JPH09329720A - 集積型光導波路およびその製造法 - Google Patents

集積型光導波路およびその製造法

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JPH09329720A
JPH09329720A JP14722196A JP14722196A JPH09329720A JP H09329720 A JPH09329720 A JP H09329720A JP 14722196 A JP14722196 A JP 14722196A JP 14722196 A JP14722196 A JP 14722196A JP H09329720 A JPH09329720 A JP H09329720A
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optical waveguide
optical waveguides
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light
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Michio Oba
道雄 大場
Yasunari Kawabata
康成 川端
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Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 1つの平板透光体中に各々独立した複数の光
導波路を形成しクロストークを大幅に低減させた集積型
光導波路を提供する。 【解決手段】 1つの平板透光体中に各々独立した複数
の光導波路を形成した集積型光導波路において、隣合う
各々独立した光導波路の中間にダミー光導波路を設けて
なる。 【効果】 アイソレーション30dB以上の集積型光導
波路が得られた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光カプラなどの光
部品に用いる光導波路に関し、詳しくは、一つの平板透
光体中に複数の光導波路を形成した集積型光導波路にお
けるクロストークを低減させてなるものである。
【0002】
【従来の技術】光カプラ、光スターカプラ、および光モ
ジュール等の光部品は、光LAN、光通信、光計測制御
等の分野に不可欠のものであり、近年急速に適用範囲が
広まり、これに伴って、性能の向上、および小型化が求
められている。これらの光部品には、光信号を分岐もし
くは合流するため、または、LD、LED、PD等の発
光もしくは受光素子と結合するため光導波路が用いられ
る。光導波路は、光が伝搬する高屈折率のコア部分と、
コア周囲の低屈折率のクラッド部分とからなり、コアと
クラッドの光回路パターンを適正に設計することにより
目的にかなったものが得られる点に特徴がある。
【0003】最近では、多数のコンピュータ間での光通
信のための光配線または光交換機内部の光配線等に、大
規模な光配線も試みられている。これらの用途にも上記
のような光導波路を用いた光部品が利用可能であるが、
従来のものを使用した場合には、光部品を多数必要と
し、光配線も莫大な数にのぼるため、光部品や光配線を
収納するためのスペースを広くとる必要があり、また、
配線に著しい労力を必要とする。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】そこで、より小さいス
ペースで、かつ配線を容易にすることが課題とされる
が、これを達成するためには、個々の光部品を小型化す
るだけでは不十分であり、複数の光部品を一体化するこ
とが必須とされる。光導波路型の光部品は、一つの平板
透光体中に複数の光導波路を所望の寸法で容易に形成で
きることから、目的に適したものといえる。このような
集積型光導波路の一例として、一つの平板透光体中に2
分岐の光導波路を2系統有する光導波路の例を図7に示
した。
【0005】しかしながら、一つの平板透光体中に複数
の各々独立した光導波路を形成した集積型光導波路の場
合には、一つの光導波路からその隣の光導波路への漏れ
光が無視できない程度生じるという問題、すなわち、隣
合う光導波路間のクロストークが大きくなってしまうと
いう問題があった。
【0006】本発明では、クロストークの量をアイソレ
ーション(dB)と表現することとし、以下の式で定義
する。 アイソレーション(dB)=−10×log(Pj/Pi) 但し、Piは意図したポートにおける出光パワー、Pjは意
図しないポートにおける出光パワーを示す。例えば、図
7に示した2分岐光導波路を2系統有する集積型光導波
路においては、入光Poに対して、Pi、Pjは図のように対
応する。従って、「クロストークが大きい」と「アイソ
レーションが小さい」は同じ意味を持つ。
【0007】集積型光導波路におけるアイソレーション
は、隣合う光導波路間の距離等によっても異なるが、概
略 10〜20 dB(1/10〜1/100)程度である。クロストーク
が大きい場合には、光信号が意図しない箇所に伝わりシ
ステムの誤動作を生じる可能性が高くなる。クロストー
クがどの程度まで許容されるかは目的により異なり、一
概には論じられないが、信頼性の高い光配線を達成する
ためには、少なくともアイソレーションで20dB以上、よ
り好ましくは30dB以上のレベルが望ましい。本発明は、
クロストークの小さい集積型光導波路を提供することを
目的としてなされたものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本願発明者らは、上記問
題点を解決するため鋭意検討を行った結果、隣合う光導
波路の中間にダミーの光導波路を設けると、漏れ光はダ
ミー光導波路により遮断され、ダミーより遠方の隣の光
導波路には殆ど伝搬せず、結果としてクロストークを大
幅に低減可能であることを見出し、さらに検討を進めて
本発明を完成させた。
【0009】すなわち、本発明は、1つの平板透光体中
に各々独立した複数の光導波路を形成した集積型光導波
路において、隣合う各々独立した光導波路の中間にダミ
ー光導波路を設けてなる集積型光導波路であり、該隣合
う光導波路間のクロストークを低減したことを特徴とす
る。また、本発明は、隣合う各々独立した光導波路間に
設ける該ダミー光導波路の本数が1〜4本の範囲である
集積型光導波路であり、さらに、本発明は、該ダミー光
導波路を設けた集積型光導波路の最も好ましい製造法と
して、光重合性モノマーを含む透光性高分子フィルム
に、光回路パターンを形成したフォトマスクを通して光
照射し、露光部の光重合性モノマーを重合させた後、未
反応モノマーを乾燥除去して光回路を形成する光導波路
の製造法において、該フォトマスクとして請求項1記載
の該ダミー光導波路を有する集積型光導波路パターンを
形成したフォトマスクを用いることを特徴とする集積型
光導波路の製造法である。
【0010】以下に、本発明について詳細に説明する。
図1−a、b、c、dは、本発明のダミー光導波路を設
けた集積型光導波路の例であり、図の斜線部がダミー光
導波路である。まず、ダミー光導波路の幅及び形状につ
いては、光導波路としての機能を果たすものであれば何
等制限はない。例えば、幅は 5〜500 μm程度で、必ず
しも一様な幅にする必要はなく、また、形状としては伝
搬方向に直線で走る光導波路、あるいは隣合う独立した
光導波路と同一形状のものを並行して走らせる等任意に
考えてよい。
【0011】次に、ダミー光導波路の幅方向の設置箇所
については、ダミー光導波路を設ける目的が漏れ光を遮
断することにあることから、隣合う光導波路の中間であ
れば任意の箇所でよく、一方の光導波路寄りの箇所であ
っても、丁度中間の箇所であってもかまわない。また、
伝搬方向の設置箇所に関しては、光導波路の全域に設け
るのが最も効果は大きいが、図1−dのように一部の領
域であってもよい。
【0012】また、ダミー光導波路は1本でも効果は大
きいが、本数を多くすると遮断効果はさらに増大する。
許容されるクロストークの大きさにもよるが、1〜4本
程度でアイソレーションは25〜35dB程度が得られる場合
が多いため、実用上は1〜4本の範囲で十分と考えられ
る。図1−bはダミー光導波路を2本設けた例を示して
いる。
【0013】本発明の集積型光導波路に用いる光導波路
は、光導波路の材料や製造方法に関して何等限定される
ものではないが、特に、光重合性モノマーを含む透光性
高分子フィルムに、光回路パターンを形成したフォトマ
スクを通して光照射し、露光部の光重合性モノマーを重
合させた後、未反応モノマーを乾燥除去して光回路を形
成する選択光重合法(特公昭56-3522 )による高分子光
導波路の製造法において、該フォトマスクとして前記ダ
ミー光導波路を有する集積型光導波路パターンを形成し
たフォトマスクを用いることにより容易に製造できる。
【0014】図8にこの選択光重合法の一例を示した。
光重合性モノマーと増感剤とを所定量含有する透光性高
分子溶液を用い、キャスティング法により、光重合性モ
ノマーを含む透光性高分子フィルムを作製する第1工程
(図8a)、該フィルムにフォトマスクを重ね、光照射
して露光部の光重合性モノマーを重合させる第2工程
(図8b)、真空乾燥により未反応モノマーを除去する
第3工程(図8c)、得られたフィルムの表裏にクラッ
ド層を形成する第4工程(図8d)よりなる。なお、こ
の製造法において、フィルムの表裏に形成するクラッド
層は、光回路フィルムを基板で補強して光回路プレート
を製作する際に、フィルムの固定に用いる接着剤で兼用
することもできる。
【0015】上記選択光重合法は、光重合性モノマーの
種類や濃度を調節することによって光ファイバの開口数
(NA)や寸法に合わせた最適な高分子光回路を容易に製
造できる特徴を有し、安価な製造装置で、精密に製作さ
れたフォトマスクの光回路パターンが高精度に、かつ良
好な収率で高分子フィルムに転写できる利点がある。こ
れらの点から、本発明の集積型光導波路の製造法とし
て、選択光重合法は最適であった。
【0016】
【実施例】以下、実施例により本発明についてさらに詳
しく説明する。なお、以下に例示する実施例は具体的に
説明するためのものであって、本発明の実施態様や発明
範囲を限定するものではない。
【0017】実施例1 (1). フォトマスクの設計、製作 コア径62.5μm、クラッド径 125μm(以下62.5/125と
略)のGI光ファイバ用2分岐回路を2系列集積した光
回路として、図2に示した隣合う各々独立した光導波路
の中間に1本のダミー光導波路を有する光回路を設計
し、石英フォトマスクを製作した。なお、このダミー光
導波路は幅10μmの一定幅であり、隣合う光導波路の丁
度中間を走る直線とした。また、光回路の寸法は、長さ
は12mm、2分岐側の光導波路端部のピッチはすべて 125
μm、1本側のピッチは 250μmとした。
【0018】(2). 光導波路フィルムの製作 光導波路フィルムの製作は、特公昭56-3522 に記載され
た選択光重合法により実施した。すなわち、ビスフェノ
ールZから合成されたポリカーボネート(三菱ガス化学
(株)製、商品名ユーピロンZ)に光重合性モノマーと
してアクリル酸メチル、光重合開始剤としてベンゾイン
エチルエーテルを含むフィルムを作製し、これに上記
(1) で製作したフォトマスクを重ねて、常法に従って紫
外線露光を行い露光部のアクリル酸メチルモノマーを重
合させた。次いで、非露光部のアクリル酸メチルモノマ
ーを真空乾燥して除去し、非露光部がポリカーボネート
の単独相で露光部がポリカーボネートとアクリル酸メチ
ルポリマーの混合相からなる厚さ50μmのポリマーフィ
ルムを得た。
【0019】(3). 光回路部の製作 光導波路を形成したフィルムを、上下のクラッド層を兼
ねる屈折率 1.57 の接着剤を用いて2枚のガラス板で挟
着し光回路部を作製した後、両端を研磨し、以下のよう
に挿入損失を測定し、アイソレーションを算出した。
【0020】(4). 挿入損失の測定、およびアイソレー
ションの算出 作製した集積型光導波路端面の各々の入出光ポートを図
2のように1本側をそれぞれA、B、また、2分岐側を
それぞれ1、2、3、4と符号を付けることにする。波
長0.85μmのLED光源から62.5/125GI光ファイバを
用いて2分岐光回路の一本側のポートAに接続して発光
させ、順次光回路の分岐側のポート1、2、3および4
より出射する光を同一の光ファイバを用いて光パワーメ
ータに導き、それぞれの出射光強度を測定した。
【0021】また、光回路を通さずに、LED光を同一
の光ファイバを用いて直接パワーメータに接続して光強
度を測定し、本測定値を光回路への入射光強度とした。
これらの測定より、以下の式にてポート1、2、3、4
におけるそれぞれの挿入損失を求めた。 挿入損失(dB)=−10×log(出射光強度/入射光強
度) 本測定では、ポート3及び4(意図しないポート)の出
射光はクロストークであり、クロストークの大きさとし
てのアイソレーションは、ポート3、4における挿入損
失の小さい方の値とポート1、2(意図したポート)に
おける挿入損失の大きい方の値との差(dB)として、計算
した。
【0022】同様にして、ポートBへの接続に対して
も、ポート1及び2(意図しないポート)、並びに3及
び4(意図したポート)におけるそれぞれの挿入損失を
求め、同様にアイソレーションを計算した。これらの結
果を表1に示した。(以下の表に示すアイソレーション
の数値はすべて、意図しないポートと意図したポートに
おける挿入損失の差が最小になる組み合わせで計算し
た。)
【0023】
【表1】 入光A 入光B 挿入損失 出光1 * 3.52 34.20 2 3.52 *34.01 3 *34.13 * 3.53 4 34.27 3.53 アイソレーション 30.61 30.48 注) *はアイソレーション算出に用いたデータを示す(単位:dB)。
【0024】実施例2、3 62.5/125GI光ファイバ用2分岐回路を2系列集積した
光回路として、図3、図4に示されるように、ダミー光
導波路の本数をそれぞれ2本 (実施例2)、4本(実施
例3)とした光回路を設計し、石英フォトマスクを製作
した後、実施例1と同様の方法で光回路の作製、および
挿入損失の測定を行い、アイソレーションを算出した。
なお、これらダミー光導波路は、幅5μmとし、各々独
立した光導波路に並行して走る形状とした。結果をそれ
ぞれ表2に示した。
【0025】
【表2】 実施例2(2本) 実施例3(4本) 入光A 入光B 入光A 入光B 挿入損失 出光1 * 3.54 *37.92 * 3.51 *39.08 2 3.54 38.86 3.51 39.80 3 38.15 * 3.64 38.69 3.52 4 *37.41 3.64 *37.97 * 3.54 アイソレーション 33.87 34.28 34.46 35.56 注)* はアイソレーション算出に用いたデータを示す(単位:dB)。
【0026】参考例1 62.5/125GI光ファイバ用2分岐回路を2系列集積した
光回路として、図6に示されるように、図2におけるダ
ミー光導波路を除去した光回路を設計し、石英フォトマ
スクを製作した後、実施例1と同様の方法で光回路の作
製、および挿入損失の測定を行い、アイソレーションを
算出した。結果を表3に示した。
【0027】
【表3】 入光A 入光B 挿入損失 出光1 * 3.52 *21.68 2 3.52 21.85 3 22.86 * 3.53 4 *22.15 3.53 アイソレーション 18.63 18.15 注)* はアイソレーション算出に用いたデータを示す(単位:dB)。
【0028】実施例4 62.5/125GI光ファイバ用2分岐回路を4系列集積した
光回路として、図5に示されるように、隣合う各々独立
した光導波路の中間にダミー光導波路を各2本ずつ有す
る光回路を設計し、石英フォトマスクを製作した後、実
施例1と同様の方法で光回路の作製、および挿入損失の
測定を行い、アイソレーションを算出した。なお、個々
の光導波路、およびダミー光導波路の形状は図3と同一
とした。また、各々の入出光ポートの符号は、図5のよ
うに1本側をそれぞれA、B、C、D、また2分岐側を
それぞれ1、2、3、4、5、6、7、8とした。結果
を表4に示した。
【0029】
【表4】 入光A 入光B 入光C 入光D 挿入損失 出光1 * 3.57 38.97 48.32 >60 2 3.57 38.85 47.79 56.21 3 37.35 * 3.54 *37.70 48.89 4 *37.05 3.53 37.99 48.76 5 46.31 38.08 * 3.57 38.47 6 46.51 *37.25 3.55 *37.52 7 50.77 44.87 38.52 3.61 8 51.19 46.17 38.09 * 3.65 アイソレーション 33.48 33.71 34.13 33.87 注)* はアイソレーション算出に用いたデータを示す(単位:dB)。
【0030】以上の実施例、および参考例から明らかな
ように、ダミー光導波路のない集積型光導波路ではクロ
ストークが大きく、アイソレーションは18dB程度である
のに対して、ダミー光導波路を設けた場合にはいずれも
アイソレーションは30dB以上が得られている。また、ダ
ミー光導波路の本数は1本でも大きな効果が認められ、
実用上は1〜4本程度で十分なことがわかる。
【0031】
【発明の効果】本発明によれば、集積型光導波路におけ
るクロストークを実用上問題とならないレベルにまで容
易に低減可能である。集積型光導波路の実用化により、
光導波路部品は大幅に小型化されるとともに、光配線が
極めて容易となるため、大規模な光配線も手間をかけず
に低コストで実施可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のダミー光導波路を設けた集積型光導波
路の例を示す平面図。
【図2】本発明の実施例1の光導波路作製に用いた石英
フォトマスクパターンの平面図。
【図3】本発明の実施例2の光導波路作製に用いた石英
フォトマスクパターンの平面図。
【図4】本発明の実施例3の光導波路作製に用いた石英
フォトマスクパターンの平面図。
【図5】本発明の実施例4の光導波路作製に用いた石英
フォトマスクパターンの平面図。
【図6】本発明の参考例の光導波路作製に用いた石英フ
ォトマスクパターンの平面図。
【図7】集積型光導波路の一例を示す平面図。
【図8】選択光重合法による高分子光導波路の製造法の
フローを示す図。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 1つの平板透光体中に各々独立した複数
    の光導波路を形成した集積型光導波路において、隣合う
    各々独立した光導波路の中間にダミー光導波路を設けて
    なる集積型光導波路。
  2. 【請求項2】 隣合う各々独立した光導波路間に設ける
    該ダミー光導波路の本数が1〜4本の範囲である請求項
    1記載の集積型光導波路。
  3. 【請求項3】 光重合性モノマーを含む透光性高分子フ
    ィルムに、光回路パターンを形成したフォトマスクを通
    して光照射し、露光部の光重合性モノマーを重合させた
    後、未反応モノマーを乾燥除去して光回路を形成する光
    導波路の製造法において、該フォトマスクとして請求項
    1記載の該ダミー光導波路を有する集積型光導波路パタ
    ーンを形成したフォトマスクを用いることを特徴とする
    集積型光導波路の製造法。
JP14722196A 1996-06-10 1996-06-10 集積型光導波路およびその製造法 Pending JPH09329720A (ja)

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