JPH0659142A - 光方向性結合器及びその製造方法 - Google Patents
光方向性結合器及びその製造方法Info
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- JPH0659142A JPH0659142A JP21309692A JP21309692A JPH0659142A JP H0659142 A JPH0659142 A JP H0659142A JP 21309692 A JP21309692 A JP 21309692A JP 21309692 A JP21309692 A JP 21309692A JP H0659142 A JPH0659142 A JP H0659142A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光方向性結合器及びその製造方法に関し、所
定の波長特性が精度良く設計どおり得られる光方向性結
合器を提供することを目的とする。 【構成】 シリコン基板５の表面に形成する第１の光導
波路10と第２の光導波路20のそれぞれのほぼ中央部を、
所定長近接・平行して光結合部10-1,20-1 を設けること
で構成される光方向性結合器において、それぞれの光結
合部10-1,20-1 の導波路の外側に、所望の距離を隔てて
平行する高さが光結合部の高さに等しいガラス堤防30
が、形成された構成とする。
定の波長特性が精度良く設計どおり得られる光方向性結
合器を提供することを目的とする。 【構成】 シリコン基板５の表面に形成する第１の光導
波路10と第２の光導波路20のそれぞれのほぼ中央部を、
所定長近接・平行して光結合部10-1,20-1 を設けること
で構成される光方向性結合器において、それぞれの光結
合部10-1,20-1 の導波路の外側に、所望の距離を隔てて
平行する高さが光結合部の高さに等しいガラス堤防30
が、形成された構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光方向性結合器及びそ
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来例の平面図、図５の(A),
(B) は従来の製造工程を示す図である。図において、10
は、シリコン基板５の表面に形成したアンダクラッド層
６上に、設けた石英系の第１の光導波路である。
(B) は従来の製造工程を示す図である。図において、10
は、シリコン基板５の表面に形成したアンダクラッド層
６上に、設けた石英系の第１の光導波路である。
【０００３】20は、シリコン基板５の表面に形成したア
ンダクラッド層６上に、第１の光導波路10に平行に設け
た第２の光導波路である。第１の光導波路10と第２の光
導波路20とは、それぞれのほぼ中央部を屈曲して、所定
長（結合長Ｌ) だけ近接（導波路間隔ｄ）させ、第１の
光導波路10に光結合部10-1を第２の光導波路20に光結合
部20-2を設けている。
ンダクラッド層６上に、第１の光導波路10に平行に設け
た第２の光導波路である。第１の光導波路10と第２の光
導波路20とは、それぞれのほぼ中央部を屈曲して、所定
長（結合長Ｌ) だけ近接（導波路間隔ｄ）させ、第１の
光導波路10に光結合部10-1を第２の光導波路20に光結合
部20-2を設けている。
【０００４】そして、第１の光導波路10，第２の光導波
路20を含むアンダクラッド層６の全表面を、オーバクラ
ッド層７で覆うている。なお、第１の光導波路10及び第
２の光導波路20の断面は、それぞれ一辺が約10μm の正
方形であり、導波路間隔ｄは約２μm である。
路20を含むアンダクラッド層６の全表面を、オーバクラ
ッド層７で覆うている。なお、第１の光導波路10及び第
２の光導波路20の断面は、それぞれ一辺が約10μm の正
方形であり、導波路間隔ｄは約２μm である。
【０００５】上述のような一対の光導波路の一方の第１
の光導波路10を進行する光の光電界分布は、クラッドを
経て隣接した他の第２の光導波路20のコアまで広がった
光電界分布である。
の光導波路10を進行する光の光電界分布は、クラッドを
経て隣接した他の第２の光導波路20のコアまで広がった
光電界分布である。
【０００６】したがって、第１の光導波路10を進行した
光が光結合部10-1の始端に達すると、第２の光導波路20
に電界振幅が等しい偶対称モードと奇対称モードが同相
で励起され、これらのモードが結合領域を伝搬していく
につれて、２つモード間に位相差が生じ、この位相差が
πになる伝搬距離( 即ち結合長Ｌ) に達すると、第１の
光導波路10から第２の光導波路20へ光パワーが100 ％移
行する。
光が光結合部10-1の始端に達すると、第２の光導波路20
に電界振幅が等しい偶対称モードと奇対称モードが同相
で励起され、これらのモードが結合領域を伝搬していく
につれて、２つモード間に位相差が生じ、この位相差が
πになる伝搬距離( 即ち結合長Ｌ) に達すると、第１の
光導波路10から第２の光導波路20へ光パワーが100 ％移
行する。
【０００７】よって、光結合部10-1，20-1の導波路間隔
ｄ, 結合長Ｌ, 及び屈折率差（導波路のコアの屈折率と
クラッドの屈折率と差）を選択することで、光方向性結
合器となる。
ｄ, 結合長Ｌ, 及び屈折率差（導波路のコアの屈折率と
クラッドの屈折率と差）を選択することで、光方向性結
合器となる。
【０００８】即ち、第１の光導波路10の入力側ポート11
から波長λ1(1.31μm)と波長λ2(1.55μm)の光が進行す
ると、波長λ2 の光は光結合部10-1，20-2で、光導波路
間を２回結合して、第１の光導波路10の出力側ポート12
から出射する。
から波長λ1(1.31μm)と波長λ2(1.55μm)の光が進行す
ると、波長λ2 の光は光結合部10-1，20-2で、光導波路
間を２回結合して、第１の光導波路10の出力側ポート12
から出射する。
【０００９】また、波長λ1 の光は結合部10-1,20-1
で、光導波路間を１回結合して、第２の光導波路20の出
力側ポート22から出射する。上述のような光方向性結合
器の波長特性は、導波路間隔ｄ，結合長Ｌ及び屈折率差
に依存する。特に導波路間隔は波長特性に大いに影響す
る。
で、光導波路間を１回結合して、第２の光導波路20の出
力側ポート22から出射する。上述のような光方向性結合
器の波長特性は、導波路間隔ｄ，結合長Ｌ及び屈折率差
に依存する。特に導波路間隔は波長特性に大いに影響す
る。
【００１０】上述のような光方向性結合器は、下記のよ
うにして製造される。まず、シリコン基板５の全表面
に、火炎法又はＣＶＤ法等で、SiO2に P2O5 とB2O3をド
ープしたクラッド用ガラススート層を堆積形成し、さら
にクラッド用ガラススート層の上層にSiO2にGeO2をドー
プしたコア用ガラススート層を堆積形成する。
うにして製造される。まず、シリコン基板５の全表面
に、火炎法又はＣＶＤ法等で、SiO2に P2O5 とB2O3をド
ープしたクラッド用ガラススート層を堆積形成し、さら
にクラッド用ガラススート層の上層にSiO2にGeO2をドー
プしたコア用ガラススート層を堆積形成する。
【００１１】そして、約1350℃に加熱して、クラッド用
ガラススート層をガラス化して低屈折率のアンダクラッ
ド層６に、コア用ガラススート層をガラス化して高屈折
率のコア層とする。
ガラススート層をガラス化して低屈折率のアンダクラッ
ド層６に、コア用ガラススート層をガラス化して高屈折
率のコア層とする。
【００１２】次に、コア層の表面にフォトリソグラフィ
手法により所望のパターンマスクを設け、反応性イオン
エッチング法でエッチングして、不要のコア層部分を除
去してアンダクラッド層６上に、光結合部10-1を含む第
１の光導波路10と、光結合部20-2を含む光結合部20-2を
設ける。
手法により所望のパターンマスクを設け、反応性イオン
エッチング法でエッチングして、不要のコア層部分を除
去してアンダクラッド層６上に、光結合部10-1を含む第
１の光導波路10と、光結合部20-2を含む光結合部20-2を
設ける。
【００１３】そして火炎法又はＣＶＤ法等で、図５の
(A) に図示したように、SiO2に P2O5とB2O3をドープし
たオーバクラッド用ガラススート7Aを堆積形成する。次
に、約1150℃に加熱して、図５の(B) に図示したよう
に、オーバクラッド用ガラススート7Aをガラス化して低
屈折率のオーバクラッド層７にする。
(A) に図示したように、SiO2に P2O5とB2O3をドープし
たオーバクラッド用ガラススート7Aを堆積形成する。次
に、約1150℃に加熱して、図５の(B) に図示したよう
に、オーバクラッド用ガラススート7Aをガラス化して低
屈折率のオーバクラッド層７にする。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】ところで上述の光方向
性結合器は、光結合部の導波路間隔が非常に小さいの
で、オーバクラッド用ガラススートを堆積形成した際
に、光結合部の導波路間に堆積するオーバクラッド用ガ
ラススートの密度が他の部分より粗い。
性結合器は、光結合部の導波路間隔が非常に小さいの
で、オーバクラッド用ガラススートを堆積形成した際
に、光結合部の導波路間に堆積するオーバクラッド用ガ
ラススートの密度が他の部分より粗い。
【００１５】このことにより、オーバクラッド用ガラス
スートを加熱してガラス化すると、図５の(B) に図示し
たように、光結合部のコアの上部が互いに近寄る方向に
倒れる。
スートを加熱してガラス化すると、図５の(B) に図示し
たように、光結合部のコアの上部が互いに近寄る方向に
倒れる。
【００１６】即ち、従来の光方向性結合器は、光結合部
の導波路間隔が所定の寸法よりも小さくなり、このため
に所望の波長特性が精度良く得られないという問題点が
あった。
の導波路間隔が所定の寸法よりも小さくなり、このため
に所望の波長特性が精度良く得られないという問題点が
あった。
【００１７】本発明はこのような点に鑑みて創作された
もので、所定の波長特性のものが容易に得られる光方向
性結合器を提供することを目的としている。
もので、所定の波長特性のものが容易に得られる光方向
性結合器を提供することを目的としている。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、図１に例示したように、シリコン基板５
の表面に形成する第１の光導波路10と第２の光導波路20
のそれぞれのほぼ中央部を、所定長近接・平行して光結
合部10-1,20-1 を設けることで構成される光方向性結合
器において、それぞれの光結合部10-1,20-1 の導波路の
外側に所望の距離を隔てて平行する、高さが光結合部の
高さに等しいガラス堤防30を、形成した構成とする。
めに本発明は、図１に例示したように、シリコン基板５
の表面に形成する第１の光導波路10と第２の光導波路20
のそれぞれのほぼ中央部を、所定長近接・平行して光結
合部10-1,20-1 を設けることで構成される光方向性結合
器において、それぞれの光結合部10-1,20-1 の導波路の
外側に所望の距離を隔てて平行する、高さが光結合部の
高さに等しいガラス堤防30を、形成した構成とする。
【００１９】或いは、図２に例示したように、対向する
光結合部10-1,20-1 の導波路に、高さが光結合部の高さ
に等しいガラス連結堤40を、梯子状に形成した構成とす
る。またその製造方法は、シリコン基板５の表面に、ア
ンダクラッド層６とコア層１とを重畳して設け、次にコ
ア層１をエッチングして第１の光導波路10及び第２の光
導波路20を設ける際に同時に、ガラス堤防30又はガラス
連結堤40をエッチング形成するものとする。
光結合部10-1,20-1 の導波路に、高さが光結合部の高さ
に等しいガラス連結堤40を、梯子状に形成した構成とす
る。またその製造方法は、シリコン基板５の表面に、ア
ンダクラッド層６とコア層１とを重畳して設け、次にコ
ア層１をエッチングして第１の光導波路10及び第２の光
導波路20を設ける際に同時に、ガラス堤防30又はガラス
連結堤40をエッチング形成するものとする。
【００２０】
【作用】請求項１の発明は、平行して近接した光結合部
の導波路のそれぞれの外側に、ガラス堤防が形成されて
いるので、ガラス堤防と光結合部の導波路間に堆積する
オーバクラッド用ガラススートの堆積量が少ない。
の導波路のそれぞれの外側に、ガラス堤防が形成されて
いるので、ガラス堤防と光結合部の導波路間に堆積する
オーバクラッド用ガラススートの堆積量が少ない。
【００２１】したがって、オーバクラッド用ガラススー
トをガラス化する際に、光結合部のそれぞれの導波路を
内側方向に押す圧力が小さい。よって、光結合部の導波
路が内側に倒れることがなく、整然とした所定の断面角
形の導波路となり、光結合部の導波路間隔が所定に維持
される。
トをガラス化する際に、光結合部のそれぞれの導波路を
内側方向に押す圧力が小さい。よって、光結合部の導波
路が内側に倒れることがなく、整然とした所定の断面角
形の導波路となり、光結合部の導波路間隔が所定に維持
される。
【００２２】よって、設計時に期待した所定の波長特性
が得られる。なお、光結合部の導波路とガラス堤防との
間隔を導波路間隔の数十倍とすることで、光導波路を進
行する光の光電界がこのガラス堤防まで達しない。これ
とともにガラス堤防の幅をコアの幅よりも充分に大きく
（例えば200 μm 程度) すれば、電界は堤防側に漏れ込
まない。したがって、ガラス堤防が存在することによる
波長特性の低下がない。
が得られる。なお、光結合部の導波路とガラス堤防との
間隔を導波路間隔の数十倍とすることで、光導波路を進
行する光の光電界がこのガラス堤防まで達しない。これ
とともにガラス堤防の幅をコアの幅よりも充分に大きく
（例えば200 μm 程度) すれば、電界は堤防側に漏れ込
まない。したがって、ガラス堤防が存在することによる
波長特性の低下がない。
【００２３】請求項２の発明は、平行して近接した光結
合部にガラス連結堤を梯子状に設けている。したがっ
て、オーバクラッド用ガラススートをガラス化する際
に、光結合部のそれぞれの導波路を内側方向に押す圧力
が負荷されるが、ガラス連結堤がステイの機能を有する
ので、光結合部の導波路が内側に倒れることがなく、整
然とした所定の断面角形の導波路となり、光結合部の導
波路間隔が所定に維持される。
合部にガラス連結堤を梯子状に設けている。したがっ
て、オーバクラッド用ガラススートをガラス化する際
に、光結合部のそれぞれの導波路を内側方向に押す圧力
が負荷されるが、ガラス連結堤がステイの機能を有する
ので、光結合部の導波路が内側に倒れることがなく、整
然とした所定の断面角形の導波路となり、光結合部の導
波路間隔が所定に維持される。
【００２４】よって、設計時に期待した所定の波長特性
が得られる。なお、ガラス連結堤40はそれぞれの光結合
部の導波路に直交しているので、ガラス連結堤の存在
は、波長特性に殆ど影響しない。
が得られる。なお、ガラス連結堤40はそれぞれの光結合
部の導波路に直交しているので、ガラス連結堤の存在
は、波長特性に殆ど影響しない。
【００２５】一方、ガラス堤防及びガラス連結堤は、第
１，第２の光導波路を形成する際に、同時に設けるもの
である。即ち、製造工数及び製造工程が従来の光方向性
結合器の製造方法よりも増加することがない。即ち、ガ
ラス堤防或いはガラス連結堤を設けることにより光方向
性結合器がコスト高にならない。
１，第２の光導波路を形成する際に、同時に設けるもの
である。即ち、製造工数及び製造工程が従来の光方向性
結合器の製造方法よりも増加することがない。即ち、ガ
ラス堤防或いはガラス連結堤を設けることにより光方向
性結合器がコスト高にならない。
【００２６】
【実施例】以下図を参照しながら、本発明を具体的に説
明する。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示
す。
明する。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示
す。
【００２７】図１は、本発明の実施例の図で、(A) は平
面図、(B) は断面図、図２は本発明の他の実施例の図
で、(A) は平面図、(B) は断面図である。また図３は本
発明の製造工程を示す図である。
面図、(B) は断面図、図２は本発明の他の実施例の図
で、(A) は平面図、(B) は断面図である。また図３は本
発明の製造工程を示す図である。
【００２８】図１において、シリコン基板５の表面に形
成したアンダクラッド層６上に、石英系の第１の光導波
路10と、第１の光導波路10に平行に第２の光導波路20を
設け、第１の光導波路10と第２の光導波路20のそれぞれ
のほぼ中央部を屈曲して、所定長の近接（導波路間隔ｄ
は約２μm ）した、第１の光導波路10に光結合部10-1を
第２の光導波路20に光結合部20-2を設けている。
成したアンダクラッド層６上に、石英系の第１の光導波
路10と、第１の光導波路10に平行に第２の光導波路20を
設け、第１の光導波路10と第２の光導波路20のそれぞれ
のほぼ中央部を屈曲して、所定長の近接（導波路間隔ｄ
は約２μm ）した、第１の光導波路10に光結合部10-1を
第２の光導波路20に光結合部20-2を設けている。
【００２９】この第１の光導波路10及び第２の光導波路
20の断面はそれぞれ一辺が10μm 程度の正方形である。
また、それぞれの光結合部10-1,20-1 の導波路の外側に
所望の距離Ｄ（50μm前後) を隔てて平行する、高さが
光結合部の高さに等しい、幅が 200μm 程度のガラス堤
防30を設けている。
20の断面はそれぞれ一辺が10μm 程度の正方形である。
また、それぞれの光結合部10-1,20-1 の導波路の外側に
所望の距離Ｄ（50μm前後) を隔てて平行する、高さが
光結合部の高さに等しい、幅が 200μm 程度のガラス堤
防30を設けている。
【００３０】そして、第１, 第２の光導波路10,20 及び
それぞれのガラス堤防30を含むアンダクラッド層６の全
表面を、オーバクラッド層７で覆うている。上述のよう
に構成された光方向性結合器は、光結合部の導波路が内
側に倒れることがなく、整然とした断面正方形である。
それぞれのガラス堤防30を含むアンダクラッド層６の全
表面を、オーバクラッド層７で覆うている。上述のよう
に構成された光方向性結合器は、光結合部の導波路が内
側に倒れることがなく、整然とした断面正方形である。
【００３１】よって、第１の光導波路10の入力側ポート
11から波長λ1 と波長λ2 の光が進行すると、波長λ2
の光は光結合部10-1，20-2で光導波路間を２回結合し
て、第１の光導波路10の出力側ポート12から出射する。
そして、波長λ1 の光は結合部10-1,20-1 で、光導波路
間を１回結合して、第２の光導波路20の出力側ポート22
から出射し、波長特性が低下することがない。
11から波長λ1 と波長λ2 の光が進行すると、波長λ2
の光は光結合部10-1，20-2で光導波路間を２回結合し
て、第１の光導波路10の出力側ポート12から出射する。
そして、波長λ1 の光は結合部10-1,20-1 で、光導波路
間を１回結合して、第２の光導波路20の出力側ポート22
から出射し、波長特性が低下することがない。
【００３２】図２において、シリコン基板５の表面に形
成したアンダクラッド層６上に、石英系の第１の光導波
路10と、第１の光導波路10に平行に第２の光導波路20を
設け、第１の光導波路10と第２の光導波路20のそれぞれ
のほぼ中央部を屈曲して、所定長の近接（導波路間隔ｄ
は約２μm ）した、第１の光導波路10に光結合部10-1を
第２の光導波路20に光結合部20-2を設けている。
成したアンダクラッド層６上に、石英系の第１の光導波
路10と、第１の光導波路10に平行に第２の光導波路20を
設け、第１の光導波路10と第２の光導波路20のそれぞれ
のほぼ中央部を屈曲して、所定長の近接（導波路間隔ｄ
は約２μm ）した、第１の光導波路10に光結合部10-1を
第２の光導波路20に光結合部20-2を設けている。
【００３３】この第１の光導波路10及び第２の光導波路
20の断面はそれぞれ一辺が約10μmの正方形である。そ
して対向して平行する光結合部10-1,20-1 の導波路に、
高さが光結合部の高さに等しいガラス連結堤40を、梯子
状に設けている。
20の断面はそれぞれ一辺が約10μmの正方形である。そ
して対向して平行する光結合部10-1,20-1 の導波路に、
高さが光結合部の高さに等しいガラス連結堤40を、梯子
状に設けている。
【００３４】そして、第１, 第２の光導波路10,20 及び
それぞれのガラス連結堤40を含むアンダクラッド層６の
全表面を、オーバクラッド層７で覆うている。上述の光
方向性結合器は、光結合部の導波路が内側に倒れること
がなく、整然とした断面正方形であるので、波長特性が
低下することがない。
それぞれのガラス連結堤40を含むアンダクラッド層６の
全表面を、オーバクラッド層７で覆うている。上述の光
方向性結合器は、光結合部の導波路が内側に倒れること
がなく、整然とした断面正方形であるので、波長特性が
低下することがない。
【００３５】以下、請求項１に記載の光方向性結合器の
製造方法を、図３を参照しながら説明する。まず、図３
の(A) に図示したように、火炎法又はＣＶＤ法等で、シ
リコン基板５の全表面に、SiO2に P2O5 とB2O3をドープ
した所望の厚さのアンダクラッド用ガラススート6Aを堆
積形成し、さらにアンダクラッド用ガラススート6Aの上
層に所望の厚さの、SiO2にGeO2をドープしたコア用ガラ
ススート層1Aを重畳して堆積させる。
製造方法を、図３を参照しながら説明する。まず、図３
の(A) に図示したように、火炎法又はＣＶＤ法等で、シ
リコン基板５の全表面に、SiO2に P2O5 とB2O3をドープ
した所望の厚さのアンダクラッド用ガラススート6Aを堆
積形成し、さらにアンダクラッド用ガラススート6Aの上
層に所望の厚さの、SiO2にGeO2をドープしたコア用ガラ
ススート層1Aを重畳して堆積させる。
【００３６】そして、約1350℃に加熱して、図３の(B)
に図示したように、クラッド用ガラススート層をガラス
化して低屈折率の約５μm 厚のアンダクラッド層６に、
コア用ガラススート層をガラス化して高屈折率の10μm
厚のコア層とする。
に図示したように、クラッド用ガラススート層をガラス
化して低屈折率の約５μm 厚のアンダクラッド層６に、
コア用ガラススート層をガラス化して高屈折率の10μm
厚のコア層とする。
【００３７】次に、コア層の表面にフォトリソグラフィ
手法により所望のパターンマスクを設け、反応性イオン
エッチング法でエッチングして、不要のコア層部分を除
去してアンダクラッド層６上に、図３の(C) に図示した
ように、光結合部10-1を含む第１の光導波路10と、光結
合部20-2を含む光結合部20-2と、それぞれの光結合部10
-1,20-1 の導波路の外側に約50μm の間隙を隔てて、断
面矩形状（幅は約200μm ）のガラス堤防30を設ける。
手法により所望のパターンマスクを設け、反応性イオン
エッチング法でエッチングして、不要のコア層部分を除
去してアンダクラッド層６上に、図３の(C) に図示した
ように、光結合部10-1を含む第１の光導波路10と、光結
合部20-2を含む光結合部20-2と、それぞれの光結合部10
-1,20-1 の導波路の外側に約50μm の間隙を隔てて、断
面矩形状（幅は約200μm ）のガラス堤防30を設ける。
【００３８】そして火炎法又はＣＶＤ法等で、図３の
(D) に図示したように、SiO2に P2O5とB2O3をドープし
たオーバクラッド用ガラススート7Aを堆積形成する。次
に、約1150℃に加熱して、図３の(E) に図示したよう
に、オーバクラッド用ガラススート7Aをガラス化して低
屈折率のオーバクラッド層７とする。
(D) に図示したように、SiO2に P2O5とB2O3をドープし
たオーバクラッド用ガラススート7Aを堆積形成する。次
に、約1150℃に加熱して、図３の(E) に図示したよう
に、オーバクラッド用ガラススート7Aをガラス化して低
屈折率のオーバクラッド層７とする。
【００３９】なお、請求項２のガラス連結堤40も、前述
と同様に光導波路を形成する工程で同時に形成されるも
のである。上述のように本発明の製造方法は、製造工数
及び製造工程が従来の製造方法よりも増加することがな
いので、得られる光方向性結合器がコスト高にならな
い。
と同様に光導波路を形成する工程で同時に形成されるも
のである。上述のように本発明の製造方法は、製造工数
及び製造工程が従来の製造方法よりも増加することがな
いので、得られる光方向性結合器がコスト高にならな
い。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、それぞれ
の光結合部の導波路の外側にガラス堤防を設ける。或い
は対向する光結合部の導波路に、ガラス連結堤を梯子状
に設けたことにより、光結合部の導波路が内側に倒れる
ことがなく、整然とした所定の断面角形の導波路とな
り、光結合部の導波路間隔が所定に維持される。
の光結合部の導波路の外側にガラス堤防を設ける。或い
は対向する光結合部の導波路に、ガラス連結堤を梯子状
に設けたことにより、光結合部の導波路が内側に倒れる
ことがなく、整然とした所定の断面角形の導波路とな
り、光結合部の導波路間隔が所定に維持される。
【００４１】したがって、設計時に期待した所定の波長
特性が得られるという、実用上で優れた効果を奏する。
また、本発明の製造方法は、第１，第２の光導波路を形
成する際に同時にガラス堤防またはガラス連結堤を形成
することができるので、得られる光方向性結合器がコス
ト高にならない。
特性が得られるという、実用上で優れた効果を奏する。
また、本発明の製造方法は、第１，第２の光導波路を形
成する際に同時にガラス堤防またはガラス連結堤を形成
することができるので、得られる光方向性結合器がコス
ト高にならない。
【図１】 本発明の実施例の図で(A) は平面図(B) は断
面図
面図
【図２】 本発明の他の実施例の図で(A) は平面図(B)
は断面図
は断面図
【図３】 本発明の製造工程を示す図
【図４】 従来例の平面図
【図５】 従来の製造工程を示す図
１ コア層 1A コア用ガラススート ５ シリコン基板 ６ アンダクラッド層 6A アンダクラッド用ガラススート ７ オーバクラッド層 7A オーバクラッド用ガラススート 10 第１の光導波路 20 第２の光導波路 10-1,20-1 光結合部 30 ガラス堤防 40 ガラス連結堤
フロントページの続き (72)発明者 磯野 秀樹 北海道札幌市中央区北一条西２丁目１番地 富士通北海道ディジタル・テクノロジ株 式会社内 (72)発明者 海藤 義彦 北海道札幌市中央区北一条西２丁目１番地 富士通北海道ディジタル・テクノロジ株 式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコン基板(5) の表面に形成する第１
の光導波路(10)と第２の光導波路(20)のそれぞれのほぼ
中央部を、所定長近接・平行して光結合部(10-1,20-1)
を設けることで構成される光方向性結合器において、 それぞれの該光結合部(10-1,20-1) の導波路の外側に、
所望の距離を隔てて平行する、高さが該光結合部の高さ
に等しいガラス堤防(30)が、形成されてなることを特徴
とする光方向性結合器。 - 【請求項２】 シリコン基板(5) の表面に形成する第１
の光導波路(10)と第２の光導波路(20)のそれぞれのほぼ
中央部を、所定長近接・平行して光結合部(10-1,20-1)
を設けることで構成される光方向性結合器において、 対向する該光結合部(10-1,20-1) の導波路に、高さが該
光結合部の高さに等しいガラス連結堤(40)が、梯子状に
形成されてなることを特徴とする光方向性結合器。 - 【請求項３】 シリコン基板(5) の表面に、アンダクラ
ッド層(6) とコア層(1) とを重畳して設け、 次に該コア層(1) をエッチングして第１の光導波路(10)
及び第２の光導波路(20)を設ける際に、請求項１記載の
ガラス堤防(30)又は請求項２記載のガラス連結堤(40)
を、同時にエッチング形成することを特徴とする光方向
性結合器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21309692A JPH0659142A (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 光方向性結合器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21309692A JPH0659142A (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 光方向性結合器及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0659142A true JPH0659142A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16633502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21309692A Withdrawn JPH0659142A (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 光方向性結合器及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0659142A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4898462A (en) * | 1987-02-26 | 1990-02-06 | Nippondenso Co., Ltd. | Device for detecting a transmissivity of a substance |
| US5664038A (en) * | 1995-06-27 | 1997-09-02 | Fujitsu Limited | Optical waveguide structure as well as optical wave branching unit, optical wave combining unit, optical selector and optical wave combining and branching unit |
| US6148768A (en) * | 1997-10-30 | 2000-11-21 | Uni-Heartous Corporation | Pet litter for disposal of animal wastes and process for producing the same |
| JP2001221925A (ja) * | 2000-02-08 | 2001-08-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光スポットサイズ変換器およびその作製方法 |
| US20130301990A1 (en) * | 2012-05-11 | 2013-11-14 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Optical waveguide directional coupler |
| US10295743B2 (en) | 2014-08-21 | 2019-05-21 | Renesas Electronics Corporation | Optical semiconductor device, and method for producing the same |
-
1992
- 1992-08-11 JP JP21309692A patent/JPH0659142A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4898462A (en) * | 1987-02-26 | 1990-02-06 | Nippondenso Co., Ltd. | Device for detecting a transmissivity of a substance |
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| US6148768A (en) * | 1997-10-30 | 2000-11-21 | Uni-Heartous Corporation | Pet litter for disposal of animal wastes and process for producing the same |
| JP2001221925A (ja) * | 2000-02-08 | 2001-08-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光スポットサイズ変換器およびその作製方法 |
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| US10295743B2 (en) | 2014-08-21 | 2019-05-21 | Renesas Electronics Corporation | Optical semiconductor device, and method for producing the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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