JP2570822B2 - 光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路の製造方法Info
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- JP2570822B2 JP2570822B2 JP63181791A JP18179188A JP2570822B2 JP 2570822 B2 JP2570822 B2 JP 2570822B2 JP 63181791 A JP63181791 A JP 63181791A JP 18179188 A JP18179188 A JP 18179188A JP 2570822 B2 JP2570822 B2 JP 2570822B2
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- glass
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- glass film
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は散乱損失の小さい光導波路の製造方法に関す
るものである。
るものである。
［従来の技術］ 光ファイバ通信の進展に伴い、光デバイスには、１）
大量生産性、２）高信頼性、３）結合の無調整化、４）
自動組立、５）低損失化などが要求されるようになり、
これらの課題を解決するために導波路型の光デバイスが
注目されるようになってきた。
大量生産性、２）高信頼性、３）結合の無調整化、４）
自動組立、５）低損失化などが要求されるようになり、
これらの課題を解決するために導波路型の光デバイスが
注目されるようになってきた。
光導波路の中で石英系ガラス光導波路は低損失であ
り、また、光ファイバとの接続損失も非常に小さいた
め、将来の光導波路として有望視されている。従来、石
英系ガラス光導波路の製法として、本発明者らは第３図
に示す方法を提案した （K.Imoto,et al.,“Guided−wave multi/demultiplexe
rs with high stopband rejection,"Applied Optics Vo
l.26,No.19,Oct.1987,PP.4214-4219）。
り、また、光ファイバとの接続損失も非常に小さいた
め、将来の光導波路として有望視されている。従来、石
英系ガラス光導波路の製法として、本発明者らは第３図
に示す方法を提案した （K.Imoto,et al.,“Guided−wave multi/demultiplexe
rs with high stopband rejection,"Applied Optics Vo
l.26,No.19,Oct.1987,PP.4214-4219）。
これは、まず第３図のａ）において、基板１（SiO2ガ
ラス）上に、コア用ガラス膜２（SiO2‐TiO2系ガラス）
を形成させる。このガラス膜２の基板１との間の屈折率
差は約0.25％、膜厚Ｔは約８μｍである。次にａ）で得
た試料を約1200℃で高温熱処理して緻密な膜にする（第
３図ｂ））。その後、第３図ｃ）に示すようにWSix膜３
をを形成させる。これは厚膜（Ｔ＝８μｍ）のコア用ガ
ラス膜２をエッチングするのにホトレジストだけではも
たないので用いたものであり、その膜厚は厚い程よい。
しかし、厚くすると基板１が応力によって反りを生ずる
ため１μｍ程度が上限値である。次に、このWSix膜３上
にホトレジストを塗布し、ホトリソグラフィによりパタ
ーニングを行う（第３図（ｄ））。その後、そのホトレ
ジストの膜４をマスクにしてドライエッチングによりWS
ix膜３のパターニングを行なう（第３図ｅ））。次に、
ホトレジスト膜４およびWSix膜３をマスクにして、SiO2
‐TiO2膜２をドライエッチングによりパターニングを行
なう（第３図ｆ））。その後、ホトレジスト膜４および
WSix膜３を除去してコア層12とし（第３図ｇ））、最後
にその上にクラッド層５（SiO2‐TiO2‐B2O3系ガラス）
を形成させて完了する（第３図ｈ））。
ラス）上に、コア用ガラス膜２（SiO2‐TiO2系ガラス）
を形成させる。このガラス膜２の基板１との間の屈折率
差は約0.25％、膜厚Ｔは約８μｍである。次にａ）で得
た試料を約1200℃で高温熱処理して緻密な膜にする（第
３図ｂ））。その後、第３図ｃ）に示すようにWSix膜３
をを形成させる。これは厚膜（Ｔ＝８μｍ）のコア用ガ
ラス膜２をエッチングするのにホトレジストだけではも
たないので用いたものであり、その膜厚は厚い程よい。
しかし、厚くすると基板１が応力によって反りを生ずる
ため１μｍ程度が上限値である。次に、このWSix膜３上
にホトレジストを塗布し、ホトリソグラフィによりパタ
ーニングを行う（第３図（ｄ））。その後、そのホトレ
ジストの膜４をマスクにしてドライエッチングによりWS
ix膜３のパターニングを行なう（第３図ｅ））。次に、
ホトレジスト膜４およびWSix膜３をマスクにして、SiO2
‐TiO2膜２をドライエッチングによりパターニングを行
なう（第３図ｆ））。その後、ホトレジスト膜４および
WSix膜３を除去してコア層12とし（第３図ｇ））、最後
にその上にクラッド層５（SiO2‐TiO2‐B2O3系ガラス）
を形成させて完了する（第３図ｈ））。
このクラッド層５の屈折率はSiO2の屈折率と等しくし
てあり、またその膜厚は20〜30μｍである。作成した光
導波路の構造寸法は、たとえば、Ｗ＝10μm,T＝８μm,S
＝２μm,コア層12とクラッド層５の屈折率差Δ＝0.25％
である。
てあり、またその膜厚は20〜30μｍである。作成した光
導波路の構造寸法は、たとえば、Ｗ＝10μm,T＝８μm,S
＝２μm,コア層12とクラッド層５の屈折率差Δ＝0.25％
である。
［発明が解決しようとする課題］ 上記第３図の製造方法は、コア層12の厚みＴが５μｍ
以下の場合には問題がないが、厚みＴが８μｍ以上にな
ると、次のような問題点が生ずることが分かった。
以下の場合には問題がないが、厚みＴが８μｍ以上にな
ると、次のような問題点が生ずることが分かった。
すなわち、コア層12の厚みＴが８μｍ以上になると、
コア用ガラス膜２をドライエッチングによりパターン化
する第３図ｆ）の工程において、ホトレジスト膜４およ
びWSix膜３のエッチング選択比が大きくとれないため
に、エッチングガス（C2F6とCHF3の混合ガス）により上
記２つの膜４および３も徐々にエッチングされ、８μｍ
の厚みのコア用ガラス膜２をパターン化し終えた段階
で、上記ホトレジスト膜４およびWSix膜３もエッチング
されてなくなり、WSix膜３の下地のコア用ガラス膜２の
表面７もエッチングされ、ひどいときにはその膜厚Ｔが
７μｍ程度に減少した。また、WSix膜３の下地のコア用
ガラス膜２の表面７はエッチングにより、微小な凹凸面
に変化してしまった。このようにコア層12の表面７が荒
れていると、光導波路の散乱損失を増大させるという問
題点が生じた。
コア用ガラス膜２をドライエッチングによりパターン化
する第３図ｆ）の工程において、ホトレジスト膜４およ
びWSix膜３のエッチング選択比が大きくとれないため
に、エッチングガス（C2F6とCHF3の混合ガス）により上
記２つの膜４および３も徐々にエッチングされ、８μｍ
の厚みのコア用ガラス膜２をパターン化し終えた段階
で、上記ホトレジスト膜４およびWSix膜３もエッチング
されてなくなり、WSix膜３の下地のコア用ガラス膜２の
表面７もエッチングされ、ひどいときにはその膜厚Ｔが
７μｍ程度に減少した。また、WSix膜３の下地のコア用
ガラス膜２の表面７はエッチングにより、微小な凹凸面
に変化してしまった。このようにコア層12の表面７が荒
れていると、光導波路の散乱損失を増大させるという問
題点が生じた。
これを解決させるためにWSix膜３の厚みを厚くする方
法が考えられたが、これをすると、膜形成時の応力によ
り基板１が反りを生じ、ホトリソグラフィによるパター
ニングの際の解像度の劣化に伴うパターン寸法精度を低
下させるという問題点につながった。
法が考えられたが、これをすると、膜形成時の応力によ
り基板１が反りを生じ、ホトリソグラフィによるパター
ニングの際の解像度の劣化に伴うパターン寸法精度を低
下させるという問題点につながった。
別の方法として、ホトレジストの厚みを厚く（従来の
0.8μｍのものを1.5μｍに厚く）する方法を試みたが、
これもホトリソグラフィによるパターニングの際のパタ
ーン寸法精度を低下させた。また、上記WSix膜３の下地
のコア層12の表面７の荒れは、基板１の寸法が大きい程
（通常、２インチ直径を用いていたが、これを３インチ
直径に変更すると）、基板面内での上記表面７の荒れは
ひどいことがわかった。この基板面内げの表面７の荒れ
のバラツキは光学特性（損失特性、分光特性、など）に
非対称性を発生させてしまい、実用上使えないことが分
かった。
0.8μｍのものを1.5μｍに厚く）する方法を試みたが、
これもホトリソグラフィによるパターニングの際のパタ
ーン寸法精度を低下させた。また、上記WSix膜３の下地
のコア層12の表面７の荒れは、基板１の寸法が大きい程
（通常、２インチ直径を用いていたが、これを３インチ
直径に変更すると）、基板面内での上記表面７の荒れは
ひどいことがわかった。この基板面内げの表面７の荒れ
のバラツキは光学特性（損失特性、分光特性、など）に
非対称性を発生させてしまい、実用上使えないことが分
かった。
本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を解消し、
散乱損失の非常に小さい光導波路の製造方法を提供する
ことにある。
散乱損失の非常に小さい光導波路の製造方法を提供する
ことにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明の光導波路の製造方法は、少なくとも基板の表
面がSiO2ガラスからなり、該基板の表面に該基板表面よ
りも高い屈折率を有するコア用ガラス膜と、該コア用ガ
ラス膜の上に前記基板表面と同じ屈折率を有する第１ク
ラッド用ガラス膜を電子ビーム蒸着法により順次連続的
に形成し、次に酸素雰囲気中で熱処理することにより前
記コア用ガラス膜および第１クラッド用ガラス膜を緻密
なガラス膜とした後、前記第１クラッド用ガラス膜上に
スパッタリングによりWSix膜を形成し、ホトリソグラフ
ィ、ドライエッチングプロセスにより該WSix膜をパター
ン化し、次に該WSix膜のパターンをマスクにしてドライ
エッチングにより前記第１クラッド用ガラス膜および前
記コア用ガラス膜を断面矩形形状にパターン化し、次に
前記ホトレジスト膜と前記WSix膜の除去を行った後、前
記第１クラッド用ガラス膜と同じ屈折率の第２クラッド
用ガラス膜を前記基板表面全体に形成することを特徴と
している。
面がSiO2ガラスからなり、該基板の表面に該基板表面よ
りも高い屈折率を有するコア用ガラス膜と、該コア用ガ
ラス膜の上に前記基板表面と同じ屈折率を有する第１ク
ラッド用ガラス膜を電子ビーム蒸着法により順次連続的
に形成し、次に酸素雰囲気中で熱処理することにより前
記コア用ガラス膜および第１クラッド用ガラス膜を緻密
なガラス膜とした後、前記第１クラッド用ガラス膜上に
スパッタリングによりWSix膜を形成し、ホトリソグラフ
ィ、ドライエッチングプロセスにより該WSix膜をパター
ン化し、次に該WSix膜のパターンをマスクにしてドライ
エッチングにより前記第１クラッド用ガラス膜および前
記コア用ガラス膜を断面矩形形状にパターン化し、次に
前記ホトレジスト膜と前記WSix膜の除去を行った後、前
記第１クラッド用ガラス膜と同じ屈折率の第２クラッド
用ガラス膜を前記基板表面全体に形成することを特徴と
している。
基板とコア用膜の間には、予めコア用膜の屈折率より
も低いバッファ用膜が形成されていてもよい。
も低いバッファ用膜が形成されていてもよい。
［作用］ まず、基板上にコア用膜を形成させ、その上に予め薄
いクラッド用膜を形成させた後、高温熱処理工程、WSix
膜形成工程、ホトリソグラフィおよびドライエッチング
によるパターン化工程、ホトレジストおよびWSix膜除去
工程を経て、最後に最初に形成されたクラッド用膜と同
じ材質の膜を上記パターン化した表面全体に形成させる
方法により、コア層表面における荒れをなくし、散乱損
失の極めて小さい光導波路を実現する。
いクラッド用膜を形成させた後、高温熱処理工程、WSix
膜形成工程、ホトリソグラフィおよびドライエッチング
によるパターン化工程、ホトレジストおよびWSix膜除去
工程を経て、最後に最初に形成されたクラッド用膜と同
じ材質の膜を上記パターン化した表面全体に形成させる
方法により、コア層表面における荒れをなくし、散乱損
失の極めて小さい光導波路を実現する。
従来の方法は、基板上にコア用膜を形成し、それをパ
ターン化した後、クラッド用膜でそのパターン化した表
面を覆うため、パターン化したコア層の表面７が荒れ易
く、コア層12とクラッド層５の界面の構造不一致性によ
る散乱損失が増大する。この散乱損失の値は数dB程度に
もなり、光導波路の吸収損失（＜0.1dB/cm）をはるかに
しのぐもので、実用化を困難にするものであった。
ターン化した後、クラッド用膜でそのパターン化した表
面を覆うため、パターン化したコア層の表面７が荒れ易
く、コア層12とクラッド層５の界面の構造不一致性によ
る散乱損失が増大する。この散乱損失の値は数dB程度に
もなり、光導波路の吸収損失（＜0.1dB/cm）をはるかに
しのぐもので、実用化を困難にするものであった。
これに対し、本発明の方法は基板上にコア用膜と薄い
クラッド用膜を形成し、それをパターン化した後、予め
形成したクラッド用膜と同じ材質の膜でそのパターン化
した表面を覆う方法である。従って、パターン化の際に
表面が荒れても、それは薄いクラッド表面であり、コア
とクラッドの界面は均一に保たれている。よって、散乱
損失はほとんど生じない。ここで予めコアの上に形成す
るクラッド用膜の厚みは１μｍ以上が好ましい。あまり
厚くすると、パターン化のためのエッチング時間が長く
かかり得策ではない。
クラッド用膜を形成し、それをパターン化した後、予め
形成したクラッド用膜と同じ材質の膜でそのパターン化
した表面を覆う方法である。従って、パターン化の際に
表面が荒れても、それは薄いクラッド表面であり、コア
とクラッドの界面は均一に保たれている。よって、散乱
損失はほとんど生じない。ここで予めコアの上に形成す
るクラッド用膜の厚みは１μｍ以上が好ましい。あまり
厚くすると、パターン化のためのエッチング時間が長く
かかり得策ではない。
本発明は種々の光導波路の製法に適用できる。たとえ
ば、InP,GaAs,Siなどの半導体基板を用いた光導波路、
石英ガラス以外のガラス（カルコゲナイド，パイレック
ス，ソーダガラス，コーニング7059ガラスなど）、電気
光学結晶基板（LiNbO3,LiTaO3など）、などを用いた光
導波路の製法に適用できる。
ば、InP,GaAs,Siなどの半導体基板を用いた光導波路、
石英ガラス以外のガラス（カルコゲナイド，パイレック
ス，ソーダガラス，コーニング7059ガラスなど）、電気
光学結晶基板（LiNbO3,LiTaO3など）、などを用いた光
導波路の製法に適用できる。
［実施例］ 第１図に本発明の光導波路の製造方法の実施例を示
す。これは石英ガラス基板１に石英系ガラス単一モード
光導波路を製造する方法の実施例を示したものである。
す。これは石英ガラス基板１に石英系ガラス単一モード
光導波路を製造する方法の実施例を示したものである。
まず第１図ａ）に示すように、石英ガラス基板１（直
径２インチ）上に、電子ビーム蒸着により、コア用ガラ
ス膜２（SiO2‐TiO2系ガラス膜）を８μｍと、クラッド
用ガラス膜６（SiO2‐TiO2‐B2O3系ガラス膜）を２μｍ
の厚みに、順次連続的に形成させる。したがって、コア
用ガラス膜２とクラッド用ガラス膜６の界面は非常に均
一に保たれている。
径２インチ）上に、電子ビーム蒸着により、コア用ガラ
ス膜２（SiO2‐TiO2系ガラス膜）を８μｍと、クラッド
用ガラス膜６（SiO2‐TiO2‐B2O3系ガラス膜）を２μｍ
の厚みに、順次連続的に形成させる。したがって、コア
用ガラス膜２とクラッド用ガラス膜６の界面は非常に均
一に保たれている。
次に第１図ｂ）においては、上記試料を1200℃の温度
で酸素雰囲気中（O2＝5l/min）で３時間熱処理し、緻密
な膜にする。この段階でのコア用ガラス膜２とクラッド
用ガラス膜６の屈折率差は0.25％になるように調合され
ている。またクラッド用ガラス膜６の屈折率と石英ガラ
ス基板１の屈折率は等しくなるように調合されている。
で酸素雰囲気中（O2＝5l/min）で３時間熱処理し、緻密
な膜にする。この段階でのコア用ガラス膜２とクラッド
用ガラス膜６の屈折率差は0.25％になるように調合され
ている。またクラッド用ガラス膜６の屈折率と石英ガラ
ス基板１の屈折率は等しくなるように調合されている。
次に第１図ｃ）に示すように、クラッド用ガラス膜６
の上に、WSix膜３をスパッタリングにより厚さ１μｍ形
成させる。そして第１図ｄ）に示すように、その膜３の
上にホトレジスト膜４を塗布し、マスクを通して紫外線
照射によりホトリソグラフィを行ない、所望のホトレジ
スト膜のパターンを形成させる。
の上に、WSix膜３をスパッタリングにより厚さ１μｍ形
成させる。そして第１図ｄ）に示すように、その膜３の
上にホトレジスト膜４を塗布し、マスクを通して紫外線
照射によりホトリソグラフィを行ない、所望のホトレジ
スト膜のパターンを形成させる。
次に、このホトレジスト膜４のパターンをマスクにし
てドライエッチング（エッチングガスNF3）を行ない、W
Six膜３のパターン化をはかる（第１図ｅ））。
てドライエッチング（エッチングガスNF3）を行ない、W
Six膜３のパターン化をはかる（第１図ｅ））。
その後、第１図ｆ）に示すように、このWSix膜３のパ
ターンをマスクにしてクラッド用ガラス膜６とコア用ガ
ラス膜２のパターン化をはかる。このパターン化もドラ
イエッチング（エッチングガスC2F6とCFH3の混合ガス）
により行なう。
ターンをマスクにしてクラッド用ガラス膜６とコア用ガ
ラス膜２のパターン化をはかる。このパターン化もドラ
イエッチング（エッチングガスC2F6とCFH3の混合ガス）
により行なう。
次いで、ホトレジスト膜４とWSix膜３の除去を行なう
（第１図ｇ））。
（第１図ｇ））。
そして最後に、第１図ｈ）で示すように、クラッド用
ガラス膜６と材質，屈折率の等しいクラッド５を被覆し
て完了する。
ガラス膜６と材質，屈折率の等しいクラッド５を被覆し
て完了する。
ここで、上記ｆ）の工程でホトレジスト膜４およびWS
ix膜３がエッチングガスによりエッチングされて、クラ
ッド層上面８の表面が荒れるが、この部分が荒れても光
の伝搬に支配する部分ではないので、ほとんど問題な
い。従来のようにコア層上面７が荒れると、この部分は
光の伝搬を支配する部分であるので問題であった。
ix膜３がエッチングガスによりエッチングされて、クラ
ッド層上面８の表面が荒れるが、この部分が荒れても光
の伝搬に支配する部分ではないので、ほとんど問題な
い。従来のようにコア層上面７が荒れると、この部分は
光の伝搬を支配する部分であるので問題であった。
以上のように、本発明の方法では、光の伝搬を支配す
るコア層12の上面とクラッド層６との界面が均一に保持
されているので、散乱損失を小さくすることができる。
一例として、Ｗ＝10μｍ、Ｔ＝８μｍ、コアとクラッド
との屈折率差0.25％の光導波路（長さ40mmの直線導波
路）の挿入損失を比較して見ると、第３図の従来法では
10個の光導波路に対し、1.5〜3dBの範囲でバラツキをも
ち、かつその値も大きかったが、本発明の方法ではすべ
てが1dB以下の値であった。
るコア層12の上面とクラッド層６との界面が均一に保持
されているので、散乱損失を小さくすることができる。
一例として、Ｗ＝10μｍ、Ｔ＝８μｍ、コアとクラッド
との屈折率差0.25％の光導波路（長さ40mmの直線導波
路）の挿入損失を比較して見ると、第３図の従来法では
10個の光導波路に対し、1.5〜3dBの範囲でバラツキをも
ち、かつその値も大きかったが、本発明の方法ではすべ
てが1dB以下の値であった。
第２図は本発明の光導波路の製造方法の別の実施例を
示したものである。
示したものである。
これは基板１にSiを用いたもので、その基板１上にバ
ッファ用ガラス膜９が形成されていることが第１図の場
合と異なる点である。このバッファ用ガラス膜９はSiO2
ガラスであり、クラッド用ガラス膜６の屈折率はこのバ
ッファ用ガラス膜９の屈折率に等しくなるように形成さ
れる。製造方法の工程は第１図の場合と同じであるの
で、その説明は省略する。
ッファ用ガラス膜９が形成されていることが第１図の場
合と異なる点である。このバッファ用ガラス膜９はSiO2
ガラスであり、クラッド用ガラス膜６の屈折率はこのバ
ッファ用ガラス膜９の屈折率に等しくなるように形成さ
れる。製造方法の工程は第１図の場合と同じであるの
で、その説明は省略する。
本発明の光導波路の製造方法は上記実施例に限定され
ない。すなわち、前述したように、本発明は、基板１に
半導体、電気光学結晶、ガラス、有機材料、磁性材料な
どを用いた光導波路の製造方法に全て適用できるもので
ある。
ない。すなわち、前述したように、本発明は、基板１に
半導体、電気光学結晶、ガラス、有機材料、磁性材料な
どを用いた光導波路の製造方法に全て適用できるもので
ある。
［発明の効果］ 本発明の光導波路の製造方法によれば、コア層上面と
クラッド層との界面を均一に保ったまま製造することが
できるので、上記界面での散乱損失を非常に小さく抑え
られる。また、これにより低損失光導波路を実現するこ
とができ、種々の光回路素子（光合分波器、光カプラ、
光スイッチ、光変調器など）を高性能に作れる。
クラッド層との界面を均一に保ったまま製造することが
できるので、上記界面での散乱損失を非常に小さく抑え
られる。また、これにより低損失光導波路を実現するこ
とができ、種々の光回路素子（光合分波器、光カプラ、
光スイッチ、光変調器など）を高性能に作れる。
第１図および第２図は本発明の光導波路の製造方法の実
施例を示した概略図、第３図は従来の光導波路の製造方
法を示した概略図である。 図中、１は基板、２はコア用ガラス膜、３はWSix膜、４
はホトレジスト膜、５はクラッド膜、６はクラッド用ガ
ラス膜、８はクラッド層上面、９はバッファ用ガラス膜
を示す。
施例を示した概略図、第３図は従来の光導波路の製造方
法を示した概略図である。 図中、１は基板、２はコア用ガラス膜、３はWSix膜、４
はホトレジスト膜、５はクラッド膜、６はクラッド用ガ
ラス膜、８はクラッド層上面、９はバッファ用ガラス膜
を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】少なくとも基板の表面がSiO2ガラスからな
り、該基板の表面に該基板表面よりも高い屈折率を有す
るコア用ガラス膜と、該コア用ガラス膜の上に前記基板
表面と同じ屈折率を有する第１クラッド用ガラス膜を電
子ビーム蒸着法により順次連続的に形成し、次に酸素雰
囲気中で熱処理することにより前記コア用ガラス膜およ
び第１クラッド用ガラス膜を緻密なガラス膜とした後、
前記第１クラッド用ガラス膜上にスパッタリングにより
WSix膜を形成し、ホトリソグラフィ、ドライエッチング
プロセスにより該WSix膜をパターン化し、次に該WSix膜
のパターンをマスクにしてドライエッチングにより前記
第１クラッド用ガラス膜および前記コア用ガラス膜を断
面矩形形状にパターン化し、次に前記ホトレジスト膜と
前記WSix膜の除去を行った後、前記第１クラッド用ガラ
ス膜と同じ屈折率の第２クラッド用ガラス膜を前記基板
表面全体に形成することを特徴とする光導波路の製造方
法。 - 【請求項２】前記少なくとも表面がSiO2ガラスからなる
基板として、石英ガラス基板もしくは表面にバッファ用
SiO2ガラス膜が形成されたSi基板を用いることを特徴と
する請求項１記載の光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63181791A JP2570822B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63181791A JP2570822B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 光導波路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0233106A JPH0233106A (ja) | 1990-02-02 |
| JP2570822B2 true JP2570822B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=16106934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63181791A Expired - Lifetime JP2570822B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2570822B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5947281B2 (ja) * | 1978-06-20 | 1984-11-17 | 日本電信電話株式会社 | 光導波回路の製造方法 |
-
1988
- 1988-07-22 JP JP63181791A patent/JP2570822B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0233106A (ja) | 1990-02-02 |
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