域に、接着剤を介してカバー部材を接着する
   ことを特徴とする光分岐器の製造方法。
10. 第１の領域と第２の領域の面積の合計を基板の面積でわり算した占有率が７０％より大きくなるよう、第２の領域の面積が設定されることを特徴とする請求項９記載の光分岐器の製造方法。
11. 第２の領域の面積は、カバー層が接着される際に生じる応力が、第１の領域に及ぼす影響を緩和できる面積であることを特徴とする請求項９記載の光分岐器の製造方法。
12. 光が入射される光入射部と、
    この光入射部に入射される光を所定の比率で分岐する光分岐部と、
    この光分岐部により分岐された光を所定位置に案内する光出射部と、
    前記光入射部、前記光分岐部及び前記光出射部上に所定厚さに形成される接着剤層と、
    前記光入射部、前記光分岐部及び前記光出射部を保持する基板と、
    前記基板上に、前記光入射部、前記光分岐部及び前記光出射部が設けられる領域と独立して設けられ、前記基板上の前記光入射部、前記光分岐部及び前記光出射部を形成する際に、前記基板上の前記光入射部、前記光分岐部及び前記光出射部のそれぞれの前記基板の面方向に沿った長さである線幅が不均一となることを低減する非光信号伝送領域と、
    を有することを特徴とする光分岐器。
13. 基板に、光導波路として利用可能な基板の屈折率に比較して屈折率の高い光伝達材質層を所定の厚さに堆積し、
    光伝達材料層に、光信号の伝送に利用される第１の領域と、第１の領域の周囲に所定の間隔をおいて、第１の領域をエッチングする際のエッチングレートを、基板の全域で概ね一定とするための第２の領域を規定し、
    第１の領域及び第２の領域のそれぞれに、非エッチングパターンを形成して、基板上の残りの領域をエッチングによりパターニングし、
    パターニングにより残った光伝達材料層及び基板が露出された領域の全域に、光伝達材料層に比較して屈折率が低い材質を所定厚さに設けて第１及び第２の領域とは異なる第３の領域を形成する
    ことを特徴とする光分岐器の製造方法。

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