JPH07244223A - 光合分波器の製造方法 - Google Patents
光合分波器の製造方法Info
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- JPH07244223A JPH07244223A JP3621494A JP3621494A JPH07244223A JP H07244223 A JPH07244223 A JP H07244223A JP 3621494 A JP3621494 A JP 3621494A JP 3621494 A JP3621494 A JP 3621494A JP H07244223 A JPH07244223 A JP H07244223A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光導波路よりなる光合分波器の製造方法に関
し、所定の波長特性のものが容易に得られることを目的
とする。 【構成】 それぞれの導波路の一部に所定長だけ平行に
近接する光結合部を設けた、一対の第１，第２の光導波
路からなる光合分波器の製造方法において、シリコン基
板５の表面に、アンダクラッド層６とコア層50とを積層
して設け、コア層50をエッチングしてほぼ中央部に所定
長だけ平行に近接する光結合部10-1,20-1を有する一対
の第１, 第２の光導波路コア10C,20C と、光結合部コア
10-1C,20-1C のそれそれの外側に近接するダミーコア55
とを設け、次に第１, 第２の光導波路10,20 及びダミー
コア55を覆う、第１のオーバクラッド層を設け、その
後、エッチングしてダミーコア55を除去する。
し、所定の波長特性のものが容易に得られることを目的
とする。 【構成】 それぞれの導波路の一部に所定長だけ平行に
近接する光結合部を設けた、一対の第１，第２の光導波
路からなる光合分波器の製造方法において、シリコン基
板５の表面に、アンダクラッド層６とコア層50とを積層
して設け、コア層50をエッチングしてほぼ中央部に所定
長だけ平行に近接する光結合部10-1,20-1を有する一対
の第１, 第２の光導波路コア10C,20C と、光結合部コア
10-1C,20-1C のそれそれの外側に近接するダミーコア55
とを設け、次に第１, 第２の光導波路10,20 及びダミー
コア55を覆う、第１のオーバクラッド層を設け、その
後、エッチングしてダミーコア55を除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光導波路よりなる光合
分波器の製造方法に関する。
分波器の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は光導波路よりなる光合分波器の図
である。図において、６は、シリコン基板５の表面に形
成したアンダクラッド層、10はアンダクラッド層６上に
設けた石英系の第１の光導波路である。
である。図において、６は、シリコン基板５の表面に形
成したアンダクラッド層、10はアンダクラッド層６上に
設けた石英系の第１の光導波路である。
【０００３】20は、アンダクラッド層６上に、第１の光
導波路10に平行に設けた石英系の第２の光導波路であ
る。第１の光導波路10と第２の光導波路20とは、それぞ
れのほぼ中央部を屈曲して、所定長（結合長Ｌ) だけ近
接（導波路間隔ｄ）させ、第１の光導波路10に光結合部
10-1を、第２の光導波路20に光結合部20-2をそれぞれ設
けている。
導波路10に平行に設けた石英系の第２の光導波路であ
る。第１の光導波路10と第２の光導波路20とは、それぞ
れのほぼ中央部を屈曲して、所定長（結合長Ｌ) だけ近
接（導波路間隔ｄ）させ、第１の光導波路10に光結合部
10-1を、第２の光導波路20に光結合部20-2をそれぞれ設
けている。
【０００４】なお、第１の光導波路10，第２の光導波路
20を含むアンダクラッド層６の全表面を、オーバクラッ
ド層７で覆っている。なお、第１の光導波路10及び第２
の光導波路20の断面は、それぞれ一辺が約６μm の正方
形であり、光結合部の導波路間隔ｄは約３μm である。
20を含むアンダクラッド層６の全表面を、オーバクラッ
ド層７で覆っている。なお、第１の光導波路10及び第２
の光導波路20の断面は、それぞれ一辺が約６μm の正方
形であり、光結合部の導波路間隔ｄは約３μm である。
【０００５】上述のような一対の光導波路の一方の第１
の光導波路10を進行する光の光電界分布は、クラッドを
経て隣接した他の第２の光導波路20のコアまで広がった
光電界分布である。
の光導波路10を進行する光の光電界分布は、クラッドを
経て隣接した他の第２の光導波路20のコアまで広がった
光電界分布である。
【０００６】したがって、第１の光導波路10を進行した
光が光結合部10-1の始端に達すると、第２の光導波路20
に電界振幅が等しい偶対称モードと奇対称モードが同相
で励起され、これらのモードが結合領域を伝搬していく
につれて、２つモード間に位相差が生じ、この位相差が
πになる伝搬距離（即ち結合長Ｌ) に達すると、第１の
光導波路10から第２の光導波路20へ光パワーが100 ％移
行する。
光が光結合部10-1の始端に達すると、第２の光導波路20
に電界振幅が等しい偶対称モードと奇対称モードが同相
で励起され、これらのモードが結合領域を伝搬していく
につれて、２つモード間に位相差が生じ、この位相差が
πになる伝搬距離（即ち結合長Ｌ) に達すると、第１の
光導波路10から第２の光導波路20へ光パワーが100 ％移
行する。
【０００７】よって、光結合部10-1，20-1の導波路間隔
ｄ, 結合長Ｌ, 及び屈折率差（導波路のコアの屈折率と
クラッドの屈折率と差）を選択することで、光合分波器
（光方向性結合器）となる。
ｄ, 結合長Ｌ, 及び屈折率差（導波路のコアの屈折率と
クラッドの屈折率と差）を選択することで、光合分波器
（光方向性結合器）となる。
【０００８】例えば、いま、第１の光導波路10の入力側
ポート11から波長λ1(1.31μm)と波長λ2(1.55μm)の光
が進行すると、波長λ2 の光は光結合部10-1，20-2で、
光導波路間を２回結合して、第１の光導波路10の出力側
ポート12から出射する。
ポート11から波長λ1(1.31μm)と波長λ2(1.55μm)の光
が進行すると、波長λ2 の光は光結合部10-1，20-2で、
光導波路間を２回結合して、第１の光導波路10の出力側
ポート12から出射する。
【０００９】また、波長λ1 の光は結合部10-1,20-1
で、光導波路間を１回結合して、第２の光導波路20の出
力側ポート22から出射する。また、出力側ポート12から
波長λ1 の光を第１の光導波路10に入射するとともに、
出力側ポート22から波長λ2 の光を第２の光導波路20に
入射すると、入力側ポート11から波長λ1 と波長λ2 の
光が出射する。
で、光導波路間を１回結合して、第２の光導波路20の出
力側ポート22から出射する。また、出力側ポート12から
波長λ1 の光を第１の光導波路10に入射するとともに、
出力側ポート22から波長λ2 の光を第２の光導波路20に
入射すると、入力側ポート11から波長λ1 と波長λ2 の
光が出射する。
【００１０】上述のような光合分波器の波長特性は、導
波路間隔ｄ，結合長Ｌ及び屈折率差に依存する。特に導
波路間隔は波長特性に大いに影響する。光合分波器の従
来の製造方法を図５を参照しながら説明する。
波路間隔ｄ，結合長Ｌ及び屈折率差に依存する。特に導
波路間隔は波長特性に大いに影響する。光合分波器の従
来の製造方法を図５を参照しながら説明する。
【００１１】まず、シリコン基板５の全表面に、火炎法
又はＣＶＤ法等で、SiO2に P2O5 とB2O3をドープしたク
ラッド用ガラススート層を堆積形成し、さらにクラッド
用ガラススート層の上層にSiO2に P2O5,B2O3及びGeO2を
ドープしたコア用ガラススート層を堆積形成する。
又はＣＶＤ法等で、SiO2に P2O5 とB2O3をドープしたク
ラッド用ガラススート層を堆積形成し、さらにクラッド
用ガラススート層の上層にSiO2に P2O5,B2O3及びGeO2を
ドープしたコア用ガラススート層を堆積形成する。
【００１２】そして、約1350℃に加熱して、クラッド用
ガラススート層をガラス化して低屈折率のアンダクラッ
ド層６に、コア用ガラススート層をガラス化して高屈折
率のコア層とする。
ガラススート層をガラス化して低屈折率のアンダクラッ
ド層６に、コア用ガラススート層をガラス化して高屈折
率のコア層とする。
【００１３】次に、コア層の表面にフォトリソグラフィ
手法により所望のパターンマスクを設け、反応性イオン
エッチング法でエッチングして、不要のコア層部分を除
去してアンダクラッド層６上に、光結合部10-1を含む第
１の光導波路10と、光結合部20-2を含む光結合部20-2を
設ける。
手法により所望のパターンマスクを設け、反応性イオン
エッチング法でエッチングして、不要のコア層部分を除
去してアンダクラッド層６上に、光結合部10-1を含む第
１の光導波路10と、光結合部20-2を含む光結合部20-2を
設ける。
【００１４】そして火炎法又はＣＶＤ法等で、図５の
(A) に図示したように、SiO2に P2O5とB2O3をドープし
たオーバクラッド用ガラススート7Aを堆積形成する。次
に、約1250℃に加熱して、図５の(B) に図示したよう
に、オーバクラッド用ガラススート7Aをガラス化して低
屈折率のオーバクラッド層７にする。
(A) に図示したように、SiO2に P2O5とB2O3をドープし
たオーバクラッド用ガラススート7Aを堆積形成する。次
に、約1250℃に加熱して、図５の(B) に図示したよう
に、オーバクラッド用ガラススート7Aをガラス化して低
屈折率のオーバクラッド層７にする。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】ところで上述の光合分
波器は、光結合部の導波路間隔が非常に小さいので、オ
ーバクラッド用ガラススートを堆積形成した際に、光結
合部の導波路間に堆積するオーバクラッド用ガラススー
トの密度が他の部分より粗い。
波器は、光結合部の導波路間隔が非常に小さいので、オ
ーバクラッド用ガラススートを堆積形成した際に、光結
合部の導波路間に堆積するオーバクラッド用ガラススー
トの密度が他の部分より粗い。
【００１６】このことにより、オーバクラッド用ガラス
スートを加熱してガラス化すると、図５の(B) に図示し
たように、光結合部のコアの上部が互いに近寄る方向に
倒れる。
スートを加熱してガラス化すると、図５の(B) に図示し
たように、光結合部のコアの上部が互いに近寄る方向に
倒れる。
【００１７】即ち、従来の光合分波器は、光結合部の導
波路間隔が所定の寸法よりも小さくなり、このために所
望の波長特性が精度良く得られないという問題点があっ
た。本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、
所定の波長特性のものが容易に得られる光合分波器の製
造方法を提供することを目的としている。
波路間隔が所定の寸法よりも小さくなり、このために所
望の波長特性が精度良く得られないという問題点があっ
た。本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、
所定の波長特性のものが容易に得られる光合分波器の製
造方法を提供することを目的としている。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、それぞれの導波路の一部に所定長だけ平
行に近接する光結合部を設けた、一対の第１，第２の光
導波路からなる光合分波器の製造方法において、図１に
例示したように、シリコン基板５の表面に、アンダクラ
ッド層６とコア層50とを積層して設け、コア層50をエッ
チングして、ほぼ中央部に所定長Ｌだけ平行に近接する
光結合部コア10-1C,20-1C を有する一対の第１, 第２の
光導波路コア10C,20C と、光結合部コア10-1C,20-1C の
それぞれの外側にそれぞれ近接するダミーコア55とを設
ける。
めに本発明は、それぞれの導波路の一部に所定長だけ平
行に近接する光結合部を設けた、一対の第１，第２の光
導波路からなる光合分波器の製造方法において、図１に
例示したように、シリコン基板５の表面に、アンダクラ
ッド層６とコア層50とを積層して設け、コア層50をエッ
チングして、ほぼ中央部に所定長Ｌだけ平行に近接する
光結合部コア10-1C,20-1C を有する一対の第１, 第２の
光導波路コア10C,20C と、光結合部コア10-1C,20-1C の
それぞれの外側にそれぞれ近接するダミーコア55とを設
ける。
【００１９】そして、火炎法又はＣＶＤ法で、第１, 第
２の光導波路コア10C,20C 及びダミーコア55の表面を含
むアンダクラッド層６の全表面に、オーバクラッド用ガ
ラススートを形成し、オーバクラッド用ガラススートを
ガラス化して、第１, 第２の光導波路コア10C,20C の表
面、ダミーコア55の表面及びアンダクラッド層６の表面
を、覆う第１のオーバクラッド層70-1を形成する。
２の光導波路コア10C,20C 及びダミーコア55の表面を含
むアンダクラッド層６の全表面に、オーバクラッド用ガ
ラススートを形成し、オーバクラッド用ガラススートを
ガラス化して、第１, 第２の光導波路コア10C,20C の表
面、ダミーコア55の表面及びアンダクラッド層６の表面
を、覆う第１のオーバクラッド層70-1を形成する。
【００２０】その後エッチングしてダミーコア55を除去
するものとする。また、一方のダミーコア55と第１の光
導波路10の光結合部コア10-1C の間隔、及び他方のダミ
ーコア55と第２の光導波路20の光結合部コア20-1C の間
隔が、該第１の光導波路10の光結合部コア10-1C と該第
２の光導波路20の光結合部コア20-1C の間隔ｄに等しい
ものとする。
するものとする。また、一方のダミーコア55と第１の光
導波路10の光結合部コア10-1C の間隔、及び他方のダミ
ーコア55と第２の光導波路20の光結合部コア20-1C の間
隔が、該第１の光導波路10の光結合部コア10-1C と該第
２の光導波路20の光結合部コア20-1C の間隔ｄに等しい
ものとする。
【００２１】或いはまた、第１のオーバクラッド70の表
面を含むアンダクラッド層６の全表面に、火炎法又はＣ
ＶＤ法で第１のオーバクラッド70よりもドープ量が多い
第２のオーバクラッド用ガラススートを形成し、その後
第２のオーバクラッド用ガラススートをガラス化して、
第１のオーバクラッド70の表面を含むアンダクラッド層
６の全表面に、第２のオーバクラッド層75を形成するも
のとする。
面を含むアンダクラッド層６の全表面に、火炎法又はＣ
ＶＤ法で第１のオーバクラッド70よりもドープ量が多い
第２のオーバクラッド用ガラススートを形成し、その後
第２のオーバクラッド用ガラススートをガラス化して、
第１のオーバクラッド70の表面を含むアンダクラッド層
６の全表面に、第２のオーバクラッド層75を形成するも
のとする。
【００２２】
【作用】請求項１の発明によれば、近接して平行する第
１, 第２の光導波路のそれぞれの光結合部コアの外側に
ダミーコアが形成されているので、光結合部コアとダミ
ーコア間に堆積するオーバクラッド用ガラススートの堆
積量が、光結合部コア間に堆積するオーバクラッド用ガ
ラススートの堆積量に近づく。
１, 第２の光導波路のそれぞれの光結合部コアの外側に
ダミーコアが形成されているので、光結合部コアとダミ
ーコア間に堆積するオーバクラッド用ガラススートの堆
積量が、光結合部コア間に堆積するオーバクラッド用ガ
ラススートの堆積量に近づく。
【００２３】したがって、オーバクラッド用ガラススー
トをガラス化して第１のオーバクラッド層を形成する際
に、光結合部コアを内側方向に押す圧力が小さい。よっ
て、光結合部コアが内側に倒れることがなく、整然とし
た所定の断面角形の光結合部となり、光結合部の間隔が
所定に維持され、設計時に期待した所定の波長特性が得
られる。
トをガラス化して第１のオーバクラッド層を形成する際
に、光結合部コアを内側方向に押す圧力が小さい。よっ
て、光結合部コアが内側に倒れることがなく、整然とし
た所定の断面角形の光結合部となり、光結合部の間隔が
所定に維持され、設計時に期待した所定の波長特性が得
られる。
【００２４】一方、光合分波器の光導波路に近接してダ
ミーコアがあると、光導波路の光結合部を伝搬する光の
電界がダミーコアにカップリングして損失となり、波長
特性が低下する。
ミーコアがあると、光導波路の光結合部を伝搬する光の
電界がダミーコアにカップリングして損失となり、波長
特性が低下する。
【００２５】本発明の製造方法によれば、第１のオーバ
クラッド層を設けた後に、ダミーコアをエッチングして
除去している。したがって、得られる光合分波器は、波
長特性の低下がない。
クラッド層を設けた後に、ダミーコアをエッチングして
除去している。したがって、得られる光合分波器は、波
長特性の低下がない。
【００２６】請求項２の発明によれば、ダミーコアと光
結合部コアの間隔を、一対の平行する光結合部コアの間
隔に等しくして、オーバクラッド用ガラススートを形成
している。
結合部コアの間隔を、一対の平行する光結合部コアの間
隔に等しくして、オーバクラッド用ガラススートを形成
している。
【００２７】したがって、光結合部コアとダミーコア間
に堆積するオーバクラッド用ガラススートの堆積量と、
光結合部コア間に堆積するオーバクラッド用ガラススー
トの堆積量とが等しくなるので、ガラス化して第１のオ
ーバクラッドを形成する際に、光結合部コアを内側又は
外側に倒すような力が全く発生しない。
に堆積するオーバクラッド用ガラススートの堆積量と、
光結合部コア間に堆積するオーバクラッド用ガラススー
トの堆積量とが等しくなるので、ガラス化して第１のオ
ーバクラッドを形成する際に、光結合部コアを内側又は
外側に倒すような力が全く発生しない。
【００２８】ところで、光導波路は、光導波路コアを覆
うオーバクラッド層の層厚が薄い場合には、オーバクラ
ッド層が汚れると伝搬する光の損失（光合分波器の場合
は波長特性）が変化する。
うオーバクラッド層の層厚が薄い場合には、オーバクラ
ッド層が汚れると伝搬する光の損失（光合分波器の場合
は波長特性）が変化する。
【００２９】請求項３の発明によれば、第１のオーバク
ラッドの表面を含むアンダクラッド層の全表面に第２の
オーバクラッド層を形成して、オーバクラッド層の層厚
を厚くしている。したがって、本発明方法により得られ
た光合分波器は、長期間にその波長特性が維持される。
ラッドの表面を含むアンダクラッド層の全表面に第２の
オーバクラッド層を形成して、オーバクラッド層の層厚
を厚くしている。したがって、本発明方法により得られ
た光合分波器は、長期間にその波長特性が維持される。
【００３０】なお、第２のオーバクラッド用ガラススー
トは、第１のオーバクラッド70よりもドープ量（ P2O5
の量）が多いので、ガラス化温度が、第１のオーバクラ
ッド用ガラススートのガラス化温度よりも低い。
トは、第１のオーバクラッド70よりもドープ量（ P2O5
の量）が多いので、ガラス化温度が、第１のオーバクラ
ッド用ガラススートのガラス化温度よりも低い。
【００３１】したがって、第２のオーバクラッド層を設
けても、光結合部は勿論のこと第１のオーバクラッドが
変形することがない。
けても、光結合部は勿論のこと第１のオーバクラッドが
変形することがない。
【００３２】
【実施例】以下図を参照しながら、本発明を具体的に説
明する。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示
す。
明する。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示
す。
【００３３】図１は本発明の製造工程の前段を示す図、
図２は本発明の製造工程の後段を示す図であり、図３は
本発明方法により得られた光合分波器の分波特性図であ
る。図１(A) に図示したように、シリコン基板５の全表
面に、火炎法又はＣＶＤ法等で、SiO2に P2O5 とB2O3を
ドープしたアンダクラッド用ガラススート6Aを堆積形成
し、さらにアンダクラッド用ガラススート6Aの上層にSi
O2に P2O5,B2O3及びGeO2をドープしたコア用ガラススー
ト50A を堆積形成する。
図２は本発明の製造工程の後段を示す図であり、図３は
本発明方法により得られた光合分波器の分波特性図であ
る。図１(A) に図示したように、シリコン基板５の全表
面に、火炎法又はＣＶＤ法等で、SiO2に P2O5 とB2O3を
ドープしたアンダクラッド用ガラススート6Aを堆積形成
し、さらにアンダクラッド用ガラススート6Aの上層にSi
O2に P2O5,B2O3及びGeO2をドープしたコア用ガラススー
ト50A を堆積形成する。
【００３４】そして、電気炉に搬入して約1350℃に加熱
して、図１(B) に図示したように、アンダクラッド用ガ
ラススート6Aをガラス化して低屈折率のアンダクラッド
層６とし、コア用ガラススート50A をガラス化して高屈
折率のコア層50とする。
して、図１(B) に図示したように、アンダクラッド用ガ
ラススート6Aをガラス化して低屈折率のアンダクラッド
層６とし、コア用ガラススート50A をガラス化して高屈
折率のコア層50とする。
【００３５】次に、コア層50の表面にフォトリソグラフ
ィ手法により所望のパターンマスクを設け、反応性イオ
ンエッチング法でエッチングして、不要のコア層部分を
除去してアンダクラッド層６上に、図１(C) の断面図及
び(C-2) の平面図に図示したように、ほぼ中央部に所定
長Ｌだけ平行に近接する光結合部コア10-1C,20-1C を有
する一対の第１, 第２の光導波路コア10C,20C と、光結
合部コア10-1C,20-1Cの外側にそれぞれ近接して矩形状
（長さが所定長Ｌの矩形）のダミーコア55とを設ける。
ィ手法により所望のパターンマスクを設け、反応性イオ
ンエッチング法でエッチングして、不要のコア層部分を
除去してアンダクラッド層６上に、図１(C) の断面図及
び(C-2) の平面図に図示したように、ほぼ中央部に所定
長Ｌだけ平行に近接する光結合部コア10-1C,20-1C を有
する一対の第１, 第２の光導波路コア10C,20C と、光結
合部コア10-1C,20-1Cの外側にそれぞれ近接して矩形状
（長さが所定長Ｌの矩形）のダミーコア55とを設ける。
【００３６】なお、光結合部コア10-1C と光結合部コア
20-1C の間隔ｄは３μm であり、一方のダミーコア55と
光結合部コア10-1C の間隔、及び他方のダミーコア55と
光結合部コア20-1C の間隔は、光結合部コア間の間隔ｄ
に等しくて３μm である。
20-1C の間隔ｄは３μm であり、一方のダミーコア55と
光結合部コア10-1C の間隔、及び他方のダミーコア55と
光結合部コア20-1C の間隔は、光結合部コア間の間隔ｄ
に等しくて３μm である。
【００３７】また、この第１の光導波路コア10C ，光結
合部コア10-1C ，第２の光導波路コア20C 及び光結合部
コア20-1C の断面はそれぞれ一辺が６μm 程度の正方形
である。
合部コア10-1C ，第２の光導波路コア20C 及び光結合部
コア20-1C の断面はそれぞれ一辺が６μm 程度の正方形
である。
【００３８】次に火炎法又はＣＶＤ法で、第１, 第２の
光導波路コア10C,20C 及びダミーコア55の表面を含むア
ンダクラッド層６の全表面に、SiO2に P2O5 とB2O3をド
ープした第１のオーバクラッド用ガラススートを堆積形
成し、電気炉に搬入して約1250℃に加熱して、第１のオ
ーバクラッド用ガラススートをガラス化し、図２(A)に
図示したように、第１, 第２の光導波路コア10C,20C の
表面、ダミーコア55の表面及びアンダクラッド層６の表
面の全面を覆う、低屈折率の第１のオーバクラッド層70
-1を形成する。
光導波路コア10C,20C 及びダミーコア55の表面を含むア
ンダクラッド層６の全表面に、SiO2に P2O5 とB2O3をド
ープした第１のオーバクラッド用ガラススートを堆積形
成し、電気炉に搬入して約1250℃に加熱して、第１のオ
ーバクラッド用ガラススートをガラス化し、図２(A)に
図示したように、第１, 第２の光導波路コア10C,20C の
表面、ダミーコア55の表面及びアンダクラッド層６の表
面の全面を覆う、低屈折率の第１のオーバクラッド層70
-1を形成する。
【００３９】第１のオーバクラッド層70-1を設けたこと
により、第１の光導波路コア10C(光結合部コア10-1C を
含む) 及び第２の光導波路コア20C （光結合部コア20-1
C を含む) は、それぞれ第１の光導波路10（光結合部10
-1) 及び第２の光導波路20（光結合部20-1）となる。
により、第１の光導波路コア10C(光結合部コア10-1C を
含む) 及び第２の光導波路コア20C （光結合部コア20-1
C を含む) は、それぞれ第１の光導波路10（光結合部10
-1) 及び第２の光導波路20（光結合部20-1）となる。
【００４０】次に、第１のオーバクラッド層70-1の表面
にフォトリソグラフィ手法により所望のパターンマスク
を設け、反応性イオンエッチング法でエッチングして、
図２(B) に図示したように、ダミーコア55上の第１のオ
ーバクラッド層及びダミーコア55を除去して、断面矩形
状の第１のオーバクラッド70とする。
にフォトリソグラフィ手法により所望のパターンマスク
を設け、反応性イオンエッチング法でエッチングして、
図２(B) に図示したように、ダミーコア55上の第１のオ
ーバクラッド層及びダミーコア55を除去して、断面矩形
状の第１のオーバクラッド70とする。
【００４１】その後、第１のオーバクラッド70の表面を
含むアンダクラッド層６の全表面に、火炎法又はＣＶＤ
法で、第１のオーバクラッド70よりも P2O5 量が多い第
２のオーバクラッド用ガラススートを形成する。
含むアンダクラッド層６の全表面に、火炎法又はＣＶＤ
法で、第１のオーバクラッド70よりも P2O5 量が多い第
２のオーバクラッド用ガラススートを形成する。
【００４２】そして、電気炉に搬入して約1150℃に加熱
して、第２のオーバクラッド用ガラススートをガラス化
し、図２(C) に図示したように、第１のオーバクラッド
70の表面を含むアンダクラッド層６の全表面に、第２の
オーバクラッド層75を形成する。
して、第２のオーバクラッド用ガラススートをガラス化
し、図２(C) に図示したように、第１のオーバクラッド
70の表面を含むアンダクラッド層６の全表面に、第２の
オーバクラッド層75を形成する。
【００４３】上述のようにして得られた光合分波器は、
光結合部が直方体状に直立して形成されているので、図
３に例示したような良好な分波特性が得られた。図３
は、図４に示した第２の光導波路20の出力側ポート22の
分波特性を示すものであって、横軸は波長、縦軸は出力
である。
光結合部が直方体状に直立して形成されているので、図
３に例示したような良好な分波特性が得られた。図３
は、図４に示した第２の光導波路20の出力側ポート22の
分波特性を示すものであって、横軸は波長、縦軸は出力
である。
【００４４】従来の光合分波器は、点線曲線Ｂで図示し
たように、出力側ポート22での波長帯が短波長の方にず
れてその最高出力点の波長は1.25μm である。即ち、分
離したい所定の波長1.31μm の出力が低く、分波特性が
低い。
たように、出力側ポート22での波長帯が短波長の方にず
れてその最高出力点の波長は1.25μm である。即ち、分
離したい所定の波長1.31μm の出力が低く、分波特性が
低い。
【００４５】これに対して本発明方法により得られた光
合分波器は、実線曲線Ａで図示したように、出力側ポー
ト22の出力の最高出力点の波長は1.31μm である。即
ち、分波特性が高く、且つその損失が小さい。
合分波器は、実線曲線Ａで図示したように、出力側ポー
ト22の出力の最高出力点の波長は1.31μm である。即
ち、分波特性が高く、且つその損失が小さい。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように本発明方法は、それ
ぞれの光結合部の外側に、ダミーコアを設けて第１のオ
ーバクラッドを形成し、その後ダミーコアを除去すると
いう光合分波器の製造方法であって、光結合部のコアが
内側及び外側の何れの方向に倒れることがなく、整然と
した所定の断面角形が保持される。
ぞれの光結合部の外側に、ダミーコアを設けて第１のオ
ーバクラッドを形成し、その後ダミーコアを除去すると
いう光合分波器の製造方法であって、光結合部のコアが
内側及び外側の何れの方向に倒れることがなく、整然と
した所定の断面角形が保持される。
【００４７】したがって、設計時に期待した所定の波長
特性が容易に得られるという、実用上で優れた効果を奏
する。また、第２のオーバクラッド層を設けることによ
り、長期間に波長特性が維持される。
特性が容易に得られるという、実用上で優れた効果を奏
する。また、第２のオーバクラッド層を設けることによ
り、長期間に波長特性が維持される。
【図１】本発明の製造工程の前段を示す図である。
【図２】本発明の製造工程の後段を示す図である。
【図３】分波特性図である。
【図４】光合分波器の図である。
【図５】従来の製造工程を示す図である。
５ シリコン基板 ６ アンダクラッド層 6A アンダクラッド用ガラススート ７ オーバクラッド層 7A オーバクラッド用ガラススート 10 第１の光導波路 10C 第１の光導波路コア 20 第２の光導波路 20C 第２の光導波路コア 10-1,20-1 光結合部 10-1C,20-1C 光結合部コア 11 入力側ポート 12,22 出力側ポート 50 コア層 50A コア用ガラススート 70 第１のオーバクラッド 70-1 第１のオーバクラッド層 75 第２のオーバクラッド層
Claims (3)
- 【請求項１】 それぞれの導波路の一部に所定長だけ平
行に近接する光結合部を設けた、一対の第１，第２の光
導波路からなる光合分波器の製造方法において、 シリコン基板(5) の表面に、アンダクラッド層(6) とコ
ア層(50)とを積層して設け、 該コア層(50)をエッチングして、ほぼ中央部に所定長だ
け平行に近接する光結合部コア(10-1C,20-1C) を有する
一対の第１, 第２の光導波路コア(10C,20C) と、該光結
合部コア(10-1C,20-1C) のそれぞれの外側に近接するダ
ミーコア(55)とを設け、 次に、火炎法又はＣＶＤ法で、該第１, 第２の光導波路
コア(10C,20C) 及び該ダミーコア(55)の表面を含む該ア
ンダクラッド層(6) 上に、オーバクラッド用ガラススー
トを形成し、加熱して該オーバクラッド用ガラススート
をガラス化して該第１, 第２の光導波路コア(10C,20C)
、該ダミーコア(55)及び該アンダクラッド層(6) の表
面を覆う第１のオーバクラッド層(70-1)を設け、 その後、エッチングして該ダミーコア(55)を除去するこ
とを特徴とする光合分波器の製造方法。 - 【請求項２】 一方のダミーコア(55)と第１の光導波路
(10)の光結合部コア(10-1C) の間隔、及び他方のダミー
コア(55)と第２の光導波路(20)の光結合部コア(20-1C)
の間隔が、該第１の光導波路(10)の光結合部コア(10-1
C) と該第２の光導波路(20)の光結合部コア(20-1C) の
間隔に等しいことを特徴とする、請求項１記載の光合分
波器の製造方法。 - 【請求項３】 第１のオーバクラッド(70)の表面を含む
アンダクラッド層(6) の全表面に、火炎法又はＣＶＤ法
で該第１のオーバクラッド(70)よりもドープ量が多い第
２のオーバクラッド用ガラススートを形成し、 その後、該第２のオーバクラッド用ガラススートをガラ
ス化して、該第１のオーバクラッド(70)の表面を含む該
アンダクラッド層(6) の全表面に、第２のオーバクラッ
ド層(75)を形成することを特徴とする、請求項１又は２
記載の光合分波器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3621494A JPH07244223A (ja) | 1994-03-08 | 1994-03-08 | 光合分波器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3621494A JPH07244223A (ja) | 1994-03-08 | 1994-03-08 | 光合分波器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07244223A true JPH07244223A (ja) | 1995-09-19 |
Family
ID=12463513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3621494A Withdrawn JPH07244223A (ja) | 1994-03-08 | 1994-03-08 | 光合分波器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07244223A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001221925A (ja) * | 2000-02-08 | 2001-08-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光スポットサイズ変換器およびその作製方法 |
| WO2005116705A1 (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Omron Corporation | 光分岐器及びその製造方法 |
| WO2008108422A1 (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-12 | Nec Corporation | 光導波路モジュール |
-
1994
- 1994-03-08 JP JP3621494A patent/JPH07244223A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001221925A (ja) * | 2000-02-08 | 2001-08-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光スポットサイズ変換器およびその作製方法 |
| WO2005116705A1 (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Omron Corporation | 光分岐器及びその製造方法 |
| US7335875B2 (en) | 2004-05-27 | 2008-02-26 | Omron Corporation | Optical branching unit, and method of manufacturing the same |
| WO2008108422A1 (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-12 | Nec Corporation | 光導波路モジュール |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010508 |