JPH0980246A - 石英系ガラス導波路の製造方法 - Google Patents
石英系ガラス導波路の製造方法Info
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- JPH0980246A JPH0980246A JP7237008A JP23700895A JPH0980246A JP H0980246 A JPH0980246 A JP H0980246A JP 7237008 A JP7237008 A JP 7237008A JP 23700895 A JP23700895 A JP 23700895A JP H0980246 A JPH0980246 A JP H0980246A
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- groove
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光フィルタ，光スイッチ，分散補償回路など
を実現するために、これらの構成要素の１つである光合
分波器を、希望の特性とすることが容易に可能な石英系
ガラス導波路の製造方法を提供する。 【解決手段】 ＳｉＯ2 あるいはＳｉ基板１２，２０表
面に形成された低屈折率のクラッド層１３，２１の上
に、一対のコア用の溝１６，２４を作成するためのＷＳ
ｉマスクパターン１５，２３を形成し、このＷＳｉマス
クパターン１５，２３を用いて、上記低屈折率のクラッ
ド層１３，２１中にコア用の溝１６，２４を形成し、こ
のコア用溝１６，２４に、溝同士の幅Ｓに応じて所望の
高屈折率のコア１８，２６を形成する。
を実現するために、これらの構成要素の１つである光合
分波器を、希望の特性とすることが容易に可能な石英系
ガラス導波路の製造方法を提供する。 【解決手段】 ＳｉＯ2 あるいはＳｉ基板１２，２０表
面に形成された低屈折率のクラッド層１３，２１の上
に、一対のコア用の溝１６，２４を作成するためのＷＳ
ｉマスクパターン１５，２３を形成し、このＷＳｉマス
クパターン１５，２３を用いて、上記低屈折率のクラッ
ド層１３，２１中にコア用の溝１６，２４を形成し、こ
のコア用溝１６，２４に、溝同士の幅Ｓに応じて所望の
高屈折率のコア１８，２６を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光フィルタ，光ス
イッチ，分散補償回路などに利用できる石英系ガラス導
波路の製造方法に関するものである。
イッチ，分散補償回路などに利用できる石英系ガラス導
波路の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の石英系ガラス導波路の製造方法を
図９，図１０に示す。
図９，図１０に示す。
【０００３】最初にＳｉＯ2 あるいはＳｉの基板１上
に、ＳｉＯ2 のクラッド層２を、プラズマＣＶＤ法，ス
パッタ法，イオンビーム法等により成膜する（図９
（ａ））。
に、ＳｉＯ2 のクラッド層２を、プラズマＣＶＤ法，ス
パッタ法，イオンビーム法等により成膜する（図９
（ａ））。
【０００４】ついでＴｉＯ2 ，ＧｅＯ2 などの屈折率制
御用ドーバントを添加したＳｉＯ2 ，あるいはＳｉＯX
Ｎy Ｈz 等の石英系ガラス材料のコア膜３を、プラズマ
ＣＶＤ法，スパッタ法，イオンビーム法等により成膜す
る（図９（ｂ））。さらにこの上にＷＳｉ膜４をスパッ
タ法により成膜する（図９（ｃ））。ついでフォトリソ
グラフィ工程，ドライエッチング工程によりコアとなる
場所を覆うＷＳｉマスクパターン５を形成する（図１０
（ａ））。ドライエッチング工程により石英系ガラス材
料のコア６を形成する（図１０（ｂ））。最後に石英系
ガラス材料のクラッド層７で覆うことにより、石英系ガ
ラス導波路ができる（図１０（ｃ））。
御用ドーバントを添加したＳｉＯ2 ，あるいはＳｉＯX
Ｎy Ｈz 等の石英系ガラス材料のコア膜３を、プラズマ
ＣＶＤ法，スパッタ法，イオンビーム法等により成膜す
る（図９（ｂ））。さらにこの上にＷＳｉ膜４をスパッ
タ法により成膜する（図９（ｃ））。ついでフォトリソ
グラフィ工程，ドライエッチング工程によりコアとなる
場所を覆うＷＳｉマスクパターン５を形成する（図１０
（ａ））。ドライエッチング工程により石英系ガラス材
料のコア６を形成する（図１０（ｂ））。最後に石英系
ガラス材料のクラッド層７で覆うことにより、石英系ガ
ラス導波路ができる（図１０（ｃ））。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような光フィル
タ，光スイッチ，分散補償回路などの導波路型光回路の
構成要素の１つとして光合分波器があり、コア６，６の
屈折率と光結合領域のコア６，６との距離Ｓを調整する
ことにより、希望する分波特性を得ることができる。
タ，光スイッチ，分散補償回路などの導波路型光回路の
構成要素の１つとして光合分波器があり、コア６，６の
屈折率と光結合領域のコア６，６との距離Ｓを調整する
ことにより、希望する分波特性を得ることができる。
【０００６】しかし、図９，図１０に示した従来方法で
はコア６，６の屈折率はコア膜３を形成した時点で決定
される。従って、希望する分波特性を得るためには図１
０（ｂ）の工程におけるドライエッチングの条件を最適
化し、コア６，６間の距離Ｓを設計値通りにする必要が
ある。しかし、このドライエッチングの条件を最適化す
ることは容易ではなく、コア６，６間の距離Ｓは設計値
よりもずれることが多く、希望する３ｄＢカプラの特性
を得ることは困難である。
はコア６，６の屈折率はコア膜３を形成した時点で決定
される。従って、希望する分波特性を得るためには図１
０（ｂ）の工程におけるドライエッチングの条件を最適
化し、コア６，６間の距離Ｓを設計値通りにする必要が
ある。しかし、このドライエッチングの条件を最適化す
ることは容易ではなく、コア６，６間の距離Ｓは設計値
よりもずれることが多く、希望する３ｄＢカプラの特性
を得ることは困難である。
【０００７】本発明の目的は、上記従来技術の問題点を
解決し、光フィルタ，光スイッチ，分散補償回路などを
実現するために、これらの構成要素の１つである光合分
波器を、希望の特性とすることが容易に可能な石英系ガ
ラス導波路の製造方法を提供することにある。
解決し、光フィルタ，光スイッチ，分散補償回路などを
実現するために、これらの構成要素の１つである光合分
波器を、希望の特性とすることが容易に可能な石英系ガ
ラス導波路の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、請求項１の発明は、ＳｉＯ2 あるいはＳ
ｉ基板表面に形成された低屈折率のクラッド層の上に、
一対のコア用の溝を作成するためのＷＳｉマスクパター
ンを形成し、このＷＳｉマスクパターンを用いて、上記
低屈折率のクラッド層中にコア用の溝を形成し、このコ
ア用溝に、溝同士の幅に応じて所望の高屈折率のコアを
形成するものである。
成するために、請求項１の発明は、ＳｉＯ2 あるいはＳ
ｉ基板表面に形成された低屈折率のクラッド層の上に、
一対のコア用の溝を作成するためのＷＳｉマスクパター
ンを形成し、このＷＳｉマスクパターンを用いて、上記
低屈折率のクラッド層中にコア用の溝を形成し、このコ
ア用溝に、溝同士の幅に応じて所望の高屈折率のコアを
形成するものである。
【０００９】請求項２の発明は、ＳｉＯ2 あるいはＳｉ
基板表面に形成された低屈折率のクラッド層の上にＷＳ
ｉ膜を形成後、フォトリソグラフィ工程およびドライエ
ッチング工程を経てコア用の溝を作成するためのＷＳｉ
マスクパターンを形成し、ついでこのＷＳｉマスクパタ
ーンを用いて、ドライエッチング工程によりコア用の溝
を低屈折率のクラッド層中に形成し、その上に、プラズ
マＣＶＤ法により溝幅に応じた所望の値を有した高屈折
率のコア膜を形成してこの溝内を埋め込み、ついでドラ
イエッチング工程により余分なコア膜を、ＷＳｉ膜が現
れてくるまでエッチングして取り除き、このＷＳｉマス
クをドライエッチング工程により取り除き、最後に上記
のエッチングした表面全体に低屈折率のクラッド層を形
成する請求項１記載の石英系ガラス導波路の製造方法で
ある。
基板表面に形成された低屈折率のクラッド層の上にＷＳ
ｉ膜を形成後、フォトリソグラフィ工程およびドライエ
ッチング工程を経てコア用の溝を作成するためのＷＳｉ
マスクパターンを形成し、ついでこのＷＳｉマスクパタ
ーンを用いて、ドライエッチング工程によりコア用の溝
を低屈折率のクラッド層中に形成し、その上に、プラズ
マＣＶＤ法により溝幅に応じた所望の値を有した高屈折
率のコア膜を形成してこの溝内を埋め込み、ついでドラ
イエッチング工程により余分なコア膜を、ＷＳｉ膜が現
れてくるまでエッチングして取り除き、このＷＳｉマス
クをドライエッチング工程により取り除き、最後に上記
のエッチングした表面全体に低屈折率のクラッド層を形
成する請求項１記載の石英系ガラス導波路の製造方法で
ある。
【００１０】請求項３の発明は、ＳｉＯ2 あるいはＳｉ
基板表面に形成された低屈折率のクラッド層の上にＷＳ
ｉ膜を形成後、フォトリソグラフィ工程およびドライエ
ッチング工程を経てコア用の溝を作成するためのＷＳｉ
マスクパターンを形成し、ついでこのＷＳｉマスクパタ
ーンを用いて、ドライエッチング工程によりコア用の溝
を低屈折率のクラッド層中に形成し、その後、ドライエ
ッチング工程によりＷＳｉマスクパターンを除去した
後、プラズマＣＶＤ法により溝幅に応じた所望の値を有
した高屈折率のコア膜を形成してこの溝内を埋め込み、
ついでドライエッチング工程により余分なコア膜を、エ
ッチングして取り除き、最後にこの表面に低屈折率のク
ラッド層を形成する請求項１記載の石英系ガラス導波路
の製造方法である。
基板表面に形成された低屈折率のクラッド層の上にＷＳ
ｉ膜を形成後、フォトリソグラフィ工程およびドライエ
ッチング工程を経てコア用の溝を作成するためのＷＳｉ
マスクパターンを形成し、ついでこのＷＳｉマスクパタ
ーンを用いて、ドライエッチング工程によりコア用の溝
を低屈折率のクラッド層中に形成し、その後、ドライエ
ッチング工程によりＷＳｉマスクパターンを除去した
後、プラズマＣＶＤ法により溝幅に応じた所望の値を有
した高屈折率のコア膜を形成してこの溝内を埋め込み、
ついでドライエッチング工程により余分なコア膜を、エ
ッチングして取り除き、最後にこの表面に低屈折率のク
ラッド層を形成する請求項１記載の石英系ガラス導波路
の製造方法である。
【００１１】本発明の方法によれば、ドライエッチング
等により低屈折率のクラッド層中に一対のコアを形成す
る溝を作成した後、この溝と溝との距離Ｓを測定し、そ
の値から希望する３ｄＢカプラの特性が得られるよう、
コア膜の屈折率を調整しながら作成することで、希望す
るカプラの特性を得ることが可能となる。従って、容易
に希望する特性を有した石英系ガラス導波路ができる。
等により低屈折率のクラッド層中に一対のコアを形成す
る溝を作成した後、この溝と溝との距離Ｓを測定し、そ
の値から希望する３ｄＢカプラの特性が得られるよう、
コア膜の屈折率を調整しながら作成することで、希望す
るカプラの特性を得ることが可能となる。従って、容易
に希望する特性を有した石英系ガラス導波路ができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適実施の形態を
添付図面に基づいて詳述する。
添付図面に基づいて詳述する。
【００１３】図２，図３，図４に本発明の石英系ガラス
導波路の製造方法を示す。
導波路の製造方法を示す。
【００１４】図２（ａ）において、ＳｉＯ2 あるいはＳ
ｉの基板１２上に、ＳｉＯ2 のクラッド層１３を、プラ
ズマＣＶＤ法，スパッタ法，イオンビーム法等により成
膜する。ついでこの上にＷＳｉ膜１４をスパッタ法によ
り成膜する（図２（ｂ））。次にフォトリソグラフィ工
程，ドライエッチング工程により、コアとなる場所以外
を覆うＷｓｉマスクパターン１５を形成する（図２
（ｃ））。
ｉの基板１２上に、ＳｉＯ2 のクラッド層１３を、プラ
ズマＣＶＤ法，スパッタ法，イオンビーム法等により成
膜する。ついでこの上にＷＳｉ膜１４をスパッタ法によ
り成膜する（図２（ｂ））。次にフォトリソグラフィ工
程，ドライエッチング工程により、コアとなる場所以外
を覆うＷｓｉマスクパターン１５を形成する（図２
（ｃ））。
【００１５】そしてドライエッチングにより光合分波用
コアのための一対の溝１６を形成する（図３（ａ））。
次にドライエッチングにより形成したコアのための溝と
溝の距離Ｓを正確に計測し希望の特性が得られるよう
に、屈折率を調整しながら、ＳｉＯ2 にＴｉＯ2 ，Ｇｅ
Ｏ2 などの屈折率制御用ドーパントを添加したもの，あ
るいはＳｉＯx Ｎy Ｈz 等の石英系ガラス材料のコア膜
１７を、プラズマＣＶＤ法，スパッタ法，イオンビーム
法等により成膜する（図３（ｂ））。ついで余分なコア
膜をドライエッチング工程によりＷＳｉマスクパターン
１５が表れるまで除去しコア１８を形成する（図３
（ｃ））。
コアのための一対の溝１６を形成する（図３（ａ））。
次にドライエッチングにより形成したコアのための溝と
溝の距離Ｓを正確に計測し希望の特性が得られるよう
に、屈折率を調整しながら、ＳｉＯ2 にＴｉＯ2 ，Ｇｅ
Ｏ2 などの屈折率制御用ドーパントを添加したもの，あ
るいはＳｉＯx Ｎy Ｈz 等の石英系ガラス材料のコア膜
１７を、プラズマＣＶＤ法，スパッタ法，イオンビーム
法等により成膜する（図３（ｂ））。ついで余分なコア
膜をドライエッチング工程によりＷＳｉマスクパターン
１５が表れるまで除去しコア１８を形成する（図３
（ｃ））。
【００１６】そしてドライエッチング工程によりこのＷ
Ｓｉマスクパターン１５を除去する（図４（ａ））。最
後に石英ガラス材料のクラッド層１９で覆うことによ
り、希望の特性を有した石英系ガラス導波路が容易にで
きる（図４（ｂ））。
Ｓｉマスクパターン１５を除去する（図４（ａ））。最
後に石英ガラス材料のクラッド層１９で覆うことによ
り、希望の特性を有した石英系ガラス導波路が容易にで
きる（図４（ｂ））。
【００１７】図５，図６，図７は、本発明の石英系ガラ
ス導波路の製造方法の他の実施の形態を示すものであ
る。
ス導波路の製造方法の他の実施の形態を示すものであ
る。
【００１８】図５（ａ）において、ＳｉＯ2 あるいはＳ
ｉの基板２０上に、ＳｉＯ2 のクラッド層２１を、プラ
ズマＣＶＤ法，スパッタ法，イオンビーム法等により成
膜する。ついでこの上にＷＳｉ膜２２をスパッタ法によ
り成膜する（図５（ｂ））。次にフォトリソグラフィ工
程，ドライエッチング工程により、コアとなる場所以外
を覆うＷＳｉマスクパターン２３を形成する（図５
（ｃ））。
ｉの基板２０上に、ＳｉＯ2 のクラッド層２１を、プラ
ズマＣＶＤ法，スパッタ法，イオンビーム法等により成
膜する。ついでこの上にＷＳｉ膜２２をスパッタ法によ
り成膜する（図５（ｂ））。次にフォトリソグラフィ工
程，ドライエッチング工程により、コアとなる場所以外
を覆うＷＳｉマスクパターン２３を形成する（図５
（ｃ））。
【００１９】そしてドライエッチングによりコアのため
の溝２４を形成する（図６（ａ））。次にドライエッチ
ング工程によりＷＳｉマスクパターン２３を取り除く
（図６（ｂ））。次にコアのための溝と溝の距離Ｓを正
確に計測し希望の特性が得られるように、屈折率を調整
しながら、ＳｉＯ2 にＴｉＯ2 ，ＧｅＯ2 などの屈折率
制御用ドーパントを添加したもの，あるいはＳｉＯx Ｎ
y Ｈz 等の石英系ガラス材料のコア膜２５を，プラズマ
ＣＶＤ法，スパッタ法，イオンビーム法等により形成す
る（図６（ｃ））。ついで余分なコア膜はドライエッチ
ング工程を用い、あらかじめ求めておいたエッチングレ
ートから、余分なコア膜の厚さをエッチングするのに必
要な時間を計算し、その時間だけドライエッチングする
ことで除去し、コア２６を形成する（図７（ａ））。最
後に石英ガラス材料のクラッド層２７で覆うことによ
り、希望の特性を有した石英系ガラス導波路が容易にで
きる（図７（ｂ））。
の溝２４を形成する（図６（ａ））。次にドライエッチ
ング工程によりＷＳｉマスクパターン２３を取り除く
（図６（ｂ））。次にコアのための溝と溝の距離Ｓを正
確に計測し希望の特性が得られるように、屈折率を調整
しながら、ＳｉＯ2 にＴｉＯ2 ，ＧｅＯ2 などの屈折率
制御用ドーパントを添加したもの，あるいはＳｉＯx Ｎ
y Ｈz 等の石英系ガラス材料のコア膜２５を，プラズマ
ＣＶＤ法，スパッタ法，イオンビーム法等により形成す
る（図６（ｃ））。ついで余分なコア膜はドライエッチ
ング工程を用い、あらかじめ求めておいたエッチングレ
ートから、余分なコア膜の厚さをエッチングするのに必
要な時間を計算し、その時間だけドライエッチングする
ことで除去し、コア２６を形成する（図７（ａ））。最
後に石英ガラス材料のクラッド層２７で覆うことによ
り、希望の特性を有した石英系ガラス導波路が容易にで
きる（図７（ｂ））。
【００２０】次に、上記方法を用い試作した導波路構造
の光合分波器の試作結果について説明する。
の光合分波器の試作結果について説明する。
【００２１】図１（ａ）および（ｂ）は導波路型光合分
波器の概略図を示したもので、図１（ａ）は全体図、図
１（ｂ）は図（ａ）のａ−ａ’断面図をそれぞれ示した
ものである。
波器の概略図を示したもので、図１（ａ）は全体図、図
１（ｂ）は図（ａ）のａ−ａ’断面図をそれぞれ示した
ものである。
【００２２】まず図１（ａ）に示したように、光信号２
７のごとく光合分波器の入力端に入射した波長λ1 およ
びλ2 の光信号はコア２８−１内を伝搬し、結合領域２
９内に達し、コア２８−１とコア２８−２間を干渉しな
がら伝搬して光合分波器の出力端から矢印３０−１およ
び３０−２のごとく、波長λ1 およびλ2 の光信号がそ
れぞれ分波されて出力される。
７のごとく光合分波器の入力端に入射した波長λ1 およ
びλ2 の光信号はコア２８−１内を伝搬し、結合領域２
９内に達し、コア２８−１とコア２８−２間を干渉しな
がら伝搬して光合分波器の出力端から矢印３０−１およ
び３０−２のごとく、波長λ1 およびλ2 の光信号がそ
れぞれ分波されて出力される。
【００２３】この構成において、低損失で分波しかつ波
長分離度を良くするためには、それぞれのコア２８−１
と２８−２の距離Ｓを設計値にできるだけ近づける必要
がある。
長分離度を良くするためには、それぞれのコア２８−１
と２８−２の距離Ｓを設計値にできるだけ近づける必要
がある。
【００２４】コア２８−１および２８−２の幅Ｗを８μ
ｍ、コア２８−１と２８−２との距離Ｓを５．５μｍ、
コア２８−１（２８−２）とクラッド２８との比屈折率
差を０．２５％として試作した光合分波器の分波特性を
評価した結果を図６の実線（本発明の方法により作成し
た光合分波器）および点線（従来方法により作成した光
合分波器）で示す。ただし、設計値ではλ1 ＝１．３μ
ｍ、λ2 ＝１．５５μｍとした。
ｍ、コア２８−１と２８−２との距離Ｓを５．５μｍ、
コア２８−１（２８−２）とクラッド２８との比屈折率
差を０．２５％として試作した光合分波器の分波特性を
評価した結果を図６の実線（本発明の方法により作成し
た光合分波器）および点線（従来方法により作成した光
合分波器）で示す。ただし、設計値ではλ1 ＝１．３μ
ｍ、λ2 ＝１．５５μｍとした。
【００２５】本発明の方法のものは、それぞれの分波す
べき中心波長のずれがほとんど無いのに、従来の方法の
ものはかなり中心波長のずれ（約０．１２μｍ）が生じ
た。また伝搬損失も本発明の方法のものが低い結果であ
った。これは本提案の方法はドライエッチングによりコ
アを形成する溝を作成した後、この溝と溝とのギャップ
Ｓを測定し、その値から希望する特性が得られるよう、
コア膜の屈折率を制御しながら作成したので、設計値に
近い構造となっているためである。
べき中心波長のずれがほとんど無いのに、従来の方法の
ものはかなり中心波長のずれ（約０．１２μｍ）が生じ
た。また伝搬損失も本発明の方法のものが低い結果であ
った。これは本提案の方法はドライエッチングによりコ
アを形成する溝を作成した後、この溝と溝とのギャップ
Ｓを測定し、その値から希望する特性が得られるよう、
コア膜の屈折率を制御しながら作成したので、設計値に
近い構造となっているためである。
【００２６】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、ドライエ
ッチングによりコアを形成する溝を作成した後、この溝
と溝との距離を測定し、その値から希望する光合分波器
の特性が得られるよう、コア膜の屈折率を制御しながら
作成することができ、希望する光合分波器の特性を得る
ことが可能となる。従つて、容易に希望する特性を有し
た石英系ガラス導波路ができる。
ッチングによりコアを形成する溝を作成した後、この溝
と溝との距離を測定し、その値から希望する光合分波器
の特性が得られるよう、コア膜の屈折率を制御しながら
作成することができ、希望する光合分波器の特性を得る
ことが可能となる。従つて、容易に希望する特性を有し
た石英系ガラス導波路ができる。
【図１】本発明の方法で得られた石英系ガラス導波路を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図２】本発明の石英系ガラス導波路の製造方法を示す
図である。
図である。
【図３】図２に続く本発明の石英系ガラス導波路の製造
方法を示す図である。
方法を示す図である。
【図４】図３に続く本発明の石英系ガラス導波路の製造
方法を示す図である。
方法を示す図である。
【図５】本発明の石英系ガラス導波路の他の製造方法を
示す図である。
示す図である。
【図６】図５に続く本発明の石英系ガラス導波路の他の
製造方法を示す図である。
製造方法を示す図である。
【図７】図６に続く本発明の石英系ガラス導波路の他の
製造方法を示す図である。
製造方法を示す図である。
【図８】本発明及び従来の方法で試作した導波路型光合
分波器の分波特性を示す図である。
分波器の分波特性を示す図である。
【図９】従来の石英系ガラス導波路の製造方法を示す図
である。
である。
【図１０】図９に続く従来の石英系ガラス導波路の製造
方法を示す図である。
方法を示す図である。
１２，２０ 基板 １３，２１ クラッド層 １４，２２ ＷＳｉ膜 １５，２３ ＷＳｉマスクパターン １６，２４ コア形成のための溝 １７，２５ コア膜 １８，２６ ドライエッチングにより形成したコア １９，２７ クラッド層
Claims (3)
- 【請求項１】 ＳｉＯ2 あるいはＳｉ基板表面に形成さ
れた低屈折率のクラッド層の上に、一対のコア用の溝を
作成するためのＷＳｉマスクパターンを形成し、このＷ
Ｓｉマスクパターンを用いて、上記低屈折率のクラッド
層中にコア用の溝を形成し、このコア用溝に、溝同士の
幅に応じて所望の高屈折率のコアを形成することを特徴
とする石英系ガラス導波路の製造方法。 - 【請求項２】 ＳｉＯ2 あるいはＳｉ基板表面に形成さ
れた低屈折率のクラッド層の上にＷＳｉ膜を形成後、フ
ォトリソグラフィ工程およびドライエッチング工程を経
てコア用の溝を作成するためのＷＳｉマスクパターンを
形成し、ついでこのＷＳｉマスクパターンを用いて、ド
ライエッチング工程によりコア用の溝を低屈折率のクラ
ッド層中に形成し、その上に、プラズマＣＶＤ法により
溝幅に応じた所望の値を有した高屈折率のコア膜を形成
してこの溝内を埋め込み、ついでドライエッチング工程
により余分なコア膜を、ＷＳｉ膜が現れてくるまでエッ
チングして取り除いた後、このＷＳｉマスクをドライエ
ッチング工程により取り除き、最後に上記のエッチング
した表面全体に低屈折率のクラッド層を形成する請求項
１記載の石英系ガラス導波路の製造方法。 - 【請求項３】 ＳｉＯ2 あるいはＳｉ基板表面に形成さ
れた低屈折率のクラッド層の上にＷＳｉ膜を形成後、フ
ォトリソグラフィ工程およびドライエッチング工程を経
てコア用の溝を作成するためのＷＳｉマスクパターンを
形成し、ついでこのＷＳｉマスクパターンを用いて、ド
ライエッチング工程によりコア用の溝を低屈折率のクラ
ッド層中に形成し、その後、ドライエッチング工程によ
りＷＳｉマスクパターンを除去した後、プラズマＣＶＤ
法により溝幅に応じた所望の値を有した高屈折率のコア
膜を形成してこの溝内を埋め込み、ついでドライエッチ
ング工程により余分なコア膜を、エッチングして取り除
き、最後にこの表面に低屈折率のクラッド層を形成する
請求項１記載の石英系ガラス導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7237008A JPH0980246A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 石英系ガラス導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7237008A JPH0980246A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 石英系ガラス導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0980246A true JPH0980246A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=17009025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7237008A Pending JPH0980246A (ja) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 石英系ガラス導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0980246A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002077715A3 (en) * | 2001-03-21 | 2003-05-22 | Intel Corp | Method of fabrication to sharpen corners of waveguide y-branches in integrated optical components |
| WO2002093205A3 (en) * | 2001-03-21 | 2003-10-09 | Intel Corp | Fabrication of optical waveguides for reduction of minimum waveguide spacing |
| KR100441242B1 (ko) * | 2002-10-22 | 2004-07-21 | 이형종 | 다중박막필터 증착형 평판 광도파로를 이용한 광대역파장분할다중화기 제조방법 |
| JP2005257843A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波路の製造方法 |
| JP2009128829A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 導波路の作製方法 |
-
1995
- 1995-09-14 JP JP7237008A patent/JPH0980246A/ja active Pending
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| US6864114B2 (en) | 2001-03-21 | 2005-03-08 | Intel Corporation | Fabrication of optical waveguides for reduction of minimum waveguide spacing |
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