JPH0651145A - 光回路及びその製造方法 - Google Patents
光回路及びその製造方法Info
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- JPH0651145A JPH0651145A JP20788292A JP20788292A JPH0651145A JP H0651145 A JPH0651145 A JP H0651145A JP 20788292 A JP20788292 A JP 20788292A JP 20788292 A JP20788292 A JP 20788292A JP H0651145 A JPH0651145 A JP H0651145A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光回路の屈折率及び複屈折を効果的かつ局所
的に調節し、生産性を向上させる。偏波制御機能を有す
る光回路を提供する。 【構成】 平面基板上に、光を伝搬する石英系ガラスを
素材として作成されたコア部と、該コア部の周りの屈折
率の低いクラッド部からなる光導波路を有する光回路に
おいて、前記導波路に可視又は紫外領域の光を照射して
当該導波路の複屈折値を所定値に設定した。また、前記
光導波路の一部がMZ干渉計回路を構成し、干渉計を構
成する少なくとも片方の導波路コア部に可視又は紫外線
領域の光を照射して当該導波路コア部の複屈折値を所定
値に設定した。また、基板上にクラッド層に埋没された
光伝搬作用をもつコア部を含む単一モード光導波路を形
成する工程と、前記単一モード光導波路に可視又は紫外
光レーザ光を照射して前記コア部の複屈折値を調整する
工程とを有する光回路の製造方法である。
的に調節し、生産性を向上させる。偏波制御機能を有す
る光回路を提供する。 【構成】 平面基板上に、光を伝搬する石英系ガラスを
素材として作成されたコア部と、該コア部の周りの屈折
率の低いクラッド部からなる光導波路を有する光回路に
おいて、前記導波路に可視又は紫外領域の光を照射して
当該導波路の複屈折値を所定値に設定した。また、前記
光導波路の一部がMZ干渉計回路を構成し、干渉計を構
成する少なくとも片方の導波路コア部に可視又は紫外線
領域の光を照射して当該導波路コア部の複屈折値を所定
値に設定した。また、基板上にクラッド層に埋没された
光伝搬作用をもつコア部を含む単一モード光導波路を形
成する工程と、前記単一モード光導波路に可視又は紫外
光レーザ光を照射して前記コア部の複屈折値を調整する
工程とを有する光回路の製造方法である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に光導波路を配
置した光回路及びその製造方法に関するものであり、詳
しくは、光導波路の複屈折性を調整することにより所望
の偏波依存性、あるいは偏波無依存性を持つ様に構成し
た光回路及びその製造方法に関するものである。
置した光回路及びその製造方法に関するものであり、詳
しくは、光導波路の複屈折性を調整することにより所望
の偏波依存性、あるいは偏波無依存性を持つ様に構成し
た光回路及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】石英系ガラス基板やシリコン基板上に形
成可能な石英系ガラス導波路は、損失が低い、安定性が
高い、加工性がよい、石英系ファイバとの整合性がよい
などの特徴があり、光合分波回路などの実用的な導波型
光部品を構成する上で非常に有用であるため、研究開発
が進められている。
成可能な石英系ガラス導波路は、損失が低い、安定性が
高い、加工性がよい、石英系ファイバとの整合性がよい
などの特徴があり、光合分波回路などの実用的な導波型
光部品を構成する上で非常に有用であるため、研究開発
が進められている。
【0003】最近では、その特性を生かしてより高機能
高集積化した平面型光回路の製造が進められている。そ
の中で、光の位相を利用した光回路は、電子回路では実
現できにくい回路を可能にするため、重要性が高い。
高集積化した平面型光回路の製造が進められている。そ
の中で、光の位相を利用した光回路は、電子回路では実
現できにくい回路を可能にするため、重要性が高い。
【0004】石英系光導波路では、シリコン基板上にア
ンダークラッド層堆積→コア層堆積→コアエッチング→
オーバークラッド堆積の製造プロセスによりコア・クラ
ッド構造が構成されるが、光の位相を利用した高機能高
集積化光回路では、光の位相は導波路の屈折率と伝搬長
に依存するので、製造上の微小な屈折率や導波路形状の
変動、及び導波路に加わる応力が素子特性に大きく影響
する。従って、高集積光回路において生産性を向上させ
るためには、製造上の微小な変動等を修正する必要があ
り、局所的に屈折率及び複屈折を制御した光回路が望ま
れてきた。
ンダークラッド層堆積→コア層堆積→コアエッチング→
オーバークラッド堆積の製造プロセスによりコア・クラ
ッド構造が構成されるが、光の位相を利用した高機能高
集積化光回路では、光の位相は導波路の屈折率と伝搬長
に依存するので、製造上の微小な屈折率や導波路形状の
変動、及び導波路に加わる応力が素子特性に大きく影響
する。従って、高集積光回路において生産性を向上させ
るためには、製造上の微小な変動等を修正する必要があ
り、局所的に屈折率及び複屈折を制御した光回路が望ま
れてきた。
【0005】このような平面型光回路を構成する重要な
要素部品である、MZ(Mach-Zehnder)干渉計を一例
として挙げる。MZ干渉計は、2つの方向性結合器とそ
の方向性結合器を結ぶ2本の導波路からなるものであ
り、光スイッチや光分波器を構成する上で欠かすことの
できない部品である。
要素部品である、MZ(Mach-Zehnder)干渉計を一例
として挙げる。MZ干渉計は、2つの方向性結合器とそ
の方向性結合器を結ぶ2本の導波路からなるものであ
り、光スイッチや光分波器を構成する上で欠かすことの
できない部品である。
【0006】しかし、MZ干渉計では、石英系光導波路
に限らず、わずかな屈折率や導波路形状の変動及び導波
路に加わる応力が素子特性に大きく影響する。
に限らず、わずかな屈折率や導波路形状の変動及び導波
路に加わる応力が素子特性に大きく影響する。
【0007】いま、このMZ干渉計が光路長差L1を持
つとき、このMZ干渉計の出力強度は、入射光の周波数
f(又は波長λ)に関して
つとき、このMZ干渉計の出力強度は、入射光の周波数
f(又は波長λ)に関して
【0008】
【数1】
【0009】を周期とする特性を有することが知られて
おり、この出力光強度の周期特性を利用して、光スイッ
チ、光周波数合分波器等として動作する光デバイスが実
現されている。
おり、この出力光強度の周期特性を利用して、光スイッ
チ、光周波数合分波器等として動作する光デバイスが実
現されている。
【0010】しかし、導波路が有する複屈折は、光干渉
計の周期特性の位相に偏光方向によるずれをもたらし、
入射光の偏光方向を基板に水平(TE偏光)もしくは垂
直(TM偏光)のいずれか一方に予め調整しておかない
と、光スイッチ、光周波数合分波器としての動作特性に
著しい劣化を生じさせることになる。
計の周期特性の位相に偏光方向によるずれをもたらし、
入射光の偏光方向を基板に水平(TE偏光)もしくは垂
直(TM偏光)のいずれか一方に予め調整しておかない
と、光スイッチ、光周波数合分波器としての動作特性に
著しい劣化を生じさせることになる。
【0011】従って、MZ干渉計を用いた光回路におい
て、生産性を向上させるためには、作製上の微小な変動
を修正する必要性があり、効果的な調節法が望まれてい
た。
て、生産性を向上させるためには、作製上の微小な変動
を修正する必要性があり、効果的な調節法が望まれてい
た。
【0012】現在は、複屈折を局所的に微調整する方法
として、非晶質シリコン等の応力付与膜を適当な形状に
加工し、導波路の近傍につけ、複屈折を調整するかもし
くは、導波路近傍に、溝を彫り複屈折を調整することが
行われている。
として、非晶質シリコン等の応力付与膜を適当な形状に
加工し、導波路の近傍につけ、複屈折を調整するかもし
くは、導波路近傍に、溝を彫り複屈折を調整することが
行われている。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の方法は、導波路作製の工程数が増し、且つ煩雑である
という問題があった。
の方法は、導波路作製の工程数が増し、且つ煩雑である
という問題があった。
【0014】本発明は、前記問題点を解決するためにな
されたものであり、本発明の目的は、屈折率及び複屈折
を効果的かつ局所的に調節し、生産性を向上させた光回
路を提供することにある。
されたものであり、本発明の目的は、屈折率及び複屈折
を効果的かつ局所的に調節し、生産性を向上させた光回
路を提供することにある。
【0015】本発明の他の目的は、偏波制御機能を有す
る光回路を提供することにある。
る光回路を提供することにある。
【0016】本発明の前記ならびにその他の目的及び新
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明ら
かにする。
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明ら
かにする。
【0017】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の(1)の手段は、平面基板上に、光を伝搬
する石英系ガラスを素材として作成されたコア部と、該
コア部の周りの屈折率の低いクラッド部からなる光導波
路を有する光回路において、前記導波路に可視又は紫外
領域の光を照射して当該導波路の複屈折値を所定値に設
定したことを最も主要な特徴とする。
に、本発明の(1)の手段は、平面基板上に、光を伝搬
する石英系ガラスを素材として作成されたコア部と、該
コア部の周りの屈折率の低いクラッド部からなる光導波
路を有する光回路において、前記導波路に可視又は紫外
領域の光を照射して当該導波路の複屈折値を所定値に設
定したことを最も主要な特徴とする。
【0018】本発明の(2)の手段は、前記光導波路に
紫外領域の光に敏感なドーパントを添加していることを
特徴とし、紫外線に敏感なドーパントとしてGeO2を
用いる。
紫外領域の光に敏感なドーパントを添加していることを
特徴とし、紫外線に敏感なドーパントとしてGeO2を
用いる。
【0019】本発明の(3)の手段は、前記光導波路の
一部がMZ干渉計回路を構成し、干渉計を構成する少な
くとも片方の導波路コア部に可視又は紫外線領域の光を
照射して当該導波路コア部の複屈折値を所定値に設定し
たことを特徴とする。
一部がMZ干渉計回路を構成し、干渉計を構成する少な
くとも片方の導波路コア部に可視又は紫外線領域の光を
照射して当該導波路コア部の複屈折値を所定値に設定し
たことを特徴とする。
【0020】本発明の(4)の手段である光回路の製造
方法は、基板上にクラッド層に埋没された光伝搬作用を
もつコア部を含む単一モード光導波路を形成する工程
と、前記単一モード光導波路に可視又は紫外光レーザ光
を照射して前記コア部の複屈折値を調整する工程とを有
することを特徴とする。
方法は、基板上にクラッド層に埋没された光伝搬作用を
もつコア部を含む単一モード光導波路を形成する工程
と、前記単一モード光導波路に可視又は紫外光レーザ光
を照射して前記コア部の複屈折値を調整する工程とを有
することを特徴とする。
【0021】
【作用】前述の手段の主要部は、石英系ガラス導波路に
より構成された導波型MZ干渉計の製造法において、少
なくともMZ干渉計の片方の導波路に可視又は紫外領域
の光を照射することによってコアの複屈折を制御し、M
Z干渉計等の偏波に依る位相、すなわち出力を調節する
ものである。
より構成された導波型MZ干渉計の製造法において、少
なくともMZ干渉計の片方の導波路に可視又は紫外領域
の光を照射することによってコアの複屈折を制御し、M
Z干渉計等の偏波に依る位相、すなわち出力を調節する
ものである。
【0022】導波路の屈折率制御に関し、類似の報告と
してMaloらによる光ファイバの屈折率の変化に関す
るものがある(B.Malo, et al., Opt. Lett. 15, 953,
1990)。それによれば、GeO2添加石英系光ファイバ
において紫外線照射によりコアの屈折率が3×10~5だ
け変化することが観測されたと報告されている。
してMaloらによる光ファイバの屈折率の変化に関す
るものがある(B.Malo, et al., Opt. Lett. 15, 953,
1990)。それによれば、GeO2添加石英系光ファイバ
において紫外線照射によりコアの屈折率が3×10~5だ
け変化することが観測されたと報告されている。
【0023】シリコン基板上に形成された石英系光導波
路においても同様な光誘起屈折率変化Δnが観測される
が、この時、導波路のTE,TM方向に光を入射して測
定した屈折率変化をそれぞれΔnTE,ΔnTMとすると、
ΔnTEとΔnTMの大きさは異なっている。
路においても同様な光誘起屈折率変化Δnが観測される
が、この時、導波路のTE,TM方向に光を入射して測
定した屈折率変化をそれぞれΔnTE,ΔnTMとすると、
ΔnTEとΔnTMの大きさは異なっている。
【0024】本発明は、この原理を用いることにより、
GeO2添加石英系ガラス導波路のMZ干渉計等の複屈
折を調節するものである。
GeO2添加石英系ガラス導波路のMZ干渉計等の複屈
折を調節するものである。
【0025】まず、GeO2添加石英系ガラス導波路の
MZ干渉計の位相が調節できる原理を以下に説明する。
MZ干渉計の位相が調節できる原理を以下に説明する。
【0026】図1は、GeO2添加石英系ガラス導波路
のMZ干渉計の位相が調節できる原理を説明するための
図であり、1a,1bは方向性結合器、2a,2bは2
つの方向性結合器を結ぶ導波路、1〜4はポートであ
る。ここでは、簡単のためMZ干渉計の2つの方向性結
合器を同一のものとし、方向性結合器の結合長をL0と
する。そのとき、図1のMZ干渉計において片方の導波
路(2a)の長さΔL1の部分において屈折率がΔn変
化したとする。このとき、波長λの光がこのMZ干渉計
のポート1に入射したとすると、ポート3と4からの出
力比I4/(I3+I4)は、次式で表される。
のMZ干渉計の位相が調節できる原理を説明するための
図であり、1a,1bは方向性結合器、2a,2bは2
つの方向性結合器を結ぶ導波路、1〜4はポートであ
る。ここでは、簡単のためMZ干渉計の2つの方向性結
合器を同一のものとし、方向性結合器の結合長をL0と
する。そのとき、図1のMZ干渉計において片方の導波
路(2a)の長さΔL1の部分において屈折率がΔn変
化したとする。このとき、波長λの光がこのMZ干渉計
のポート1に入射したとすると、ポート3と4からの出
力比I4/(I3+I4)は、次式で表される。
【0027】
【数2】
【0028】ここで、Lc(λ)は方向性結合器の完全
結合長である。式(2)から明らかなように、
結合長である。式(2)から明らかなように、
【0029】
【数3】
【0030】を満たすときに、出力が反転する。波長
1.3μmにおいて、Δnが3×10~5変化したとする
と、ΔL1の値として3.3cmが得られる。従って、MZ
干渉計を構成する導波路長が充分であれば、MZ干渉計
の特性を調節することができる。
1.3μmにおいて、Δnが3×10~5変化したとする
と、ΔL1の値として3.3cmが得られる。従って、MZ
干渉計を構成する導波路長が充分であれば、MZ干渉計
の特性を調節することができる。
【0031】ここで、コアの屈折率変化は、波長245
nmのGeO2に関連した吸収に起因する。従って、屈折
率変化のために用いるレーザは、245nm付近に発振波
長を有するものであればよい。また、可視域に発振波長
を有するレーザも使用可能である。それは、可視域のレ
ーザでも2光子吸収により同様の変化を誘起するからで
ある。すなわち、本発明では、使用するレーザに関して
は、He-Cdレーザ、N2レーザ、各種エキシマレー
ザ、Arイオンレーザ、Nd3+:YAGレーザ、アレキ
サンドライト(Cr3+:BeAl2O3)レーザの第2
次、3次、4次高調波、など紫外・可視領域の波長を有
するものであればよい。
nmのGeO2に関連した吸収に起因する。従って、屈折
率変化のために用いるレーザは、245nm付近に発振波
長を有するものであればよい。また、可視域に発振波長
を有するレーザも使用可能である。それは、可視域のレ
ーザでも2光子吸収により同様の変化を誘起するからで
ある。すなわち、本発明では、使用するレーザに関して
は、He-Cdレーザ、N2レーザ、各種エキシマレー
ザ、Arイオンレーザ、Nd3+:YAGレーザ、アレキ
サンドライト(Cr3+:BeAl2O3)レーザの第2
次、3次、4次高調波、など紫外・可視領域の波長を有
するものであればよい。
【0032】以上のような、光照射に起因する屈折率変
化Δnは、照射光の偏光状態及び照射条件により、導波
路のTE方向成分に関する屈折率変化ΔnTEとTM方向
成分に関する屈折率変化ΔnTMが異なる。
化Δnは、照射光の偏光状態及び照射条件により、導波
路のTE方向成分に関する屈折率変化ΔnTEとTM方向
成分に関する屈折率変化ΔnTMが異なる。
【0033】従って、紫外もしくは可視レーザ光の照射
強度、照射時間等を適当に取ることにより導波路が有す
る複屈折を調整することができる。
強度、照射時間等を適当に取ることにより導波路が有す
る複屈折を調整することができる。
【0034】なお、本発明は、紫外もしくは可視レーザ
光の照射を止めてもその効果は永続するものである。
光の照射を止めてもその効果は永続するものである。
【0035】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【0036】(実施例1)本発明の実施例1では、石英
系光導波路においてエキシマレーザによりMZ干渉計の
特性を調節した。
系光導波路においてエキシマレーザによりMZ干渉計の
特性を調節した。
【0037】図2は、本実施例1において作製したMZ
干渉計光回路の構成図であって、1c,1dは方向性結
合器、2c,2dは導波路、3a,3b,3c,3dは
光ファイバ、4aはシリコン基板、5は遮蔽用の金属マ
スク、6はエキシマレーザ、7はミラー、8a,8bは
レンズである。
干渉計光回路の構成図であって、1c,1dは方向性結
合器、2c,2dは導波路、3a,3b,3c,3dは
光ファイバ、4aはシリコン基板、5は遮蔽用の金属マ
スク、6はエキシマレーザ、7はミラー、8a,8bは
レンズである。
【0038】図2のMZ干渉計は非対称型であり、導波
路2cが2dより長くなっている。このタイプのMZ干
渉計は、周波数又は波長分波器として動作するものであ
る。図2のMZ干渉計では2つの導波路2c,2dの光
路長差ΔL2を約1cmとし、周波数10GHz間隔で入射光
を分波できるように設計した。
路2cが2dより長くなっている。このタイプのMZ干
渉計は、周波数又は波長分波器として動作するものであ
る。図2のMZ干渉計では2つの導波路2c,2dの光
路長差ΔL2を約1cmとし、周波数10GHz間隔で入射光
を分波できるように設計した。
【0039】まず、通常の方法でシリコン基板上にGe
O2添加石英系ガラス導波路型MZ干渉計を作製した。
導波路のコアは矩形であり、サイズは7×7μmであ
る。コアとクラッドの屈折率差は0.75%とした。方
向性結合器1cと1dでは結合率が波長1.3μmでほ
ぼ50%になるようにした。
O2添加石英系ガラス導波路型MZ干渉計を作製した。
導波路のコアは矩形であり、サイズは7×7μmであ
る。コアとクラッドの屈折率差は0.75%とした。方
向性結合器1cと1dでは結合率が波長1.3μmでほ
ぼ50%になるようにした。
【0040】作製したMZ干渉計に波長248nmのKr
Fエキシマレーザを照射し、照射前後の特性変化を調べ
た。KrFエキシマレーザ光は、導波路上部より、図2
に示すように、金属マスクで覆われていない部分を照射
した。従って、エキシマレーザ光は、導波路2eの一部
分だけに屈折率変化を誘起することになる。KrFエキ
シマレーザの照射パワーは、100mJ/cm2、パルス繰
り返し50Hz、照射時間は20minとした。
Fエキシマレーザを照射し、照射前後の特性変化を調べ
た。KrFエキシマレーザ光は、導波路上部より、図2
に示すように、金属マスクで覆われていない部分を照射
した。従って、エキシマレーザ光は、導波路2eの一部
分だけに屈折率変化を誘起することになる。KrFエキ
シマレーザの照射パワーは、100mJ/cm2、パルス繰
り返し50Hz、照射時間は20minとした。
【0041】MZ干渉計の特性を調べるため、中心波長
1.3μmの電流掃引型半導体レーザをファイバ3eか
ら光回路に導入した。本実施例1では、エキシマレーザ
の照射中にMZ干渉計の特性変化をモニターすることが
できた。
1.3μmの電流掃引型半導体レーザをファイバ3eか
ら光回路に導入した。本実施例1では、エキシマレーザ
の照射中にMZ干渉計の特性変化をモニターすることが
できた。
【0042】図3に、20分間照射後におけるファイバ
3cからの出力の波長依存性を照射前と比較して示す。
図3において、縦軸は挿入損失(Insertion loss)、
横軸は波長(Wavelength)である。
3cからの出力の波長依存性を照射前と比較して示す。
図3において、縦軸は挿入損失(Insertion loss)、
横軸は波長(Wavelength)である。
【0043】KrFエキシマレーザ照射前では、ファイ
バ3cと3dからの出力光スペクトル特性が、図3に示
すように、TE偏光とTM偏光では、異なっており、こ
のMZ干渉計は偏波依存性を有していた。
バ3cと3dからの出力光スペクトル特性が、図3に示
すように、TE偏光とTM偏光では、異なっており、こ
のMZ干渉計は偏波依存性を有していた。
【0044】照射後、図3に示すように、TE偏光とT
M偏光の光スペクトル特性が一致し、1.3μm付近の
信号光における偏波依存性をエキシマレーザ光照射によ
り解消することができた。
M偏光の光スペクトル特性が一致し、1.3μm付近の
信号光における偏波依存性をエキシマレーザ光照射によ
り解消することができた。
【0045】以上の結果により、本実施例1によれば、
MZ干渉計の複屈折が調節可能であることが確認され
た。
MZ干渉計の複屈折が調節可能であることが確認され
た。
【0046】なお、GeO2濃度に関しては、MZ干渉
計の長さにより調節が可能であるから、特に制限するも
のではない。また、前記実施例1では、ドーパントとし
てGeO2を用いたが、そのほかにTiO2,Ce2O3な
ど紫外領域に吸収を有し、紫外線に敏感なドーパントと
して用いてもよい。
計の長さにより調節が可能であるから、特に制限するも
のではない。また、前記実施例1では、ドーパントとし
てGeO2を用いたが、そのほかにTiO2,Ce2O3な
ど紫外領域に吸収を有し、紫外線に敏感なドーパントと
して用いてもよい。
【0047】(実施例2)本実施例2では、石英系ガラ
ス導波路により、MZ干渉計光回路を構成し、KrFエ
キシマレーザ光を照射することにより、偏波分離光回路
を作製した。
ス導波路により、MZ干渉計光回路を構成し、KrFエ
キシマレーザ光を照射することにより、偏波分離光回路
を作製した。
【0048】図4は、本実施例2の偏波分離光回路の製
造装置の構成概念図であって、1e,1fは方向性結合
器、2e,2fは導波路、3e,3f,3g,3hは光
ファイバ、4bはシリコン基板、6はエキシマレーザ、
7はミラー、8a,8bはレンズである。
造装置の構成概念図であって、1e,1fは方向性結合
器、2e,2fは導波路、3e,3f,3g,3hは光
ファイバ、4bはシリコン基板、6はエキシマレーザ、
7はミラー、8a,8bはレンズである。
【0049】まず、通常の方法でシリコン基板上にGe
O2添加石英系ガラス導波路型MZ干渉計を作製した。
導波路のコアは矩形であり、サイズは7×7μmであ
る。コアとクラッドの屈折率差は0.75%とした。方
向性結合器1eと1fでは結合率が波長1.3μmでほ
ぼ50%になるようにした。
O2添加石英系ガラス導波路型MZ干渉計を作製した。
導波路のコアは矩形であり、サイズは7×7μmであ
る。コアとクラッドの屈折率差は0.75%とした。方
向性結合器1eと1fでは結合率が波長1.3μmでほ
ぼ50%になるようにした。
【0050】本実施例2では、7のミラーと8a,8b
のレンズを駆使することにより、導波路2eに局所的
に、エキシマレーザ光を照射し、導波路2eの複屈折を
調整し、光ファイバ3eからTE偏波の光を入射したと
きには光ファイバ3h、TM偏波の光を入射したときに
は光ファイバ3gから出力光が得られるようにした。
のレンズを駆使することにより、導波路2eに局所的
に、エキシマレーザ光を照射し、導波路2eの複屈折を
調整し、光ファイバ3eからTE偏波の光を入射したと
きには光ファイバ3h、TM偏波の光を入射したときに
は光ファイバ3gから出力光が得られるようにした。
【0051】図5は、光ファイバ3eから光を入射した
時の光ファイバ3hからの出力光の挿入損失(Inserti
on loss)特性を示す。図5において、TE’、TM’
は照射後の光出力である。光ファイバ3hからの出力光
は所望の光周波数(相対光周波数:Relative frequenc
y :24GHz)において、TE偏波の光がTM偏波の
光に比べ20dB以上の強度で得られていることが示さ
れている。
時の光ファイバ3hからの出力光の挿入損失(Inserti
on loss)特性を示す。図5において、TE’、TM’
は照射後の光出力である。光ファイバ3hからの出力光
は所望の光周波数(相対光周波数:Relative frequenc
y :24GHz)において、TE偏波の光がTM偏波の
光に比べ20dB以上の強度で得られていることが示さ
れている。
【0052】以上の説明からわかるように、本実施例2
によれば、このMZ干渉計光回路は、TE,TMの偏波
分離機能を付加することができる。
によれば、このMZ干渉計光回路は、TE,TMの偏波
分離機能を付加することができる。
【0053】本発明は、光ファイバ3e,3f,3g,
3hに偏波保持性を有する光ファイバを用いることを妨
げるものではない。
3hに偏波保持性を有する光ファイバを用いることを妨
げるものではない。
【0054】以上、本発明を実施例に基づき具体的に説
明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲において変更し得ること
はいうまでもない。
明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲において変更し得ること
はいうまでもない。
【0055】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、従来の光回路の製造法の変更を必要とせずに効果的
かつ簡便に特性が調節された光回路を提供することがで
きる。また、本発明はすでに作製された光回路を対象と
して実施されるため規格外の出力特性の回路を所望の特
性にすることができ、光回路の生産性が向上する利点が
ある。
ば、従来の光回路の製造法の変更を必要とせずに効果的
かつ簡便に特性が調節された光回路を提供することがで
きる。また、本発明はすでに作製された光回路を対象と
して実施されるため規格外の出力特性の回路を所望の特
性にすることができ、光回路の生産性が向上する利点が
ある。
【図1】 本発明の原理を説明するためのMZ干渉計光
回路の概略構成図、
回路の概略構成図、
【図2】 本発明の実施例1で使用した光学系と導波路
の配置図、
の配置図、
【図3】 本実施例1で使用した導波路の出力光波長ス
ペクトル特性を示す図、
ペクトル特性を示す図、
【図4】 本発明の実施例2で使用した光学系と導波路
の配置図、
の配置図、
【図5】 本実施例2の相対光周波数ー挿入損失特性を
示す図。
示す図。
1a,1b,1c,1d,1e,1f…方向性結合器、
2a,2b,2c,2d…光導波路、3a,3b,3
c,3d,3e,3f,3g,3h…光ファイバ、4
a,4b…導波路付きシリコン基板、5…レーザ光遮蔽
マスク、6…エキシマレーザ、7…ミラー、8a…レン
ズ、8b…シリンドリカルレンズ。
2a,2b,2c,2d…光導波路、3a,3b,3
c,3d,3e,3f,3g,3h…光ファイバ、4
a,4b…導波路付きシリコン基板、5…レーザ光遮蔽
マスク、6…エキシマレーザ、7…ミラー、8a…レン
ズ、8b…シリンドリカルレンズ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 裕朗 東京都千代田区内幸町一丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内
Claims (5)
- 【請求項1】 平面基板上に、光を伝搬する石英系ガラ
スを素材として作成されたコア部と、該コア部の周りの
屈折率の低いクラッド部からなる光導波路を有する光回
路において、前記導波路に可視又は紫外領域の光を照射
して当該導波路の複屈折値を所定値に設定したことを特
徴とする光回路。 - 【請求項2】 紫外領域の光に敏感なドーパントを、前
記光導波路に添加していることを特徴とする請求項1記
載の光回路。 - 【請求項3】 紫外線に敏感なドーパントとしてGeO
2を用いることを特徴とする請求項2記載の光回路。 - 【請求項4】 前記光導波路の一部がMZ干渉計回路を
構成し、干渉計を構成する少なくとも片方の導波路コア
部に可視又は紫外線領域の光を照射して当該導波路コア
部の複屈折値を所定値に設定したことを特徴とする請求
項1乃至3のうちいずれか1項に記載の光回路。 - 【請求項5】 基板上にクラッド層に埋没された光伝搬
作用をもつコア部を含む単一モード光導波路を形成する
工程と、前記単一モード光導波路に可視又は紫外光レー
ザ光を照射して前記コア部の複屈折値を調整する工程と
を有することを特徴とする光回路の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20788292A JP3090293B2 (ja) | 1992-08-04 | 1992-08-04 | 光回路及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20788292A JP3090293B2 (ja) | 1992-08-04 | 1992-08-04 | 光回路及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0651145A true JPH0651145A (ja) | 1994-02-25 |
JP3090293B2 JP3090293B2 (ja) | 2000-09-18 |
Family
ID=16547124
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20788292A Expired - Lifetime JP3090293B2 (ja) | 1992-08-04 | 1992-08-04 | 光回路及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3090293B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000047046A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-02-18 | Toshiyuki Watanabe | 屈折率分布型光学成形体の製造方法 |
JP2001311847A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-11-09 | Nec Corp | 屈折率の修正方法、屈折率の修正装置、及び光導波路デバイス |
WO2003003104A1 (fr) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif de compensation de dispersion de polarisation |
WO2004040358A3 (de) * | 2002-10-29 | 2004-07-22 | Infineon Technologies Ag | Optisches bauelement mit einer mach-zehnder-struktur |
US6807322B2 (en) | 2002-02-19 | 2004-10-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | PMD compensating apparatus for controlling polarization controller based on detection of magnitude of waveform distortion |
US7046881B2 (en) | 2001-07-30 | 2006-05-16 | Fujikura, Ltd. | Manufacturing method for optical coupler/splitter and method for adjusting optical characteristics of planar lightwave circuit device |
JP2008039670A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Pdf測定方法および装置 |
WO2009028029A1 (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-05 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | 偏波無依存導波型光干渉回路 |
-
1992
- 1992-08-04 JP JP20788292A patent/JP3090293B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
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US7046881B2 (en) | 2001-07-30 | 2006-05-16 | Fujikura, Ltd. | Manufacturing method for optical coupler/splitter and method for adjusting optical characteristics of planar lightwave circuit device |
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US8346030B2 (en) | 2007-08-24 | 2013-01-01 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Polarization-independent waveguide-type optical interference circuit |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3090293B2 (ja) | 2000-09-18 |
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